「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method, capable of reducing a residue of side wall portion in a dry etching treatment of lamination consisting of electrode film/perovskite layer/electrode film.例文帳に追加

電極膜／ペロブスカイト層／電極膜からなる積層体のドライエッチング処理における側壁部の残渣を低減可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a semiconductor wafer capable of being improved in its flatness and undulation and of making uniform an etching rate in a semiconductor wafer plane.例文帳に追加

半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、平坦度及びうねりを改善する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).例文帳に追加

マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁

To provide an etching method for a wafer which can be compatible the shortening of etching time with the equalization of the enough thickness of the thin part with in a wafer face.例文帳に追加

エッチング時間の短縮とウエハ面内での十分な薄肉部厚さの均一化を両立することができるシリコンウエハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for etching, which can form a high definition pattern in high efficiency by inhibiting progress of side etching even in a refined pattern.例文帳に追加

微細化されたパターンにおいても、サイドエッチングの進行を抑制して、高精細なパターンを高効率で形成できるエッチング方法と装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid processing method in which an etching rate is large, and an etching selection ratio of a silicon nitride is higher than that of a silicon oxide; a liquid processing apparatus; and a storage medium storing the method.例文帳に追加

エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。 - 特許庁

In addition, the organic compound film, which consists of two or more high polymer organic compounds, can be made and divided separately by using combining of an wet type etching method or a dry type etching method.例文帳に追加

なお、湿式エッチング法と乾式エッチング法を組み合わせて用いることにより、複数の高分子系有機化合物からなる有機化合物膜を作り分けることができる。 - 特許庁

To provide a highly reliable etching method of a substrate and a method for manufacturing a crystal vibrator by carrying out stable etching treatment by stabilizing the temperature of an etchant.例文帳に追加

エッチャントの温度を安定化させることで安定したエッチング処理を行い、信頼性の高い基板のエッチング方法、および水晶振動子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A three-dimensional structure is formed using this method and a vertical anisotropic etching step performing vertical anisotropic etching by Bosch method, and the three-dimensional structure is utilized in a device.例文帳に追加

本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 - 特許庁

To provide a method for treating etching waste liquid which can reduce a high cost for having the waste liquid taken over by systematizing a disposing method of the etching waste liquid corresponding to zero mission which a user can perform.例文帳に追加

エッチング廃液をユーザーでなしうる、０ミッションに対応した廃棄方法をシステム化し、高価な廃液の引取りコストを削減しうるエッチング廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

LIVING CELL CULTURE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING THE SUBSTRATE, ETCHING TREATMENT APPARATUS USED IN THE METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR CULTURING LIVING CELL例文帳に追加

生細胞培養基材、該基材の製造方法、および該製造方法に用いるエッチング処理装置、並びに生細胞の培養方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HEXAVALENT IRON ION SOLUTION, CHEMICAL CONVERSION TREATING AGENT AND CHEMICAL CONVERSION TREATMENT METHOD FOR MAGNESIUM ALLOY AND METHOD FOR ETCHING SURFACE OF RESIN例文帳に追加

六価鉄イオン溶液製造方法及びマグネシウム合金の化成処理剤及び処理方法並びに樹脂表面のエッチング方法。 - 特許庁

To obtain a method for forming patterns and a method for manufacturing semiconductor devices, which reduce the lowering of an etching rate accompanying the advance of dry etching and can form an etching pattern with an enhanced aspect ratio for a member to be processed.例文帳に追加

ドライエッチングの進行に伴うエッチング速度の低下を抑え、被加工部材に対しよりアスペクト比の高いエッチングパターンの形成を行うことのできるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a hard etching mask capable of removing the hard etching mask containing a silicon oxide film or a silicon nitride film while inhibiting the corrosion and etching of a layer to be etched, and to provide a manufacturing method for a semiconductor device.例文帳に追加

被エッチング層の腐食やエッチングを抑制しつつ、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜を含むハードエッチングマスクを除去することができるハードエッチングマスクの除去方法および半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a circuit pattern reducing the dispersion of etching quantity by reducing the influence of etching from the side face direction of a 2nd metallic conductive layer at the time of removing a 1st metallic conductive layer by etching, in a printed board manufacturing method using a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法において、第一金属導電層をエッチング除去する際の第二金属導電層の側面方向からのエッチングの影響を少なくし、エッチング量のばらつきが少ない回路パターンを得る。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of making compatible a control of an etching shape and a restraint of a residue when a lower layer resist film of a three layer resist is dry-developed by using a plasma of an O_2 based etching gas.例文帳に追加

Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a display of a high grade by increasing auxiliary capacitors without lowering an aperture ratio and well maintaining the writing potential of respective pixels without the impairment of the brightness and contrast of display images and further to permit the selective etching of only the necessary materials by a dry etching method without requiring intricate etching control.例文帳に追加

開口率を低下する事無く補助容量の増大を図り、表示画像の明るさ及びコントラストを損なう事無く各画素の書き込み電位を良好に保持して、高品位の表示を得る。 - 特許庁

To provide an etching solution for electrically conductive polymers having excellent etching power to the polymers and provide a patterning method to use the etching solution for conductive polymers.例文帳に追加

導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。 - 特許庁

This etching method blows down on an etching liquid remaining in forcedly discharging portions 30, 40, for instance, by jetting out air 66 before setting a glass panel 1 on a pouring position of an etching liquid 11.例文帳に追加

エッチング液（１１）の注入する注入位置にガラスパネル（１）を搬入する前に、エッチング液の吐出部（３０，４０）に残存するエッチング液を、例えば空気を噴射（６６）することにより、強制的に排出しておく。 - 特許庁

To provide a film-forming material which at a low temperature can form a film having high etching resistance and attaining a high etching selectivity ratio in organic-film etching; and a method of forming a pattern with the film-forming material.例文帳に追加

低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching which can make etching anisotropically to the direction of film thickness in a short time resulting in uniform and nice profile of etching.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができるエッチング方法を提供せんとするものである。 - 特許庁

To provide an etching method which can uniformly remove the entire face of a layer which comes into contact with a semiconductor layer on a substrate, and can also adjust the etching amount, and can restrict an excess etching on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上の半導体層に接する被エッチング層を全面均一に除去できると共に、そのエッチング量を調整でき、半導体層への過剰エッチングを抑制することが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming an etching mask, a focused ion beam is irradiated to a surface of a substrate 200 and the etching mask 204 used for oblique etching which generates a portion including an ion in the irradiated region is formed.例文帳に追加

エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。 - 特許庁

To provide an etching method and an etching device which enable both processing of high precision and processing of high selectively to a fine pattern without casing charge-up and etching shape abnormality in a treatment object.例文帳に追加

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工と高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for recycling an etching liquid by which heavy metals, aluminum hydroxide or the like in an etching liquid are removed without being subjected to physical treatment, and the etching liquid can be recycled without changing its composition.例文帳に追加

エッチング液中の重金属類や水酸化アルミ等を物理的処理をすることなく除去し、エッチング液の組成を変化させずリサイクルを可能としたエッチング液のリサイクル方法及びその装置の提供。 - 特許庁

In the method for regenerating an etching solution in which cuprous chloride contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.例文帳に追加

プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一鉄を酸化剤により塩化第二鉄に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁

To stabilize the etching rate in a method for dry etching an article containing silicon and titanium or a titanium compound and an organic matter by the plasma of etching gas containing fluorine atoms.例文帳に追加

フッ素原子を含むエッチングガスのプラズマにより、シリコンとチタンまたはチタン化合物と有機物を含む被エッチング物をエッチングするドライエッチング方法において、エッチング速度を安定にする方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for etching the aluminum-based material includes etching the aluminum-based material having a resist pattern mask formed on its surface with an etching solution containing at least ferric chloride and ammonium chloride.例文帳に追加

表面にレジストパターンマスクが形成されてなるアルミニウム系材料を少なくとも塩化第二鉄と塩化アンモニウムを含有するエッチング溶液でエッチング処理することを特徴とするアルミニウム系材料のエッチング方法。 - 特許庁

To provide a wiring electrode for an organic EL display device in which formation is possible by wet etching and which is hard to be etched at the time of dry etching of the insulating film since a difference between etching rates of an insulating film is large, the organic EL display device equipped with the wiring electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成が可能であり、絶縁膜のドライエッチング時に絶縁膜のエッチングレートとの差が大きくエッチングされ難い、有機ＥＬ表示装置用の配線電極を提供する。 - 特許庁

To realize a working method using wet etching which does not deteriorate element characteristics, because when working of a nitride based compound semiconductor layer is performed by dry etching, etching damage is left, which becomes a cause of deterioration of element characteristics.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層の加工をドライエッチングにより行うとエッチングダメージが残り素子特性を悪化させる原因となるため、素子特性を悪化させないウエットエッチングによる加工方法の実現を図る。 - 特許庁

To provide a jig for aligning a semiconductor wafer with an external circumferential ring in order to prevent excessive etching on the external circumference of the wafer and carry out uniform etching, and to provide a method of plasma etching using it.例文帳に追加

