「are N」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Then n-type dopants are implanted only into the n-type diffused layer 13 via the contact hole.例文帳に追加

そして、コンタクトホールを介して、ｎ型拡散層１３にのみｎ型ドーパントを注入する。 - 特許庁

The musical piece data D_N for predetermined temporary recording time or longer are recorded in a recording means 350.例文帳に追加

所定の仮記録時間以上の楽曲データＤ_Nを記録手段３５０に記録する。 - 特許庁

The n^- region 101 and n type source region 103 are formed on the main surface 12.例文帳に追加

ｎ^-領域１０１およびｎ型ソース領域１０３は主表面１２に形成される。 - 特許庁

When N write data are read out, a second comparison target for the N write data is generated.例文帳に追加

Ｎ個のライトデータが読み出された場合、それらについての第二比較対象が生成される。 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

In this hard film 3, N and one or more kinds of elements other than N are entered into solid solution.例文帳に追加

この硬質皮膜３は、ＮやＮ以外の元素を１種又は２種以上固溶している。 - 特許庁

Moreover, the second P-well area 55b is connected to GND, and the N-type diffusion areas 53 are connected to the connection node 90.例文帳に追加

第2Pウェル領域55bがGNDに接続され、N型拡散領域53が接続ノード90に接続されている。 - 特許庁

For this purpose, the dummy blocks 10 and 11 are made to have the same outline as the other blocks B_1 to B_N.例文帳に追加

ダミーブロック１０，１１と他のブロックＢ_1〜Ｂ_Nとは同じ形状とする。 - 特許庁

The image reader outputs n pieces of copy objects which are replaced as distribution materials to n persons.例文帳に追加

装置は、置換えが行なわれたｎ部のコピー物を、ｎ人の者への配布資料として出力する。 - 特許庁

The data is stored in a state where track numbers 1 to N are divided into n groups.例文帳に追加

トラック番号の１からＮを、ｎ個のグループに区分けした状態でデータ格納する。 - 特許庁

In input of "cancerous peritonitis", "GA", "N", "SE" and "I", "GA", "N", "FU" and "KU", etc. are inputted.例文帳に追加

“癌性腹膜炎”と入力したい場合、“が”、“ん”、“せ”、“い”あるいは“が”、“ん”、“ふ”、“く”等と入力する様に設定する。 - 特許庁

In the variable delay circuit, N stages of selectors are connected in series using N pieces of variable logic circuits.例文帳に追加

可変遅延回路において、Ｎ個の可変論理回路を用いてＮ段のセレクタが直列接続される。 - 特許庁

An solenoid selector valve 105 is provided in the Z_1 on the most downstream side and valve units 60 are provided in the remaining Z_2-Z_n.例文帳に追加

最下流のＺ_1に電磁切換弁105を設け、残りのＺ_2〜Ｚ_nに弁ユニット60を設けた。 - 特許庁

In the formula, n and m are integers of 8 to 15 satisfying 0.5<n/m<3.5, and y is an integer of 4 to 10.例文帳に追加

（但し、ｎ、ｍは８〜１５の整数、０．５＜ｎ／ｍ＜３．５、ｙは４〜１０の整数である。） - 特許庁

Defining (a) and (b) to be auxiliary variables, the bit lengths of x, y, a, and b are adopted as m=2n (n≥1).例文帳に追加

ａ、ｂを補助変数とし、ｘ、ｙ、ａ、ｂのビット長をｍ＝２^n （ｎ≧１）とする。 - 特許庁

The line image areas LC_1-LC_n are binarized and then compressed by a binary image compression section 7.例文帳に追加

線画領域ＬＣ_1−ＬＣ_nは、２値化された後、２値画像圧縮部７で圧縮される。 - 特許庁

Superposed M×m×N×n marks are thereby formed by the first and second marks.例文帳に追加

こうして第１及び第２マークによるＭ×ｍ×Ｎ×ｎ個の重ね合わせマークを形成する。 - 特許庁

The C/N to be displayed is discriminated from the two values of C/N and they are properly switched and displayed.例文帳に追加

これら２つのＣ／Ｎ比から、表示すべきＣ／Ｎ比を判断し、適応的に切り替えて表示する。 - 特許庁

Management numbers 1 to N are given to all element figures of original data and managed together with a maximum management number N.例文帳に追加

原本データの全要素図形に管理番号１〜Ｎを付し、最大管理番号Ｎと共に管理する。 - 特許庁

Then, m and n are the integers of 2 or larger, and m and n have different values.例文帳に追加

なお、ｍおよびｎは２以上の整数であって、ｍとｎは異なる値である。 - 特許庁

As restored data, the time sequential data of a digital value D(n) are outputted.例文帳に追加

復元されたデータとして、デジタル値Ｄ(n)の時系列データが出力される。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

Out of the N areas, the liquid crystals are driven by reversing the line in the m (1≤m<N) areas.例文帳に追加

Ｎ個の領域のうち、任意のｍ（１≦ｍ＜Ｎ）個の領域の液晶をライン反転駆動法で駆動する。 - 特許庁

Resistances of the first to n-th sub-bit lines are gradually reduced in order from the first to the n-th line.例文帳に追加

