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conduction layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 828



例文

A positive plate 1 is composed of a nickel substrate serving as a conduction path, a nickel hydroxide layer formed on top of it, a yttrium hydroxide layer formed on top of it, and further a cobalt hydroxide layer formed on top of it.例文帳に追加

正極板1は、導電路となるニッケル基板と、その表面に形成された水酸化ニッケル層と、その表面に形成された水酸化イットリウム層と、更にその表面に形成された水酸化コバルト層とからなる。 - 特許庁

The shield connector is composed of a flange 22 fixed to a corresponding shield wall W which is made to have conductivity, and a shield layer 13 of a shield electric wire 10 which is connected in conduction with an electric conduction sleeve 26 integrated with the flange.例文帳に追加

シールドコネクタは、相手シールド壁Wに固定されるフランジ22を導電性とし、これに一体化した導電スリーブ26にシールド電線10のシールド層13を導通接続させた構成となっている。 - 特許庁

In this contact-type heat exchanger wherein two heat conduction pipes made out of different metallic materials, are abutted, an outer surface of one of the heat conductive pipes is provided with a plated layer of the metallic material of the other heat conduction pipe.例文帳に追加

異種金属材料からなる二つの伝熱管を接触させた接触型熱交換器において、一方の伝熱管の外表面に、他方の伝熱管の金属材料からなるメッキ層を形成する。 - 特許庁

To easily form a through-hole for forming a vertical conduction portion with respect to a semiconductor device provided with the vertical conduction portion in an insulating layer made of a prepreg material at a periphery of a semiconductor constitution body called a CSP.例文帳に追加

CSPと呼ばれる半導体構成体の周囲にプリプレグ材からなる絶縁層に上下導通部が設けられた半導体装置において、上下導通部を形成するための貫通孔を容易に形成する。 - 特許庁

例文

The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.例文帳に追加

第1半導体層は、第1導電型の第1領域2と、該第1領域2の上に形成され、第1領域2よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2領域3とを有している。 - 特許庁


例文

The plastic structure can have layer constitution in which an inorganic material part, the electric conduction part and a plastic part laminated in this order.例文帳に追加

前記プラスチック構造体は、無機材料部と、電気導通部と、プラスチック部とがこの順で積層された層構成を有していてもよい。 - 特許庁

Laser drill work is used for piercing a non-through via 104, which passes through a dielectric and stops at the boundary of the substrate and the conduction layer.例文帳に追加

誘電体を通り基板と導電層の境界で止まる非貫通バイア104を穿孔するためレーザドリル加工が使用される。 - 特許庁

The nonadhesive material layer is patterned and has at least one trench for exposing at least a part of the conduction structure.例文帳に追加

前記粘着材料は、パターン化され、前記伝導構造の少なくとも1部分を露出する、少なくとも1つのトレンチを有する。 - 特許庁

A semiconductor layer 15 is thinly covered just on the rearranged structure 12 and disposed for avoiding oxidation to prevent the electric conduction from deteriorating due to oxidation of the dopant material.例文帳に追加

ドーバント材料が酸化しやすい場合、金属材料層とドーバント埋め込み構造の間に半導体材料層を設ける。 - 特許庁

例文

The layer 24 inhibits the ionic conduction between the electrodes 20 and 23 of the pump cell and the electrodes 21 and 22 of the concentration cell.例文帳に追加

この阻止層24によって、ポンプセルにおける電極20,23と濃度セルにおける電極21,22との間のイオン伝導が阻止される。 - 特許庁

例文

Thereafter, a through electrode 21, a wiring layer 22 and a conduction terminal 24 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 10 including the via hole 16.例文帳に追加

次に、ビアホール16を含む半導体基板10の裏面に、貫通電極21、配線層22、及び導電端子24を形成する。 - 特許庁

A conductor layer 4 is formed between the semiconductor element 1 and the second insulation substrate 3b, and an external connection terminal of the semiconductor element 1 and the conductor layer 4 are so connected that conduction may be permitted between them.例文帳に追加

半導体素子1と第2の絶縁基板3bとの間には導体層4が設けられ、半導体素子1の外部接続端子と導体層4とは導通可能に接続されている。 - 特許庁

A conduction seed layer 4 is formed on one face 1a of the semiconductor substrate 1, and an electrode pad seed layer 5 is formed at the peripheral edge of the through-hole 2 at the other face 1b.例文帳に追加

半導体基板1の一方の面1aに通電用のシード層4を形成し、他方の面1bの貫通孔2周縁部に電極パッド用のシード層5を形成する。 - 特許庁

In the heat-dissipating layer 2, since heat transportation by heat conduction and a Peltier effect is generated in a direction of leaving from the active layer 4, it is possible to dissipate the heat effectively.例文帳に追加

