「base type」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

This massaging apparatus is of a chair type and has heater parts 3 respectively provided on a seat part 11 and a leg rest base 2.例文帳に追加

椅子型であって、座部１１及び脚載せ台２にヒータ部３を備えているマッサージ機である。 - 特許庁

Brackets 8a and 8b of plate type plastic deformation material are fitted to both the ends of the base plate 5.例文帳に追加

ベース板５の両端には板状の塑性変形部材のブラケット８ａ，８ｂが取り付けられている。 - 特許庁

To realize a navigation type service without imposing any labor on the description of a file being the base of service generation.例文帳に追加

サービス生成の基となるファイルの記述に手間をかけることなく、ナビゲーション型のサービスを実現する。 - 特許庁

a type of dynamite in which the nitroglycerin is absorbed in a base of wood pulp and sodium or potassium nitrate 例文帳に追加

ニトログリセリンが木材パルプの基とナトリウムまたは硝酸カリウムにおいて吸収されるダイナマイトのタイプ - 日本語WordNet

On the Si layer 8, a P+ type SiGe layer 9 including the external base region is formed.例文帳に追加

そのＳｉ層８上に外部ベース領域を含むＰ＋型ＳｉＧｅ層９が形成されている。 - 特許庁

To accurately bond a conductive layer to a base material, in manufacturing a conductive member for contactless-type data carriers.例文帳に追加

非接触型データキャリア用導電部材の製造において、導電層を基材に正確に接着する。 - 特許庁

Related to the dropper type regulators 4 and 8, a Zener diode is provided between the base and the ground of an emitter-follower.例文帳に追加

ドロッパ型レギュレータ４，８は、エミッタホロワのベース−グランド間にツェナダイオードを配置した構成とする。 - 特許庁

The surface of a ceramic base material may be coated with the anatase type TiO_2 powder and Pt and/or Pd.例文帳に追加

セラミック基材の表面に、アナターゼ型ＴｉＯ_2粉末とＰｔ及び／またはＰｄをコーティングしてもよい。 - 特許庁

Also, on the side opposite to the first base layer of the buffer layer, a second conductivity type collector layer is formed.例文帳に追加

また、バッファ層の第１ベース層とは反対側には第２導電型のコレクタ層が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LIQUID SILICONE RUBBER BASE, ADDITION CURING TYPE LIQUID SILICONE RUBBER COMPOSITION AND SILICONE RUBBER CURED PRODUCT例文帳に追加

液状シリコーンゴムベースの製造方法、付加硬化型液状シリコーンゴム組成物及びシリコーンゴム硬化物 - 特許庁

BASE SEQUENCE CHARACTERIZING GENOGROUP II-TYPE SMALL ROUND STRUCTURED VIRUS AND OLIGONUCLEOTIDE FOR DETECTION例文帳に追加

ジェノグループＩＩ型小型球形ウイルスを特徴づける塩基配列および検出のためのオリゴヌクレオチド - 特許庁

The lower layer portion 3a of a p-type base region 3 is formed not by ion implantation but by epitaxial growth.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の下層部３ａをイオン注入ではなくエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING LIQUID SILICONE RUBBER BASE AND METHOD FOR PRODUCING ADDITION CURING TYPE LIQUID SILICONE RUBBER COMPOSITION例文帳に追加

液状シリコーンゴムベースの製造方法及び付加硬化型液状シリコーンゴム組成物の製造方法 - 特許庁

The foundation of a stone lantern is used for this type, and it is considered that those with 'kaeribana (lotus petal design carved around the lower base of a lantern)' are valuable. 例文帳に追加

石燈籠などの基礎を利用したもので、「反花」などの装飾があるものがよいとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To make easy an automation of assemble by raising a fixing strength of a base of a bulb type fluorescent lamp and a cover.例文帳に追加

電球形蛍光ランプの口金13とカバー11との固定強度を高め、組立の自動化を容易にする。 - 特許庁

The projection type display apparatus 11 includes the housing 12, the optical engine block 28, and an engine base 32.例文帳に追加

