「charged defect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS, DEFECT OBSERVATION DEVICE AND ADMINISTRATIVE SERVER例文帳に追加

荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM DEFLECTOR AND CHARGED PARTICLE BEAM DEFECT INSPECTION DEVICE AND METHOD USING THE SAME例文帳に追加

荷電粒子ビーム偏向装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM CONTROL DEVICE AND CHARGED PARTICLE BEAM OPTICAL DEVICE USING THE SAME, AND CHARGED PARTICLE BEAM DEFECT CHECKING DEVICE例文帳に追加

荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置 - 特許庁

The charged particle beam image is then analyzed to characterize the defect.例文帳に追加

そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM CONTROLLER, CHARGED PARTICLE BEAM OPTICAL DEVICE USING THE SAME, CHARGE PARTICLE BEAM DEFECT INSPECTION DEVICE AND CONTROL METHOD FOR CHARGED PARTICLE BEAM例文帳に追加

荷電粒子ビーム制御装置、及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、荷電粒子ビーム欠陥検査装置、並びに荷電粒子ビーム制御方法 - 特許庁

A dual charged-particle beam system is automatically navigated to the vicinity of defect location using information from the defect file.例文帳に追加

複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。 - 特許庁

To provide a defect inspection apparatus by which a defect can be inspected with high throughput even when a charged particle beam is used.例文帳に追加

荷電粒子線ビームを用いた場合でも高スループットで欠陥の検査が可能な欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PHOTOMASK DEFECT CORRECTION USING CHARGED PARTICLE BEAM例文帳に追加

荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 - 特許庁

CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, THIN FILM FORMING METHOD, DEFECT CORRECTING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

荷電粒子ビーム装置、薄膜作製方法、欠陥修正方法及びデバイス作製方法 - 特許庁

The recipe is then automatically executed to cut a portion of the defect using a charged particle beam.例文帳に追加

このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。 - 特許庁

To provide a charged particle microscope device capable of detecting a signal at the time when a charged state of an observation sample or an electrostatic state of a defect part becomes optimal, and to provide a control method of a charged particle beam.例文帳に追加

観察試料又は欠陥部の帯電状態が最適になった時点で信号検出をできる荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法を提供する。 - 特許庁

To access a defect position quickly and surely when a defect on a semiconductor wafer detected by a defect inspection apparatus is reviewed and analyzed by means of a charged beam system.例文帳に追加

荷電ビーム装置で欠陥検査装置で検出された半導体ウェハの欠陥をレビュー，分析するに際し、欠陥位置へのアクセスが迅速かつ的確に行なうことを可能にする。 - 特許庁

CHARGED PARTICLE MAPPING/PROJECTING OPTICAL SYSTEM, CHARGED PARTICLE RAY DEFECT INSPECTING DEVICE COMPRISING IT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

荷電粒子写像投影光学系、該光学系を備える荷電粒子線欠陥検査装置及び該装置により製造された半導体デバイス - 特許庁

To prevent overetching in glass caused when a black defect in a chromium mask is corrected by a photomask defect correcting device using a charged particle beam.例文帳に追加

荷電粒子ビームフォトマスク欠陥修正装置のクロムマスクの黒欠陥修正時に発生するガラスのオーバーエッチの問題点を克服する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam control device and a charged particle beam optical device using the same, and a charged particle beam defect checking device which can accurately and easily position an electric field and a magnetic field.例文帳に追加

電極と磁極を正確に、かつ、容易に位置決めすることのできる荷電粒子ビーム制御装置及びそれを用いた荷電粒子ビーム光学装置、ならびに荷電粒子ビーム欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁

On inspecting a pixel defect, first, pixel capacitors included in the all pixel forming parts in a display unit are sequentially charged.例文帳に追加

画素欠陥検査の際には、まず、表示部内のすべての画素形成部に含まれる画素容量を順次に充電する。 - 特許庁

Ultimately, a surface exposed by the charged particle beam cut is imaged to obtain additional information about the defect.例文帳に追加

