「buffer layers」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compound semiconductor element structure wherein crystal defects are reluctant to occur along the boundary between a buffer zone and a semiconductor element layer and wherein high-quality element layers are realized with stability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

バッファ層と素子層との境界において結晶欠陥が発生しにくく、ひいては高品質の素子層を安定的に実現できる半導体素子構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes: a silicon substrate 1 that has monocrystaline silicon on at least one surface; a buffer layer 2 that is provided in the monocrystaline silicon and has one or more of cobalt silicide layers (2a, 2b, 2c) mainly composed of cobalt silicide; and the silicon carbide single crystal film 3 provided on the buffer layer 2.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 - 特許庁

The semiconductor heterostructure comprises a support substrate with a first in-plane lattice parameter, a buffer structure formed on the support substrate and having on top in a lattice relaxed state a second in-plane lattice parameter, and a multi-layer stack of ungraded layers formed on the buffer structure.例文帳に追加

本発明は、第１の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第２の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。 - 特許庁

Disclosed is a semiconductor wafer 10 having at least two or more semiconductor layers formed on the semiconductor substrate 11 through epitaxial growth, the semiconductor wafer having the buffer layer 12 formed right on the semiconductor substrate 11 and a semiconductor layer having a selective etching property with respect to the buffer layer 12 and functioning as the peel layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長によって半導体基板１１上に形成された少なくとも２層以上の半導体層を有する半導体ウェハ１０であって、前記半導体基板１１直上に形成されたバッファ層１２と、該バッファ層１２と選択的なエッチング性を備え、剥離層として機能する半導体層とを有する。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for HBT for successively laminating and forming the buffer layer 2, the subcollector layer 3, a collector layer 4 and an emitter layer 6 on a semi-insulating substrate 1, graded layers 11 and 12 changed continuously so as to relax the lattice distortion by a composition ratio between the semi-insulating substrate 1 and the buffer layer 2, and between the subcollector layer 3 and the buffer layer 2, respectively.例文帳に追加

半絶縁性基板１上にバッファ層２、サブコレクタ層３、コレクタ層４、ベース層５及びエミッタ層６が順に積層形成されたＨＢＴ用エピタキシャルウェハにおいて、前記半絶縁性基板１及び前記バッファ層２の間と、前記サブコレクタ層３及び前記バッファ層２の間とに、それぞれ組成比が格子歪を緩和させるように連続的に変化するグレーデッド層１１、１２を形成する。 - 特許庁

The drawing processing part 202 includes a software composition means 2021 which composes a plurality of images stored in a drawing buffer corresponding to each image in a software manner and outputs the resulting image onto a single frame buffer assigned to a certain display layer; and a hardware composition means 2022 which assigns the drawing buffer corresponding to each image to a plurality of display layers, and performs superimposition of the images by use of the function of hardware.例文帳に追加

当該描画処理部２０２は、各画像に対応する描画バッファに格納された複数の画像を、ソフトウェア的に合成し、ある表示レイヤに割り当てられている単一のフレームバッファ上に出力するソフトウェア合成手段２０２１と、各画像に対応する描画バッファを複数の表示レイヤに割り当て、ハードウェアの機能を利用して前記画像の重ね合わせを行うハードウェア合成手段２０２２とを有する。 - 特許庁

The substrate 1 for growing the electro-optic single crystal thin film is provided for epitaxially growing a BTO single crystal thin film 6 or the like on an Si (001) substrate 2, wherein two or more layers of buffer layers 3, 4, 5 for buffering the lattice mismatch between Si and BTO are formed on the Si (001) substrate 2.例文帳に追加

Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。 - 特許庁

Further, the longitudinal outer edge part including an air supporting surface of a surface opposed to the magnetic recording medium of the magnetic head slider 1 is provided with the buffer layers 11, 11' formed of the material softer than the magnetic head slider-constituting member.例文帳に追加