放熱層2において、熱伝導とペルチェ効果による熱輸送がいずれも活性層4から遠ざかる方向に発生するため、効果的に放熱することが可能である。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device which can obtain stable conduction loss even if fluctuation of impurity doping quantity in a second conductive emitter layer and a first conductive buffer layer occurs.例文帳に追加

第2導電型エミッタ層及び第1導電型バッファ層の不純物ドーピング量のバラツキが生じても、安定した通電損失が得られる高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily solve a problem of infiltration/leakage of electromagnetic wave caused by the presence of an alumite treated layer without getting electrical conduction by stripping the alumite treated layer of an aluminum sash.例文帳に追加

アルミサッシのアルマイト処理層を剥がして電気的導通をとらなくとも、アルマイト処理層があることによる電磁波侵入・漏洩の問題を簡単に解消できるようにする。 - 特許庁

The colored conductive film is formed by laminating a colored layer 2 containing colorant and hydrophilic dispersant and an electric conduction layer containing conductive material.例文帳に追加

本発明の着色導電膜は、着色材と親水性の分散剤を含有する着色層2と、導電材料を含有する導電層3とを積層したことを特徴とする。 - 特許庁

Each of a first and second LCP (liquid crystal polymer) dielectric layers is bonded directly to each of a first and second opposed layers of a heat conduction layer without an extrinsic adhesive material that bonds the heat conduction layer to either of a first and second LCP dielectric layers.例文帳に追加

第1実施形態では、第1および第2LCP(液晶ポリマー)誘電体層がそれぞれ、熱伝導層を第1または第2LCP誘電体層のいずれかに結合する外因性接着材料なしで、熱伝導層の第1および第2対向面に直接結合される。 - 特許庁

A carbon material consisting of only particles having an average particle size less than 1μm is used as an electric conduction agent used for the positive electrode mix layer, and the electric conduction agent is preferably contained by 0.1-1.0wt.% of concentration, in the positive electrode mix layer.例文帳に追加

また、正極合剤層中に用いる導電剤として平均粒径1μm未満の粒子のみからなる炭素材料を用い、この導電剤が正極合剤層中に0.1重量%以上1.0重量%以下含有されるように構成することがより好ましい。 - 特許庁

A thermal conduction film 1 is formed by laminating a thermal conduction layer 2 made of a first constituent material that includes C (carbon) and conducts heat in the direction toward the inside of the film and in the direction of film thickness, and a distortion relaxing layer 3 made of a second constituent material that relaxes the distortion of the first constituent material.例文帳に追加

熱伝導膜1は、C(炭素)を含む材料で、熱を膜内及び膜厚方向に伝導する第1の構成材料からなる熱伝導層2と、第1の構成材料のひずみを緩和する第2の構成材料からなるひずみ緩和層3とを積層してなる。 - 特許庁

In a compound semiconductor epitaxial crystal, a plurality of epitaxial layers containing a p-type conduction layer principally comprising C added InGaAs as p-type impurities are formed in layers on a compound semiconductor substrate, and the p-type conduction layer contains antimony by 0.5-10 mol%.例文帳に追加

化合物半導体基板上に、p型不純物として炭素が添加されたInGaAsを主成分とするp型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記p型伝導層がアンチモンを0.5〜10モル%含有するようにした。 - 特許庁

To provide a conduction noise suppressing structure which suppresses conduction noise transmitted through a power supply line, stabilizes a power supply voltage, and reduces signal transmission line crosstalk transmitted through the power supply line or a ground layer without being influenced by a resistive layer; and to provide a wiring circuit board.例文帳に追加

電源線路を伝わる伝導ノイズを抑制でき、電源電圧の安定化を図るとともに、電源線路またはグランド層を介在して伝わる信号伝送線路クロストークを、抵抗層に影響されることなく低減できる伝導ノイズ抑制構造体および配線回路基板を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device provided with a heat conduction plate 2 and a semiconductor element 1 joined to this heat conduction plate via a solder layer 8, includes the steps of melting a solder intervening between the heat conduction plate 2 and the semiconductor element 1 and cooling a portion of the heat conduction plate 2 opposite to a center part of the semiconductor element 1 more gently than the other portion.例文帳に追加

伝熱板2と、この伝熱板にはんだ層8を介して接合される半導体素子1を備えた半導体装置の製造方法において、前記伝熱板2と前記半導体素子1との間に介在するはんだを溶融するステップと、前記伝熱板2のうち前記半導体素子1の中央部に対向する部分を他の部分に比し緩やかに冷却するステップと、を設ける。 - 特許庁

At the time of forming the switching element having a laminated structure of an ion conduction layer and an ion supply layer, and a paired electrode applying voltage to the laminated structure; the ion supply layer is formed as a layer comprising copper or silver and a metal forming alloy with copper.例文帳に追加