最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 - 特許庁

To prevent defect caused by static electricity charged to a component of a game machine such as a back set member.例文帳に追加

裏セット部材のような遊技機の構成部材に帯電した静電気が原因となって発生する不具合を防止する。 - 特許庁

Furthermore, in the scanning charged particle microscope for semiconductor test and semiconductor measurement, by using a pattern size measurement, defect detection, and defect classification or the like by using the image after image restoration, measurement precision improvement and high precision of defect detection and defect classification or the like become possible.例文帳に追加

さらに、半導体検査および半導体計測用の走査型荷電粒子顕微鏡において、画像復元後の画像を用いてパターン寸法計測、欠陥検出、欠陥分類等に用いることにより、計測精度向上や欠陥検出、欠陥分類の高精度化を可能とした。 - 特許庁

To provide an image display device which solves the problems of transport of charged particles between pixels and the driving defect of charged particles due to a sealing adhesive, and a manufacturing method for the image display device.例文帳に追加

画素間で帯電粒子の搬送、封止接着剤による帯電粒子の駆動不良、を解決する画像表示装置および画像表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a matching method of a charged particle beam device capable of accurately measuring and inspecting line width, defect and the like of a sample.例文帳に追加

試料の線幅、欠陥などを精密に測定、検査することができる、荷電粒子ビーム装置のマッチング方法の提供。 - 特許庁

To efficiently suppress charge-up of an isolated pattern without damaging the pattern in photomask defect correction using charged particle beam.例文帳に追加

荷電粒子ビームを用いたフォトマスク欠陥修正において、孤立パターンのチャージアップを、パターンを傷つけることなく、効率よく抑止する。 - 特許庁

The defect inspection method employs an inspection device having a beam source 1 for irradiating a sample 10 with a charged particle beam 2 and a detector 18 for detecting a charged particle from the sample surface.例文帳に追加

欠陥検査方法は、荷電粒子ビーム２を試料１０に照射するビーム源１と、試料表面からの荷電粒子を検出部する検出部１８とを備える検査装置を用いる。 - 特許庁

To provide a charged particle beam defect inspecting device and method for correcting a dislocation of a focal position due to a charged-up state of a sample to be observed without troubling an operator, and resultingly ensure a focused clear observation and a precise defect inspection even under a charged-up state of the sample.例文帳に追加

観察対象の試料に生ずるチャージアップに起因する焦点位置のずれを操作者の手を煩わすことなく補正することができ、その結果として試料がチャージアップしている場合であっても焦点のあった鮮明な観察及び高精度の欠陥検査を行うことができる荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a contact charger which prevents a body to be charged from being charged ununiformly also decreases wear of the body to be charged, and also to provide an image forming apparatus which avoids an image quality defect, as in the form of a white streak, and ununiform image quality.例文帳に追加

被帯電体が不均一に帯電するのを防止したり、被帯電体が損耗するのを低減したりすることができる接触帯電器、および白い横筋状の画質デイフェクトや画質むらの発生が回避できる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus that prevents a detection member which judges a paper feed state by coming into direct contact with a transfer material from electrostatically being charged and also prevents an image defect due to a transfer material conveyance defect.例文帳に追加

転写材と直接接触することによって通紙状態を判断する検出部材の帯電を防止し、転写材搬送不良による画像不良の発生を防止する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In the scanning charged particle microscope designed for semiconductor tests and measurements, the use of an image after image restoration to perform a pattern size measurement, defect detection, and defect classification or the like enables the improvement of the precision of measurement and the rise in the precision of detection and classification of a defect.例文帳に追加

さらに、半導体検査および半導体計測用の走査型荷電粒子顕微鏡において、画像復元後の画像を用いてパターン寸法計測、欠陥検出、欠陥分類等に用いることにより、計測精度向上や欠陥検出、欠陥分類の高精度化を可能とした。 - 特許庁

