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distant electrodeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 35



例文

The electrode pad 32a is distant from a cleavage area.例文帳に追加

電極パッド32aは、劈開エリアから離れている。 - 特許庁

To facilitate flowing of an electric current in a storage cell even when a mounting position is distant from an electrode terminal.例文帳に追加

電極端子から離れても蓄電セル内部において電流が流れやすくする。 - 特許庁

The distant space enables to ensure a breakdown voltage in an end of the gate electrode 5 at a drain layer 11 side.例文帳に追加

この離間したスペースによって、ゲート電極5のドレイン層11側の端部における耐圧を確保する。 - 特許庁

A power source (40) (may be a limited region of the electrode system or a region distant from the electrode system) is provided for applying a voltage between the electrodes.例文帳に追加

電源(40)(電極システムの局所であり得るかまたは電極システムから遠隔であり得る)は、これらの電極間にわたって電圧を印加するために提供される。 - 特許庁

例文

Electrified electrophoresed particles 3 which do not contribute to display do not remain nearby the 2nd electrode 5 and are arranged at the 3rd electrode 6 distant from the 1st electrode 4, so stable half-tone display can be obtained.例文帳に追加

表示に寄与しない帯電泳動粒子3は、第2電極5の近傍には残留せずに、第1電極4から離れた第3電極6に配置されるため、中間調表示を安定的に行うことができる。 - 特許庁


例文

When the gate electrode 4 is irradiated with light pulses L, generated photoelectrons are accumulated first in the quantum dot 14b close to the gate electrode 4 getting over a Schottky barrier and then accumulated in the quantum dot 14b distant from the gate electrode 4.例文帳に追加

ゲート電極4に光パルスLを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極4に近い量子ドット16bに蓄積され、次いでゲート電極4から遠い量子ドット14bに蓄積される。 - 特許庁

Further, the opposite-polarity voltage is applied to the electrode V3 distant from the electrode V1, so that electric field intensity between the electrodes V1 and V3 becomes weak and the time-lapse deterioration in the charge transfer efficiency is suppressed.例文帳に追加

しかも、電極V1より離れた電極V3に逆極性電圧を印加するため、電極V1,V3間の電界強度は弱くなり、電荷転送効率の経時的劣化も抑制される。 - 特許庁

The positive electrode grid in the first cell 2a on the side close to an engine 4 of the automobile is improved in the corrosion resistance more than the positive electrode grid in the cell on the side distant from the engine 4 of the automobile.例文帳に追加

自動車のエンジン4に近い側の第1セル2aにおける正極格子は、自動車のエンジン4から遠い側のセルにおける正極格子より、耐腐食性が優れるたものとする。 - 特許庁

A protruding part is attached to the heat dissipation member on a part more distant from the thin film transistor and the heat dissipation member is superposed on the transparent electrode at the protruding part.例文帳に追加

該熱拡散部材は薄膜トランジスタとの間の距離より遠い部分に突出部を設け、該突出部で前記透明電極と重畳させる。 - 特許庁

例文

Also, a periphery of the base electrode 111 in a direction distant from the emitter mesa is formed so as to overlap with the periphery of the first insulating layer 108.例文帳に追加

また、エミッタメサより離れる方向のベース電極111の外周部分が、第1絶縁層108の外周部分に重なって形成されている。 - 特許庁

例文

A sealed battery 10 comprises a power generating element 11 having a pair of electrode plates of positive and negative electrodes, a negative electrode terminal 12 and a positive electrode terminal 14 connected to respect electrode plates formed into almost belt shape with a prescribed width, extending in the direction of becoming distant from the power generating element 11.例文帳に追加

密閉形電池10は、負極および正極となる一対の極板を具備した発電要素11と、各極板にそれぞれ接合されて発電要素から離れる方向に延出する負極端子12および正極端子14とを備え、負極端子12および正極端子14が所定幅寸法を有する略帯状に形成されている。 - 特許庁

