「base type」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A piezoelectric type vibration part 302 is arranged above a base 301, and a counter weight 303 is arranged above the piezoelectric type vibration part 302.例文帳に追加

ベース部３０１の上方には、圧電式振動部３０２が配置されており、圧電式振動部３０２の上方にはカウンタウェイト３０３が配置されている。 - 特許庁

A conductor region 16 penetrating a p-type collector layer 12 and intruding into an n-type base layer 10 is formed on the backside of an IGBT 100.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、裏面側にｐ型コレクタ層１２を貫通してｎ型ベース層１０に侵入している導電体領域１６が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, P-type diffusion layers 22, 23 as a collector region are formed around an N-type diffusion layer 24 as a base region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、コレクタ領域としてのＰ型の拡散層２２、２３が、ベース領域としてのＮ型の拡散層２４の周囲に形成される。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁

An output signal of a photocoupler insulating circuit 2 is current-amplified by a first complementary type emitter follower circuit 21 and given to a complementary type base grounding circuit 22.例文帳に追加

フォトカプラ絶縁回路２の出力信号を、第１の相補型エミッタフォロワ回路２１によって電流増幅し、相補型ベース接地回路２２に与える。 - 特許庁

To provide a reflection type screen capable of reducing contact resistance between a reflection side surface and a rear surface of a screen base material, and a method for manufacturing the reflection type screen.例文帳に追加

スクリーン基材の反射側の面と裏面との接触抵抗を低減する反射型スクリーンおよび反射型スクリーンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The plate type grinding stone 1 is tough since the head end side of the plate type grinding stone 1 is thin to be inserted into the narrow clearance but the base end side is thick.例文帳に追加

板状砥石１の先端側は、狭い隙間内に挿入できるように薄くなっているが、基端側では厚さが厚いので、腰が強い。 - 特許庁

An inverting nozzle control signal /CS is inputted between a base and an emitter of a second NPN type transistor Q21 and a second PNP type transistor Q22.例文帳に追加

第２のＮＰＮ形トランジスタＱ２１、及び第２のＰＮＰ形トランジスタＱ２２のベース・エミッタ間に反転ノズル制御信号／ＣＳが入力される。 - 特許庁

B ion implantation is carried out into an n- type epitaxial layer 2, and then the layer is subjected to an annealing operation to activate B and to form a p-type base region 3.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２にＢのイオン注入を行ったのち、Ｂを活性化させるアニール処理を行ってｐ型ベース領域３を形成する。 - 特許庁

Upon manufacturing a bipolar transistor, a SOI substrate 1 is prepared which comprises a base wafer 2, a SiO_2 film 3, an n^+-type layer 4, and an n-type layer 5.例文帳に追加

バイポーラトランジスタを製造する際、ベースウェハ２と、ＳｉＯ_２膜３と、Ｎ＋型層４と、Ｎ型層５とにより構成されたＳＯＩ基板１を用意する。 - 特許庁

To provide a single base type fluorescent lamp having a spiral light emitting tube and a pin terminal type mouthpiece, in which an easiness of a fitting of a lamp into a lamp socket is attained.例文帳に追加

螺旋状の発光管とピン端子式口金を有する片口金蛍光ランプにおいて、ランプのランプソケットへの装着操作の容易性を図る。 - 特許庁

The heavily doped regions 11 are constituted of p-type semiconductor regions where first conductivity type impurity same as the base regions 4 is introduced.例文帳に追加

高濃度領域１１は、ベース領域４と同じ第１導電型の不純物が導入されたｐ型の半導体領域から構成されている。 - 特許庁

To provide a single base station, that supports non-diversity transmission of a 1st-type digital signal and diversity transmission of a 2nd-type digital signal.例文帳に追加

第１のタイプのデジタル信号の非ダイバーシチ送信および第２のタイプのデジタル信号のダイバーシチ送信をサポートする単一の基地局を提供する。 - 特許庁

A P^+type first diffusion layer 32 is formed in the surface of an N^-type first base layer 12 across the operation region R1 and the terminating region R3.例文帳に追加

