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cell splitの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 66件
SPLIT-GATE TYPE MEMORY CELL例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル - 特許庁
MAGNETIC-RAM CELL HAVING SPLIT SUB-DIGITLINE例文帳に追加
分割されたサブデジットラインを有する磁気ラムセル - 特許庁
SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁
To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics.例文帳に追加
消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加
分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加
スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加
分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁
To restrain an electrolyte membrane of a fuel cell from being split due to dryness.例文帳に追加
燃料電池の電解質膜が乾燥することによって裂けることを抑制する。 - 特許庁
To improve the resistance to erroneous writing (disturb) of a split gate MONOS memory cell and to increase the operating speed of the memory cell.例文帳に追加
スプリットゲート型MONOSメモリセルの誤書込み(ディスターブ)耐性を向上し、かつ同メモリセルを高速動作させる。 - 特許庁
(b) An Embryo produced as a result of aggregation of a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo, or Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryo and either a human Somatic Cell or an Embryonic Cell of a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo or Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryo 例文帳に追加
ロ 一のヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚又は人クローン胚とヒトの体細胞又はヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚若しくは人クローン胚の胚性細胞とが集合して一体となった胚 - 日本法令外国語訳データベースシステム
(a) An Embryo produced by Fusion between an Animal Enucleated Egg and either a human Somatic Cell or a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo or Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryo at the one-cell stage or an Embryonic Cell with a cell nucleus of a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo, Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryo or Human-Human Chimeric Embryo 例文帳に追加
イ ヒトの体細胞、一の細胞であるヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚若しくは人クローン胚又はヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚、人クローン胚若しくはヒト集合胚の胚性細胞であって核を有するものが動物除核卵と融合することにより生ずる胚 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To improve the information holding characteristics of a split gate type memory cell adopting a MONOS system.例文帳に追加
MONOS方式を採用するスプリットゲート型メモリセルの情報保持特性を向上させる。 - 特許庁
(ix) Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo An Embryo produced by Fusion between a Human Enucleated Egg and a Human Fertilized Embryo or Human Split Embryo at the one-cell stage or an Embryonic Cell with a cell nucleus of a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo or Human-Human Chimeric Embryo 例文帳に追加
九 ヒト胚核移植胚 一の細胞であるヒト受精胚若しくはヒト胚分割胚又はヒト受精胚、ヒト胚分割胚若しくはヒト集合胚の胚性細胞であって核を有するものがヒト除核卵と融合することにより生ずる胚をいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
To improve characteristics and reliability of a memory cell by stabilizing operation quality in data writing in the split gate type EEPROM memory cell.例文帳に追加
スプリットゲート型のEEPROM型メモリセルにおいて、データ書き込みの際の動作品質を安定させ、メモリセルの特性及び信頼性を向上させる。 - 特許庁
To form a memory cell array by using a self-aligning technique in a split type nonvolatile memory having a floating gate.例文帳に追加
フローティングゲートを有するスプリット型不揮発性メモリにおいて、自己整合手法によりメモリセルアレイを形成する。 - 特許庁
a) An Embryo produced as a result of aggregation of two or more of Human Fertilized Embryos, Human Split Embryos, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryos or Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryos (including an Embryo produced as a result of aggregation of such an Embryo and either a Human Somatic Cell or an Embryonic Cell of a Human Fertilized Embryo, Human Split Embryo, Human Embryonic Nuclear Transfer Embryo or Human Somatic Cell Nuclear Transfer Embryo 例文帳に追加
イ 二以上のヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚又は人クローン胚が集合して一体となった胚(当該胚とヒトの体細胞又はヒト受精胚、ヒト胚分割胚、ヒト胚核移植胚若しくは人クローン胚の胚性細胞とが集合して一体となった胚を含む。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
To provide a split gate type memory device having a structure agreeing with cell condensation, and to provide a method of manufacturing split gate type memory device by which the problem of erroneous alignment caused by photolithography can be eliminated.例文帳に追加
セル縮少に適合した構造を有するスプリットゲート型メモリ素子と、フォトリソグラフィによる誤整列問題のないスプリットゲート型メモリ素子の製造方法とを提供する。 - 特許庁