The electrodes includes an electrode body 6, a connector electrode 8 formed at a position distant from the electrode body 6 from the view from the semiconductor layer 1 and containing Al, and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and the connector electrode 8 and containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta and TaN.例文帳に追加

電極は、電極本体6と、半導体層1から見て電極本体6よりも離れた位置に形成され、かつAlを含む接続用電極8と、電極本体6と接続用電極8との間に形成されたW、TiW、WN、TiN、Ta、およびTaNよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むバリア層7とを含んでいる。 - 特許庁

The Al electrode pads 20 are arranged at the position distant from the outer periphery of the layer 63 in the predetermined distance, and provided in no contact with the layer 63.例文帳に追加

Al電極パッド20は、筒状絶縁層63の外周より所定距離離間位置に配置されており、筒状絶縁層63と非接触となるように設けられている。 - 特許庁

The first and second electrodes have gas barrier properties, and the opening is in a tapered form that the size of the opening become greater as it becomes distant from the transparent electrode film side.例文帳に追加

第1及び第2の絶縁膜はガスバリア性を有するとともに、開口部は、透明電極膜側から離れるにつれて開口大きさが大きくなるテーパー形状とされている。 - 特許庁

A more stable writing discharge without erroneous discharge can be generated and a display failure can be eliminated, by making a set of scanning electrode and sustaining electrode possible to generate a writing discharge, by dividing only the sustaining electrode into two parts of close to a discharging gap and distant therefrom, and by adjusting a wall voltage between the part close to the discharge gap in the sustaining electrode and the scanning electrode.例文帳に追加

走査電極、維持電極の組において、維持電極のみ放電ギャップに近い部分と遠い部分の2つに分割し、維持電極のうち放電ギャップに近い部分と走査電極との間で壁電圧を調整し、ここで書き込み放電が起るようにすることにより、より安定で誤放電のない書き込み放電を起こすことができ、表示不良のないプラズマディスプレイパネルを提供することができる。 - 特許庁

Thus, the lowering of an effective voltage value of the column voltage to be applied from the column electrode driving IC 105 to a distant display position is suppressed and the degradation of picture quality due to crosstalk can be prevented.例文帳に追加

従って、列電極駆動IC105から離れた表示位置に印加される列電圧の実効電圧値の低下を抑制でき、クロストークによる画質劣化を防止できるようになっている。 - 特許庁

By this setup, one part of the semiconductor substrate 3 between the region S1 where the p electrode 15 is connected and the region S2 where the n electrode 17 is connected is set more distant from the mounting board 21 than the other part by the depth of the recessed part 29, so that stray capacitance produced between the parts can be reduced.例文帳に追加

これにより、p電極15が接続される領域S1と、n電極17が接続される領域S2との間における半導体基板3とマウント基板21との間隔が凹部29の深さ分だけ拡大し、部品間に生じる浮遊容量が小さくなる。 - 特許庁

To easily bring a semiconductor integrated circuit (LSI hereafter) located in a deep site distant from a connector electrode of a substrate into a test mode so as to be easily inspected, when inspecting the mounting substrate mounted with the plurality of LSIs.例文帳に追加

半導体集積回路(以下LSI)が複数搭載された実装基板の検査を行う場合、基板のコネクタ電極から遠い奥にあるLSIを簡単にテストモードへ入れ検査を容易に行うことを目的とする。 - 特許庁

The formation of the wire WR is carried out by forming the wire WR to pass through a distant side from the first vertex A1 with respect to the line connecting the pad PD to the electrode IL.例文帳に追加

ワイヤWRの形成は、平面視において、パッドPDと電極ILとを結んだ直線に対して第1の頂点A1から遠い側を通るようにワイヤWRを形成することにより行なわれる。 - 特許庁

The electrode part fp is located at a position distant from the surface of the phosphor coated on the side wall of the rib 7 with a distance nearly same with or larger than the thickness of a coating composed of the dielectric layer and the cathode membrane 11 in the second direction D2.例文帳に追加

