「buffer layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The improved ionic conductor layer 23 comprises at least two ion transport layers 31, 33 and a buffer layer 32, wherein the at least two ion transport layers 31, 33 and the buffer layer 32 alternate within the ion conductor layer 23 such that the ion transport layers 31, 33 are in communication with a first and a second electrodes.例文帳に追加

改善されたイオン伝導体層２３は少なくとも２つのイオン輸送層３１、３３及び緩衝層３２を含み、少なくとも２つのイオン輸送層３１、３３及び緩衝層３２は、イオン輸送層３１、３３が第１及び第２の電極と連絡するようにイオン伝導体層２３内で互い違いになっている。 - 特許庁

A buffer layer 17 for adjusting a lattice constant in which unit layers 16a-16e, constituted of two InXGa1-XAs layers 13 and 15 with an InZAl1-ZAs layer 14 interposed, are each laminated in 10 layers is arranged between a substrate 11 made of GaAs and a buffer layer 2 made of In0.52Al0.48 As.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１１とＩｎ_０．５２Ａｌ_０．４８Ａｓからなるバッファ層２との間に、２つのＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＡｓ層１３，１５の間にＩｎ_ＺＡｌ_１−ＺＡｓ層１４を挟んで構成される単位層１６ａ〜１６ｅを夫々１０層積んでなる格子定数調整用のバッファ層１７を配置する。 - 特許庁

A single or multi-color light emitting diode (LED) with high extraction efficiency comprises a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on the top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

A buffer layer 12 of a combined layer structure, in which a plurality of first layers 12a made of AlN and a plurality of second layers 12b made of GaN are alternately stacked, is provided on the substrate 11.例文帳に追加

この基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The method of processing nested message layers enables all message layers to be encoded in one formatted message buffer without causing any copy in each message layer.例文帳に追加

本発明のネステッドメッセージレイヤを処理する方法は、各メッセージレイヤにおけるコピーを生じることなしに、全てのメッセージレイヤを１つのフォーマットされたメッセージバッファにエンコードすることを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing superconducting oxide thin film device by which a superconducting oxide thin film having a good c-axis orientation can be formed even when buffer layers are formed in thick layers.例文帳に追加

バッファ層を厚膜にしても良好なｃ軸配向の酸化物超伝導薄膜の形成を行うことができる酸化物超伝導薄膜装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The laminated foundation layer is formed on an AlN buffer layer formed on a silicon substrate and includes a plurality of AlN foundation layers and a plurality of GaN foundation layers alternately laminated one on top of another.例文帳に追加

積層下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成され、交互に積層された複数のＡｌＮ下地層と複数のＧａＮ下地層とを含む。 - 特許庁

The buffer layer 2 has first and second amorphous semiconductor layers 2a, 2c and a single crystal semiconductor layer 2b locating between the first and the second amorphous semiconductor layers 2a, 2c.例文帳に追加

バッファ層２は第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃと、第１及び第２アモルファス半導体層２ａ，２ｃ間に介在する単結晶半導体層２ｂとを備える。 - 特許庁

The buffer layer 50 is made up of a material except a resin and it is softer than the inorganic insulating layers 60, 62.例文帳に追加

緩衝層５０は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層６０，６２よりも柔らかい材料から形成されてなる。 - 特許庁

The layers 106a and 106b comprise at least of one group III nitride, and form one buffer 106 together.例文帳に追加

１０６ａ，ｂ層は少なくとも１個のIII族窒化物を含み、１０６ａ，ｂ層は一緒になって１個のバッファ１０６を形成する。 - 特許庁

Then, by heating the laminated body, direct bonding via atom is formed between the buffer layers themselves.例文帳に追加

そして、この積層体に対して加熱処理を行うことにより、バッファ層同士の間で原子を介した直接接合を形成する。 - 特許庁

A method of forming an electronic device of thin layers on a flexible board includes the steps of: stacking a buffer layer on the flexible board; heating a stack of the board and the buffer layer to a temperature at which the buffer layer is plastically deformed; cooling the stack; and forming the thin-film electronic device on the plastically deformed buffer layer without further plastically deforming the buffer layer.例文帳に追加

フレキシブル基板の上に薄膜層の電子デバイスを形成する方法は、フレキシブル基板の上にバッファ層を堆積させ、基板とバッファ層のスタックをバッファ層の塑性変形が起こる温度まで加熱し、スタックを冷却し、バッファ層をさらに塑性変形させずに、薄膜電子デバイスを塑性変形したバッファ層の上に形成することを含む。 - 特許庁

An n-type GaAs buffer layers 44 and an n-type InGaAlP buffer layer 34 are formed through an epitaxial growth method on an n-type GaAs substrate 10, and an n-type GaP substrate 30 is bonded on the n-type InGaAlP buffer layer 34.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、エピタキシャル成長によりｎ型ＧａＡｓバッファー層４４とｎ型ＩｎＧａＡｌＰバッファー層３４とを形成し、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰバッファー層３４にｎ型ＧａＰ基板３０を接着する。 - 特許庁

