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capacitance-couplingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 284件
To prevent the degradation of electrical characteristics due to a coupling capacitance between adjacent connecting bumps without modification of a semiconductor device size.例文帳に追加
本発明は、隣接する接続バンプの結合容量による電気特性の悪化を、半導体装置サイズを変更すること無く改善することにある。 - 特許庁
Accordingly, the complex video signal can be transmitted without deterioration thereof even when a small capacitance capacitor is used as a video signal coupling capacitor 107.例文帳に追加
これにより、映像信号結合コンデンサ107として小容量のコンデンサを使用しても複合映像信号を劣化させずに伝送可能である。 - 特許庁
The first resonating element 126 is provided with an expanded part 126a and capacitance is formed between this expanded part 126a and the electrode 132 for coupling.例文帳に追加
第1の共振素子126は張出部126aを備え、該張出部126aと結合用電極132との間で容量を形成した。 - 特許庁
Thus, since the potential of the power supply line 410 steeply rises, there is an influence of coupling because of parasitic capacitance of a driving transistor and a holding volume.例文帳に追加
これにより、電源線410の電位が急峻に上昇するため、駆動トランジスタの寄生容量および保持容量によるカップリングの影響を受ける。 - 特許庁
A first preferable example of the cavity is basically constituted by two vertical coupling lines, one conductor line and one capacitance parallel to them.例文帳に追加
LC共振空胴の第1好ましい実施例は基本的に2本垂直カップリング・ライン、1本伝導線及び並列する1個のキャパシタンスにより構成される。 - 特許庁
The resistance component R permits capacitance coupling to the gate electrode of the writing transistor 23 when a source potential of a driving transistor rises.例文帳に追加
そして、この抵抗成分Rは、駆動トランジスタのソース電位が立ち上がるときの書込みトランジスタ23のゲート電極への容量カップリングを許容する。 - 特許庁
The coupling part is shaped to form an attachment to a series of resonance circuits and the printed circuit board for a capacitance given by the pad.例文帳に追加
接続部はパッドによって与えられるキャパシタンスに対する一連の共振回路とプリント回路ボードへのアタッチメントを与える形状になっている。 - 特許庁
Since the foamed layer 10 is provided between the wiring lines 4 and the finger, it is possible to reduce electrostatic coupling capacitance and suppress the formation of a capacitor.例文帳に追加
配線ライン4と指との間に発泡層10が介在するので、静電結合容量が低減し、コンデンサの形成を抑制することができる。 - 特許庁
To simplify the signal processing by a conductor approach position detecting device of a capacitance coupling type and to improve the noise resistance performance, coordinate precision, and operability.例文帳に追加
静電容量結合型の、導電体近接位置検出装置の、信号処理のシンプル化と耐ノイズ性能、座標精度、操作性の向上を計る。 - 特許庁
Since only the signal of high frequency is passed to the coupling transformer 7a while a commercial frequency is blocked, the capacitance of a transformer can be reduced.例文帳に追加
これにより、結合トランス7aには高周波の信号のみ通過して、商用周波数は阻止されるためトランスの容量を小さくすることができる。 - 特許庁
To provide a technology for maintaining the capacitance-coupling effect between the source electrode and the data line of a liquid crystal display device in a thin film transistor array structure.例文帳に追加
薄膜トランジスタアレイ構造について、液晶表示装置のソース電極とデータラインとの間のキャパシタンスカップリング効果を維持する技術を提供する。 - 特許庁
The resonance circuit 140 has an inductance and a capacitance, and generates a magnetic field on the basis of an electric signal from a coupling coil 130.例文帳に追加
共鳴回路140は、インダクタンスおよびキャパシタンスを有する共鳴回路であり、結合コイル130からの電気信号に基づいて磁界を発生させる。 - 特許庁
To provide a display with a capacitance coupling system touch panel for precisely detecting touch position coordinates by simple circuit configurations.例文帳に追加
簡単な回路構成で、精度良くタッチ位置座標を検出することができる静電容量結合方式のタッチパネル付き表示装置を提供する。 - 特許庁