また、磁気ヘッドスライダ１の磁気記録媒体と対向する面の空気支持面を含む長手方向外縁部に、磁気ヘッドスライダ構成部材より柔らかい材料で形成された緩衝層１１，１１’を設けた。 - 特許庁

To prevent data from being discontinuously recorded in a recording medium due to overwrite in a buffer memory during recording of an optical disk having two or more recording layers, and to prevent deterioration of an input signal due to excessive compression.例文帳に追加

２層以上の記録層を持つ光ディスクへの記録時に、バッファメモリ内の記録データが上書きされ、記録媒体への記録が不連続になるのを防止し、かつ過度の圧縮による入力信号の劣化を防ぐ。 - 特許庁

A buffer layer 43, a non-doped InGaAs channel layer 44, a barrier layer 45 composed of a plurality of layers, and an n^+-type contact layer 46 of thickness 50 nm are formed on a semi-insulating GaAs substrate 42.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板４２上にバッファ層４３、ノンドープＩｎＧａＡｓのチャネル層４４、複数層からなる障壁層４５、ｎ＋型ＧａＡｓからなる膜厚５０ｎｍのコンタクト層４６が形成される。 - 特許庁

The conductive composition attains the electrical resistance reduction and the improvement of the conductivity of coating film, therefore being suitably applicable to conductive coatings, coating film, coated products and the anode buffer layers of organic electronics devices, etc.例文帳に追加

本発明の導電性組成物によれば、塗膜の低抵抗化と導電性の向上が達成され、導電性の塗料、塗膜、被覆物、有機エレクトロニクス素子の陽極バッファー層などに好適に使用される。 - 特許庁

A wiring path R0 connecting an output terminal t0 for the clock buffer CB1 and the mesh-structure clock wiring 7 is composed only of wiring layers of a lowermost wiring layer (L4) or less in the mesh-structure clock wiring 7.例文帳に追加

クロックバッファＣＢ１の出力端子ｔ０とメッシュ構造クロック配線７をつなぐ配線経路Ｒ０が、メッシュ構造クロック配線７における最下位配線層（Ｌ４）以下の配線層のみで構成されている。 - 特許庁

A compound semiconductor material is used as a semiconductor layer, and buffer layers containing an organic compound and an inorganic compound each having conductivity are formed between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形成する。 - 特許庁

This case has a storage opening at part of a box type consisting of layers of a facing material 1 and a buffer layer 2, and the portable electronic equipment is fixed to the storage opening with a band 3 fitted with 'Magic Tape(R)' 4.例文帳に追加

外装材１と緩衝材２の複数の層からなる箱型の一部に収納口を有し、その収納口にマジックテープ４を取り付けたバンド３で携帯型電子機器を固定する構造を持つケース。 - 特許庁

Also even when the external force is too strong to be sufficiently buffered by the buffer material layers 16, slippage between the substrates 6a, 6b is more certainly prevented because the mutual bonding of the substrates 6a, 6b is made firmer.例文帳に追加

また外力が大きく緩衝材層１６で外力を十分緩衝しきれなくても、基板６ａ，６ｂ同士の結合がより強固となるので基板６ａ，６ｂ間のずれがより確実に防止される。 - 特許庁

This battery 1 is equipped, between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15, with a buffer layer 16 for buffering deviation of lithium ions in the vicinity of the interface of these both layers, and the density of the positive electrode layer 13 is 70 to 90% of the theoretical density.例文帳に追加

この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備え、正極層13の密度が、理論密度の70〜90％である。 - 特許庁

The lattice constant of the layer which contacts with the light receiving layer 11 among the layers constituting the window layer 13, is smaller than either lattice constant larger between the lattice constant of the light receiving layer 11 and the lattice constant of the buffer layer 9.例文帳に追加

窓層１３を構成する層のうち受光層１１と接触する層の格子定数は、受光層１１の格子定数およびバッファ層９の格子定数のうちのいずれか大きい格子定数より小さい。 - 特許庁

