「capacitance-coupling」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁

To provide an oscillating element and an oscillator employing the same which achieves stable oscillation by suppressing parasitic capacitance of a fixed electrode and a vibrating element, other than capacitive coupling for setting a resonant frequency for the oscillating element constituted of the fixed electrode and the vibrating element in a mechanical oscillator.例文帳に追加

メカニカル発振器における固定電極と振動子からなる発振子に対し、共振周波数を設定する容量結合以外の固定電極と振動子との寄生容量を抑制し、安定した発振を行う発振子及びそれを用いた発振器を提供する。 - 特許庁

Since the capacitance coupling section 15 acts as a size reduction capacitor, even when the total length of the 1st element 14 and 2nd element 16 are is in excess of λ/2, no current distribution of inverted phase currents appears in the 1st element 14 and the 2nd element 16 so that the antenna gain cannot be reduced.例文帳に追加

この容量結合部１５は短縮コンデンサとして機能するので、第１のエレメント１４と第２のエレメント１６とを合わせた長さがλ／２を超える長さであっても、第１のエレメント１４と第２のエレメント１６には逆相の電流分布は現れず、アンテナ利得が低下することはない。 - 特許庁

This impedance Zt is formed as a parallel impedance of the combined value Rt of an external resistance connected in parallel between the primary winding and the secondary winding of the balance transformer 4, and an insulating resistance between the primary winding and the secondary winding and a coupling capacitance Ct between the primary winding and the secondary winding.例文帳に追加

このインピーダンスＺｔは、バランス用トランス４の１次巻線と２次巻線の間に並列に接続した外付け抵抗と１次巻線と２次巻線間の絶縁抵抗の合成値Ｒｔと、１次巻線と２次巻線間の結合容量Ｃｔの並列インピーダンスとする。 - 特許庁

To provide a display with a touch panel of capacitance coupling type and a method for manufacturing the same, which saves a photolithography process dedicated for processing a metallic film and use a photolithography process for processing a transparent conductive film to serve for both in manufacturing the touch panel, thereby reducing the number of processes and manufacturing cost.例文帳に追加

タッチパネルの製造時に、金属膜加工専用のホト工程を省略し、透明導電膜加工用のホト工程と兼用することにより、工程数を削減し、製造コストを低減した静電容量結合方式のタッチパネル付き表示装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A coupling capacitance Cp is connected between a pixel electrode 120 in which the pixel signals are written at the first timing in the one horizontal scanning period just after black display is performed and a pixel electrode 130 positioned lower than the pixel electrode 120 in a vertical direction.例文帳に追加

黒表示直後の一水平走査期間内における最初のタイミングで画像信号が書き込まれる画素電極１２０と当該画素電極１２０に対して垂直方向において下に位置する画素電極１３０との間にカップリング容量Ｃｐを接続する。 - 特許庁

The zones 13n and 13p reduce the resistance of a channel coupling between a channel region 63 controlled by the potential of a gate electrode 21 and respective source/drain regions 61 and 62, and also reduce the overlap capacitance between the gate electrode 21 and the respective source/drain regions 61 and 62.例文帳に追加

この濃縮帯１３ｎ、１３ｐは、各ソース／ドレイン領域６１、６２と、ゲート電極２１の電位によって制御されているチャネル領域６３との間のチャネル連結部の抵抗を低減し、ゲート電極２１と各ソース／ドレイン領域６１、６２との間のオーバーラップ容量を低減する。 - 特許庁

The first transmission line is edge-coupled with the second transmission line which is edge-coupled with the third transmission line in the filter, thus forming main couplings of the filter, and the micro-coupling capacitance controls the frequency position of attenuation poles.例文帳に追加

上で述べたフィルター装置中において、第１伝送線路が第２伝送線路とエッジ結合されて、第２伝送線路が第３伝送線路とエッジ結合されて、フィルター装置の主要な結合を形成して、マイクロ結合容量が減衰極の周波数位置を調整する。 - 特許庁

A calculating formula of the band width of the antenna, an inter-pattern capacitance, a pattern width closely relating to coupling and a pattern pitch in addition to a pattern fold-back width that closely relates to the capacitive component between conductor patterns is derived, by which the band width of the antenna can be obtained.例文帳に追加

導体のパタ−ン間の容量成分に密接に関係するパタ−ン切り返し幅に加え、パタ−ン間の容量、結合に密接に関係するパタ−ン幅、パタ−ンピッチより成り立つ計算式を用いて帯域幅を求め、この計算式にしたがって計算する。 - 特許庁

By adjusting the bias across the junctions, the capacitance (67a and 67b) across the junctions can be reduced, reducing the capacitive coupling from the RF circuits to the substrate (42), improving the self-resonance frequency of inductors (48, 50) and reducing the coupling of unwanted signals and noise from the underlying substrate to the active elements and passive elements such as the capacitors and inductors.例文帳に追加