本発明の投射型表示装置１１は、筐体１２、光学エンジンブロック２８、エンジンベース３２、を具備する。 - 特許庁

The plate type base material is made of a conductive member, and fitted to a flank of a flange member 32.例文帳に追加

板状基材４１は、導電性部材で構成され、フランジ部材３２の側面に取り付けられる。 - 特許庁

The base stations read type information stored their own internal memories to recognize their own types.例文帳に追加

複数の基地局は、内部メモリに格納された自分のタイプ情報を読み出して自分のタイプを認識する。 - 特許庁

To provide a means for carrying out air synchronization, in a frequency division duplex operation type base station device.例文帳に追加

周波数分割複信方式の基地局装置において、エア同期を行うための手段を提供する。 - 特許庁

This fixture is provided with a vessel-shaped reflecting shade 7 surrounding a light-emitting part of a single base type light source 21 from one side.例文帳に追加

片口金形の光源２１の発光部を片側から囲む船形の反射笠７を備える。 - 特許庁

A first calculation section 12 calculates the amounts of production of the type for each material at each production base, on the basis of the target amounts of production of the type of each material and the unit amounts of production at each production base in each allocation scheme, and calculates the total amounts of production at each production base from the calculated mounts of production of each type of material.例文帳に追加

第１の算出部１２は、各割当案において、各材種の目標生産量と、各生産拠点の単位生産量とを基に、各生産拠点における各材種の生産量を算出し、算出した各材種の生産量から各生産拠点の総生産量を算出する。 - 特許庁

To provide a lubricant composition which is excellent in fuel consumption saving and low-temperature viscosity and can satisfy both of fuel consumption saving and low-temperature viscosity at ≤-35°C while maintaining high-temperature high-shear viscosity without using synthetic oil such as polyolefin type base oil and ester type base oil, and low-viscosity mineral oil type base oil.例文帳に追加

省燃費性と低温粘度に優れ、ポリ−α−オレフィン系基油やエステル系基油等の合成油や低粘度鉱油系基油を用いずとも、高温高せん断粘度を維持しながら、省燃費性と−３５℃以下における低温粘度とを両立させることができる潤滑油組成物の提供。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

A vertical light-emitting diode (VLED) die includes a metal base (base) 12, a mirror 14 on the metal base, a p-type semiconductor layer 16 on the mirror, a multiple quantum well (MQW) layer 18 on the p-type semiconductor layer configured to emit light, and an n-type semiconductor layer 20 on the multiple quantum well (MQW) layer.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイは、金属ベース（基部）１２と、金属ベース上のミラー１４と、ミラー上のｐ型半導体層１６と、光を放出するように構成された、ｐ型半導体層上の多重量子井戸（ＭＱＷ）層１８と、多重量子井戸（ＭＱＷ）層上のｎ型半導体層２０と、を含む。 - 特許庁

The nitride base semiconductor light emitting element comprising a second conductive type nitride semiconductor layer and a first conductive type nitride base semiconductor layer successively formed upwardly on a holding metal plate, and an In containing etching marker layer formed on the first conductive type nitride base semiconductor layer.例文帳に追加

保持用金属板の上方に順次形成された第二導電型窒化物系半導体層と発光層と第一導電型窒化物系半導体層とを含み、第一導電型窒化物系半導体層上に形成されたＩｎを含むエッチングマーカー層を含む窒化物系半導体発光素子であることを特徴としている。 - 特許庁

The NPN-type transistor 5 comprises an N-type epitaxial layer corresponding to the emitter, a P-type diffusion layer selectively formed on the N-type epitaxial layer and corresponding to the base, and an N-ype diffusion layer selectively formed on the P-type diffusion layer and corresponding to the collector.例文帳に追加

ＮＰＮ型トランジスタ５は、エミッタに相当するＮ型エピタキシャル層と、Ｎ型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するＰ型拡散層と、Ｐ型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するＮ型拡散層とから構成される。 - 特許庁

An n++-type drain region 4 is formed in comb shape, in plan view, and surrounded by an n-type semiconductor layer 3, a p+-type well region 5, an n++-type source region 6, and a p++-type base contact region 7.例文帳に追加

