「buffer layers」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The plural layers include buffer material layers consisting of at least buffer materials absorbing the impact in the abutment of the activating members and reinforcing material layers consisting of synthetic resins, etc.例文帳に追加

この複数の層は、少なくとも前記作動部材の当接時の衝撃を吸収する緩衝材料からなる緩衝材層と、合成樹脂などからなる補強材層を含む。 - 特許庁

The second multilayer buffer area 8 is comprised of third and fourth layers.例文帳に追加

第２の多層構造バッファ領域８を第３及び第４の層で構成する。 - 特許庁

A groove 11 is formed on a buffer base layer on a sapphire substrate 2, and the buffer base layer 21 is separated into a plurality of buffer layers 5 by the groove 11.例文帳に追加

サファイア基板２上のバッファ基層に溝１１が形成され、この溝１１によって、バッファ基層２１が複数のバッファ層５に分離される。 - 特許庁

The semiconductor element 2 and the buffer plate 4, and the metal layer 3 and the buffer plate 4 are bonded through the solder layers 5 and 6.例文帳に追加

半導体素子２と緩衝板４、および金属層３と緩衝板４とは半田層５，６を介して接合する。 - 特許庁

To prevent cable cores from being exposed through the gaps of buffer layers in an optical fiber cable.例文帳に追加

光ファイバケーブルにおいて、緩衝層の隙間からのケーブルコアの露出を防ぐ。 - 特許庁

The thin-film solar cell includes a plurality of back electrodes isolated by a plurality of isolation grooves formed on an insulating substrate; photoelectric conversion layers formed on the back electrodes, buffer layers formed on the photoelectric conversion layers; insulating layers formed on the buffer layers; and transparent electrodes formed on the insulating layers.例文帳に追加

薄膜太陽電池は、縁性基板上に形成された複数の分離溝で分離された複数の裏面電極と、裏面電極上に形成された光電変換層と、光電変換層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された透明電極とを有する。 - 特許庁

To provide a current-to-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with Co-Fe buffer layers.例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサを提供する。 - 特許庁

The fourth and fifth buffer layers are adjacent to barrier and spacer layers and have specific compositions to improve magentoresistance properties.例文帳に追加

第４と第５のバッファ層は、バリアおよびスペーサ層に隣接し、磁気抵抗特性を改善するための特定の組成を有する。 - 特許庁

The sealing body 300 has a laminated structure of buffer layers 311, 312 arranged inside surrounded by the protruded part 400 and barrier layers 320, 321 and 322 which are larger patterns than those of the buffer layers, and furthermore, cover the buffer layers and overlap at least a part of the protruded part 400.例文帳に追加

封止体３００は、突起部４００で囲まれた内側に配置されたバッファ層３１１，３１２と、バッファ層より大きなパターンであってしかもバッファ層を被覆するとともに突起部４００の少なくとも一部に重なるバリア層３２０，３２１，３２２とを積層した構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

A buffer layer 2, having a laminated structure composed of first AlN layers 8 and second GaN layers 9 which are alternately laminated in some layers, is formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

The heat specific resistance of the buffer layers can be reduced compared to the distortion relaxation buffer layer formed only of In_xGa_1-xAs or the distortion relaxation buffer layer formed only of the In_yGa_1-yP layer by using the distortion relaxation buffer layer.例文帳に追加

前記の歪緩和バッファ層を用いることにより、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓのみからなる歪緩和バッファ層、または、Ｉｎ_yＧａ_1-yＰ層のみからなる歪緩和バッファ層に比べて、バッファ層の熱抵抗率を低減できる。 - 特許庁

To enable to abbreviate processes generating buffer layers included in electron emitter manufacturing processes.例文帳に追加

電子エミッタ作製プロセスが含むバッファ層を生成するプロセスを省略可能とすることである。 - 特許庁

Each transistor 6 has an n-type high-temperature buffer layer 8, and p-type clad layers 11a and 11b on both sides of the high-temperature buffer layer 8 in the direction of row.例文帳に追加

各トランジスタ６は、ｎ型の高温バッファ層８およびその列方向の両側にｐ型クラッド層１１ａ，１１ｂを有している。 - 特許庁

On the composition modulation buffer layer 20, first and second semiconductor layers 40 and 50 are formed which include active layers made of nitride semiconductors.例文帳に追加

組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１及び第２の半導体層４０，５０が形成されている。 - 特許庁

In other words, the buffer layers 21 are surely present in any pathway from the mounting portion 100 to the vibrating body 16, and the vibration transmitted from the mounting portion 100 is propagated to the buffer layers 21.例文帳に追加

つまり、取付部位１００から振動体１６までに至る、どの経路においても、必ず緩衝層２１が存在しており、取付部位１００から伝わる振動はこの緩衝層２１に伝搬する。 - 特許庁

An intermediate layer, in which first buffer layers and second buffer layers are alternately and repeatedly stacked more than or equal to three times on a substrate composed of a different material from that of a GaN-based nitride semiconductor film, is formed.例文帳に追加