電極部fpは、リブ7の側壁面に塗布された蛍光体表面から、誘電体層とカソード膜11とによる被覆厚の略等倍以上の距離を第2方向D2に隔てて位置している。 - 特許庁

To provide an optoelectronic device capable of making resistance of laying-wirings which are provided in frame edge parts of the circumferences of a picture display area to be low and in which display having the same brightness are made possible at an electrode means being at a position close to a driving circuit means and an electrode means being at a position distant from the driving circuit means.例文帳に追加

本発明は、画像表示領域周辺の額縁部分に設ける引き回し配線の低抵抗化をなすことができ、駆動回路手段に近い位置の電極手段と離れた位置の電極手段において同じ明るさの表示ができるようにした電気光学装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A projection 199 for alignment control which controls alignment of liquid crystal molecules is formed in a region including the center of a pixel electrode 12, and slits 4a, 4b, 4c, and 4d are formed since corner parts 12a, 12b, 12c, and 12d of the approximately square pixel electrode 12 are distant from the projection 199 for alignment control.例文帳に追加

画素電極12の中心を含む領域に液晶分子の配向を制御する配向制御用突起199が形成され、略四角形の画素電極12の角部分12a、12b、12c、12dは、配向制御用突起199から離れているので、スリット4a、4b、4c、4dを形成する。 - 特許庁

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions.例文帳に追加

MOSFETにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はMOSFETのpボディ領域6とゲート電極10と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をp型の浅い接合によって囲まれるようにする。 - 特許庁

During exposure, a low voltage is applied to the double-purpos electrode 40 to gather generated charges to a part 44 distant from the collecting region 22 surface, so that the recombination of the charges on the substrate surface can be prevented, the same as in an embedded diode structure.例文帳に追加

露光中は、二重目的電極40に低電圧を印加して、発生した電荷を収集領域22の表面から離れた部分44に集め、埋込ダイオード構造とした場合と同様に基板表面での電荷の再結合を防止することができる。 - 特許庁

A chip 1 has a substrate 4, a semiconductor lamination layer part 5 that is provided on the substrate 4 to include a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region, and an electrode 6 that is provided on the semiconductor lamination layer part 5 and is arranged at a position distant from the substrate 4 in an open state.例文帳に追加

チップ1は、基板4と、基板4に設けられ、p形半導体領域及びn形半導体領域を含む半導体積層部5と、半導体積層部5に設けられ、かつ基板4から開離されて配置された電極6とを有している。 - 特許庁

To provide a needle-like electrode for discharge capable of keeping the best condition by minimizing attenuation in corona discharge, of generating large quantities of negative ions and ozone at a low voltage and of making ions fly to a distant place by increasing emission pressure of the ions even for a long time.例文帳に追加

コロナ放電時の減衰を最小に押さえることで最良の状態を保ち、低電圧で多量のマイナスイオンやオゾンを発生させ、且つ長時間でもイオンの流出圧力が上がって遠くに飛ばすことができる放電用の針状電極を提供する。 - 特許庁

The extraction electrode manipulator system includes a suppression electrode 210 supported by an inside support tube 248 of a support tube system coaxially arranged, a ground electrode 212 supported by an outside support tube 246 of the support tube system coaxially arranged, and a high voltage insulator ring 211 located at the distant end of the support tube system coaxially arranged to mechanically support the support tube system and serve as a high voltage vacuum feedthrough.例文帳に追加

本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。 - 特許庁

The one electrode 22 in the sensor cell 20 is a longer distant apart from the heating pattern 12 to bring high insulation resistance, compared with that when overlapped with the heating pattern 12 on the layered face, and the detection precision is hardly affected by the leak current from the heating pattern 12 as a result thereof.例文帳に追加

これにより、センサセル20における一方の電極22は、積層面において発熱パターン12と重なっている場合と比べて、発熱パターン12からの距離が遠くなることで絶縁抵抗が高くなるため、結果、発熱パターン12からの漏れ電流の影響を受けにくくすることができる。 - 特許庁