平面形状において、ｎ^++形ドレイン領域４が略くし形の形状に形成され、ｎ形半導体層３、ｐ^+形ウェル領域５、ｎ^++形ソース領域６、ｐ^++形ベースコンタクト領域７がｎ^++形ドレイン領域４を囲むように形成されている。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁

The TCP-type semiconductor device includes a base film, a semiconductor chip mounted on the base film, and a plurality of leads 30 formed on the base film and electrically connected to the semiconductor chip.例文帳に追加

ＴＣＰ型半導体装置は、ベースフィルムと、ベースフィルム上に搭載された半導体チップと、ベースフィルム上に形成され、半導体チップと電気的に接続された複数のリード３０と、を備える。 - 特許庁

To provide a non-contact type data reception/transmission body wherein a hard base material is prevented from breaking along a through-hole even if external force is applied to the hard base material such that the hard base material is bent in a long direction thereof.例文帳に追加

硬質基材に対してその長手方向に撓むように外力が加えられても、硬質基材が貫通孔に沿って破断することを防止した非接触型データ受送信体を提供する。 - 特許庁

To provide a system of accumulating communication quality of a base station according to the type of an application and selecting an optimal base station for each application when a communication terminal device switches a base station.例文帳に追加

基地局のアプリケーションの種類に応じた通信品質を蓄積し、通信端末装置が基地局の切り替えを行う場合に、アプリケーション毎に最適な基地局を選択する方式を提供すること。 - 特許庁

To enable quick change of the type of a base resin and to prevent a nozzle from clogging caused by hardening of the base resin or the like of a two-liquid mixing coating device which mixes, atomizes and coats the base resin and a curing agent.例文帳に追加

主剤と硬化剤とを混合および霧化して塗布する二液混合塗装装置において、主剤の種類を迅速に変更するとともに、主剤の硬化等によるノズルの詰まりを防止する。 - 特許庁

This non-contact type IC card 10 is provided with a card base material 11, an antenna and an IC chip embedded in the card base material 11, and a magnetic stripe part 17 provided on the surface of the card base material 11.例文帳に追加

非接触式ＩＣカード１０はカード基材１１と、カード基材１１に埋込まれたアンテナおよびＩＣチップと、カード基材１１の表面に設けられた磁気ストライプ部１７とを備えている。 - 特許庁

This static drive type microvalve includes: a valve seat base plate 1 where a valve hole 10 is bored; and a valve element base plate 2 having a valve element part 20 for opening and closing the valve hole 10 and combined with the valve seat base plate 1.例文帳に追加

静電駆動型マイクロバルブは、弁孔１０が貫設された弁座基板１と、弁孔１０を開閉する弁体部２０を有し弁座基板１に組み合わされる弁体基板２とを備える。 - 特許庁

The landing net has a base section 5 and a joint structure of a handle in which a tip end section 7A positioned on tip side of the base section 5 is shaking-out type and the tip end section 7A is stored into the base section 5.例文帳に追加

本発明の玉網は、手元節５とこの手元節の先端側に位置する先端節７Ａが振出し式で、先端節７Ａが手元節５内に収容される柄の継構造を有している。 - 特許庁

The n^+-type emitter regions 14 is so formed that the percentage of the area which the n^+-type emitter regions 14 occupies in the p-type base region 13 in the center of the semiconductor element 10 is smaller in the periphery of the semiconductor element 10, compared with the percentage of the area in which the n^+-type emitter regions 14 occupies in the p-type base region 13.例文帳に追加

半導体素子１０の中心部においてＮ^＋型エミッタ領域１４がＰ型ベース領域１３に占める面積の割合は、半導体素子１０の周辺部でＮ^＋型エミッタ領域１４がＰ型ベース領域１３に占める面積の割合と比較して小さくなるようにＮ^＋型エミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The N^+ type emitter regions 14 are formed so that the ratio of the area of the P-type base region 13 occupied by the N^+ type emitter regions 14 at the center part of the semiconductor element 10 is smaller, as compared to the ratio of the P type base region 13 occupied by the N^+ type emitter regions 14 on the periphery of the semiconductor element 10.例文帳に追加

