「cathode sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MAGNETRON CATHODE ELECTRODE, AND SPUTTERING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

マグネトロンカソード電極及びマグネトロンカソード電極を用いたスパッタリング方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC OXIDE FILM AND DUAL-CATHODE MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

酸化物誘電体膜の製造方法とデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁

To provide an organic light emitting display and a deposition method for depositing an electrode or a passivation layer by means of a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method by mixing Ar with an inert gas heavier than Ar.例文帳に追加

Ａｒよりさらに重い非活性ガスをＡｒと混合してボックスカソードスパッタリング(Box Cathode Sputtering)あるいは対向ターゲットスパッタリング（Facing Target Sputtering法で電極またはペッシベーション層を蒸着させた有機発光表示装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnet set which can easily change the configuration of a cathode magnet in a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法において、カソードマグネットの構成の変更を容易にする。 - 特許庁

BACKING PLATE MANUFACTURING METHOD, BACKING PLATE, SPUTTER CATHODE, SPUTTERING APPARATUS, BUCKING PLATE CLEANING METHOD例文帳に追加

バッキングプレートの製造方法、バッキングプレート、スパッタカソード、スパッタリング装置、及びバッキングプレートの洗浄方法 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus and sputtering method capable of enhancing the uniformity of the film thickness and the film quality within a plane of a substrate of a thin film to be formed on a large substrate with a compact magnetron sputtering cathode.例文帳に追加

小型マグネトロンスパッタリングカソードで、大型基板に形成される薄膜の基板面内における膜厚および膜質の均一性を向上させる。 - 特許庁

MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, CYLINDRICAL CATHODE, AND METHOD OF COATING THIN MULTICOMPONENT FILM ON SUBSTRATE例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置、円筒陰極、及び薄い複合膜を基板上に成膜する方法 - 特許庁

To provide a method of designing a sputtering system where optimum sputtering cathode conditions are obtained, and the cracking and peeling of a target can be prevented.例文帳に追加

最適なスパッタカソード条件を計算で求め、ターゲットの割れや剥がれを未然に防止しうるスパッタ装置を設計する方法を提供する。 - 特許庁

This method can be used for both the conventional sputtering target (29) and the newly-developed hollow cathode magnetron sputtering target (10).例文帳に追加

本発明の方法は従来のスパッタターゲット（２０）並びに新規開発した中空のカソードマグネトロンスパッタターゲット（１０）に対しても使用可能である。 - 特許庁

MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置並びに磁石構造体の使用方法 - 特許庁

To provide a cold cathode fluorescent lamp superior in sputtering resistance and manufacturability and economical, and a manufacturing method of an electrode for the cold cathode fluorescent lamp.例文帳に追加

耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な、冷陰極蛍光ランプおよび冷陰極蛍光ランプ用電極の製造方法を提供する - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method.例文帳に追加

深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。 - 特許庁

To provide a dual cathode type sputtering apparatus which can be downsized and can reduce production cost, and to provide a film deposition method.例文帳に追加

装置を小型化でき且つ生産コストを低減できるデュアルカソード型のスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、０．４〜２．０Å／ｓｅｃの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The transparent anode 11 and the transparent cathode 16 are formed of an amorphous transparent electrode that a metal oxide is formed by sputtering method and ion plating method.例文帳に追加

透明陽極１１および透明陰極１６は金属酸化物をスパッタ法またはイオンプレーティング法により形成したアモルファス透明電極で構成される。 - 特許庁

To provide a method for producing a lithium phosphate sintered compact capable of obtaining a bulk body free from macrosized internal defects and having high density, and to provide a sputtering cathode.例文帳に追加

マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode discharge tube by connecting electrodes made of sputtering resistant metal with internal lead at a temperature with no harmful overheat effect.例文帳に追加

耐スパッタリング性のある金属で形成された電極を過熱弊害の生じない温度で内部リードに接合して冷陰極放電管を製造する。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element comprises a process 1 of vapor-depositing a material containing alkali metal or alkali earth metal on the surface of a sputter target for a cathode electrode material, and a process 2 of forming a cathode electrode film by a sputtering method.例文帳に追加

カソード電極材用スパッタターゲット表面に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属元素を含む材料を蒸着する工程１と、カソード電極をスパッタ成膜する工程２を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.例文帳に追加

ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.例文帳に追加

安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を３０℃〜８０℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a film-forming method by sputtering, which forms a thin film with a uniformly distributed film thickness and film quality, without installing a cathode peripheral member such as a distribution correction plate, and achieves a dust control and the extension of a running time, and to provide a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

分布修正板等のカソード周辺部材を設置しなくても膜厚分布及び膜質分布が均一な薄膜を形成することができ、ダスト抑制及びランニングタイムの延長等を達成できるスパッタ成膜方法及びマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3.例文帳に追加

カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。 - 特許庁

At the time of forming at least the boundary side with the outermost high-refractive index layer of the silicon oxide layer 15 in the step of forming the silicon oxide layer 15 by sputtering method, voltage per unit current of 19 V-42 V is applied to a sputtering cathode having a target for forming the silicon oxide film.例文帳に追加

酸化ケイ素層１５をスパッタ法で形成するにあたり、この酸化ケイ素層１５のうちの少なくとも最外高屈折率層との界面側を形成する際、この酸化ケイ素成膜用のターゲットを備えたスパッタカソードに、単位電流あたり１９Ｖ〜４２Ｖの電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a gas discharge display device and a plasma address liquid crystal display device in which the deterioration of display quality due to the sputtering of cathode layer is prevented and suppressed, and to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

陰極層のスパッタリングに起因する表示品位の低下が防止・抑制された気体放電表示装置およびプラズマアドレス液晶表示装置ならびにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering cathode, a magnetron sputtering apparatus, and a method of manufacturing a magnetic device, for generating a leakage magnetic field sufficiently large to form a magnetic tunnel necessary for discharge on the surface of a target even when the target is a magnetic body and thick and a ferromagnetic body is used as the target.例文帳に追加

ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加

また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した２つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に４００Ｇ以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が３５０Ｖ以下となるように構成される。 - 特許庁

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

This film-forming method includes the steps of: introducing an inert gas such as argon gas from an inlet 11 for a sputtering gas into a chamber 20; producing sputtered particles by electric discharge generated between an anode 13 and a cathode 15; transporting the sputtered particles to a substrate 16 by a forced flow of the inert gas such as argon; and depositing them on the substrate 16.例文帳に追加

スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.例文帳に追加

テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent discharge lamp of high quality and high reliability, by shortening discharge starting time of the lamp through reduction of a volume of a sputtering phenomenon, and by improving on high luminance, long life as well as darkness starting characteristic through maintenance of stable discharge over a long period of time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタ現象の発生量を低減させて冷陰極蛍光放電ランプにおける放電開始時間を短縮させ、且つ安定した放電が長時間に亘って維持させることによって高輝度、長寿命と共に暗黒始動特性を向上させ、品質及び信頼性の高い冷陰極蛍光放電ランプ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp aimed at longer life and its manufacturing method, making up an electrode further excellent in sputtering resistance using nickel or a nickel alloy as its main components, easily manufactured at low cost, and capable of superbly carrying out heat dissipation of the electrode at use of the lamp, even in case a lead wire of a copper-Kovar double structure.例文帳に追加

電極の主成分としてニッケル又はニッケル合金を用い、耐スパッタ性に更に優れる電極とし、容易に安価に製造することができ、また、銅−コバール二重構造のリード線を用いた場合でも、ランプの使用時における電極の放熱を良好に行うことができ、長寿命化を図った冷陰極蛍光ランプや、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