これらの接合部に加わるバイアスを調整することによって、これらの接合部に加わる容量（６７ａ及び６７ｂ）を減少させることができ、これにより、ＲＦ回路から基板（４２）への容量性結合を減らし、インダクタ（４８，５０）の自己共振周波数を向上させ、また下側の基板から能動素子及びコンデンサやインダクタなどの受動素子への不要な信号やノイズの結合を減少させる。 - 特許庁

Thus, the counter area between adjoining floating gate electrodes FG and that between the floating gate electrode FG and other wiring (for example, plug 22) can be reduced for reduced coupling capacitance related to the floating gate electrode FG, thereby improving the performance and operation reliability of the flash memory.例文帳に追加

これにより、隣接する浮遊ゲート電極ＦＧ同士の対向面積や浮遊ゲート電極ＦＧと他の配線（例えばプラグ２２）との対向面積を低減でき、浮遊ゲート電極ＦＧに付随するカップリング容量を低減することができるので、フラッシュメモリの性能および動作信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

When the voltage of a drain line DSL falls from V_cc to V_ss or rises from V_ssto V_cc, the V_th is corrected avoiding periods (S1, S2) wherein the voltage of a ground line GND fluctuates because of coupling through parasitic capacitance C_α generated between the ground line GND and drain line DSL.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下がったり、Ｖ_ｓｓからＶ_ｃｃに上がったりしたときに、グラウンド線ＧＮＤとドレイン線ＤＳＬとの間に生じる寄生容量Ｃ_αを介したカップリングによってグラウンド線ＧＮＤの電圧が揺れている期間（Ｓ１，Ｓ２）を避けて、Ｖｔｈ補正を行う。 - 特許庁

A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.例文帳に追加

電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線ＤＳを高電位から低電位に切り換え、補助容量Ｃｓｕｂを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタＴ２の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁

Also, an inverter Iv5 which has the same constitution as an inverter Iv6 connected to a data output section SAOUT and whose output section is open is connected to a load side output section being a dummy output section of the sense amplifier 14, unbalance of coupling capacitance in the output section of the sense amplifier 14 is remarkably reduced.例文帳に追加

また、センスアンプ１４のダミー出力部である負荷側出力部には、データ出力部ＳＡＯＵＴに接続されたインバータＩｖ６と同じ構成であり、出力部がオープンとなったインバータＩｖ５が接続されており、センスアンプ１４の出力部におけるカップリング容量のアンバランスを大幅に低減する。 - 特許庁

This dielectric filter forms an open area where the rear face 107 of a dielectric filter block 101 coated with dielectric material is not coated with conductive material in the arrangement direction of resonance holes 103 or between the resonance holes 103 and forms coupling capacitance and coupled inductances between the resonance holes.例文帳に追加

本願発明の誘電体フィルターは、誘電物質の塗布される誘電体ブロック１０１の後面１０７に共振ホール１０３の配列方向或いは共振ホールの間に導電物質が塗布されてないオープン領域を形成し、共振ホールの間に結合キャパシタンスや結合インダクタンスを形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor excellent in switching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

Also, since an n well 111 in the driving control circuit region 201 is separated from an n^- well 112 in the pixel paved region 202, potential fluctuation of the n well 111 does not propagate directly to the pixel paved region 202 but becomes capacitive coupling by parasitic capacitance, and the influence on the pixel paved region 202 can be reduced.例文帳に追加

また、駆動等制御回路領域２０１のｎウェル１１１と、画素敷き詰め領域２０２のｎ^-ウェル１１２は分離されているので、ｎウェル１１１の電位の変動は直接、画素敷き詰め領域２０２に伝搬せず、寄生容量による容量結合となって画素敷き詰め領域２０２への影響は小さくできる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is arranged so a to modulate a gamma correction voltage or a compensation potential difference Vepp in capacitance coupling driving by a vertical cycle control voltage generated according to the temperature of at least one point in the liquid crystal device and the expected temperature distribution in the vertical direction of the liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて作成された垂直周期の制御電圧により、ガンマ補正用電圧もしくは容量結合駆動における補償電位差Ｖｅｐｐを変調するようにした。 - 特許庁

The receiver circuit reduces kick-back noises due to coupling capacitance from a pair of differential input transistors when a clock signal rises up to a high level by connecting the drain nodes of the pair of differential input transistors which respond to a reference voltage and a data signal, respectively, while the signal is at a low level, to a ground voltage.例文帳に追加

レシーバ回路は、信号がローレベルである間、基準電圧とデータ信号を各々受け入れる一対の差動入力トランジスタのドレイン端子を接地電圧と連結することにより、クロック信号がハイレベルに遷移する時に、一対の差動入力トランジスタの結合容量によるキックバックノイズを減少させる。 - 特許庁

To provide an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode or the like being excellent in etching characteristics which can surely increase an expanded surface rate and increase further electrostatic capacitance by forming etch pits in a high density and uniformly, and etching, from the etch pits as an origin, deeply and so as to hardly occur coupling in a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

The filter device includes a metallic box body 11 and at least the two resonance elements 13 installed in an inner part 11a of the box body 11, and a coupling capacitance adjusting element 20 composed of a conductor 20a insulated from the box body 11 is disposed between at least the two resonance elements 13.例文帳に追加