例えば、前記第１から第ｎのサブビット線は、第１から第ｎの順に短くなる。 - 特許庁

The N+ channel stop layers 7 are formed so as to be wider than the N+ channel stop layers 6.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＮ^+チャンネルストップ層６よりも幅広とされている。 - 特許庁

An n-type body region 52a and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ボディ領域５２ａと、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, (n) conductors 13 are arrayed (1 to n) and wound into spiral form round a bobbin.例文帳に追加

ｎ本の芯線１３をボビンに対して整列させ（１〜ｎ）、ラセン状に巻装する。 - 特許庁

N numbers (N: plural number) of speakers 12 are spaced along a guiding direction 100.例文帳に追加

誘導方向１００に沿って互いに間隔を置いてＮ台（Ｎ；複数）のスピーカ１２，１２，…が設けられている。 - 特許庁

Calculation of a new creation rate and analysis based on N-gram are performed with respect to non-common partial character strings.例文帳に追加

非共通部分文字列に対しては新規創作率の計算とN-gramによる分析を行う。 - 特許庁

Then, (m) and (n) are the integers of 2 or large, and (m) and (n) have different values.例文帳に追加

なお、ｍおよびｎは２以上の整数であって、ｍとｎは異なる値である。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

ｎ段階目の質量分析であるＭＳ^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、ＭＳ^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）として、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

When the phase command value of the phase shifter 22-n is defined as -(n-1)θ+90, the DC component of the output from the mixer becomes -k_nsinβ_n, and β_n and k_n are calculated from the -k_nsinβ_n.例文帳に追加

次に、移相器２２−ｎの位相指令値を−（ｎ−１）θ＋９０とすれば、ミキサの出力の直流成分は、−ｋ_nｓｉｎβ_nとなる。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

In the step S18, prediction currents ide(n+2), iqe(n+2) caused by setting the voltage vector V(n+1) of one control period Tc forward are calculated by using the prediction currents ide (n+1), iqe(n+1) as initial values.例文帳に追加

ステップＳ１８では、１制御周期Ｔｃ先の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）の設定に伴う予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋１），ｉｑｅ（ｎ＋１）を初期値として用いて算出する。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

M×N photodetecting cells 101,1-10M,N are two-dimensionally arranged over M rows and N columns and the photodetecting cell 10m,n is positioned on the m-th row and the n-th column.例文帳に追加

Ｍ×Ｎ個の光検出セル１０_1,1〜１０_M,NはＭ行Ｎ列に２次元配列されており、光検出セル１０_m,nは第ｍ行第ｎ列に位置している。 - 特許庁

Four N poles N_a, N_b, N_c and N_d and four S poles S_a, S_b, S_c and S_d are magnetized obliquely to the longitudinal direction X of the developing sleeve 9 on the inner peripheral surface 15 of the magnetic sealing member 14.例文帳に追加

磁気シール部材１４の内周面１５には、４つのＮ極Ｎ_ａ、Ｎ_ｂ、Ｎ_ｃ、Ｎ_ｄと、４つのＳ極Ｓ_ａ、Ｓ_ｂ、Ｓ_ｃ、Ｓ_ｄが、現像スリーブ９の長手方向Ｘに対して斜めに着磁されている。 - 特許庁

The amount of precursor ions generated in this manner is sufficient for the MS^n (n>1) analysis, and structure-specific ions are generated with high reproducibility.例文帳に追加

このようにして生じたプリカーサーイオンは、ＭＳ^n（ｎ＞１）解析に十分量であり、再現性よく構造特異的なイオンを生成させる。 - 特許庁

The method for producing the de-N-acetylated substance can be applied when chitosan is produced from chitin, glucosamine is produced from N-acetyl glucosamine or oligosaccharides are produced from polysaccharides.例文帳に追加

キチンからキトサンの生成、N-アセチルグルコサミンからグルコサミンの生成、多糖類から少糖類の生成に適用できる。 - 特許庁

Each minute DC power sources D_1-D_n and the power switches SW_1-SW_n are provided with bypass paths P_1-P_n.例文帳に追加

各微小直流電源Ｄ_１〜Ｄ_ｎと電源スイッチＳＷ_１〜ＳＷ_ｎには，迂回路Ｐ_１〜Ｐ_ｎを設ける。 - 特許庁

The writing order of N G pixels is so determined that the pixels are N+1-th and later among N×3 pixels.例文帳に追加

Ｎ個のＧ画素の書き込み順番は，Ｎ×３個の画素のうちでＮ＋１番目以降であるように定められる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加

Ｎ^+型基板５の上に順にＮ^-型ドリフト層６、Ｎ^+型半導体層７が形成された半導体基板１を用意する。 - 特許庁

The integrated circuit includes M first terminals and N second terminals (M and N are positive integers of M>N>1).例文帳に追加

集積回路は、Ｍ個の第１端子とＮ個の第２端子（ここでＭとＮは正の整数であり、Ｍ＞Ｎ＞１である）を含む。 - 特許庁

N band image data are output to an image data processing device 100 from an N band photographing device 150 capable of photographing multi-bands of N>4.例文帳に追加

Ｎ＞４のマルチバンドの撮影が可能なＮバンド撮影装置１５０から画像データ処理装置１００にＮバンド画像データが出力される。 - 特許庁