When the flow regions are pushed, accordingly, when the buffer layers are compressed, the edge part of the flow regions and the edge part of the cell contact the seal tape.例文帳に追加

流動域を押圧する、従ってバッファ層を圧縮すると、シールテープに流動域の縁部及びセルの縁部が接触する。 - 特許庁

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

A buffer layer 2, a channel layer 3 and source/drain contact layers 4a, 4b are provided on a substrate 1 to constitute a MESFET.例文帳に追加

ＭＥＳＦＥＴを構成するために基板１の上にバッファ層２、チャネル層３、ソ−ス及びドレインコンタクト層４ａ、４ｂを設ける。 - 特許庁

Next, a buffer layer 3, having composition of Al_pGa_qIn_1-p-qN (0≤p≤1, 0<q≤1), is formed on the AlN base layer 2, and a group 4 of GaN semiconductor layers are formed on this buffer layer 3.例文帳に追加

次いで、ＡｌＮ下地層２に、Ａｌ_ｐＧａ_ｑＩｎ_１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１，０＜ｑ≦１）なる組成を有するバッファ層３を形成し、このバッファ層３上に、ＧａＮ半導体層群４を形成する。 - 特許庁

In the gas buffer area 23b for the group III gas, partition walls 40 for partitioning the gas buffer area 23b for the group III gas into a plurality of layers in the stacking direction are provided, and a plurality of through-holes 41... are formed in the partition walls 40.例文帳に追加

III 族系ガスバッファエリア２３ｂには、III 族系ガスバッファエリア２３ｂを積層方向の複数層に仕切る隔壁４０が設けられ、かつ隔壁４０には複数の貫通孔４１…が形成されている。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the buffer layer 140, and is provided from one side of the optical absorption layer 130 and the buffer layer 140 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

バッファ層１４０に積層し光吸収層１３０およびバッファ層１４０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the buffer layer 140, and is provided from one side of the optical absorption layer 130 and the buffer layer 140 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

バッファ層１４０に積層するとともに光吸収層１３０およびバッファ層１４０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

A buffer layer 12 of a composite layer structure, where a plurality of first layers 12a composed of AlN and second layers 12b composed of GaN are laminated on a substrate 11 composed of low-resistance silicon, is installed.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

Since the coating layers 7, 8, 11 consist of material having lubricity, the layers can play a role of lubricant and a role of buffer material, so that durability and load resistance can be enhanced.例文帳に追加

また、コーティング層７,８,１１が潤滑性を有する材料からなるから、コーティング層７,８,１１に、潤滑剤の役目や緩衝材の役目をさせることができ、耐久性や耐荷重性を高めることができる。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。 - 特許庁

In this compound semiconductor wafer 1 formed by growing a plurality of compound semiconductor layers 3 on the substrate 2 respectively, a buffer layer 4 is grown on the substrate 2 by a liquid phase epitaxial method, and respective compound semiconductor layers 3 are grown on the buffer layer 4 by a vapor phase growth method.例文帳に追加

基板２上に複数の化合物半導体層３をそれぞれ成長させて作製される化合物半導体ウェハ１において、基板２上にバッファ層４を液相エピタキシャル法で成長させ、バッファ層４上に各化合物半導体層３を気相法でそれぞれ成長させたものである。 - 特許庁

First and second trenches 8a and 8b are formed which penetrate the first and second n+ emitter layers 4a and 4b as well as the first and second p+ base layers 3a and 3b, and bottoms 9a and 9b of the trenches approach the bottom within the first and second n-buffer layers 2a and 2b.例文帳に追加

第１、第２ｎ^+ エミッタ層４ａ、４ｂ、第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂを貫通し、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂ内で、その底部近傍に、トレンチ溝の底部９ａ、９ｂが達するように、第１、第２トレンチ溝８ａ、８ｂが形成される。 - 特許庁

A plurality of solar cell units composed of the photoelectric conversion layers, the buffer layers, the insulating layers, and the transparent electrodes are formed by a plurality of opening grooves formed in different positions from the isolation grooves and with a predetermined interval, and reaching the back electrodes from the transparent electrodes.例文帳に追加

分離溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、透明電極から裏面電極に達する開口溝により光電変換層、バッファ層、絶縁層および透明電極により構成される太陽電池ユニットが複数形成される。 - 特許庁

The current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with Co-Fe buffer layers is proposed to improve pinning and magnetoresistance properties.例文帳に追加

ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。 - 特許庁

The second and third buffer layers are adjacent to an antiparallel coupling layer and have specific compositions to improve bidirectional anisotropic pinning properties.例文帳に追加

第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。 - 特許庁

In such a method, sidewalls on layers excluding a target film being etched are protected with such a buffer film followed by a gate etching process.例文帳に追加

それによって、エッチング対象となるターゲット膜以外の層の側壁をそうしたバッファ膜で保護し、その後にゲートエッチング工程を実施する。 - 特許庁

The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.例文帳に追加

スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁

A plurality of the electrodes disposed on the surface of the charge dissipation layer sends an electric signal through the respective layers of buffer, block and charge dissipation to the optical waveguide.例文帳に追加

