「at a C」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At Katsura Station, next to Platform 1-go, there is a track called 'Platform C-go.' 例文帳に追加

桂駅には1号線の隣に「C号線」がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

AMIDATION generally at the C-terminal of a mature active peptide 例文帳に追加

AMIDATION一般的には，成熟活性ペプチドのC-末端において - 特許庁

At such a time, heating is not performed (c).例文帳に追加

このとき加熱しない（ｃ）。 - 特許庁

Such the lead-free low-melting point glass has a thermal expansion coefficient at 30°C to 200°C, of (60 to 100)×10^-7/°C and has a softening point of 280°C to 400°C.例文帳に追加

３０℃〜２００℃における熱膨張係数が（６０〜１００）×10^−７／℃、軟化点が２８０℃以上４００℃以下である特徴を有す。 - 特許庁

To certainly deliver a C ring at the head of a C ring assembly body to a fastening part.例文帳に追加

Ｃリング組立体の先頭のＣリングを確実に締結部に送る。 - 特許庁

(c) The storage modulus G' (1 Hz) at a measuring temperature of 20°C and a frequency of 1 Hz is 1×10^4 to 1×10^6 Pa.例文帳に追加

(c)測定温度20℃、周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ'(１Ｈｚ)が１×10^4〜１×10^6Ｐａ。 - 特許庁

"slowpaste msec" Define the speed at which text is inserted into the current window by the paste ("C-a ]") command. 例文帳に追加

"slowpaste msec"paste コマンド ("C-a ]") によってテキストを挿入する時の速度を定義する。 - JM

The apex (C) of the curved surface (S2) is located at more outward part of each of the cutouts (45) than the intersections (A).例文帳に追加

曲面（S2）の頂点（C）は、交点（A）よりも、切り欠き部（45）の外側にする。 - 特許庁

To detect a C/N ratio at high speed from a receiving signal.例文帳に追加

受信信号から高速にC/N比を検出できるようにする。 - 特許庁

A direct clutch D/C is released at t1 with a command pressure tPc2=0.例文帳に追加

t1にダイレクトクラッチD/Cを指令圧tPc2＝0により解放させる。 - 特許庁

In the same way, the light beams imaged at the view point b (sequence image P(b)) are represented as (A-b), (B-b) and (C-b), and the light beams imaged at the view point c (sequence image P(c)) are represented as (A-c), (B-c) and (C-c).例文帳に追加

同様に視点ｂで撮像される光線群（配列画像Ｐ（ｂ））は（Ａ−ｂ），（Ｂ−ｂ）、（Ｃ−ｂ）で、視点ｃで撮像される光線群（配列画像Ｐ（ｃ））は（Ａ−ｃ），（Ｂ−ｃ）、（Ｃ−ｃ）となる。 - 特許庁

(c) The storage elasticity G' (1 Hz) is 1×10^4 to 1×10^6 Pa at a measuring temperature of 20°C and frequency of 1 Hz.例文帳に追加

(c) 測定温度20℃、周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率Ｇ'(１Ｈｚ）が１×10^4 〜１×10^6 Ｐａ。 - 特許庁

Further, the hydrogen releasing processing is performed at a temperature of ≥200°C and ≤350°C.例文帳に追加

また、水素放出処理を２００℃以上３５０℃以下の温度下で行う。 - 特許庁

The protective film is crystallized by the baking at a temperature between 660°C and 740°C.例文帳に追加

保護膜は660℃から740℃の間の温度で焼成する事で結晶化させている。 - 特許庁

The heat-conductive composition has an adhesive power ratio (adhesive power at 80°C / adhesive power a 23°C) at 80°C and 23°C of ≤0.2.例文帳に追加

また、前記熱伝導性組成物は８０℃と２３℃における粘着力の比（８０℃の粘着力／２３℃の粘着力）が０.２以下である。 - 特許庁

A temperature at freezing is set at 40°C below the freezing point, and a freezing storage temperature is set at 35°C below the freezing point.例文帳に追加

凍結の際の温度を氷点下４０度とし、冷凍保管温度を氷点下３５度とする。 - 特許庁

[Wherein, Ar is a quadrivalent group having at least one aromatic ring; Ar_1 is a bivalent group; and X is O, S, C(CH_3)_2, C(CF_3)_2, CH_2, CO or a direct bond].例文帳に追加

（式中、Arは少なくとも１つの芳香環を有する４価の基であり、Ar_1は２価の基であり、ＸはO、S、C(CH_3)_2、C(CF_3)_2、CH_2、CO又は直接結合である。） - 特許庁

A curvature extreme-value point C of the approximate polynomial curve is determined, and a coordinate system of aspheric representation is acquired from the inclination of a coordinate tangent line at the point C.例文帳に追加