イオン伝導層とイオン供給層の積層構造と、この積層構造に電圧を印加する電極対を有するスイッチング素子を形成する際に、イオン供給層を、銅または銀と、銅と合金を形成し得る金属と、と含んでなる層として形成する。 - 特許庁

A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加

レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層103と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層102とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the light emitting device includes the steps of: forming an active layer 24 composed of a nitride semiconductor on a first conduction type nitride semiconductor 22; heat treating the active layer 24; and forming a semiconductor layer 26 composed of a second conduction type nitride at a temperature lower than that of the heat treatment, on the active layer 24.例文帳に追加

本発明は、第1導電型の窒化物半導体22上に窒化物半導体からなる活性層24を形成する工程と、活性層24に対して熱処理を行う工程と、活性層24上に、熱処理の温度より低い温度で第2導電型の窒化物からなる半導体層26を形成する工程と、を含む発光素子の製造方法である。 - 特許庁

At the projection portion 44, an adhesion layer 46 for bonding and fixing the soft electric conduction body 30 to an object of fixation is prepared.例文帳に追加

張り出し部44に、当該軟式電気導通体30を固定対象物に接着固定するための固定用接着層46を設けている。 - 特許庁

In this four-layer circuit board 11, since a conduction of the inner layers to each other is taken by the pin 1, the excellent conductivity and the excellent productivity are provided.例文帳に追加

この4層配線板11では,内層同士の導通が,ピン1により取られているので,導電性に優れ,また生産性にも優れる。 - 特許庁

To prevent an Ag back-side conduction layer and a connection portion between an extraction line and a lead-out line from coming into electric contact with each other without any increase in cost.例文帳に追加

コスト高を招くことなく、Ag裏側導通層と取り出し線及び引き出し線の接続部との電気的接触を防止する。 - 特許庁

Alternatively, the high thermal conduction layer 1 is provided between the panel base materials 11, 12 and decorative material 13 fitted to the surfaces of the panel base materials 11, 12.例文帳に追加

または、高熱伝導層1を、パネル基材11,12と、パネル基材11,12の表面に取り付けた化粧材13との間に設ける。 - 特許庁

A dielectric layer 100, where conduction layers 102 and 112 are deposited or stacked on one surface or both surfaces of a substrate, is used.例文帳に追加

基板の両側表面の片面若しくは両面に導電層102,112が堆積又は積層された誘電体層100を使用する。 - 特許庁

To reduce the number of contact holes required for conduction with the source region or the drain region of a semiconductor layer, and to realize closest packed arrangement.例文帳に追加

半導体層のソース領域又はドレイン領域と導通するために必要なコンタクトホールの数を減らし、最密充填配置をすること。 - 特許庁

The shielding member 30 exhibits the shield function similarly to the ground layer 12, and suppresses electromagnetic radiation from the conduction hole 18 toward the outside of the substrate.例文帳に追加

遮蔽部材30は、接地層12と同様にシールド機能を発揮して、導通孔18から基板外部に向かう電磁放射を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of suitably forming the alignment layer of a color filter substrate by preventing electric conduction between a TFT element and the transparent conductive film of the color filter substrate.例文帳に追加

TFT素子と、カラーフィルタ基板の透明導電膜との電気的な導通防止、及び、カラーフィルタ基板の配向膜の適切な形成 - 特許庁

A second electrode 133 and a second conductive layer 131 of the two-terminal nonlinear element 14 are constructed with an integral one conduction pattern 139.例文帳に追加

第2電極133と二端子型非線形素子14の第2導電層131は一体の導電パターン139から構成されている。 - 特許庁

The projection part is formed by stacking a semiconductor layer, a gate insulation film, and a conduction film similarly to the manufacture of the pixel TFT 1203.例文帳に追加

画素TFT1203の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board which has excellent conduction reliability between an internal wiring layer and a terminal electrode, and can be miniaturized.例文帳に追加

本発明は、内部配線層と端子電極との導通信頼性に優れ、且つ小型化が可能な積層回路基板を提供することにある。 - 特許庁

A capacitor 25 having an electric characteristics value corresponding to a particular filter action butt against the contact-point pin 20, while connected to the shielding layer 7 for conduction.例文帳に追加

しかるべきフィルタ作用に相当する電気特性値を有するコンデンサー25が、接点ピン20に当接し、遮蔽層7と導電接続されている。 - 特許庁

Density of dopant which determines a type of electric conduction of the ground semiconductor layer 107 is chosen10^17 cm^-3 or less in order to stop current at an interface between the ground semiconductor layer 107 and the electrode layer 111.例文帳に追加

