「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a dry etching device and a dry etching method capable of improving a processing accuracy of a concave part formed on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に形成する凹部の加工精度を向上させたドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To improve working precision of a etching shaped article compared to an etching method of working a shaped article such as a quartz crystal substrate, etc.例文帳に追加

水晶基板等の被成形物を加工するためのエッチング方法に対し、エッチング成形品の加工精度の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method of measuring an etching rate and a device for measuring the same allowing simple and accurate measurement of the etching rate.例文帳に追加

簡単且つ精度よくエッチング速度を測定することができるエッチング速度の測定方法および測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing copper by isotropically etching the copper using a formulation and an isotropic copper etching formulation.例文帳に追加

調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide wet etching system and method therefor in which wet etching of a polysilicon film can be carried out with high uniformity in the wafer surface.例文帳に追加

ウエハ面内での高い均一性をもってポリシリコン膜をウエットエッチングできるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This method is characterized by etching a HfO_2 film 105 of a wafer W with an etching gas containing hexafluoroacetylacetone (Hhfac).例文帳に追加

ヘキサフルオロアセチルアセトン（Ｈｈｆａｃ）を含むＨｈｆａｃ含有エッチングガスでウェハＷのＨｆＯ_２膜１０５をエッチングする。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING THROUGH HOLE BY REACTIVE ION ETCHING AND SUBSTRATE HAVING THROUGH HOLE FORMED BY REACTIVE ION ETCHING例文帳に追加

反応性イオンエッチングによる貫通孔の形成方法及び反応性イオンエッチングにより形成された貫通孔を有する基板 - 特許庁

The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.例文帳に追加

本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁

To provide a dry etching method which improves uniformity an etching rate, in a center part and peripheral part of a substrate and in all the peripheral parts thereof.例文帳に追加

基板の中央部と周辺部、周辺部全般においてエッチングレート均一性の良いドライエッチング処理を提供する。 - 特許庁

To provide a method of reducing a part which is not etched when an etching film is formed into an extremely fine pattern by patterning through wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングを用いてエッチング被膜を微細なパターンにパターニングする際に、エッチング残りを低減する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid source etching device and a method for carrying out dry etching by a simple device configuration.例文帳に追加

簡単な装置構成によりドライエッチングを行うことができる固体ソースエッチング装置及び固体ソースエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method in which no deposition is left when etching an inorganic film to which a heat resistant polymer protection film is applied.例文帳に追加

耐熱性高分子保護膜を被膜した無機膜のエッチング時にデポジションが残らないエッチング処理方法に関するものである。 - 特許庁

To provide an etching processing method of a piezoelectric wafer by which a perpendicular etching is performed on a surface of the piezoelectric wafer in a short time.例文帳に追加

圧電ウエハの表面に対して垂直なエッチング面を短時間で形成する圧電ウエハのエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of optical element without using dry etching and without performing a plurality of times of etching steps.例文帳に追加

ドライエッチングを使用することなく、かつ、エッチング工程を複数回行わずに、光学素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a detecting method of etching depth with excellent time responsiveness for calculating the etching depth in a short time.例文帳に追加

エッチング深さを短時間で計算することができる時間応答性に優れたエッチング深さの検出方法を提供する。 - 特許庁

A second stage of etching of the electrode layer 4a is executed by a wet etching method to expose the heating resistor layer 3.例文帳に追加

次に、ウエットエッチング法により、電極層４ａの第２段階目のエッチングを行い、発熱抵抗層３が露出するようにする。 - 特許庁

To conduct an etching having an excellent reproducibility by using a trend at a previously measured etching rate regarding a manufacturing method for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、予め計測したエッチングレートのトレンドを用いて再現性の良いエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a plasma etching method of SiC having a high etching rate and exhibiting a high selectivity to S_iO_2 and organic materials.例文帳に追加

エッチングレート、対ＳｉＯ_２選択比および対有機物選択比のいずれもが高いＳｉＣのプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method of a golf club head having a high etching accuracy and providing a product with a favorable surface quality.例文帳に追加

エッチング精度が高く、製品の表面品質が良く得られるゴルフクラブヘッドのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of etching an Au film which raises the selection ratio of etching of the Au film to a photoresist while leaving the reactivity of the Au film with Au.例文帳に追加