電荷散逸層の表面に設けた複数の電極は、バッファ、ブロック、電荷散逸の各層を通じ電気信号を光導波路へ送る。 - 特許庁

A light-emitting device is formed by forming a buffer layer 11 on a substrate 10 of sapphire or the like, by forming an n-type GaN layer 12 on the buffer layer 11, and further by laminating semiconductor layers 14 to 20.例文帳に追加

発光デバイスは、サファイア等の基板１０上にバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上にｎ型ＧａＮ層１２を形成し、さらに半導体層１４〜２０を積層することにより形成される。 - 特許庁

The semiconductor device for communication equipment has an HFET structure and comprises an InP substrate, a buffer layer and a spacer layer made of InAlAs, and a channel layer made of InGaAsPN between the buffer and spacer layers.例文帳に追加

通信機器用半導体装置は，ＨＦＥＴの構造を有し、ＩｎＰ基板と、ＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層及びスペーサ層と、バッファ層とスペーサ層に挟まれたＩｎＧａＡｓＰＮからなるチャネル層とを備えている。 - 特許庁

To provide an impact buffer product stepwisely dispersing and buffering a large impact force by stepwisely peeling off a plurality of contacts of two layers or more belt layers one after another in receiving the impact.例文帳に追加

衝撃を受けた時、二層以上のベルト層の複数の接合部が次々と段階的に剥離していく事によって、大きな衝撃力を多段階的に分散して緩和する衝撃緩和品を提供する。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion element 1, buffer layers 13a and 13b each formed of a mixture body of magnesium silicide and a metal material are formed between the thermoelectric conversion layer 11 and the electrode layers 12a and 12b.例文帳に追加

本発明に係る熱電変換素子１は、熱電変換層１１と電極層１２ａ，１２ｂとの間にマグネシウムシリサイドと金属材料との混合体からなるバッファ層１３ａ，１３ｂが形成されている。 - 特許庁

In addition, the difference between constituent materials of both the layers are reduced by the buffer layers 13a and 13b, contact resistance can be reduced, and the thermoelectric conversion element 1 excelling in electrical characteristics such as generated electromotive force can be provided.例文帳に追加

さらに、バッファ層１３ａ，１３ｂにより、両層の構成材料の違いが緩和されて、接触抵抗を低下させることができ、発生する起電力等の電気的特性が良好な熱電変換素子１となる。 - 特許庁

In this light emitting thyristor, AlGaAs layers are epitaxially grown by changing Al composition from 0 through 0.1, 0.2, and 0.3 to 0.35 on a GaAs buffer layer 12 on a GaAs substrate 10.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上のＧａＡｓバッファ層１２の上に、Ａｌ組成を０，０．１，０．２，０．３，０．３５のように変化させながらＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

It is preferable that the buffer layer 9b consists of an LiF layer, and the first and second conductive layers 9a, 9c both consist of an Al layer.例文帳に追加

バッファ層９ｂはＬｉＦ層であることが好ましく、第１の導電層９ａおよび第２の導電層９ｃは、ともにＡｌ層であることが好ましい。 - 特許庁

The first and second strain buffer intermediate layers include different semiconductor materials, and reduce strain of the first group III-V semiconductor body.例文帳に追加

前記第１および第２の歪緩衝中間層は、異なる半導体材料を有し、前記第１のIII-V族半導体本体における歪みを減少させる。 - 特許庁

The manufacturing method can improve surface flatness of the buffer layers exposed in such a manner and prevent light-emitting ability from being deteriorated.例文帳に追加

本発明は、このようにして露出したバッファ層の表面平坦度を向上させＥＬディスプレイの発光能力が劣化しないようにすることができる。 - 特許庁

Then Ge_xSi_1-x buffer layers (Si/Ge_0.8Si_0.2/Ge_0.9Si_0.1/Ge)例文帳に追加

更に数個のＧｅ_ｘＳｉ_１‐ｘ緩衝層（Ｓｉ／Ｇｅ_０．８Ｓｉ_０．２／Ｇｅ_０．９Ｓｉ_０．１／Ｇｅ）１０３〜１０５がＵＨＶＣＶＤによりＳｉ基板上部に成長する。 - 特許庁

Accordingly, the BN-based compound semiconductor buffer layer 24 acts to relax lattice misalignment between the substrate 11 and semiconductor crystalline layers 34, 35 and 36.例文帳に追加

従って、ＢＮ系化合物半導体バッファー層２４が、基板１１と半導体結晶層（３４、３５，３６）間における格子不整合を緩和する。 - 特許庁

Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order.例文帳に追加

その後、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層５上に、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８がこの順に形成される。 - 特許庁

Further, stress buffer layers 7, 8 are respectively arranged between the first electrode 3 and the first substrate 1 and between the second electrode 4 and the second substrate 2.例文帳に追加

そして、第１及び第２の電極３，４と第１及び第２の基板１，２との間に、ヤング率が低い応力緩衝層７，８が配置されている。 - 特許庁