前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。 - 特許庁

In this case, warpage of the polarizing plates 4a, 4b is sufficiently prevented with the buffer material layers 16 and even when the external force is added to the substrates 6a, 6b of the panel 10 the force is buffered with the buffer material layers 16.例文帳に追加

この場合、緩衝材層１６により偏光板４ａ，４ｂの反りが十分防止され、パネル１０の基板６ａ，６ｂに外力が加わっても緩衝材層１６により緩衝される。 - 特許庁

The LED is comprised of a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

In the gas buffer area 23b for the group III gas, partition walls 40 for partitioning the peripheral part of the gas buffer area 23b for the group III gas into a plurality of layers of the stacking direction are provided.例文帳に追加

III 族系ガスバッファエリア２３ｂには、III 族系ガスバッファエリア２３ｂの周辺部を積層方向の複数層に仕切る隔壁４０が設けられている。 - 特許庁

A plurality of inputted bit streams are stored in a buffer, and header information and slice information of respective layers above a picture layer including the picture layer are stored in the buffer.例文帳に追加

入力された複数のビットストリームがバッファに格納されると共に、ピクチャ層以上の各階層のヘッダ情報と、スライス情報とがバッファに格納される。 - 特許庁

The sub-multilayer buffer areas 6 are comprised of a plurality of first and second layers that are alternatively arranged.例文帳に追加

サブ多層構造バッファ領域６を、交互に配置された複数の第１及び第２の層で構成する。 - 特許庁

In this occasion, the steps are covered by the layers formed by the transverse epitaxial growth from the buffer layers 21 formed mainly on the upper step faces of the steps, and the surface is flattened.例文帳に追加

この時、主に段差の上段面に形成されたバッファ層２１からの横方向エピタキシャル成長により段差が覆われ、表面が平坦となる。 - 特許庁

An n^+ buffer layer 11 with a impurity concentration higher than that of the parallel pn layers 20 is provided between an n^++ drain layer 12 and the parallel pn layers 20, 23.例文帳に追加

ｎ^＋＋ドレイン層１２と並列ｐｎ層２０、２３との間に、並列ｐｎ層２０より高不純物濃度のｎ^＋ バッファ層１１を設ける。 - 特許庁

Buffer layers 60 are formed and wiring layers 63 which extend to the backside of the silicon wafer 51 from the via holes VH and are connected to the pad electrodes 53 are formed.例文帳に追加

次に、緩衝層６０を形成した後、ビアホールＶＨからシリコンウエハー５１の裏面に延びてパッド電極５３と接続する配線層６３を形成する。 - 特許庁

The buffer region 3 constituted by repeatedly arranging first AlN layers L1, second GaN layers L2, and third AlGaN layers L3 is formed on a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の上に、ＡｌＮから成る第１の層Ｌ１とＧａＮから成る第２の層Ｌ２とＡｌＧａＮから成る第３の層Ｌ３とを繰り返して配置した構造のバッファ領域３を形成する。 - 特許庁

The isolation layers 12 and the buffer layers 13 are formed dispersedly in lines, and etchant flow holes 16 are provided in the side of t layers 12 and 13 through the intermediary of an SiO2 growth stop film 15.例文帳に追加

分離層１２およびバッファ層１３は線状に分散して形成され、それらの側面にはＳｉＯ_2 よりなる成長防止膜１５を介してエッチング剤の流通孔１６が設けられている。 - 特許庁

The layers have such composition and layer thickness as 0≤Δa.da+2Δb.db+2Δr.dr≤0.08 nm where strain amounts of the quantum well layer 6, barrier layers 4 and 8, and buffer layers 5 and 7 are Δa, Δb and Δr, respectively.例文帳に追加

各層は、量子井戸層6,障壁層4,8,緩和層5,7 の歪量をそれぞれ、Δa,Δb,Δrとするとき、０≦Δa・ｄa＋２Δb・ｄb＋２Δr・ｄr≦0.08ｎｍで示される関係となる組成および層厚とする。 - 特許庁

The buffer member 11 has a structure in which a partition plate 14 is nipped with a plurality of viscoelastic layers 13.例文帳に追加

緩衝部材11は複数層の粘弾性体13とその間に仕切板14が挟着された構成となっている。 - 特許庁

For the stress buffer layers 7, 8, polyimide resin, aramid resin, or epoxy resin can be used.例文帳に追加

応力緩衝層７，８としては、ポリイミド系樹脂、アラミド系樹脂又はエポキシ系樹脂を使用することができる。 - 特許庁

The angle of inclination of the outer peripheral surface of the buffer layers 5(5a, 5b) is set to be smaller than 30°, more preferably, smaller than 15°.例文帳に追加

緩衝層５（５ａ，５ｂ）の外周面の傾斜角度を３０°以下、より好ましくは、１５°以下とする。 - 特許庁

The corrugated panel 12 interposed between layers of metal non-woven fabric 13 is provided with a stair shaped buffer part 18.例文帳に追加