この近似多項式曲線の曲率極値点Cを求め、C点における座標接線の傾きから非球面表示の座標系を得る。 - 特許庁

In addition, after the step of crystallization on a seed the method further comprises a step of annealing the nitride at the temperature between 950°C and 1,200°C, preferably between 950°C and 1,150°C.例文帳に追加

また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 - 特許庁

The glass has the thermal expansion coefficient of (65 to 90)×10^-7/°C at a temperature of from 30 to 300°C and a softening point of ≥500°C and ≤600°C.例文帳に追加

また、３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜９０）×10^−７／℃、軟化点が５００℃以上６００℃以下である特徴を有す。 - 特許庁

It has also a coefficient of thermal expansion at 30-300°C of (65-100)×10^-7/°C and a softening point of not lower than 450°C but not higher than 550°C.例文帳に追加

３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜１００）×10^−７／℃、軟化点が４５０℃以上５５０℃以下である特徴も有す。 - 特許庁

It has a coefficient of thermal expansion at 30-300°C of (65-90)×10^-7/°C and a softening point of not lower than 500°C but not higher than 600°C.例文帳に追加

３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜９０）×10^−７／℃、軟化点が５００℃以上６００℃以下である特徴を有す。 - 特許庁

The glass has a coefficient of linear expansion of (50 to 200)×10^-7/°C at 30 to 300°C, and a softening point of 400°C or higher and lower than 750°C.例文帳に追加

３０から３００℃の線膨張係数が（５０〜２００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上７５０℃未満である特徴を有す。 - 特許庁

For example, when annealing a calcium fluoride single crystal having a melting point of 1,420°C, the maximum temperature X_MAX°C is made to be at least 1,170°C (less than 1,420°C).例文帳に追加

例えば、融点が１４２０℃であるフッ化カルシウム単結晶をアニールする場合、最高温度Ｘ_MAX℃を１１７０℃以上（１４２０℃未満）とする。 - 特許庁

The glass has the thermal expansion coefficient of (65 to 95)×10^-7/°C at a temperature of from 30 to 300°C and a softening point of ≥480°C and ≤580°C.例文帳に追加

３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（６５〜９５）×10^−７／℃、軟化点が４８０℃以上５８０℃以下である特徴を有す。 - 特許庁

The glass has a thermal expansion coefficient at 30-300°C of (55-85)×10^-7/°C and a softening point of ≥500°C and ≤630°C.例文帳に追加

３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（５５〜８５）×10^−７／℃、軟化点が５００℃以上６３０℃以下である特徴も有す。 - 特許庁

The glass is also characterized by having a thermal expansion coefficient of (75-85)×10^-7/°C at 30-300°C and a softening point of ≥550°C and ≤580°C.例文帳に追加

３０℃〜３００℃における熱膨張係数が（７５〜８５）×10^−７／℃、軟化点が５５０℃以上５８０℃以下である特徴も有す。 - 特許庁

For example, when annealing a calcium fluoride single crystal having a melting point of 1,420°C, CF_4 or the like is introduced in the annealing furnace at the temperature of at least 1,120°C (preferably at least 1,170°C, furthermore 1,220°C, especially at least 1,270°C).例文帳に追加

例えば、融点が１４２０℃であるフッ化カルシウム単結晶をアニールする場合、１１２０℃以上（好ましくは１１７０℃以上、さらには１２２０℃以上、特に１２７０℃以上）の温度でＣＦ_４等をアニール炉内に導入する。 - 特許庁

The four-cylinder engine C is so formed that its piston is positioned at a top dead center at the times of a, b, c, d, and e.例文帳に追加

４気筒エンジン（Ｃ）は、時点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅでピストンが上死点位置となる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is preferably kept at a temperature of 650 to 750°C, more preferably at 670 to 720°C, and most preferably at 670 to 720°C.例文帳に追加

半導体基板は、好ましくは、約６５０〜７５０℃、更に好ましくは、約６７０〜７２０℃の温度に保たれるのが好ましい。 - 特許庁

function returns a pointer to the first occurrence of c among the n wide characters starting at s, or NULL if c does not occur among these. 例文帳に追加

関数は、s を先頭とする n 個のワイド文字の中において最初に c が現われる場所へのポインタを返す。 c が現われなかった場合には NULL を返す。 - JM

At a minimum, select gcc-core: C compiler,gcc-g++: C++ compiler, gdb: The GNU Debugger, and make: the GNU version of the 'make' utility.例文帳に追加

少なくとも、gcc-core (C コンパイラ)、gcc-g++ (C++ コンパイラ)、gdb (GNU デバッガ)、および make (GNU 版 make ユーティリティー) を選択してください。 - NetBeans

As a letter C (B on the weekends and bank holidays) is attached at the end of train number, the trains are sometimes called 'C train.' 例文帳に追加

列車番号の最後に付くアルファベットはC（休日はB）で、列車番号から「C電」と呼ばれることもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An increase quantity of the inside EGR is reduced more than F/C time under high rotation at F/C time under low rotation, and a throttle quantity of the throttle opening TA is reduced.例文帳に追加