ウエーハの外周部における過剰なエッチングを防ぐとともに均一にエッチングするための半導体ウエーハと外周リングとの位置合せ用治具及びこれを用いた半導体ウエーハのプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

With this etching method, a high etching rate of 480-490 nm/min can be realized at etching of the silicon oxide film not forming a resist film thicker than needed, but relatively thinly.例文帳に追加

本発明に係るエッチング方法は、レジスト膜を必要以上に厚くせずに比較的薄く形成することにより、シリコン酸化膜をエッチングする際に４８０〜４９０ｎｍ／ｍｉｎの高エッチングレートを実現する方法である。 - 特許庁

The trenches with differences in trench depths can be easily formed by forming hard masks for etching the substrate by using the micro loading effect and by using an etching method in which the selectivity of the semiconductor substrate and etching is widely adopted.例文帳に追加

マイクロローディング効果によって基板をエッチングするためのハードマスクを形成し、半導体基板とエッチングの選択比が大きく取れるエッチング方法を用いて、容易に深さの異なるトレンチを形成することができる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING FILM OF MASK FOR WET ETCHING, MASK FOR WET ETCHING, ELECTROSTATIC ACTUATOR, DROPLET-DISCHARGING HEAD AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUBSTRATE FORMED BY USING THE MASK FOR WET ETCHING, AND IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC EQUIPMENT CARRYING THEM例文帳に追加

ウエットエッチングマスクの成膜方法、ウエットエッチングマスク、ウエットエッチングマスクにより形成された基板を有する静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、半導体装置、及びこれらを搭載した画像形成装置、電子機器。 - 特許庁

To provide a method and equipment for etching, where the uniformity of the etching depth in a surface can be improved by uniforming an electric field distribution over an electrode when plasma-etching a dielectric film on a compound semiconductor substrate.例文帳に追加

化合物半導体基板上の誘電体膜をプラズマエッチングする際に、電極上の電界分布を均一化させて、そのエッチング深さの面内均一性を向上できるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.例文帳に追加

連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving etching precision and etching controllability and for optimizing different etching conditions according to the state of a wafer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング精度とエッチング制御性の向上を図ることができるとともに、ウエハ状態によって異なるエッチング条件の最適化を図ることができる半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus which can control the substrate surface temperature during an etching treatment, until immediately after etching or completion of an etching process.例文帳に追加

エッチング直後および、エッチング終了直後の過渡的瞬間までも、基板表面のエッチング処理温度を制御することができる半導体素子の製造方法、及び半導体素子の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal etching product with an insulating treatment applied capable of easily and cheaply manufacturing metal etching products with high insulation reliability, and a metal etching product with an insulating treatment applied.例文帳に追加

絶縁信頼性の高い金属エッチング製品を、容易かつ安価に製造することが可能な絶縁処理を施した金属エッチング製品の製造方法および絶縁処理を施した金属エッチング製品を提供する。 - 特許庁

In the etching method for etching a surface of a single-crystal silicon substrate to form an uneven shape, etching is performed using the etchant composition containing the alkali compound, the organic solvent, and the surfactant.例文帳に追加

また、単結晶シリコン基板の表面をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング方法は、アルカリ化合物と、有機溶剤と、界面活性剤とを含むエッチング液組成物を用いてエッチングを行う、エッチング方法である。 - 特許庁

To provide a method where a smooth etching surface can be obtained, etching can be made with excellent reproducibility, and additionally etching is carried out with the same result when a plurality of nitride gallium-based compound semiconductors are etched simultaneously.例文帳に追加

平滑なエッチング面が得られ、良好な再現性をもってエッチングでき、加えて複数の窒化ガリウム系化合物半導体を同時にエッチングしたときに同一の結果でエッチングできる方法を提供すること。 - 特許庁

The etching method includes a first process (S1) for etching the zinc oxide-based material by a solution containing oxalic acid and a second process (S2) for removing etching residues generated in the first process by using an alkaline solution.例文帳に追加

蓚酸を含有する溶液で酸化亜鉛系材料をエッチングする第１の工程（Ｓ１）と、アルカリ性溶液を用いて、前記第１の工程におけるエッチング残渣を除去する第２の工程（Ｓ２）を有している。 - 特許庁

To provide dry etching method and system in which etching rate can be raised at the end portion of a body to be etched and in-plane etching rate can be made uniform.例文帳に追加

ドライエッチング方法およびその装置に関し、被エッチング体の端部のエッチング速度を上げ、かつ、面内のエッチング速度を均一化することができるドライエッチング方法およびその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