A metal oxide layer having a higher carrier concentration than the semiconductor layer is provided as the buffer layer intentionally between the source and drain electrode layers and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, semiconductor layers are epitaxially grown on only an SOI element forming region 13 in a silicon substrate 11 on condition that a silicon buffer layer 18 and a silicon germanium layer 15 can grow.例文帳に追加

半導体基板４１の製造方法は、シリコン基板１１上におけるＳＯＩ素子形成領域１３のみに、シリコンバッファ層１８及びシリコンゲルマニウム層１５が成長する条件でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In scavenging during the operation stop of the fuel cell, scavenging air to be fed into the oxidizing agent gas flow path 36 discharges residing water in the electrode catalyst layers 26a, 26b from the end 36c to the outlet buffer portion 38b.例文帳に追加

燃料電池運転停止時に掃気を行う際に、酸化剤ガス流路３６に送られる掃気エアは、電極触媒層２６ａ、２６ｂの残留水を端部３６ｃから出口バッファ部３８ｂに排出する。 - 特許庁

The region formed with the groove 14, a region 14 in the internal circumferential side of the end face 11b and the region 15 in the outer circumferential side of the end face 11b are provided with abrasive grains fall-out buffer layers 16 where no abrasive grains 12 are disposed.例文帳に追加

溝１３が形成された領域と、端面１１ｂの内周側領域１４と、端面１１ｂの外周側領域１５には、砥粒１２が配列されない砥粒脱落緩衝層１６が設けられている。 - 特許庁

The response of the films that are amounted to bases 7 and 7 and have sensitivity in each different concentration range of the substance to be detected is picked up by electrodes 8 and 8 via buffer layers 9 and 9 as a detection signal.例文帳に追加

基材７，７にそれぞれ取り付けられ、検出対象物質のそれぞれ異なる濃度範囲に感度をもった前記膜１，１の応答を緩衝層９，９を介して電極８，８でそれぞれ拾って検出信号とする。 - 特許庁

The graphics memory 16 contains a plurality of frame buffers 16a and 16b for separating storing a plurality of layers of images including a 3D image, and one Z buffer 16c provided in common for these frame buffers.例文帳に追加

グラフィックスメモリ１６は、３Ｄ画像を含む複数層の画像を別々に格納するための複数個のフレームバッファ１６ａ及び１６ｂ、並びにこれらのフレームバッファに対して共通に設けられた一個のＺバッファ１６ｃを具備する。 - 特許庁

The squeezed residue of palm fruit and/or mesocarp thereof is soaked in a buffer salt solution which is set so that the pH is 5 to 9 and the temperature is not lower than the melting point of palm oil and is separated into three layers consisting of a floating component, a dissolved component and a precipitate component.例文帳に追加

パーム椰子果実及び／またはその中果皮絞り粕を、ｐＨ５〜９、温度をパームオイルの融点以上に設定した緩衝塩溶液に浸漬して、浮遊成分、溶解成分、及び沈殿成分の３層に分離する。 - 特許庁

Main components of buffer layers 222R, 222G and 222B in light- emitting regions R, G and B of respective colors are CaF_2, BaF_2 and LiF, respectively, namely, the main components in the light-emitting regions of the respective colors are different from one another.例文帳に追加

各色発光領域Ｒ，Ｇ，Ｂのバッファ層２２２Ｒ，２２２Ｇ，２２２Ｂの構成主体成分が、それぞれＣａＦ_2，ＢａＦ_2，ＬｉＦとされ、すなわち各色発光領域毎にその構成主体成分が異なるものとされている。 - 特許庁

This unit cell for solid oxide fuel cell has a layered structure wherein the solid electrolyte layer is sandwiched between upper and lower electrode layers, the electrolyte layer has a dense structure part, and a buffer part is disposed on the structure part, the buffer part comprising substantially independent columnar grains of a solid electrolyte material and/or an electrode material.例文帳に追加