The coupling capacitance between the select gate 3a and the floating gate 6a is set smaller than that between the substrate 1 and the floating gate 6a.例文帳に追加
セレクトゲート3aとフローティングゲート6aの間の容量は、基板1とフローティングゲート6aの間の容量よりも小さくなるように構成される。 - 特許庁
To hold a bit line precharge level to a set value with high accuracy by suppressing the deviation of the level from a set value immediately before sense amplifier amplification due to coupling capacitance.例文帳に追加
ビット線プリチャージレベルが、カップリング容量に起因して、センスアンプ増幅直前で設定値とずれが生じることを抑制して、設定値に精度良く保持する。 - 特許庁
To prevent an active matrix transflective liquid crystal display element from having coupling capacitance formed between a pixel electrode for transmission and a data line.例文帳に追加
アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、透過用画素電極とデータラインとの間に結合容量が発生するのを防止する。 - 特許庁
The potentials 201, 202 of gate wiring for modulating those of pixel electrodes are modulated by a compensation voltage value in capacitance coupling driving according to source signals.例文帳に追加
画素電極の電位を変調するゲート配線の電位201,202をソース信号に応じて、容量結合駆動における補償電圧の大きさを変調する。 - 特許庁
The first coupling circuit (30) cross-couples one capacitance element (23) of each of two serially connected capacitance elements (22 and 23) that are inserted between inverting inputs and outputs of the operational amplifiers (10) by using two resistance elements (31 and 32).例文帳に追加
第1の結合回路(30)は、演算増幅器(10)の反転入力端と出力端との間に挿入された直列接続された2つの容量素子(22,23)の一方(23)どうしを2つの抵抗素子(31,32)でクロス結合する。 - 特許庁
Coupling capacitance is formed on the front face 105 of the dielectric block that is not coated with conductive material between the resonance holes and a conductor pattern in a fixed size which offers load capacitance to the respective resonance holes.例文帳に追加
導電物質が塗布されていない誘電体ブロックの前面105には共振ホールの間に結合キャパシタンスを形成し、それぞれの共振ホールに負荷キャパシタンスを提供する一定の大きさの導体パターンを形成する。 - 特許庁
The bonding wires 41 with small self-capacitance and small coupling capacitance for the semiconductor device can be obtained by sheathing wires with a foamed polymer 45 having a very small dielectric constant effectively.例文帳に追加
小さな自己静電容量および小さな相互静電容量の接合されたワイヤ41を有する半導体デバイスが、非常に小さな誘電率を実効的に有する泡入りポリマ45でワイヤを被覆することによって得られる。 - 特許庁
An auxiliary capacitance electrode 7a is arranged between the pixel electrode 5 for transmission and data line 3 perpendicularly to the paper surface to prevent coupling capacitance from being formed between the pixel electrode 5 for transmission and data line 3.例文帳に追加
そして、紙面垂直方向において、透過用画素電極5とデータライン3との間に補助容量電極7aを配置することにより、透過用画素電極5とデータライン3との間に結合容量が発生するのを防止する。 - 特許庁
The sensitivity with respect to high-frequency of a high-frequency transistor is measured in terms of coupling capacitance among gate wiring, source wiring and drain wiring, and the coupling capacitance between the respective wirings and a semiconductor substrate, among equivalent circuit parameters that change, depending on the structure of wiring and contact (Step ST21).例文帳に追加
配線およびコンタクトの構成に応じて変化する等価回路パラメータのうち、ゲート配線、ソース配線およびドレイン配線の各配線間の結合容量、ならびに、各配線と半導体基板と間の結合容量について、高周波トランジスタの高周波特性に対する感度を測定する(ステップST21)。 - 特許庁
Because both of the control signals BLEQ and BLPR change with reverse phase mutually, the coupling capacitance, between the bit line equalizing control signal line BLEQ and the bit lines BL and NBL, and the coupling capacitance, between the bit line precharge control signal line BLPR and the bit lines BL, NBL, are offset.例文帳に追加
前記両制御信号BLEQ、BLPRが互いに逆相に変化するので、ビット線イコライズ制御信号線BLEQとビット線BL、NBLとの間のカップリング容量と、ビット線プリチャージ制御信号線BLPRとビット線BL、NBLとの間のカップリング容量とが相殺される。 - 特許庁