低回転下でのF/C時は高回転下でのF/C時に比して内部EGRの増量分を少なくすると共に、スロットル開度TAの絞り量を小さくする。 - 特許庁

A gate-shaped one unit fastening tool is separated from the ladder shape by cutting the continuous body at one end (C-C) of the rectangular area.例文帳に追加

矩形領域の一端(C-C)で連続体を切断することで、門形状の一個単位の結束具に分離される。 - 特許庁

A temperature for heating the waste metal powder is preferably set at 315-350°C, especially at 350°C.例文帳に追加

廃棄金属紛の加熱温度は３１５℃〜３５０℃の間に設定するのが良く、３５０℃が好適である。 - 特許庁

The carbon fiber composite material shows a breaking elongation (EB) at 23°C of ≥40%, a dynamic modulus of elasticity at 30°C (E'/30°C) of ≥30 MPa and a dynamic modulus of elasticity at 250°C (E'/250°C) of ≥15 MPa.例文帳に追加

本発明の炭素繊維複合材料は、２３℃における破断伸び（ＥＢ）が４０％以上であり、３０℃における動的弾性率（Ｅ’／３０℃）が３０ＭＰａ以上であり、２５０℃における動的弾性率（Ｅ’／２５０℃）が１５ＭＰａ以上である。 - 特許庁

The steel sheet is produced by dipping a base material into a hot dip plating bath heated at 420 to 600°C, cooling the base material to 400°C at 5.0 to 40°C/sec cooling rate, and next cooling the base material to 300°C at 0.5 to 20°C/sec cooling rate.例文帳に追加

上記鋼板は、母材を、４２０℃〜６００℃の溶融めっき浴に浸漬し、４００℃までを５．０〜４０℃／秒で冷却し、次いで３００℃までを０．５〜２０℃／秒で冷却して製造される。 - 特許庁

The constant current circuit 12 turns on in a period wherein a load drive signal V_C is at high level, and turns off in a period wherein the load drive signal V_C is at low level.例文帳に追加

定電流回路１２は、負荷駆動信号Ｖ_Cがハイレベルである期間中は動作をオンし、ロウレベルである期間中は動作をオフする。 - 特許庁

The substrate (CORNING 7059) is annealed at 640°C which is higher than a strain point (593°C) for 1 hr in a gaseous oxygen stream, cooled slowly at a rate of 0.1-0.5°C/min例文帳に追加

基板（コーニング７０５９）を歪み点（５９３℃）よりも高い６４０℃で１時間アニールし、その後０．１〜０．５℃／分で徐令し、５５０℃で取り出す。 - 特許庁

Then a thermal process is performed in a nitrogen atmosphere at 650°C.例文帳に追加

次いで、温度６５０℃の窒素雰囲気下で熱処理を施す。 - 特許庁

(A) An organic amine having at least one hydrophobic chain or its salt, (B) an oily component liquid at 25°C under the ordinary pressure, (C) an anti-oxidizing agent, and (D) water.例文帳に追加

(A) 少なくとも一の疎水鎖を有する有機アミン又はその塩 (B) 25℃常圧下で液状の油性成分 (C) 酸化剤 (D) 水 - 特許庁

In the high temperature high speed forming method using the Al alloy sheet, the sheet is heated to 450 to 550°C at a rate of ≥20°C/min, formed and then cooled at a rate of ≥20°C/min.例文帳に追加

さらにそのＡｌ合金板を用いた高温高速成形方法として、20℃／min以上で450〜550℃に加熱し、成形後、20℃／min以上で冷却する。 - 特許庁

The counting of viable cells in a specimen is carried out at a specimen temperature Tc (°C) between 40°C and 85°C by a plate count method while keeping the temperature Ts (°C) of the medium for plate count to Tc-10°C<Ts<Tc+5°C during the measurement.例文帳に追加

４０℃以上８５℃以下の温度Tc（℃）の試料の生菌数測定を、プレートカウント法で行う際に、測定操作の間、プレートカウント用培地の温度Ts（℃）をTc−１０℃＜Ts＜Tc＋５℃の範囲内に保つことを特徴とする生菌数測定方法。 - 特許庁

In a method for processing the graphite material particles, a carbon material is crushed having a CTE from 4.8×10^-6/°C to 6.0×10^-6/°C at a temperature from 30°C to 100°C, and the powder obtained is made into the graphite material in an Atchison furnace at a temperature of 2,500°C or more.例文帳に追加

この黒鉛質粒子の製造方法は、30℃〜100℃のＣＴＥが4.8×10^-6/℃以上6.0×10^-6／℃以下である炭素質材料を粉砕し、得られた粉末をアチソン炉を用いて２５００℃以上の温度で黒鉛化することからなる。 - 特許庁