To provide a new operation device of a fuel cell improving stability in power generation performance by suppressing an occurrence of flooding in a split-type fuel cell.例文帳に追加
分割型の燃料電池におけるフラッティングの発生を抑制して、発電性能の安定化を向上させる新規な燃料電池の運転装置を提供する。 - 特許庁
To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加
ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide technique for improving a manufacturing yield of a semiconductor device including a non-volatile memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加
スプリットゲート構造の不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、製造歩留まりを向上できる技術を提供する。 - 特許庁
Phosphorus is diffused selectively into the polysilicon layer 12 as a whole, in a region for the formation of a split gate type flash EEPROM cell (MC).例文帳に追加
そして、スプリットゲート型フラッシュEEPROMセル(MC)の形成領域における、ポリシリコン層12の全体に選択的にリンを拡散する。 - 特許庁
To enhance production efficiency by reducing waste of panels, split substrates and components during production when a panel component is attached, as a cell, on a mother board or when a component is attached on a split substrate.例文帳に追加
マザーボードにセルとして、パネルを搭載する部品装着、または、割り基板上へ部品を装着するときに、生産時におけるパネルや割り基板、部品のむだをなくし、生産効率を向上させる。 - 特許庁
The method for producing the single-celled soybean curd refuse comprises a process for making soybean curd refuse into single cell using a splitting enzyme which does not split cell wall and selectively splits intercellular substances.例文帳に追加
上記課題を解決するために、細胞壁を分解せず且つ細胞間物質を選択的に分解することが可能な分解酵素を用いておからを単細胞化する工程を含む。 - 特許庁
The carbon microrod 13 is projected on a four-split CCD 22, and an image which is displaced by the tension of the cardiac muscle cell is detected.例文帳に追加
第2マイクロカーボンロッド13を4分割CCD22に投影し、心筋細胞の張力によって変位する像を検出する。 - 特許庁
To provide a piston insertion method and insertion device capable of effectively using a load cell, and capable of being applied to a split type connecting rod without any problems.例文帳に追加
ロードセルの有効利用が可能であり、かち割り型コンロッドにも問題なく適用できるピストン挿入方法と挿入装置。 - 特許庁
Furthermore, the fuel electrodes and the fuel gas passage forming member 11 of the fuel battery cell 1a are split in nearly identical shapes and a fuel electrode splitting member 9 is interposed as an intermediate member in the split portion.例文帳に追加
さらに、燃料電池セル1aの燃料電極と燃料ガス流路形成部材11とを、略同形状に分割し、かつ、その分割部分に中間部材として燃料極分割部材9を介在させる。 - 特許庁
(xxiii) Human Enucleated Egg An enucleated human Unfertilized Egg or an enucleated Human Fertilized Embryo or Human Split Embryo at the one-cell stage 例文帳に追加
二十三 ヒト除核卵 ヒトの未受精卵又は一の細胞であるヒト受精胚若しくはヒト胚分割胚であって、除核されたものをいう。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル1は、ソース領域2、ドレイン領域3、チャネル領域4、浮遊ゲート電極5、制御ゲート電極6から構成される。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a split gate type nonvolatile memory cell of source-side implantation system, which can be formed in a single-layer polysilicon process.例文帳に追加
1層ポリシリコンプロセスで形成可能なソースサイド注入方式のスプリットゲート型不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To surely form the memory cell of a split gate type nonvolatile semiconductor memory device and to prevent the operation characteristics of an MOS transistor from being affected by the memory cell when forming the memory cell on the same semiconductor wafer as the MOS transistor.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを確実に形成できると共に、該メモリセルをMOSトランジスタと同一の半導体基板上に形成する際に、本発明のメモリセルがMOSトランジスタの動作特性に影響を与えないようにする。 - 特許庁
To surely form the memory cell of a split-gate nonvolatile semiconductor memory device, and to prevent the operation characteristics of an MOS transistor from being affected by the memory cell when forming the memory cell on the same semiconductor wafer as the MOS transistor.例文帳に追加
スプリットゲート型の不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを確実に形成できると共に、該メモリセルをMOSトランジスタと同一の半導体基板上に形成する際に、本発明のメモリセルがMOSトランジスタの動作特性に影響を与えないようにする。 - 特許庁
To improve electrical characteristics of a semiconductor device which employs a split-gate type memory cell structure and includes a nonvolatile memory using a nitride film as a charge accumulation layer.例文帳に追加
スプリットゲート型メモリセル構造を採用し、電荷蓄積層として窒化膜を用いる不揮発性メモリを有する半導体装置において電気的特性を向上させる。 - 特許庁
To provide the so-called seamless rod-shaped member, wherein a uniform cell diameter is achieved as a whole, and a seam (joint) is not caused by the parting line of split molds.例文帳に追加
全体として均一な気泡径が達成され、分割金型のパーティングラインに起因するシーム(継目)を生ずることのない所謂シームレスの棒状体を提供する。 - 特許庁
To provide a method for achieving a fine self-matching split-gate memory cell.例文帳に追加