A notch 11b is provided on a side edge of a pixel electrode 10b overlapping a signal line S1 so as to make the coupling capacitance Cp2o between the pixel electrode 10b and the signal line S1 equal to the coupling capacitance Cp2e between a pixel electrode 10d, adjacent to the pixel electrode 10b in a column direction, and a signal line S2.例文帳に追加
画素電極10bと信号線S1との間のカップリング容量Cp2oが、列方向に隣合う画素電極10dと信号線S2との間のカップリング容量Cp2eに等しくなるように、画素電極10bの信号線S1と重なる方の側辺に切欠11bを設ける。 - 特許庁
The voltage controlled oscillator includes an inductor circuit 110, C-coupling type variable capacitance circuits 120 and 140, a direct-coupling type variable capacitance circuit 130, and a negative resistance circuit 160, which are connected in parallel, and a reference voltage generating section 180 that generates reference voltages Vref1 and Vref2.例文帳に追加
本発明の電圧制御発振器は、並列接続されたインダクタ回路110、C結型可変容量回路120及び140、直結型可変容量回路130、及び負性抵抗回路160と、基準電位Vref1及びVref2を生成する基準電位発生部180とを備える。 - 特許庁
An offset voltage is applied on a pixel electrode 14 by the capacitance coupling through a storage capacitance 15 by changing the voltage on the gate signal line 11 among at least four potentials including the on and off potentials, and the size of the storage capacitance 15 is made to mutually differ for every specified number of rows or columns.例文帳に追加
ゲート信号線11をオン電位及びオフ電位を含む少なくとも4つの電位間で変化させることにより、蓄積容量15を介して容量結合によるオフセット電圧を画素電極14に印加し、蓄積容量15の大きさを、所定数の行ごと又は列ごとに異ならしめる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can ensure the value of coupling capacitance between a first conductive layer and a second conductive layer in the same cell while reducing stray capacitance between first conductive layers in respective cells adjacently arranged, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
隣接セルに配置された第一導電層間の浮遊容量を低減し、同一セル内での第一導電層と第二導電層間の結合容量の値を確保可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To prevent reduction in detection sensitivity due to parasitic capacitance and to prevent the mixing-in of external noise due to electrostatic coupling in the case of a pressure sensor, etc.例文帳に追加
圧力センサーなどの変換装置において、寄生容量による検出感度低下を防止するとともに、静電結合による外部雑音の混入を防止する。 - 特許庁
To provide a capacitor element, a capacitor element coupling body and a solid electroless capacitor in which capacitance can be increased significantly while suppressing the increase in an external dimension.例文帳に追加
外形寸法の増大を抑えつつ、静電容量を有意に増大することができるコンデンサ素子、コンデンサ素子結合体及び固体電解コンデンサを提供する。 - 特許庁
To provide a package and a piezoelectric oscillator wherein a filling resin before curing can easily be injected, the oscillating frequency can accurately be adjusted, and a coupling capacitance is small.例文帳に追加
硬化前充填樹脂の注入を容易にできる、正確な発振周波数調整が可能でカップリング容量の少ない容器体および圧電発振器を提供すること。 - 特許庁
The capacitance coupling type touch panel includes an electrode circuit which detects position coordinates on a transparent substrate, and also has a floating electrode at an isolated position opposed to an XY position coordinate electrode.例文帳に追加
このため、樹脂製のペンや他の絶縁物でタッチしたときに、位置検出電極との間での静電容量の変化を起こせず、入力が不可能である課題がある。 - 特許庁
After setting a bit line setup section, and before a program section, the pocket P well region is biased by negative voltage by capacitance coupling for a short time in a floating state.例文帳に追加
ビットラインセットアップ区間の後に、そして、プログラム区間の前に、ポケットPウェル領域はフローティング状態でキャパシタンスカップリングによって短時間内にマイナス電圧でバイアスされる。 - 特許庁