半導体素子１０の中心部においてＮ^＋型エミッタ領域１４がＰ型ベース領域１３に占める面積の割合は、半導体素子１０の周辺部でＮ^＋型エミッタ領域１４がＰ型ベース領域１３に占める面積の割合と比較して小さくなるようにＮ^＋型エミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The query requirement understanding device generates the explicit query requirement including a query concept and a question type by searching a knowledge base and a language base, and the query requirement expansion device generates the implicit query requirement including a query concept and a question type by searching the knowledge base, the language base and an association database.例文帳に追加

クエリー要件理解装置は、知識ベースと言語ベースとを検索することにより、クエリー概念と質問タイプとを含む明示的クエリー要件を生成し、クエリー要件展開装置は、知識ベースと言語ベースと関連性データベースとを検索することにより、クエリー概念と質問タイプとを含む暗黙クエリー要件を生成する。 - 特許庁

The bandpass filter has a dielectric base board (11), a disk type resonator (12) formed on the dielectric base board, and a dielectric block (15) arranged on a portion of the dielectric base board in the same plane as that of the disk type resonator.例文帳に追加

バンドパスフィルタは、誘電体ベース基板（１１）と、前記誘電体ベース基板上に形成されるディスク型共振器（１２）と、前記誘電体ベース基板上の一部に、前記ディスク型共振器と同じ平面内で配置される誘電体ブロック（１５）と、を有する。 - 特許庁

To provide a microlens base plate, a transmission type screen and a rear type projector where the occurrence of moire caused by the interference of light is effectively restrained, and to provide a base plate with a recessed part which can be suitably used for the manufacture of the microlens base plate.例文帳に追加

光の干渉によるモアレの発生を効果的に抑制することができるマイクロレンズ基板、透過型スクリーン、リア型プロジェクタを提供すること、また、前記マイクロレンズ基板の製造に好適に用いることが可能な凹部付き基板を提供することにある。 - 特許庁

Also, of a p-n junction formed of the p-type base layer 24 and an n-type emitter layer 25 in a contact region equipped with a base electrode is removed so that ineffective currents, without contribution to a bipolar transistor operation can be prevented from running between the emitter and base.例文帳に追加

また、ｐ型ベース層２４とｎ型エミッタ層２５とで形成されたｐｎ接合のうち、ベース電極が設けられるコンタクト領域のものを除去することによって、バイポーラトランジスタ動作に寄与しない無効な電流がエミッタ・ベース間に流れることを防止する。 - 特許庁

The volume type hologram layer 2 is pasted to the base 4 which consists of the film composed of the film as the central base and whose surface is subjected to the easy adhesion treatment to constitute the state that the volume type hologram layer 2 and the cholesteric liquid crystal layer 3 are stuck together via the base 4.例文帳に追加

フィルムを中心基材としてその表面に易接着処理を施したフィルムからなる基材４に、体積型ホログラム層２を貼着して、体積型ホログラム層２及びコレステリック液晶層３が基材４を介して貼り合わされた状態とする。 - 特許庁

A re-releasing type pressure-sensitive sheet can be obtained by providing a pressure-sensitive adhesive layer composed of the re-releasing type pressure-sensitive adhesive on a base film.例文帳に追加

基材フィルム上に前記再剥離型粘着剤からなる粘着剤層を設けることにより、再剥離型粘着シートを得ることができる。 - 特許庁

A nozzle control signal CS is inputted between a base and an emitter of a first NPN type transistor Q11 and a first PNP type transistor Q12.例文帳に追加

第１のＮＰＮ形トランジスタＱ１１、及び第１のＰＮＰ形トランジスタＱ１２のベース・エミッタ間にノズル制御信号ＣＳが入力される。 - 特許庁

A pair of n-type emitter layers 15 are formed on the surface of the p-type base layer 12 inside a current route region 41 which is sandwiched between the main trenches 13.例文帳に追加

主トレンチ１３で挟まれた電流経路領域４１内において、ｐ型ベース層１２の表面に一対のｎ型エミッタ層１５が形成される。 - 特許庁