サイドウォール構造を利用する自己整合スプリットゲート型メモリセルと微細MOSトランジスタの混載における最適ゲート高さの差に起因する注入イオン突き抜けの課題を解決する。 - 特許庁
An elongated split spring is provided in a vertical direction on each wall of the cell that supports the fuel rod of the grid and the fuel rod is supported with eight contact points on the same plane.例文帳に追加
グリッドの燃料棒を支持するセルの各壁に垂直方向で細長い割りばねを設けて、燃料棒を同一平面上の8個の接触点で支持する。 - 特許庁
IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁
To provide a technology for reducing a semiconductor chip area, in a nonvolatile semiconductor storage device having a split gate type memory cell of a MONOS method.例文帳に追加
MONOS方式のスプリットゲート型メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、半導体チップ面積の縮小を図ることのできる技術を提供する。 - 特許庁
In a split gate type memory cell utilizing a side wall structure with a silicided gate electrode, an isolated auxiliary pattern 22 is disposed adjacently to a selection gate electrode 12.例文帳に追加
サイドウォール構造を利用し、ゲート電極がシリサイド化されたスプリットゲート型メモリセルにおいて、選択ゲート電極12に隣接して、孤立した補助パターン22を配置する。 - 特許庁
A solar cell 15 consists of split cells A, B, C, and D quadrisected by parting lines 15DA, 15AB, 15BC, and 15CD on the domain of a power-generating plane formed on a sheet of substrate and acquires electromotive force required for loading by making those split cells in-series.例文帳に追加
ソーラーセル15は、1枚の基板上に形成された発電面の領域を分割線15DA、15AB、15BC、15CDにより4等分した分割セルA、B、C、Dを有しており、これらの分割セルを直列にして負荷に必要な起電力を得ている。 - 特許庁
This porous electrode material for the polymer electrolyte fuel cell contains carbon short fiber practically dispersed in random directions in a two dimensional plane, and split fiber having a fibril part, and the carbon short fiber is bound with the split fiber.例文帳に追加
実質的に二次元平面内においてランダムな方向に分散した炭素短繊維と、フィブリル部を有する分割繊維とを含み、該炭素短繊維が該分割繊維により結着されたことを特徴とする固体高分子型燃料電池用多孔質電極基材。 - 特許庁
To provide the so-called seamless rod-shaped member with a shaft, wherein a uniform cell diameter is achieved as a whole, not producing the seam (joint) caused by the parting line of split molds.例文帳に追加
全体として均一な気泡径が達成され、分割金型のパーティングラインに起因するシーム(継目)を生ずることのない所謂シームレスのシャフト付き棒状体を提供する。 - 特許庁
After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加
半導体基板1Subの主面にn型の半導体領域6を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極MGおよび電荷蓄積層CSLを形成する。 - 特許庁
The semiconductor storage device is formed by splitting a memory array into a plurality of mats 11, and a transistor element 18 is arranged between cell counter electrode plates 17 of each mat split as a switching device.例文帳に追加
半導体記憶装置はメモリアレイが複数のマット11に分割形成されてなり、分割された各マットのセル対極プレート17間にトランジスタ素子18をスイッチ素子として配置する。 - 特許庁
The nonvolatile memory is provided with a substrate 1, a split-gate memory cell transistor MC formed on the substrate 1, and a reference transistor RT formed on the substrate 1.例文帳に追加
本発明に係る不揮発性メモリは、基板1と、基板1上に形成されたスプリットゲート型のメモリセルトランジスタMCと、基板1上に形成されたリファレンストランジスタRTとを備える。 - 特許庁
A memory cell array 1 has a hierarchical structure where bit lines BL are split from a main data line MDL and an inverting sense circuit 10 is inserted between the main data line MDL and the bit lines BL.例文帳に追加
メモリセルアレイ1は、メインデータ線MDLからビット線BLが分岐された階層構造となっており、メインデータ線MDLとビット線BLとの間に、反転センス回路10が挿入される。 - 特許庁
After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加
半導体基板1Subの主面にn型の半導体領域6を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極MGおよび電荷蓄積層CSLを形成する。 - 特許庁
To provide a technology for reducing a shortage between a selective gate electrode and a memory gate electrode in a semiconductor device having a MONOS type non-volatile memory cell of a split gate structure.例文帳に追加
スプリットゲート構造のMONOS型不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、選択ゲート電極とメモリゲート電極との短絡不良を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁
When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加
ダミーセル領域22の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域22に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁
An item name detecting part 18a specifies item cells based on the content of the integrated and split states of cells in row and column directions from the cell at the left top corner, the content of the cell at the left top corner using a thesaurus dictionary 32 and on the content of the cells in row and column directions.例文帳に追加
項目名検出部18aは、左上のセルから行方向、列方向のセルの統合状態および分割状態内容と、シソーラス辞書32を用いた、左上のセルの内容と該セルから行方向、列方向のセルの内容とに基づいて項目セルを特定する。 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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