「capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

An auxiliary capacitance line 24 is formed between each scan lines 22 on an array substrate 12.例文帳に追加

アレイ基板12の各走査線22間に補助容量線24をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor-type battery whose capacitance per unit volume is large.例文帳に追加

単位体積あたりの容量が大きいキャパシタ型の蓄電池を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the capacitance is calculated in case of a normal wiring pattern 22.例文帳に追加

一方、正常な配線パターン２２である場合の静電容量を計算する。 - 特許庁

To suppress interference between neighboring cells by reducing capacitor capacitance between neighboring cells.例文帳に追加

隣接セル間のキャパシタ容量を小さくし、隣接セル間干渉を抑制する。 - 特許庁

An auxiliary capacitance 13 is formed as superposed above the first conductive layer.例文帳に追加

補助容量１３は第一の導電層の上に重ねて形成されている。 - 特許庁

To accelerate writing in a pixel circuit by suppressing capacitance parasitic to a data line.例文帳に追加

データ線に寄生する容量を抑えて、画素回路の書き込みを高速化する。 - 特許庁

In addition, preferably, the touch-type switch 7 is a capacitance type one 7.例文帳に追加

さらに、タッチ式スイッチ７は、静電容量型スイッチ７であるのが好ましい。 - 特許庁

By detecting the changes in the capacitance, three-dimensional movement is detected.例文帳に追加

このキャパシタンスの変化を検出することにより、３次元の動きを検知する。 - 特許庁

RF POWER SENSOR FOR MEASURING RF SIGNAL POWER USING CAPACITANCE例文帳に追加

静電容量によりＲＦ信号に対する電力を測定するＲＦパワーセンサー - 特許庁

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CAPACITANCE ADDING METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体集積回路における容量付加方法および半導体集積回路 - 特許庁

A varactor diode and a MOS varactor can be used as variable capacitance elements.例文帳に追加

可変容量素子として、バラクタダイオードとＭＯＳバラクタを用いることができる。 - 特許庁

COMPARATOR CIRCUIT, CAPACITANCE VOLTAGE CONVERSION CIRCUIT UTILIZING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

コンパレータ回路、それを利用した容量電圧変換回路、ならびに電子機器 - 特許庁

CAPACITANCE TYPE TOUCH PANEL DEVICE AND TOUCH INPUT POSITION DETECTION METHOD例文帳に追加

静電容量方式タッチパネル装置及びそのタッチ入力位置検出方法 - 特許庁

ELECTROSTATIC CAPACITANCE TYPE PRESSURE SENSOR, AND HEART BEAT/RESPIRATION MEASURING INSTRUMENT USING THE SAME例文帳に追加

静電容量型圧力センサー及びこれを用いた心拍／呼吸計測装置 - 特許庁

To provide an electrical double layer capacitor which can yield a large electrostatic capacitance.例文帳に追加

高い静電容量を得ることができる電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

CAPACITANCE TYPE PRESSURE SENSOR AND VACUUM DEGREE EVALUATION METHOD OF VACUUM CHAMBER THEREOF例文帳に追加

静電容量型圧力センサ及びその真空室の真空度評価方法 - 特許庁

DEPLETION LAYER CAPACITANCE CALCULATION APPARATUS AND C-V CHARACTERISTIC MEASURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体の空乏層容量算出装置及びＣ−Ｖ特性測定装置 - 特許庁

A capacitance is formed between the capacitor electrode and the coil.例文帳に追加

前記コンデンサ電極と前記コイルとの間に静電容量が形成されている。 - 特許庁

To provide a layered capacitor device having a high capacitance per unit area.例文帳に追加

単位面積当たり高いキャパシタンスを有する層状コンデンサ装置を提供する。 - 特許庁

As the capacitance insulating film 3, a Bi_1-YLa_YFe_1-XNi_XO_3 film is formed.例文帳に追加

容量絶縁膜３としては、Ｂｉ_1-YＬａ_YＦｅ_1-XＮｉ_XＯ_3膜が形成されている。 - 特許庁

A control electrode 113 is formed above an auxiliary capacitance bus line 112.例文帳に追加

また、補助容量バスライン１１２の上方に制御電極１１３を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer inductance/capacitance resonance balanced-to- unbalanced transformer.例文帳に追加

多層型インダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器を提供する。 - 特許庁

CAPACITANCE CALCULATION METHOD AND CHARACTERISTIC EVALUATION DEVICE FOR ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTOSENSITIVE BODY例文帳に追加