金属不織布１３の層間に介在される波板１２に、階段形状の緩衝部１８を設けた。 - 特許庁

In a buffer for automobiles equipped with a buffer body 3 which intervenes among parts, the buffer body 3 comprises a plurality of vibration damping layers 4a-4d, the peaks of loss tangent tan δ of which are in different frequency ranges and surface layers 5a-5d made of thermoplastic resin.例文帳に追加

部品間に介在する緩衝体３を備えた自動車用緩衝装置において、緩衝体３を損失正接ｔａｎδのピークが互いに異なる周波数域にある複数の振動減衰層４ａ〜４ｄと、熱可塑性樹脂からなる表面層５ａ〜５ｂとの積層構造にする。 - 特許庁

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。 - 特許庁

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。 - 特許庁

In an n-type lower clad layer 4, thin buffer layers 5 of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) are formed, and in a p-type upper clad layer 7, thin buffer layers 8 of Al_xGa_1-xN(0≤x≤1) are formed.例文帳に追加

ｎ型下部クラッド層４中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層５が形成され、ｐ型上部クラッド層７中に薄層のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）緩衝層８が形成されている。 - 特許庁

Buffer layers made of an amorphous inorganic substance which causes brittle fracture are formed on bonding surfaces of a plurality of substrates having linear expansion coefficients different from each other, and the substrates to be bonded are laminated onto each other such that the buffer layers face each other.例文帳に追加

互いに線膨張係数の異なる複数の基板の接合面に、脆性破壊を起こすアモルファス状の無機物からなるバッファ層を形成し、このバッファ層同士が相対向するように接合する基板同士を積層する。 - 特許庁

The fixed contact portion 33 includes a plurality of buffer layers 44 and conductive layers 45 alternately laminated above a fixed contact substrate 41 by vapor deposition, sputtering, electroplating or the like.例文帳に追加

固定接点部３３は、固定接点基板４１の上方に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層４４と導電層４５が複数層交互に積層される。 - 特許庁

A buffer layer 2 is provided with the structure of alternately laminating a plurality of first layers 8 composed of Al and second layers 9 composed of GaN on a wafer 1 composed of silicon.例文帳に追加

シリコンから成る基板１の上にＡｌＮから成る第１の層８とＧａＮから成る第２の層９とを交互に複数積層した構造のバッファ層２を設ける。 - 特許庁

First and second n-buffer layers 2a and 2b are formed on both sides of an n- drift layer 1, over which first and second p+ base layers 3a and 3b are formed.例文帳に追加

ｎ^- ドリフト層１の両側に、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂが形成され、これらのｎバッファ層２ａ、２ｂ上に第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂが形成される。 - 特許庁

The semiconductor device 1A includes a silicon chip 34; electrodes 32, 36, 38; a resin section 46; inorganic hard films 48, 54; buffer layers 50, 56; and plated layers 52, 58.例文帳に追加

半導体装置１Ａは、シリコンチップ３４と、電極３２，３６，３８と、樹脂部４６と、無機硬質膜４８，５４と、緩衝層５０，５６と、めっき層５２，５８とを含む。 - 特許庁

Buffer layers 60 are formed and wiring layers 63 which extend to the backside of the silicon wafer 51 from the via holes VH and are connected to the pad electrodes 53 are formed.例文帳に追加

その後、緩衝層６０を形成し、さらに、ビアホールＶＨからシリコンウエハー５１の裏面に延びてパッド電極５３と接続する配線層６３を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a shaped substrate with curved surface includes the steps of providing a textured substrate with planar surface with one or more of first textured buffer layers, subjecting the substrate covered with the first buffer layers to a shaping step, and providing a second textured buffer layer onto the first buffer layers by epitaxial growth.例文帳に追加

曲がった面を備えた、形状を変化させた基板を作成する方法であって、一つまたは複数のバッファ層を備え、平面を備えたテクスチャ化された基板を供給するステップと、最初のバッファ層で被覆された該基板の形状を変化させるステップと、エピタキシャル成長によって、最初のバッファ上に、テクスチャ化された第２のバッファ層を供給するステップとを含む、形状を変化させた基板を作成する方法。 - 特許庁

The substrate 2 alternately laminates conductor layers 5, 7, 9 and 11 and insulating glass layers 6, 8 and 10, and makes a rate of a low melting point glass contained in the buffer glass layer 3 higher than those of the insulating glass layers 6, 8 and 10.例文帳に追加

基板２には、バッファガラス層３を介して導体層５，７，９，１１と絶縁ガラス層６，８，１０とを交互に積層し、バッファガラス層３に含まれる低融点ガラスの割合を絶縁ガラス層６，８，１０よりも高くする。 - 特許庁

The buffer layer 50 is formed of a material excluding resin and softer than the inorganic insulating layers 60, 62.例文帳に追加

緩衝層５０は、樹脂を除く材料であって、無機絶縁層６０，６２よりも柔らかい材料から形成されてなる。 - 特許庁

The extracted background images with a single layer and a plurality of layers are stored in a background buffer, and updated for each frame (S3).例文帳に追加

抽出された単層および複数層の背景画像を背景バッファに保存し、フレームごとに更新する（Ｓ３）。 - 特許庁