本発明のフィルタ装置は、金属製の箱体１１と、この箱体１１の内部１１ａに設置された少なくとも２つの共振素子１３とを備え、前記少なくとも２つの共振素子１３の間に前記箱体１１と絶縁された導体２０ａからなる結合容量調整素子２０を配置したものである。 - 特許庁

To provide a method for improving the coupling capacitance between the microstrip line and the main body of microwave circuit board as for a directional coupler using a plurality of inverted microstrip lines and a microwave circuit board equipped with such a directional coupler.例文帳に追加

複数のインバーテッドマイクロストリップ線路を用いた方向性結合器において、インバーテッドマイクロストリップ線路とマイクロ波回路基板本体間での結合容量を改善する方法であり、また、この方向性結合器を備えるマイクロ波回路基板において、マイクロストリップ線路とマイクロ波回路基板本体間で大きな結合容量を得ること。 - 特許庁

Since the transistor 102 is turned ON, a potential at the source of the transistor 102 is increased but a potential between the gate and the source is held by capacitance between the gate and the source of the transistor 102 and since the gate of the transistor 102 is floating, a potential at the gate of the transistor 102 is also increased by a capacitive coupling effect.例文帳に追加

トランジスタ１０２がオン状態にあるため、トランジスタ１０２のソースの電位は上昇するが、トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量によって、ゲート・ソース間の電位が保持されており、かつトランジスタ１０２のゲートはフローティングとなっているため、容量結合効果によってトランジスタ１０２のゲートの電位も上昇する。 - 特許庁

As the reverse bias voltage is applied to the organic EL element 112R or the like by coupling through a sustaining capacitance C_s, a high reverse bias voltage can be easily applied to the organic EL element 112R or the like compared to a process of applying a reverse bias to the organic EL element 112R or the like through a transistor T_Dr.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等への逆バイアス電圧の印加は保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによって行われるので、トランジスタＴ_Ｄｒを介して有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に逆バイアスを印加した場合よりも、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に対して大きな逆バイアス電圧を容易に印加することができる。 - 特許庁

To provide a highly reliable excimer lamp, capable of preventing surface discharge among electrodes and abnormal discharge among lead wires, even if a high voltage is impressed on the lamp in order to obtain a high radiation output, as to an excimer lamp of a dielectric barrier discharge system which does not have electrode in a discharge space or a capacitance coupling type high-frequency discharge system.例文帳に追加

放電空間内に電極を持たない誘電体バリア放電方式または容量結合型高周波放電方式のエキシマランプにおいて、高い放射出力を得るために、ランプに高電圧を印加しても電極間の沿面放電や、リード線間の異常放電を防止できる信頼性の高いエキシマランプを提供する。 - 特許庁

When video signals are written by pseudo line sequential driving, switches SW1 to SWn of a horizontal switch circuit 33 are driven by using horizontal switch pulses HCK1 to HCK 4 having a gradually varying waveform during rising (or falling) so as to suppress influences of coupling by a parasitic capacitance between adjacent signal lines.例文帳に追加

疑似線順次駆動にて映像信号を書き込む際に、立ち上がり（または、立ち下がり）が徐々に変化する波形の水平スイッチパルスＨＣＫ１〜ＨＣＫ４を用いて水平スイッチ回路３３の各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを駆動することで、隣接する信号線間の寄生容量によるカップリングの影響を抑えるようにする。 - 特許庁

A formation region R of a cavity section of an element separation insulation film 4 is provided in an opposed region between a floating gate electrode FGa and an active region Sa positioned directly at a lower portion of floating gate electrodes FGc, FGd, thus reducing coupling capacitance between the floating gate electrode FGa and an active region Sa that opposes while sandwiching the element separation region Sb.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 - 特許庁

If the electric power supplied by electromagnetic coupling caused between the power receiving antenna coil 11 and a power transmitting antenna coil 6 provided to the external device (reader writer) 2 becomes excessive, an internal temperature rises especially due to heating inside the constant voltage circuit 14, which changes a capacitance value of the capacitive element 13, resulting in changes in resonance frequency of the resonance circuit.例文帳に追加

外部装置（リーダライタ）２が備える送電用アンテナコイル６と受電用アンテナコイル１１との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路１４内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子１３のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。 - 特許庁

One of a capacitance element 7, an inductance element 8, and a resistance element is connected to a coupling terminal and the termination side of the sub-line in series or parallel, and respective element values are so set that isolation characteristics in an in-use frequency band are improved.例文帳に追加

任意長の二つのマイクロストリップラインを、微小間隙を挟んで平行に並べ、一方を主線路、他方を副線路とし、前記副線路のカップリング端子及び終端側夫々に直列又は並列にキャパシタンス素子、インダクタンス素子、抵抗素子のいずれかを接続し、使用周波数帯域内のアイソレーション特性を改善するように前記各素子値を設定するように方向性結合器を構成する。 - 特許庁