「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method which ensures a larger etching selection ratio of a high melting point metal film for a silicon oxide film as the underlayer without generation of side etching at the time of etching the high melting point metal film using the silicon compound film as the underlayer.例文帳に追加

ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a sacrificial layer that suppresses damage to a coating film due to etching when the sacrificial layer coated with the coating film is etched, to provide a method of manufacturing a MEMS device using the etching method, and to provide the MEMS device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるＭＥＭＳデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can perform etching more accurately than the case where termination of etching is managed by time, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.例文帳に追加

ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁

To provide a plasma etching method by which a highly accurate etching shape can be attained by preventing stripping of an oxide film and an organic film at the interface.例文帳に追加

酸化膜と有機膜との界面での剥離を防止し、精度よくエッチング形状を達成することのできるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which is capable of increasing an etching rate selection ratio between an oxide film as a lower layer and a tungsten film or a tungsten silicide film.例文帳に追加

下層に存在する酸化膜とタングステン、或いはタングステンシリサイドのエッチング速度の選択比を大きくしたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of recovering copper as copper oxide from a liquid mixture composed of waste water of etching and waste liquid of etching containing high contents of copper chloride.例文帳に追加

エッチング排水と塩化銅含有濃厚エッチング廃液の混合液から銅を酸化銅として回収するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of ZnSe poly crystal, which is improved to obtain a flat etching surface.例文帳に追加

平滑なエッチング面を得ることができるように改良された、ＺｎＳｅ多結晶のエッチング方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric device, in which good etching selectivity for a mask can be obtained while securing an etching rate.例文帳に追加

エッチングレートを確保しつつ、マスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる誘電体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film multilayer circuit board together with its manufacturing method, wherein no side-etching or resticking of an etching residue takes place.例文帳に追加

サイドエッチングやエッチング残渣の再付着の生じない薄膜多層回路基板の製造方法および薄膜多層回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for plasma-etching a semiconductor substrate capable of sufficiently obtaining an etching rate in trench working and an improvement in yield.例文帳に追加

トレンチ加工におけるエッチングレートと歩留まりの向上が充分に得られるようにした半導体基板のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor device wherein the occurrence of the damage due to dry etching is prevented and the flexibility in dry etching is enhanced.例文帳に追加

ドライエッチングによるダメージの発生を防止するとともに、ドライエッチングの自由度の大きい窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic dry etching method of copper capable of performing anisotropic etching to copper without causing corrosion of the copper by halogens.例文帳に追加

ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, a hard mask 10a is formed by etching the hard mask layer 10 formed thereof with the plasma etching method using a gas including fluorine atoms.例文帳に追加

さらに、この上に形成したハードマスク層１０を、フッ素原子を含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングしてハードマスク１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide an etching method for making constant a shape of an etching trench formed by an overetching.例文帳に追加

この発明はオーバエッチングによって形成されるエッチング溝の形状を一定にすることができるようにしたエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an etching method for suppressing etching at the center of a bottom of a hole and a groove and bringing a bottom shape close to be flat.例文帳に追加

穴や溝の底面中央部におけるエッチングを抑制して、底面形状を平坦に近づけることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching or coating device having a simple structure to the best of its ability from which, conventional weak point is eliminated, and to provide an etching or coating method.例文帳に追加

できるだけ構造が簡単で、従来の欠点を除去したエッチングあるいはコーティング装置およびその方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method removes a required area of the surface of an SOI board by etching by using an oxide film area of the SOI board as an etching stopper.例文帳に追加

本発明はＳＯＩ基板の表面の所望の領域をＳＯＩの酸化膜領域をエッチングストッパとして利用してエッチング除去する。 - 特許庁

To improve an etching characteristic in a working method for forming a fine rugged pattern by etching one state of a phase transition material.例文帳に追加

相変化材料の一方の状態をエッチングして微細な凹凸パターンを形成する加工方法において、エッチング特性を向上させる。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then dipping the film in an etching liquid, etching the film to a desired depth, then separating the protective film of gold, and cutting the film to obtain the AT cut crystal substrate.例文帳に追加

次にエッチング液に浸漬し、所望の深さまでエッチングした後、金の保護膜を剥離し、切断して、ＡＴカット水晶基板を得る。 - 特許庁

A dry etching method is to apply patterning to a stack including the element which does not form the volatile compound, using the conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングを用いて、揮発性の化合物を形成しない元素を含むスタックをパターニングする方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, where abnormal side etching is prevented so as to obtain a mesa in superior shape by etching.例文帳に追加

異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FEATURING DEFECT ON SILICON SURFACE, ETCHING COMPOSITE FOR SILICON SURFACE AND PROCESS OF TREATING SILICON SURFACE BY ETCHING COMPOSITE例文帳に追加

シリコン表面上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面用のエッチング組成物、およびシリコン表面をエッチング組成物で処理するプロセス - 特許庁

Disclosed are a method for producing a multilayer film utilizing a production process using an etching technique, and an etching film production device therefor.例文帳に追加

本発明はエッチング技術を使った製造工程を利用した多層膜の製造方法及びそのエッチング膜製造装置に関するものである。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which satisfactory etching work under a high aspect area is realized by obtaining a high selection ratio to a mask.例文帳に追加

より高い対マスク選択比を得ることができ、高アスペクト領域下での良好なエッチング加工が可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor processing method and device capable of performing optimum etching without installing a monitoring device in an etching device.例文帳に追加