To prevent a display defect due to a too large or too small an amount of charged liquid crystal of a liquid crystal display panel manufactured by a liquid crystal drop injecting method.例文帳に追加

液晶滴下注入法によって作製される液晶表示パネルの封入液晶量の過不足に起因する表示不良を防止する。 - 特許庁

To provide a method of diagnosing a fault of a charged particle beam lithography system using a defect inspection device, the method correctly sensing the fault caused in the charged particle beam lithography system in an initial stage.例文帳に追加

欠陥検査装置を用いた荷電粒子ビーム描画装置の故障診断方法であって、荷電粒子ビーム描画装置に不良が生じた場合にそれを初期段階で正しく検知することのできる方法を提供する。 - 特許庁

Thus, lowering of the display contrast and display defect due to the lack of the charged particles 31 capable of drive are suppressed by performing proper refresh operation, and since migration of the charged particles is prompted, responsiveness of the images is improved.例文帳に追加

したがって、適宜リフレッシュ動作を行うことにより、駆動可能な帯電粒子３１の不足による表示コントラストの低下や表示欠陥が抑制され、且つ帯電粒子の泳動が速やかになるので、画像の応答性が向上する。 - 特許庁

To provide a defect inspecting method using a scanning charged particle beam system, capable of precisely inspecting a defect over a short period of time, which exists on a surface of a sample to be inspected such as a semiconductor LSI or the like, by using a pattern matching technique.例文帳に追加

半導体ＬＳＩなどの被検査試料の表面に生じた欠陥の検査を、パターンマッチング技術を用いて高い精度で短時間に行なうことができる走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法 - 特許庁

When white defects are corrected, material gas is introduced through a deposition gas introduction system 9, and only a white defect region 7 is selectively irradiated with the charged particle beam 4 to deposit a white defect correcting film 8 as high as the height of a projection of the original form.例文帳に追加

白欠陥修正はデポジション用ガス導入系９から原料ガスを導入し、荷電粒子ビーム４を白欠陥領域７のみに選択照射して白欠陥修正膜８を、原版の凸部の高さまで堆積させる。 - 特許庁

The method for checking the pattern comprises calculating the feature amount of a defect which includes the signal amount of a charged particle beam image of the defect, simultaneously or concurrently upon checking, and immediately sorting the defects based on the electrical properties of the defects.例文帳に追加

検査と同時にあるいは並行して欠陥部の荷電粒子線画像の信号量を含む欠陥の特徴量を算出し、これによって欠陥の電気的性質に基づく分類を即座に行えるようにする。 - 特許庁

Consequently, the shielding mask used for the irradiation with the charged particles carried out for the crystal defect formation can be removed without damaging the semiconductor substrate etc.例文帳に追加

半導体基板等を損傷することなく、結晶欠陥形成のために行われる荷電粒子の照射において用いる遮蔽マスクを除去することが可能となる。 - 特許庁

To detect a defect position in which a detection of an image formed based on a detecting content of secondary particles to be radiated by irradiating the image with a charged beam is difficult.例文帳に追加

荷電ビームの照射により放出される２次粒子の検出量をもとに形成する画像からは検出が困難であった欠陥箇所を検出する。 - 特許庁

Coordinates of a specific region on a mask are extracted, and only the specific region is subjected to a defect check process carried out by a checking device by the use of charged particles such as SEM or the like.例文帳に追加

マスクの特定領域の座標を抽出し、その特定領域のみの欠陥検査を、ＳＥＭ等の荷電粒子を利用した検査装置を用いて行う。 - 特許庁

To improve power consumption by reducing current flowing a bit line when reading is performed and to avoid operation defect due to concentration of charged/discharged current.例文帳に追加