Thus light emitted from an organic EL layer 79, which is shown by an optical path Xd, is repeatedly reflected by the reflecting sheet 61 and metal films such as auxiliary wiring 81 and an anode electrode 78 to reach the light receiving sensors provided in places distant from pixels 101 emitting the light.例文帳に追加

これにより、光路Xbで示される有機EL層79から発した光は、反射シート61と、補助配線81、アノード電極78などの金属膜とで反射されることを繰り返し、発光した画素101の遠方に設けられている受光センサに到達する。 - 特許庁

An overhung part 39 covering at least one part of the gate electrode 37 facing the fine carbonaceous fibers 38, is formed by arranging a second insulation layer 36 having an opening 36A gradually reducing its diameter as it becomes distant from the cathode 33 on a first insulation layer 34, of which, a minimum width of the opening is smaller than a width of the opening 37A formed on the gate electrode 37.例文帳に追加

第1の絶縁層34上に、最小となる開口幅がゲート電極37に設けられた開口部37Aの開口幅よりも大きく、かつカソード電極33から離れるにつれて徐々に小さくなる開口部36Aを有した第2の絶縁層36を設けることで、炭素系微細繊維38と対向するゲート電極37の面の少なくとも一部を覆う突出部39を形成する。 - 特許庁

The side of the transparent substrate of the light-emitting diode having a first side substantially vertical to the light-emitting surface of the light-emitting layer at the side near the light-emitting layer and a second side sloped to the light-emitting surface at the side distant from the light-emitting layer forms a third electrode on the backside of the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第1の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第2の側面を有している発光ダイオードに対し、第3の電極を透明基板裏面に形成する。 - 特許庁

Thus, if the source-drain distance is reduced, the source and drain electrodes 14b, 14a are distant from the gate electrode 12 by at least the thickness of the active layer 13, the gate- drain and gate-source fringe capacitances are reduced and the off-capacitance can be reduced.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン間の距離を小さくした際でも、ゲート電極12と、ソース電極14b及びドレイン電極14aとの間の距離を少なくとも活性層13の厚さ分だけ離し、ゲート・ドレイン間及びゲート・ソース間におけるフリンジング容量を低減し、オフ容量を低減することができる。 - 特許庁

The electrode 10 is arranged outside a plane including the incident optical axis of the incident light L and the reflecting optical axis of reflected light R with respect to the incident light L, and also arranged at a position distant from the center of irradiation of the incident light L in a direction perpendicular to the incident optical axis on the surface to be irradiated of the photodetector 7.例文帳に追加

電極10は入射光Lの入射光軸と入射光Lに対する反射光Rの反射光軸とを含む平面の外に配置されるとともに、受光素子7の被照射面において、入射光Lの照射中心から入射光軸と垂直方向に隔たった位置に配置される。 - 特許庁

The dielectric barrier discharge fluorescent lamp has a glass bulb 1, in which discharging gas is enclosed, and a pair of electrodes 4, 5 of which, at least one electrode is covered by dielectric substance, and a film of electron-emitting material 7 is partially formed to the position distant from the end part of the glass bulb 1 so as to be exposed to the discharging space of the glass bulb 1.例文帳に追加

誘電体バリア放電蛍光ランプは、内部に放電ガスを封入したガラスバルブ1と、少なくとも一つの電極が誘電体で被膜された一対の電極4,5とを有し、ガラスバルブ1の端部から離れた位置で、ガラスバルブ1の放電空間に露出するように電子放射材料の被膜7を局部的に設けた。 - 特許庁

例文

Respective first and second electrode conductors which are arranged in a matrix in a panel for video display to form cells for display between counter electrodes at intersection positions of the matrix are made less in electric resistance per unit length at intersection positions relatively distant from a feed end than at near intersection positions.例文帳に追加

映像表示用パネル内で互いにマトリックス状に配され、マトリックスの交点位置の対向電極間に表示用のセルを形成する第1、第2の電極導体のそれぞれを、給電端から相対的に遠い交点位置における単位長当りの電気抵抗を、近い交点位置における単位長当りの電気抵抗よりも低くした構成とする。 - 特許庁




  
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