The guard electrode 12 is arranged at the position where the capacitative coupling of the lighting part 30 becomes larger than a parasitic capacitance of the sensor electrode 11 and the lighting part 30.例文帳に追加
ガード電極12は、照明部30十の容量性カップリングが、センサ電極11と照明部30との寄生容量よりも大きくなる位置に配置されている。 - 特許庁
To provide a spacer structure for a stacked layer composed of an electrically conductive layer and a cap layer formed on a semiconductor substrate, wherein the structure has improved electrical isolation and low coupling capacitance.例文帳に追加
改善された電気的隔離と低いカップリングキャパシタンスを有する、半導体基板上の導電層とキャップ層よりなる堆積層のためのスペーサー構造を提供する。 - 特許庁
By the position of the gap shifting, the coupling capacitance between the primary winding and the secondary winding changes, and the leakage inductance of converter transformers 8a and 8b changes.例文帳に追加
ギャップの位置が移動することによって、一次巻き線−二次巻き線間の結合容量が変化し、このコンバータトランス8aおよび8bのリーケージ・インダクタンスが変化する。 - 特許庁
Then, a P-channel MOS transistor constituting an inverter 13 is turned ON, and the nodes X, X' are boosted and output by the capacitance coupling of the electrostatic capacitor 16.例文帳に追加
インバータ13を構成するPチャネルMOSトランジスタがONし、静電容量16の容量カップリングによりノードX,X’が昇圧されて出力される。 - 特許庁
To provide a high frequency transmission line that suppresses fluctuations in coupling capacitance between upper are lower transmission lines and prevents deterioration in self-resonance frequency.例文帳に追加
上下伝送線路間の結合容量の変動を抑制するとともに、自己共振周波数の劣化を押さえる高周波伝送線路を提供することにある。 - 特許庁
To improve vertical stripes in a selector-drive liquid crystal display device by reducing a difference of the effect of coupling resulting from a parasitic capacitance between signal lines.例文帳に追加
セレクタ駆動方式の液晶表示装置において、信号線間における寄生容量に起因するカップリングの影響の差を緩和して、縦スジの改善を実現する。 - 特許庁
A capacitor C1 AC-coupling a gate of the transistor T1 and the external terminal P2 causes the level of the transmission path 27 to fall at a slope depending on a capacitance value of the capacitor C1.例文帳に追加
伝送路27のレベルは、トランジスタT1のゲートと外部端子P2とをACカップリングするキャパシタC1により、キャパシタC1の容量値に応じた傾きで立ち下がる。 - 特許庁
To lay separate circuit elements of a semiconductor device and wirings on an upper layer, without giving the potential influence on lower layer circuit elements through capacitance coupling.例文帳に追加
半導体装置において、下層の回路素子に容量結合を介して電位的な影響を及ぼすことなく、別の回路素子や配線を上層側に配置する。 - 特許庁
To improve reliability by inhibiting coupling capacitance and preventing a short circuit between a plurality of contacts by forming a gap between neighboring memory cell gate electrodes.例文帳に追加
隣接するメモリセルゲート電極間に空隙を形成することで結合容量を抑制し、複数のコンタクト同士の短絡を防止しメモリの信頼性を向上する。 - 特許庁
A data voltage corresponding to a gradation signal supplied to the data line 8 is written into a retention capacitance 7 via the coupling capacitance 6, at the same time, the reset transistor 4 is turned on while the selective transistor 3 and the light emission control transistor 5 are turned off and a correction voltage in accordance with mobility of the driving transistor 2 is written into the coupling capacitor.例文帳に追加
データライン8に供給される階調信号に対応するデータ電圧をカップリング容量6を介し、保持容量7に書き込むとともに、選択トランジスタ3および発光制御トランジスタ5をオフとした状態でリセットトランジスタ4をオンして駆動トランジスタ2の移動度に応じた補正電圧を前記カップリングコンデンサ6に書き込む。 - 特許庁
For this piezoelectric filter 1, at least one energy confining type filter part 3 or 4 an a coupling capacitance part 7 are constituted on a piezoelectric substrate 2 and the thickness of a piezoelectric substrate part 2A provided with the coupling capacitance part 7 is made thinner than the thickness of the piezoelectric substrate part 2B provided with the filter parts 3 and 4 as the resonance part.例文帳に追加