Ａｕとの反応性を残しつつ、レジストとのエッチング選択比を向上させたＡｕ膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method, etching is performed from the side of the copper foil 13 with a structure hard to be etched, and the pattern of copper foil with a gradient structure is formed.例文帳に追加

難エッチング構造を有する銅箔１３側からエッチングを行い、構造傾斜銅箔のパターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a method for dry etching without re-vapor deposition of etching residues, when a ferroelectric substance capacitor structural body is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ構造体を形成する際の蝕刻残留物の再蒸着のない乾式蝕刻方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching agent capable of etching a Cu film by an easy chemical etching method being a dipping method by rest process in the case that a Cu film of low resistance is used as a wiring material, small in the secular change of the etching grade and capable of preventing the occurrence of a pattern thinning phenomenon caused by the dispersion of the side etching amount of the Cu film.例文帳に追加

低抵抗のＣｕ膜を配線材料として用いる場合に、静止による浸漬法という簡易なケミカルエッチング法でＣｕ膜をエッチングでき、しかもエッチングレートの経時変化が少なく、Ｃｕ膜のサイドエッチング量のバラツキに起因するパターン細り現象が生じるのを防止できるエッチング剤の提供。 - 特許庁

The etching method is used for etching a thin film formed on a substrate with an etchant, and the etching method comprises a step of just-etching the thin film by sensor control, and a step of overetching the thin film just-etched in a predetermined period of time by time control.例文帳に追加

基板に形成された薄膜をエッチング液によってエッチング処理するエッチング方法において、上記薄膜をセンサ管理によってジャストエッチングする工程と、ジャストエッチングされた薄膜を時間管理によって所定時間オーバエッチングする工程とを具備する。 - 特許庁

To provide an etching gas which can achieve high selectivity for photoresist, suppression of increase in surface roughness, and high etching rate of a silicon oxide film, and to provide an etching method using the etching gas by utilizing a material having a low environmental load.例文帳に追加

フォトレジストに対する高い選択性、表面粗度上昇の抑制と、シリコン酸化膜の高いエッチングレートを達成させることのできるエッチングガスおよびそれを用いたエッチング方法を、環境負荷の低い材料により提供する。 - 特許庁

The pattern forming method comprises a step for forming an etching mask 2 on the surface of a substrate 1 of a sintered body material and a step for dry-etching the material through the etching mask 2 as a mask, wherein the cross sectional area of the etching mask 2 is a trapezoid.例文帳に追加

焼結体素材の基板１の表面にエッチングマスク２を形成する工程と、前記エッチングマスク２をマスクとしてドライエッチングする工程を含むパターン形成方法において、前記エッチングマスク２の断面形状が台形をなす。 - 特許庁

To provide an etching liquid composition having an appropriate etching rate and stable performance with respect to zinc dissolution without generating residuals in etching a transparent conductive film with zinc oxide as a main component, and also to provide an etching method.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜のエッチングにおいて残渣の発生がなく、適度なエッチングレートを有し、亜鉛の溶解に対してエッチング性能が安定しているエッチング液組成物及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.例文帳に追加

このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁

To provide an etching method of large etching selectivity of a high melting point metallic film to a silicon oxide film as a substrate without generating side etching in etching of a high melting point metallic film wherein a silicon compound film is a substrate film.例文帳に追加

ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a device that can perform effective etching processing by generating plasma effective for etching of a substrate by controlling radical species or ion species effective for the etching of the substrate.例文帳に追加

基板のエッチングに対して効果的なラジカル種又はイオン種の密度を制御することにより、エッチングに対して有効なプラズマを生成して効果的なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method capable of etching while raising an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si based low dielectric constant film, when a SiC part of a body to be processed is etched by plasma of etching gas by using the organic Si based low dielectric constant film as a mask.例文帳に追加

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an etching agent which is capable of etching a copper film at a high etching rate by a simple chemical etching method of immersing the low-resistance copper film in a static state into an aqueous solution of an inexpensive and easily available reagent when this copper film is used as a wiring material and hardly gives rise to the occurrence of abnormal etching and pattern thinning.例文帳に追加