電子写真感光体の静電容量算出方法及び特性評価装置 - 特許庁

ELECTROSTATIC TRANSDUCER AND CAPACITANCE DETECTOR EQUIPPED WITH THIS ELECTROSTATIC TRANSDUCER例文帳に追加

静電変換装置およびこの静電変換装置を搭載する容量検知機器 - 特許庁

ELECTRODE STRUCTURE OF CAPACITANCE SENSOR AND VEHICLE PROXIMITY SENSOR USING THE STRUCTURE例文帳に追加

静電容量センサの電極構造及びそれを用いた車両用近接センサ - 特許庁

NONCONTACT DATA RECEIVER/TRANSMITTER AND CAPACITANCE CONTROL METHOD FOR ANTENNA OF THE SAME例文帳に追加

非接触型データ受送信体およびそのアンテナのキャパシタンス調整方法 - 特許庁

ANTENNA CIRCUIT, IC INLET, IC TAG, AND CAPACITANCE ADJUSTING METHOD FOR ANTENNA CIRCUIT例文帳に追加

アンテナ回路、ＩＣインレット、ＩＣタグ、およびアンテナ回路の容量調整方法 - 特許庁

CAPACITIVE ELEMENT BUILT-IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND INPUT TERMINAL CAPACITANCE ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加

容量素子内蔵半導体装置および入力端子容量調整方法 - 特許庁

A detection circuit 28 is provided that also detects the remaining capacitance of a charged battery 25.例文帳に追加

充電式電池２５も残量を検出する検出回路２８を設ける。 - 特許庁

To provide a capacitance type sensor that can further improve detection accuracy.例文帳に追加

より検出精度の向上を図ることのできる静電容量式センサを得る。 - 特許庁

To solve the problem that deterioration in contrast and change in color occurs due to the back-light passing through the areas where the semiconductor layer is not covered with storage capacitance in a liquid crystal display device in where the storage capacitance is formed between a semiconductor layer and a storage capacitance line.例文帳に追加

半導体層-蓄積容量線間で蓄積容量を形成した液晶表示装置では、半導体層が蓄積容量で覆われていない領域を通過するバックライト光によって、コントラストの低下や色変化が生じる。 - 特許庁

A capacitance value per unit area is increased by connecting a storage capacitance 141 in series and an area occupied by the storage capacitance on a substrate 100 is reduced to heighten a numerical aperture of a transmission region and luminance of the display device.例文帳に追加

また、蓄積容量１４１を直列に接続することにより、単位面積当たりの容量値を増やした上で、基板１００上で蓄積容量１４１が占める面積を減らし、透過領域の開口率及び表示装置の輝度を高める。 - 特許庁

On the display area 2 on the active substrate 1, an auxiliary capacitance line 7 for forming an auxiliary capacitance part Cs between the pixel electrode 5 and the auxiliary capacitance line 7 is disposed on the same plane as the data line 4 so as to be parallel to the data line 4.例文帳に追加

アクティブ基板１上の表示領域２においてデータライン４と同一の平面には、画素電極５との間で補助容量部Ｃｓを形成するための補助容量ライン７がデータライン４と平行するように設けられている。 - 特許庁

To provide an inexpensive and highly reliable non-contact data reception/transmission body having a simple constitution of which the capacitance is adjusted by increasing the capacitance or the like, and a method for adjusting the value of capacitance of the antenna.例文帳に追加

構成が簡単で安価で信頼性の高い非接触型データ受送信体であってキャパシタンスを大きくするなどキャパシタンスを調整した非接触型データ受送信体およびそのアンテナのキャパシタンスの値を調整する方法の提供。 - 特許庁

To reduce the variation of auxiliary capacitance when mis-alignment occurs between an auxiliary capacitance electrode and a pixel electrode in an active matrix type liquid crystal display panel wherein an anode oxide film is formed on a part of the.surface of the auxiliary capacitance electrode.例文帳に追加

補助容量電極の一部の表面に陽極酸化膜が形成されたアクティブマトリクス型液晶表示パネルにおいて、補助容量電極と画素電極との間にアライメントずれが生じた場合の補助容量の変化を低減する。 - 特許庁

A slave filter 52 includes a Gm amplifier and a capacitance circuit similarly to the case with the master filter 51, sets a Gm value setting current I to its own Gm amplifier and sets a capacitance value setting signal S2 calculated by a decoder circuit 53 to its own capacitance circuit.例文帳に追加

スレーブフィルタ５２は、マスターフィルタ５１と同様に、Ｇｍアンプ容量回路とを含み、上記のＧｍ値設定電流Ｉを自己のＧｍアンプに設定し、デコーダ回路５３で算出された容量値設定信号Ｓ２を自己の容量回路に設定する。 - 特許庁