読み出し時にビット線を流れる電流を削減し、消費電力の向上を図ると共に、充放電電流の集中による動作不具合を回避できるようにする。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device having a little degradation of resolution even in image shifting beyond ±75 μm and a defect inspection device having a CAD navigation function interlocking with image shifting function, in a defect inspection device combining a plurality of probes measuring electrical property of samples including minute circuit wiring patterns with a charged particle ray device.例文帳に追加

微細な回路配線パターンを含む試料の電気特性を測定する複数のプローブと荷電粒子線装置とを組み合わせた不良検査装置において、±７５μｍ以上のイメージシフトでも分解能の劣化の少ない荷電粒子線装置と、イメージシフト機能に連動したＣＡＤナビゲーション機能を有する不良検査装置の提供する。 - 特許庁

To provide defect inspection apparatus having a GUI for simply controlling a plurality of probes in a defect inspection apparatus in which the plurality of probes for measuring electrical properties of samples containing fine circuit wiring patterns are combined with a charged particle beam apparatus.例文帳に追加

微細な回路配線パターンを含む試料の電気特性を測定する複数のプローブと荷電粒子線装置とを組み合わせた不良検査装置において、複数のプローブを単純に制御するためのＧＵＩを有する不良検査装置を提供する。 - 特許庁

To maintain image quality by polishing a photoreceptor having a possibility of causing an electrification defect by surface accumulation of deposited substances, charged products, etc., due to high surface roughness and inability to scrope the surface.例文帳に追加

表面硬度が高く、表面が削れないため付着物、帯電生成物などの表面蓄積により帯電不良を引き起こす虞のある感光体を研磨し、画質の維持を図る。 - 特許庁

To solve such a defect that image density fluctuates in accordance with a rapid change of the electrostatically charged quantity of developer, as for an image forming device for controlling toner concentration.例文帳に追加

トナー濃度制御を行う画像形成装置において、現像剤の帯電量の急激な変化に伴い画像濃度変動が発生してしまうという不具合を解消する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus improving image uniformity and contrast quality in detection of defects in a patterned semiconductor substrate by a charged particle utilization type defect inspection device.例文帳に追加

帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出に、画像の均一性およびコントラストの質を改善する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a defect from being transferred onto a wafer substrate, by reducing the thickness of an organic film for correcting an opening-like defect by treatment on a line even when performing a washing treatment at specified timing to suppress the variations in pattern line width after exposure, and by the decreased shielding capability in charged particle beams at the defect portion.例文帳に追加

露光後のパターン線幅の変動を抑えるべく所定タイミングで洗浄処理を行う場合であっても、その線上処理によって開口状欠陥を修正する有機膜の膜厚が減少し、その欠陥部分における荷電粒子線の遮蔽能力低下により、ウエハ基板上へ欠陥が転写されてしまうのを回避できるようにする。 - 特許庁

To provide: a lens sheet that has no decrease in luminance of a back light, hardly has a lens sheet surface electrostatically charged, and prevents a decrease in defect concealment, a product defect due to sticking of dust, dirt, etc., and electric charge, and deterioration in outward appearance; a surface light source device using the lens sheet; and a liquid crystal display device.例文帳に追加

バックライトの輝度低下を伴わず、レンズシート表面の帯電が起き難く、欠陥隠蔽性の低下や、埃、塵、ゴミ等の付着や電荷による製品欠陥、外観の悪化を防止できる、レンズシート、そのレンズシートを用いた面光源装置、および、液晶表示装置を目的とする。 - 特許庁

To provide an inspection device using a charged particle beam, capable of accurately detecting a defect hard to detect by an optical image by using an electron beam and of reducing erroneous detection of the defect without degrading inspection resolution by reducing noise of the inspection image causing trouble at that time.例文帳に追加

光学画像では検出困難な欠陥を電子線を用いて高精度に検出するとともに、その際問題となる検査画像のノイズを低減して、検査分解能をさげることなく欠陥の誤検出を低減することができる荷電粒子線を用いた検査装置を提供する。 - 特許庁