低抵抗の銅膜を配線材料として用いる場合に、安価で入手容易な試薬の水溶液に静止状態で浸漬するという簡便なケミカルエッチング法により銅膜を高いエッチングレートでエッチングでき、しかも異常エッチングやパターン細りが起こり難いエッチング剤を得る。 - 特許庁

To provide a method capable of using an etching gas that has low global-warming coefficient in applying anisotropic plasma etching to a silicon substrate for depth etching, generating byproducts having low global-warming coefficients in etching processing, and obtaining high etching speed.例文帳に追加

シリコン基板に異方性プラズマエッチングを施して、深堀エッチングを行う際に、地球温暖化係数が小さいエッチングガスを用いるようにし、かつエッチング処理に際して地球温暖化係数が小さい副次生成物が生成するようにし、しかも高いエッチング速度が得られるようにする。 - 特許庁

To provide the etching method of a gallium nitride compound semiconductor, which suppresses an etching rate and etching dispersion by previously introducing O2 gas to etching gas, improves the controllability and the workability of a dry etching rate and can obtain the satisfactory reproducibility of an electric characteristic.例文帳に追加

あらかじめエッチングガスにＯ_2ガスを導入することによりエッチングレートとエッチングばらつきを抑制し、ドライエッチングレートの制御性および作業性を向上させ、かつ良好な電気的特性の再現性を得る為の窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for making an etching rate and an etching selection rate with respect to an organic Si low dielectric constant film to be high and etching a SiC part when the SiC part of a body to be processed is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film as a mask.例文帳に追加

有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film 38 is long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film 38, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜３８のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

With this configuration, a sufficient etching selection ratio is obtained by using the insulating film of an underlayer as an etching stop layer, compared to a conventional method of stopping etching within the organic resin.例文帳に追加

この構造では、従来の有機樹脂内でエッチングを停止する方法と比べ、下地の絶縁膜をエッチング停止層として用いることで、十分なエッチング選択比が得られる。 - 特許庁

To provide an etching method which facilitates confirmation of end of etching without making a preliminary test, and suppresses or prevents the microloading effect and deformation caused by side etching.例文帳に追加

予備実験を伴うことなくエッチングの終了確認を容易にし、サイドエッチングに起因するマイクロローディング効果、異形化を抑制もしくは防止することのできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method by which an occurrence of a micro trench in a plasma etching of a CF_X film can be inhibited as compared with the past, plasma etching equipment, and a computer storage medium.例文帳に追加

ＣＦ_x膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a protective tape for etching processing capable of protecting a member to be protected in etching processing and being easily removed in peeling off, and an etching processing method using it.例文帳に追加

エッチング加工時に被保護部材を保護することができ、かつ剥離時には簡単に取り外すことができるエッチング加工用保護テープ、およびそれを用いたエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of enhancing yield of a product by uniformly etching an object and to provide an etching method of the object utilizing the apparatus.例文帳に追加

対象物を均一な厚さにエッチングして製品の収率を向上させることができるエッチング装置及びこの装置を利用して対象物をエッチングする方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the noncontact data carrier is provided with a process for executing etching by injecting an etching solution and a process for executing the etching processing over the whole surface.例文帳に追加

このような非接触データキャリアの製造は、エッチング液を噴射してエッチングする工程の後に、全面のエッチング処理を行う工程を設けることにより製造することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrode foil for electrolytic capacitor, in which anions sticking on etching foil can be removed while an etching foil surface layer is prevented from being dissolved after an etching process.例文帳に追加

エッチング工程後、エッチング箔表層の溶解を防止しながら、エッチング箔に付着しているアニオンを除去することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method and apparatus with a uniform etching rate or etching profile that prevents gas dwell time from becoming relatively shorter at the central portion than at the peripheral portion.例文帳に追加

ウェハ周縁部に相対してウェハ中央部でのガス滞留時間が短くなるのを防ぎ、エッチング速度又はエッチングプロファイルの均一なエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for etching which enables individual control of parameters relating to etching performances, and thus enables optimization of etching conditions with high precision.例文帳に追加

エッチング性能に関わるパラメータを個別に制御可能で、これによりエッチング条件の最適化を高精度に行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