動作領域Ｒ１から終端領域Ｒ３に亘って、Ｎ^- 型の第１ベース層１２の表面内にＰ^+ 型の第１拡散層３２形成される。 - 特許庁

A base station B specifies the type of a polling request command to be transmitted and determines a waiting time for waiting data for redirection on the basis of the specified type.例文帳に追加

基地局Ｂは、送信すべきポーリング要求コマンドの種類を特定し、特定した種類に基づき、返送用のデータを待機する待機時間を決定する。 - 特許庁

The friction material which includes a porous base material, at least one type of resin material, and at least one type of friction modifying particle is disclosed.例文帳に追加

多孔質ベース材料、少なくとも1つのタイプの樹脂物質、および少なくとも1つのタイプの摩擦調整粒子を含む摩擦材料が開示されている。 - 特許庁

Next, a P^+ type base layer 5 to effect the amplification function and photoelectric transfer of a transistor is formed and an N^+ type emitter layer 6 is formed thereon.例文帳に追加

次にトランジスタの増幅機能および光電変換を行うＰ＋型のベース層５を形成し、その上にＮ＋型のエミッタ層６を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 2 has an N-type drift region 5 and a P-type body region 6 formed in order from a base side of the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体層２に、Ｎ型のドリフト領域５およびＰ型のボディ領域６が半導体層２の基層部側からこの順に形成されている。 - 特許庁

The second-conductive-type layer 150 is formed in the low-concentration collector layer 102 and is located between the base layer 120 and the first-conductive-type layer 140.例文帳に追加

第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２に形成されており、ベース層１２０と第１導電型層１４０の間に位置している。 - 特許庁

The semiconductor-base light-emitting device (LED) 1 includes a p-type nitride layer 16 and a metal ohmic contact 18 on the p-type nitride layer.例文帳に追加

半導体ベースの発光デバイス（ＬＥＤ）１は、ｐ型窒化物層１６と、ｐ型窒化物層の上の金属オーミックコンタクト１８を含むことができる。 - 特許庁

The anti-staining film material is constituted by combounding the fiber base material and a silane type coating agent and cured/solidfied by the catalytic action of the silane type coating agent.例文帳に追加

繊維基材と樹脂、およびシラン系コート剤が複合されてなり、かつ該シラン系コート剤が触媒の作用により硬化・固化されている防汚性膜材。 - 特許庁

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体３は、第２導電型半導体としてのｐ型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体２の表面に埋設されている。 - 特許庁

An n-type source layer 10 shallowly formed by diffusion formation is arranged at the p-type base layer 4 so that the thyristor may not be latched-up, and a cathode electrode 11 is formed in such a manner that it contacts to the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10, simultaneously.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a shallow diffusion-formed n-type source layer 10 is provided to prevent the thyristor from latching up, and the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10 are simultaneously contacted to form a cathode electrode 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

To automatically maintain the matching of an extraction origin data base and a reflection destination data base without performing any special operation in a data linking system in which the extraction origin data base is constituted as a Shared Nothing type parallel data base.例文帳に追加

抽出元データベースがＳｈａｒｅｄ Ｎｏｔｈｉｎｇ型の並列データベースであるデータ連動システムにおいて、特別な操作を行うことなく自動的に抽出元データベースと反映先データベースの整合性を保持することにある。 - 特許庁

The coating method is characterized in that, in the process of coating the base material by placing the flat base material on a surface plate and relatively moving the single plate type slot die coater to/from the base material, the coating start part is provided with a leading part, then the base material is continuously coated.例文帳に追加

定盤上に平坦な基材を載置し、該基材に対して単板型スロットダイコータを相対的に移動させて上記基材上に塗布する際、塗布開始部に先導部を設け、該基材に対し連続的に塗布することを特徴とする。 - 特許庁

The base identification code includes information on the type of the circuit base, i.e. the type of the electronic circuit to be assembled, so the electronic circuit assembling system is notified of the type of the electronic circuit to be assembled on the attachment of the feeder to the feeder holding member.例文帳に追加