エッチング装置にモニタ装置を設置することなく最適なエッチングを行うことのできる半導体処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of etching a ruthenium film with good reproducibility at the same time obtaining the high etching selection ratio of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜に対する高エッチング選択比を得ると同時に、再現性よくルテニウム膜をエッチング加工することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a semiconductor element which raises a photoresist selection ratio for formation of a thin photoresist to improve etching efficiency.例文帳に追加

薄いフォトレジストのフォトレジスト選択比を高めることで、エッチング効率を向上させることができる半導体素子のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching method capable of etching an object efficiently to have a desired shape, and to provide a three-dimensional structure which can be formed using the anisotropic etching method, and a device having the three-dimensional structure.例文帳に追加

被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。 - 特許庁

A dry-etching method includes the process wherein oxygen is generated while dry-etching a tantalum film or a film containing tantalum as its main component which is the etched film formed on a substrate 100, and the dry-etching method is performed by using a gas containing boron.例文帳に追加

基板１００上に形成された被エッチング膜であるタンタル膜またはタンタルを主成分とする膜のドライエッチング中に酸素が発生する過程を含むドライエッチング方法であって、ドライエッチングはホウ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁

The thin film pattern is formed using the resist pattern 10 by an etching method, a lift-off method or a method using these in combination.例文帳に追加

薄膜パターンは、レジストパターン１０を用いて、エッチング法、リフトオフ法、またはこれらを併用した方法によって形成される。 - 特許庁

COPPER OXIDE FILM FORMING METHOD, COPPER FILM ETCHING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 - 特許庁

To provide an etching treatment method for obtaining an accurate stepped shape without providing an etching stopper films in an interlayer insulating film when carrying out the etching treatment of the interlayer insulating film in a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおける層間絶縁膜のエッチング処理に際して、層間絶縁膜内にエッチングストッパ膜を設けることなしに、正確な段差形状を得るためのエッチング処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the method of etching a resin film that is capable of etching anisotropically to the thickness direction of the film that is etched quickly and is capable of etching uniformly.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して、異方的にエッチングすることができ、かつ、均一に整ったエッチングをすることができる樹脂膜のエッチング方法を提供せんとするものである。 - 特許庁

The method for dry-etching the magnetic material comprises using an alcohol having at least one hydroxyl groups as an etching gas, forming the plasma of the etching gas, and using the masking material made from the non-organic material.例文帳に追加

エッチングガスとして水酸基を少なくとも一つ以上持つアルコ−ルを用い、当該エッチングガスのプラズマを形成し、非有機系材料からなるマスク材を用いて磁性材料をドライエッチングする方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for improving the selection ratio of a low dielectric constant insulating film and an etching mask layer without increasing the thickness of the etching mask layer such as an etching stopper film.例文帳に追加

エッチングストッパ膜などのエッチングマスク層の厚みを増加することなく、低誘電率絶縁膜とエッチングマスク層との選択比を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a regenerating method for an iron chloride (III) etching solution for copper and copper alloy by which an etching rate stable for a long time can be obtained while a volume of the discharged etching solution is minimized.例文帳に追加

排出される使用済みエッチング液の量を最小限にしつつ、長時間にわたり安定したエッチング速度が得られる銅および銅合金用の塩化鉄（III）エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of an interlayer insulating film whereby high etching precision can be obtained by suppressing the generation of a striation in the case of applying dry etching to the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a dry etching method which allows low taper angle by employing an inclined structure of two steps or more in the etching sidewall, and simplification of the peeling process after etching.例文帳に追加

本発明は、エッチング側壁を２段以上の傾斜構造にしてテーパー角を低角度にするとともに、エッチング後の剥離工程を簡素化できるドライエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the etching method, a level difference is formed on a boundary part between the first region and the second region by utilizing a state that the etching rate of Si by the etching agent is higher than that of SiO_2.例文帳に追加

このエッチング方法では、前記エッチング剤によるエッチングレートが、ＳｉＯ_２よりＳｉが高いことを利用して、前記第１の領域と前記第２の領域との境界部に段差を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a vibration sensor which can form a through hole whose expansion on the back side is small in substrate etching from the back side by a combination of crystal anisotropic etching and isotropic etching.例文帳に追加

結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes etching the titanium-containing layer in a stacked body having the titanium-containing layer and a layer except the titanium-containing layer, by using the etching solution which includes hydrofluosilicic acid, water and the alcohol having the ether linkage.例文帳に追加

珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 - 特許庁

To obtain a method for etching a semiconductor substrate by immersing it into etching liquid in which etching rate is enhanced while ensuring flatness on the bottom face at the etched part.例文帳に追加

半導体基板をエッチング液中に浸すことによりエッチング処理を行なう半導体基板のエッチング方法において、エッチング速度の向上とエッチング部底面の平坦性の確保との両立を図る。 - 特許庁

In the manufacturing method of an aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, a cleaning process for cleaning an etching foil of each electrolytic capacitor by a cleaning liquid is performed, after an etching process for its aluminum foil and before an post-processing for forming a post-processing coating on the surface of its etching foil.例文帳に追加

アルミニウム箔に対するエッチング工程の後、エッチング箔表面に後処理皮膜を形成する後処理工程の前に、エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of avoiding drop of an etching selection rate, in the case of being accompanied by the formation of two or more kinds of oxide films whose etching characteristics are different from each other.例文帳に追加

互いにエッチング特性が異なる２種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