固体電解質層を上部電極層と下部電極層で狭持した積層構造をなし、固体電解質層が緻密構造部を有し、この緻密構造部に、固体電解質材料及び／又は電極材料の略独立な柱状粒より構成されたバッファ部を配設して成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon single-crystal substrate 1, a GaP buffer layer 2 that is formed on the silicon-single crystal substrate 1 to the thickness of a critical film, and a plurality of semiconductor layers 3 each comprising a III-V compound semiconductor layer where formation is made on the GaP buffer layer 2 and nitrogen is added so that substantial lattice matching is made to a silicon signal crystal.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１と、シリコン単結晶基板１上にその臨界膜厚以下の厚さに形成されたＧａＰバッファ層２と、ＧａＰバッファ層２上に形成されシリコン単結晶に実質的に格子整合するように窒素を添加したIII −Ｖ族化合物半導体からなる複数の半導体層３とを有する。 - 特許庁

Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.例文帳に追加

第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁

In this epitaxial wafer for semiconductor device, a superlattice structure layer 12, in which un-GaAs layers 10 and un-AlGaAs layers 11 are grown alternately plural number of times between a semi-insulating GaAs substrate 1 and a subcollector layer 2 acts as a buffer layer, so that when defects exist in the semi-insulating GaAs substrate 1, the wafer is not affected by the defects.例文帳に追加

半導体デバイス用エピタキシャルウェハは、半絶縁ＧａＡｓ基板１とサブコレクタ層２との間にｕｎ−ＧａＡｓ層１０とｕｎ−ＡｌＧａＡｓ層１１とを複数回交互に成長させた超格子構造層１２がバッファ層として機能するので、半絶縁ＧａＡｓ基板１に欠陥があっても影響を受けることがない。 - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

In this graphite sheet 1 constituted by integrating a plurality of graphite sheets, at least one graphite layer is formed of dense high heat conductive layers 2, 3, and 4 being high oriented graphites constituted by stacking the layer-shaped structures of graphites, and at least one graphite layer is formed of buffer layers 6 and 7 having foamed compositions.例文帳に追加

複数のグラファイト層を一体化したグラファイトシート１であって、前記グラファイト層の少なくとも一層をグラファイトの層状構造が積み重なった高配向性グラファイトである緻密な高熱伝導層２，３，４で形成すると共に、少なくとも一層を発泡した組成を有する緩衝層６，７で形成したグラファイトシートを提供する。 - 特許庁

The laminated ceramic capacitor 10 has a configuration wherein a dielectric layer is located between a first internal electrode layer 2 and a second internal electrode layer 3, and buffer conductor layers 4 and 5 which are held coming into no contact with at least either of the internal electrode layers are provided closer to the external electrodes 8 and 9 than the opposed regions each located between the internal electrodes 2 and 3.例文帳に追加

第１内部電極層２と第２内部電極層３との間に位置する誘電体層の内部で、両内部電極層２、３の対向領域よりも外部電極端子８、９側に、少なくとも一方の内部電極層と非接触に保持された緩衝導体層４、５を配設してなる積層セラミックコンデンサ１０とする。 - 特許庁

A light-transmitting transparent electrode layer 160 is stacked onto the n-type semiconductor layer 150, and is provided from one side of the optical absorption layer 130, the buffer layer 140, and the n-type semiconductor layer 150 to one of the back electrode layers 120.例文帳に追加

ｎ型半導体層１５０に積層するとともに光吸収層１３０、バッファ層１４０およびｎ型半導体層１５０の一側から裏面電極層１２０の一方に亘って透光性の透明電極層１６０を設ける。 - 特許庁

The processed seed layer can deposit the hard magnetic bias layers 338 and 340 on a crystalline layer without requiring a buffer layer of Si, or the like, for interrupting epitaxial growth induced by the underlying crystalline layer.例文帳に追加

処理済のシード層は、下にある結晶質層によって誘導されるエピタキシャル成長を中断するためにＳｉなどのバッファ層を必要とすることなく、結晶質層の上に硬磁性バイアス層３３８，３４０を蒸着することができるようにする。 - 特許庁