An internal electrode 10 for forming a first main capacitance, a pair of internal electrodes 11 and 14 forming a second main capacitance, and a pair of internal electrodes 12 and 13 for forming a third main capacitance are provided in dielectric material layers 15, 16, and 17.例文帳に追加

誘電材料層１５、１６、１７中に、第１の主容量を形成する内部電極１０、第２の主容量を形成する一対の内部電極１１、１４、第３の主容量を形成する一対の内部電極１２、１３を設ける。 - 特許庁

A contact surface of the pen top end and a capacitance type touch panel includes a contact surface of the pen core part and the capacitance type touch panel and a contact surface of the conductive sponge and the capacitance type touch panel around the contact surface.例文帳に追加

前記ペン先端部と静電容量型タッチパネルとの接触面は、前記ペン芯部および前記静電容量型タッチパネルの接触面と、該接触面の周りの、前記導電性スポンジおよび前記静電容量型タッチパネルの接触面とを含む。 - 特許庁

An electronic circuit having a laminated structure is sampled, and the wiring conductor of the sampled electronic circuit is observed, and the simulation of a parasitic capacitance based on observation is carried out, and the approximate expression of a parasitic capacitance is derived, and the correction expression of the parasitic capacitance is derived.例文帳に追加

積層構造を有する電子回路をサンプリングし、サンプリングされた電子回路の配線導体を観測し、観測に基づく寄生容量のシミュレーションを行い、寄生容量の近似式を導出し、さらに寄生容量の補正式を導出する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance thin film capacitor which changes little in capacitance with high-frequency signals, varies much in capacitance with a DC bias, is protected against disconnection, and is restrained from deteriorating its characteristics and reliability, and to provide a high-frequency component.例文帳に追加

高周波信号による容量変化が小さく、かつ、直流バイアスによる容量変化は大きく、さらに断線を防ぎ、特性不良や信頼性の低下を抑制できる容量可変薄膜コンデンサ及び高周波部品を提供することにある。 - 特許庁

Thus, an insulating film for the parasitic capacitance is constituted thick of the LOCOS oxide film 43, first and second epitaxial layers 35, 36 to the parasitic capacitance generated between the resistor 31, the capacitor 32 and the substrate, thereby reducing its self-capacitance.例文帳に追加

そのことで、抵抗体３１、容量３２と基板との間に発生する寄生容量に対して、寄生容量の絶縁膜をＬＯＣＯＳ酸化膜４３、第１および第２のエピタキシャル層３５、３６で厚く構成しその自己容量を低減する。 - 特許庁

To provide a capacitance sensor which can suppress zero point unbalance due to variations in the temperature coefficients of capacitance sensors caused by variations in thickness of an adhesive, and due to deviations from an appropriate capacitance value caused by contraction accompanying hardening of the adhesive.例文帳に追加

接着剤の厚さのばらつきによる静電容量センサの温度係数のばらつきや、接着剤の硬化に伴う収縮による静電容量の適正値からのずれによる零点不均衡を抑制することができる静電容量センサの提供。 - 特許庁

To solve the problem that an MOS field-effect transistor has gate capacitance structurally, the gate capacitance is increased as the channel area is increased and the gate oxide film is thinned, resulting in a limit due to the gate capacitance for improving high frequency operation characteristics.例文帳に追加

ＭＯＳ電界効果トランジスタは、構造的にゲート容量を有しており、チャネル面積が大きくなるほど、ゲート酸化膜が薄くなるほどゲート容量が大きくなり、このゲート容量により高周波動作を向上させる上で限界が生じる。 - 特許庁

A bearing discharge prevention mechanism (70) includes an electrostatic capacitance formation member (71) which is configured separately from fixing members (23, 92, 93), and is electrically connected to outer ring parts (52, 62) so as to form an electrostatic capacitance parallel to an electrostatic capacitance between the outer ring parts (52, 62) and inner ring parts (51, 61).例文帳に追加

軸受け放電防止機構（70）は、固定部材（23,92,93）と別体に構成され、外輪部（52,62）と内輪部（51,61）との間の静電容量と並列な静電容量を形成するように外輪部（52,62）と電気的に接続する静電容量形成部材（71）を備える。 - 特許庁

In accumulated capacitance or parasitic capacitance between the gate and drain in a pixel, a difference in the liquid crystal capacitance between respective pixels is compensated by setting an area, film thickness of an insulating film, or a dielectric constant correspondingly to the cell gap lengths of R, G, B.例文帳に追加

画素内の蓄積容量もしくはゲート・ドレイン間寄生容量において、面積、絶縁膜の膜厚、あるいは絶縁膜の比誘電率を、Ｒ、Ｇ、Ｂのセルギャップに対応させて設定することにより、各画素の液晶容量の差を補う。 - 特許庁