圧電基板2に少なくとも1つのエネルギー閉じ込め型のフィルタ部3,4と、中継容量部7とが構成されており、該中継容量部7が設けられている部分が圧電基板部分2Aの厚みが、共振部としてのフィルタ部3,4が設けられている圧電基板部分2Bの厚みよりも薄くされている、圧電フィルタ1。 - 特許庁
This flat antenna 2 has a first coupling part pattern 6 divided at one part on a first surface of a circuit board and formed into a loop-like shape, and a second coupling pattern formed into nearly the same shape on a second board surface on the opposite side, and both the patterns are arranged oppositely to each other by interposing the circuit board to form capacitance coupling and magnetic induction coupling states.例文帳に追加
平面アンテナ2は、回路基板の第1面に一ヶ所で分断されたループ状に形成された第1結合部パターン6と、反対側の第2基板面に略同形状で形成された第2結合部パターンとを有し、これら両パターンは相互に静電容量結合および磁気誘導結合状態が形成されるように回路基板を挟んで対向配置される。 - 特許庁
In a thin coaxial cable 28 for capacitance coupling between a first circuit board 11 in a lower cabinet 10 and a second circuit board 22 in an upper cabinet 20, at least a portion 28a thereof that capacitance coupled with a metal plate 21 of ground potential is formed flat.例文帳に追加
下筐体10内の第1の回路基板11と上筐体20内の第2の回路基板22とを電気的に接続する細線同軸ケーブル28の少なくとも、グランド電位の金属板21と容量結合する部分28aを偏平に形成した。 - 特許庁
Thereafter, in a period from when a mechanical shutter is closed to terminate light exposure to when a signal is read from the pixel, an electrical potential of an FD part is reduced, and a potential of a channel under a gate of a transmission transistor 22 is shallowed by capacitance coupling of a parasitic capacitance C at the time.例文帳に追加
その後、メカニカルシャッタが閉じて露光が終了してから画素から信号を読み出すまでの期間では、FD部の電位を下げ、そのときの寄生容量Cによる容量結合によって転送トランジスタ22のゲート下のチャネルのポテンシャルを浅くする。 - 特許庁
This minimizes the parasite capacitance between the gate and drain, and disposes the drain and source electrodes in the region covered by the gate electrode region, thus making it possible to minimize the coupling capacitance between the drain and gate, and to reduce the space where the transistor is disposed.例文帳に追加
これによって、ゲート−ドレインの間の寄生容量を最小化し、ゲート電極領域がカバーする領域内にドレイン及びソース電極を配置することで、ドレイン−ゲートの間のカップリング容量を最小化させかつトランジスタの配置空間を減らすことができる。 - 特許庁
To reduce a coupling radiation in electric field caused by a stray capacitance between two signal lines in differential signal lines, and a stray capacitance between upper side differential signal lines and a stray capacitance between lower side differential signal lines in the upper/lower differential signal lines, and to make transmission characteristics proper over a wide frequency range by improving isolation characteristics, etc.例文帳に追加
差動信号線路間における2つの信号線路間の浮遊容量、上下差動信号線路における上面側差動線路間の浮遊容量、および下面側差動線路間の浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射を抑制し、アイソレーション特性等を改善して広帯域にわたって伝送特性を良好なものとすること。 - 特許庁
To provide a transformer that can obtain improved coupling between coils without increasing parasitic capacitance distributed in the coil, and further can flexibly cope with the change in specifications such as a turn ratio.例文帳に追加
巻線に分布する寄生容量を増大させることなく、良好な巻線間結合を得ることができ、さらに、巻線比等の仕様変更にも柔軟に対応可能なトランスを提供する。 - 特許庁
To provide a field effect transistor structure which has a reduction in the overlap capacitance between a gate electrode and source/drain regions and in the resistance of a channel coupling that is set by a manufacturing process.例文帳に追加
ゲート電極とソース/ドレイン領域の間のオーバラップ容量を低減し製造プロセスにより設定されるチャネル連結部の抵抗も低減した電界効果トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁
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