Buffer layers on and after a second layer are obtained by forming an In_xGa_1-xAs layer having lattice mismatch within a range where it can grow two-dimensionally for an apparent lattice constant of a lower layer within a range of ≥15 times of the critical thickness and of ≤100 times of the same.例文帳に追加

２層目以降のバッファ層は下層の見かけの格子定数に対して２次元成長し得る範囲の格子不整合性を有するＩｎ_ｘ Ｇａ_１−ｘ Ａｓ層を臨界膜厚の１５倍以上１００倍以下の範囲で形成する。 - 特許庁

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。 - 特許庁

After filling up the four solution channels 18 with respective solutions, a cleaning liquid (buffer liquid) is sent in through an inlet 14A, whereby four solution layers existing at four intersection points are sent out to the downstream side in the X direction.例文帳に追加

４つの溶液流路１８に対してそれぞれの所定の溶液を満たした上で、導入口１４Ａから洗浄液(バッファー液)を送り込めば、４つの交差点に存在する４つの溶液層がＸ方向の下流側に送り出される。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, semiconductor layers are laminated which include a buffer layer 102, a first lower clad layer 103, an etching start layer 104, a second lower clad layer 105, an active layer 107, and an upper clad layer 109 at least in this order.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、バッファ層１０２と、第一下クラッド層１０３と、エッチング開始層１０４と、第二下クラッド層１０５と、活性層１０７と、上クラッド層１０９とを少なくとも順に含む半導体層を積層する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a staggered (a top gate structure) thin-film transistor in which an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer and a buffer layer is provided between the semiconductor layer and a source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The upper part electrodes 15 are formed with widths L wider than the average widths M of the light guides 12 at width wider parts 15b far from the lower ends 15a coming in contact with the buffer layers 13 and narrowed acutely toward the lower ends 15a from the width wider parts 15b.例文帳に追加

上部電極１５は、バッファ層１３と接する下端１５ａから遠ざかった幅広部１５ｂで光導波路１２の平均幅Ｍよりも広い幅Ｌで形成され、幅広部１５ｂから下端１５ａに向けて鋭角に窄まる。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

This image processing method, sequentially reads the display attribute data set on each of the 0th to 6th display layers of a layer-setting table 15a and generates the 0th to 6th display data, on the basis of the read display attribute data, to sequentially overwrite in the display buffer memory, then display the images by reading the data in the display buffer memory.例文帳に追加

この画像処理方法は、レイヤ設定テーブル１５ａの第０〜第６の表示レイヤの各々に設定された表示属性データを順次読み出し、読み出した表示属性データに基づく第０〜第６の表示データを生成して表示バッファメモリに順次第０〜第６の順で上書きによって書き込み、表示バッファメモリ内のデータを読み出して画像表示を行う。 - 特許庁

A product 4' is laminated in a state of having unevenness on its surface by the vacuum laminator 1 and then formed in flat by applying pressure on it at a predetermined temperature with elastically deformable mirror-surface plates provided at hot plates 2A, 2B of the flattening press 2 via buffer material layers.例文帳に追加

真空ラミネータ１で表面に凹凸がある状態で積層された製品４'は、平坦化プレス機２の熱盤２Ａ・２Ｂに緩衝材層を介して設けられた弾性変形可能な鏡面板によって所定の温度で加圧されて平面に成形される。 - 特許庁

First and second buffer layers 4 and 8 each having a thickness of 50-100 nm are inserted into an interface between an intermediate transparent electrode layer 6 and a first photoelectric conversion layer (silicon layer) 3 and into an interface between a back transparent electrode layer 10 and a second photoelectric conversion layer (silicon layer) 7, respectively.例文帳に追加

中間透明電極層６と第１光電変換層（シリコン層）３との界面に及び裏面透明電極層１０と第２光電変換層（シリコン層）７との界面に、夫々、厚さ５０〜１００ｎｍの第１及び第２バッファ層４，８を挿入する。 - 特許庁