下地半導体層107の導電型を定める不純物のドーピング濃度が、下地半導体層107と電極層111との界面で電流が阻止されるように1×10^17cm^-3以下に設定されている。 - 特許庁

The inner layer thickness is 0.01 mm or more and the outer layer thickness is 5 to 200 times of the inner layer thickness, and the electric conduction material is added to the first resin material so that the face resistance value becomes 10^4 to 10^10 Ω.例文帳に追加

内層の肉厚は、0.01mm以上であり、外層の肉厚は、内層の肉厚の5〜200倍であり、記第1樹脂材料は、面抵抗値で10^4〜10^10Ωとなるように導電材料が添加されている。 - 特許庁

To provide a method of forming a conduction separating portion of a transparent conductive oxide film in which a decrease in power generation efficiency can be suppressed by dividing an intermediate contact layer without affecting a base layer and suppressing a current leak from the intermediate contact layer.例文帳に追加

下地層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できる透明導電酸化膜の導電分離部形成方法を提供する。 - 特許庁

The first and second electrodes 3 and 5 are each a porous electrode provided with a catalyst layer formed of carbon powder carrying Pt on a surface of carbon paper, and the catalyst layer is provided on a side contacting with the conduction layer 1.例文帳に追加

第1電極(3)及び第2電極(5)は、カーボンペーパーの表面に、Ptを担持したカーボン粉末から形成した触媒層を設けた多孔質電極であり、この触媒層は、プロトン伝導層(1)に接する側に設けられている。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

また、半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

The multilayer substrate 10 includes a shielding member 30 installed on the substrate surface 10a to shield the conduction hole 18, and connected electrically with the ground layer 12 while being insulated from the signal layers 14 and 16 and the conduction hole 18.例文帳に追加

多層基板10は、導通孔18を遮蔽して基板表面10aに設置され、信号層14、16及び導通孔18から絶縁された状態で接地層12に電気的に接続される遮蔽部材30を備えている。 - 特許庁

If a voltage applied to the gate electrode 65 of the bidirectional conduction IGBT 100 is smaller than a threshold voltage, the bidirectional conduction IGBT 100 functions as a diode that passes a current from the emitter electrode 45 to the collector electrode 70 through the channel epitaxial layer 50.例文帳に追加

双方向導通IGBT100のゲート電極65に印加する電圧が閾値電圧よりも小さい場合、エミッタ電極45からチャネルエピ層50を介してコレクタ電極70へ電流を流すダイオードとして機能させる。 - 特許庁

The strength of the fin 3 is secured by forming a core material 3a of the fin 3 out of steel, and a high heat conduction layer 3b composed of a material having heat conductivity larger than the core material 3a is formed on a surface to compensate for a heat conduction quantity of the core material 3a.例文帳に追加

フィン3の芯材3aを鋼としてフィン3の強度を確保し、その表面に芯材3aより熱伝導率の大きい材質からなる高熱伝導層3bを形成して芯材3aの熱伝導量を補う。 - 特許庁

An intermediate wiring layer 30 is prepared which is a plate-like member, and includes an insulating portion 31 constituting the plate-like member and first and second conduction portions 32 and 33 provided to be exposed from the front surface and back surface of the insulating portion 31, and in which the first conduction portion 32 and second conduction portion 33 are insulated.例文帳に追加

板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部31と、絶縁部31の表面および裏面から露出するように備えられている第1、第2導電部32、33を備え、第1導電部32と第2導電部33とが絶縁されている中間配線層30を用意する。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly 1 is composed by laminating an anode electrode catalyst layer 12 on one face side of a proton conduction membrane 11 and a cathode electrode catalyst layer 13 on the other face side respectively and by laminating an anode gas diffusion layer 14 on the anode electrode catalyst layer 12 and a cathode gas diffusion layer 15 on the cathode electrode catalyst layer 13 respectively.例文帳に追加

プロトン伝導膜11の一面側にアノード電極触媒層12が、他面側にカソード電極触媒層13がそれぞれ積層され、さらにアノード電極触媒層12にアノードガス拡散層14が、カソード電極触媒層13にカソードガス拡散層15がそれぞれ積層されて、膜電極構造体1が構成されている。 - 特許庁

例文

The solar cell is a back junction solar cell comprising semiconductor layers of first and second conduction types on the back surface of a semiconductor substrate and having an insulating layer and an electrode layer provided on the surface side of the semiconductor layer, wherein the entire surface of the semiconductor layer is covered with the insulating layer and the electrode layer.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池は、半導体基板の裏面に第1及び第2導電型の半導体層を備える裏面接合型の太陽電池であって、前記半導体層の表面側に設けられた絶縁層及び電極層を有し、前記半導体層の表面の全面は前記絶縁層及び電極層で覆われる。 - 特許庁




  
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