基材識別コードは回路基材の型式、すなわち組み立てるべき電子回路の型式の情報を含んでいるため、フィーダのフィーダ保持部材への取付けにより、組み立てるべき電子回路の型式を、電子回路組立システムに予告することができる。 - 特許庁

In a junction structure, P+type base regions 3 located on the both sides of a trench 5 are positioned at the lower part than the lowest position of an oxide film 8, and an N-type channel layer 6 is pinched between the two P+type base regions 3 from the both sides on the bottom of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ５の両側に位置するＰ＋型ベース領域３を酸化膜８の最下方位置よりも下方に位置させ、トレンチ５の底面においてＮ−型チャネル層６を２つのＰ＋型ベース領域３で両側から挟みこんだジャンクション構造とする。 - 特許庁

To provide a film forming method no restricting a base material used for forming an anatase-type titanium oxide film and realizing the long-term durability of the anatase-type titanium oxide film in using the base material for a long perod of time.例文帳に追加

アナターゼ型酸化チタン皮膜を形成する基材の限定がなく、しかもその基材の長期使用にあたり、アナターゼ型酸化チタン皮膜の長期耐久性を実現する皮膜形成方法を提供する。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

In the gas sensor, an electromotive force type gas sensor section is provided on the heating means of an insulating base having the heating mean through an insulating layer, and a semiconductor-type gas sensor section is provided on the rear of the insulating base.例文帳に追加

加熱手段を備えた絶縁性基材の加熱手段面上に、絶縁層を介して起電力型ガスセンサ部を備え、前記絶縁性基材の裏面側に半導体型ガスセンサ部を備えてなるガスセンサ。 - 特許庁

In the OTL type library data base, inquiries are received from the OTL selection module, the data base is referred to identify the possible variable obfuscation function which can be adapted to a variable type corresponding to the declared secure variable.例文帳に追加

ＯＴＬタイプライブラリデータベースは、ＯＴＬ選択モジュールから照会を受け取り、データベースに照会して、宣言されたセキュアな変数に対応する変数型に適用できる可能な変数難読化関数を識別する。 - 特許庁

Besides, a second heater line 33 of the second heater part 28 is connected to the terminal part 38 through a heater line 44 for connection provided to cross over the third sheet type base material 43 and the first sheet type base material 30.例文帳に追加

また、第２ヒータ部２８の第２ヒータ線３３は、第３シート状基材４３及び第１シート状基材３０に亘るように設けられた接続用ヒータ線４４を介して、端子部３８と接続されている。 - 特許庁

Within the first and second Si layers 2 and 3, an n-type base region 4 is formed and within the base region 4, a p-type emitter region 5 is formed having an impurity concentration higher than that of the first Si layer 2.例文帳に追加

第１Ｓｉ層２及び第２Ｓｉ層３内には、ｎ型のベース領域４が形成され、ベース領域４内には、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が高いｐ型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

An unsealing mechanism to tear out a part corresponding to the non- adhesive region from the sheet type base material adhered on the article by hand is provided corresponding to an outer periphery of the non-adhesive region on the sheet type base material.例文帳に追加

シート状基材における非粘着領域の外周に対応する部分には、物品に貼着されたシート状基材から非粘着領域に対応する部分を手で破り取るための開封機構が設けられる。 - 特許庁

The adjacent degrees of all combinations of mobile stations are mutually compared and then a base station and base band parts in respective mobile stations are instructed to change the access type of the grouped mobile stations to a time division access type.例文帳に追加

全ての移動局の組み合わせについて隣接度を比較した後、グループ化された移動局に対し、アクセス方式を時間分割アクセス方式に変更するよう、基地局および移動局のベースバンド部に指示する。 - 特許庁

However, since the recombination region (21) does not reach a part between and beneath the adjoining p-type base region (3) in the n-type base region (2) for a current path, a forward voltage of the IGBT is not increased.例文帳に追加

しかしながら、再結合領域(21)は、電流通路となるＮ型ベース領域(2)内の隣接するＰ型ベース領域(3)の間及びその下方には達しないため、ＩＧＢＴの順方向電圧を増加させない。 - 特許庁

A modem and base band processing section 13 of the base station unit identifies a type of communication a mobile radio communication terminal is going to start and discriminates a communication speed, when the type of communication indicates data communication.例文帳に追加

基地局装置のモデム及びベースバンド処理部１３は、移動無線通信端末が開始しようとしている通信種別の識別を行い、更に、通信種別がデータ通信で有った場合には、通信速度の判定を行う。 - 特許庁

In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter.例文帳に追加

そして、第１Ｎ型導電領域２をコレクタとし、第３Ｐ型導電領域１２、第４Ｐ型導電領域１３及び基板導電領域１をベースとし、第２Ｎ型導電領域３をエミッタとする第１のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first main electrode, a first semiconductor layer, a first-conductive-type base layer, a second-conductive-type base layer, a second semiconductor layer of a first conductive type, buried layers of a second conductive type, buried electrodes, gate insulating films, gate electrodes, and a second main electrode.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、第１の半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、第１導電形の第２の半導体層と、第２導電形の埋め込み層と、埋め込み電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第２の主電極とを備えた。 - 特許庁

The power semiconductor device has a first conductivity type emitter region, a second conductivity type base region touching the emitter region, a first conductivity type withstand voltage maintaining region touching the base region, a second conductivity type collector region touching the withstand voltage maintaining region, and a collector region arranged in contact with the collector region.例文帳に追加

第一導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域と接する第二導電型のベース領域と、該ベース領域と接する第一導電型の耐圧維持領域と、該耐圧維持領域と接する第二導電型であるコレクタ領域と、該コレクタ領域と接して配置される電極であるコレクタ電極とを備える。 - 特許庁

A p^+-type collector region 8, an n^+-type buffer region 9, an n-type base region 10 formed of first and second regions 10a and 10b, a p-type base region 11 formed of first and second parts 11a and 11b and an emitter region 12 are formed in a semiconductor substrate 1 having a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５を有する半導体基板１には、Ｐ^+型コレクタ領域８とＮ^+型バッファ領域９と第１及び第２の領域１０ａ、１０ｂから成るＮ型ベース領域１０と第１及び第２の部分１１ａ、１１ｂから成るＰ型ベース領域１１とエミッタ領域１２とが形成されている。 - 特許庁

The transistor comprises a semiconductor substrate of first conductivity type, a collector layer of first conductivity type that is formed on the semiconductor substrate and is lower in impurity concentration than the semiconductor substrate, a base layer of second conductivity type that is formed on the collector layer, and emitter layer of first conductivity type that is formed on the base layer, and a conductivity film covering the sides of the collector layer and the base layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に形成され、半導体基板より不純物濃度が低い第１導電型のコレクタ層と、コレクタ層の上に形成される第２導電型のベース層と、ベース層の上に形成される第１導電型のエミッタ層と、コレクタ層及びベース層の側面を覆う導電性膜とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In a power MOSFET, having a p+-type embedded layer 9 in an n--type drift layer 1, a p+-type carrier injection layer 10 connected to a second gate electrode 11 is formed at the side of a p-type base layer 4 to inject holes into the n--type drift layer 1 from the p+-type carrier injection layer 10 at turning on.例文帳に追加

ｎ−型ドリフト層１中にｐ＋型埋込み層９を有するパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｐ型ベース層４の側方に第２のゲート電極１１に接続されたｐ＋型キャリア注入層１０を設け、ターンオン動作時にｐ＋型キャリア注入層１０からホール（正孔）をｎ−型ドリフト層１中に注入する。 - 特許庁

A semiconductor base of the IGFET includes an N^+-type first drain region 34, an N^--type second drain region 35, a P-type first body region 36, a P^--type second body region 37, an N-type first source region 38, and an N^+-type second source region 39, and a trench 31 for forming an IGFET cell.例文帳に追加

IGFETの半導体基体は、N^+型の第１のドレイン領域３４とN^-型の第２のドレイン領域３５とP型の第１のボデイ領域３６とP^-型の第２のボデイ領域３７とN型の第１のソース領域３８とN^+型の第２のソース領域３９とを有し、更にIGFETセルを構成するトレンチ３１を有する。 - 特許庁