「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR ETCHING MATERIAL SURFACE USING CHEMICAL REACTION DERIVED BY FOCUSED ELECTRONIC BEAM例文帳に追加

集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 - 特許庁

METHOD OF ELIMINATING M-SHAPE ETCHING RATE DISTRIBUTION IN INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA REACTOR例文帳に追加

誘導結合型プラズマリアクタにおけるエッチング速度の「Ｍ形状」の分布特性を排除する方法 - 特許庁

To provide an etching method which reduces LWR at a low cost even for a fine pattern.例文帳に追加

パターニングが微細であっても、低コストでＬＷＲを低減できるエッチング方法を実現する。 - 特許庁

To provide a method of released etching of structure body for manufacturing an optical interference type display cell.例文帳に追加

光学干渉型ディスプレイセルの製造のための、構造物リリースエッチング法を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF SIMULTANEOUSLY TREATING WASTE COPPER ETCHING SOLUTION AND WASTE RESIST SOLUTION AND CHEMICAL AGENT FOR USE THEREIN例文帳に追加

銅エッチング廃液とレジスト廃液を同時に処理する方法及びそれに使用する薬剤 - 特許庁

MATERIAL RESISTANT TO ACID ETCHING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME, AND COPOLYMER例文帳に追加

酸エッチング耐性材料、これを用いた発光素子の製造方法、および高分子共重合体 - 特許庁

The gate opening 6 is penetrated by the etching method (ECR or the like) of the conditions of low-level damages.例文帳に追加

低損傷の条件のエッチング方法（ＥＣＲ等）により、ゲート開口６を貫通させる。 - 特許庁

To provide a processing method enabling lamination without generating breaking even if there is no proper etching soln.例文帳に追加

適当なエッチング溶液がない場合でも、破断なく積層が可能な加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching a dual damascene structure in which shoulder dropping of a hard mask can be suppressed.例文帳に追加

ハードマスクの肩落ちを抑制可能なデュアルダマシン構造のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming fine patterns which is made finer and has high dry etching resistance.例文帳に追加

微細化され、かつドライエッチング耐性の高い微細パターンを形成させるための方法の提供。 - 特許庁

RECTIFYING WALL, DRY ETCHING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTROOPTICAL APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

整流ウォール及びドライエッチング装置並びに該装置を用いた電気光学装置の製造方法 - 特許庁

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD AND ELECTROLYTIC ETCHING TREATMENT LIQUID TO BE USED FOR THE SAME例文帳に追加

プリント配線板の製造方法及びこの製造方法に用いられる電解エッチング処理液 - 特許庁

To provide a method for etching a metallic film by which the charging damage of a gate can be reduced.例文帳に追加

ゲートのチャージングダメージを低減することができる金属膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL, AND FOR CLEANING DEPOSITION CHAMBER FOR HIGH DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL例文帳に追加

高誘電率材料のエッチング方法及び高誘電率材料の堆積チャンバーのクリーニング方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR FORMING ETCHING RESIST PATTERN WHEN CIRCUIT PATTERN IS FORMED ON PRINTED BOARD例文帳に追加

プリント基板上の回路パターンを形成する際のエッチングレジストパターンを形成する方法および装置 - 特許庁

To provide a method of forming a field emission elements 12A with excellent accuracy by anisotropic etching of a carbon thin film 12.例文帳に追加

炭素薄膜１２の異方性エッチングにより、電子放出部１２Ａを精度良く形成する。 - 特許庁

ETCHING RESIST PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING WIRING BOARD USING THE SAME, AND WIRING BOARD例文帳に追加

エッチングレジスト前駆体組成物及びそれを用いた配線基板の製造方法、並びに配線基板 - 特許庁

POLYESTER FIBER FOR ETCHING, ETCHED POLYESTER FABRIC AND METHOD FOR PRODUCING ETCHED POLYESTER FABRIC例文帳に追加

抜蝕加工用ポリエステル繊維及び抜蝕加工ポリエステル布帛並びに抜蝕加工ポリエステル布帛の製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING COPPER AS PRECIPITATE FROM ETCHING WASTE LIQUID CONTAINING COPPER CHLORIDE例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液から銅を沈殿物として回収する方法及びその装置 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board with excellent etching precision of interlayer connecting holes.例文帳に追加

層間接続穴のエッチング精度に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The extreme-ultraviolet photomask, the method of manufacturing a photomask, and the plasma etching chamber system are provided.例文帳に追加

極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING SURFACE-LAYER IMPURITY OF POLYSILICON, AND SAMPLE-TREATING CONTAINER FOR ETCHING POLYSILICON例文帳に追加

ポリシリコンの表層部不純物の分析方法およびポリシリコンをエッチングするための試料処理容器 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR WAFER, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR THIN FILM AND APPARATUS FOR HOLDING SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 - 特許庁

HIGH-STRENGTH Fe-Ni ALLOY SUPERIOR IN WORKABILITY AND ETCHING PROPERTY, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

加工性およびエッチング性に優れた高強度Ｆｅ−Ｎｉ合金およびその製造方法 - 特許庁

To obtain a method of etching an oxide layer on a nitride layer provided on a substrate at a high selective ratio.例文帳に追加

基板の窒化物層の上の酸化物層を高い選択比でエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern transfer method capable of performing residual film removal processing without performing etching.例文帳に追加

エッチングを行わずに残膜除去処理を行うことが可能なパターン転写方法を提供する。 - 特許庁

ELECTROLYTIC REGENERATION METHOD FOR COPPER-ETCHING DETERIORATED SOLUTION BY FERRIC CHLORIDE AND ELECTROLYTIC REGENERATOR THEREFOR例文帳に追加

塩化第二鉄による銅エッチング劣化液の電解再生方法及びその電解再生装置 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate capable of reducing the possibility that side etching may occur.例文帳に追加

サイドエッチ発生の可能性を軽減させた半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To precisely and comparatively easily carry out a method for the end point detection of plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングの終点検出方法において、高精度で且つ比較的容易に実行可能とする。 - 特許庁

To provide a method for detecting an etching end point capable of detecting an end point with high precision.例文帳に追加

高精度に終点を検出することの可能なエッチング終点の検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for suppressing the abnormal discharge of plasma.例文帳に追加

プラズマの異常放電を抑制することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a processing method which suppresses the damage of a photosensitive resin composition in etching.例文帳に追加

感光性樹脂組成物のエッチング時のダメージを著しく低減する加工方法を提供する。 - 特許庁

Each of the acoustic holes 31 on the substrate 21 is formed by a dry etching method, specifically, a Deep RIE (ICP).例文帳に追加

第１の基板２１の各音響ホール３１は、ドライエッチング法、特にDeep RIE（ICP）で形成される。 - 特許庁

To provide an improved method for introducing gases into an alternating plasma etching/deposition chamber.例文帳に追加

本発明は、ガスを交互プラズマエッチング／デポジション室に導入する改良された方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for mounting the chip comprises the steps of providing an etching resist 3 for covering the copper wiring 2 formed on the surface of the substrate 1; removing the etching resist 3, until the surface of the copper wiring 2 is exposed; etching the copper wiring 2 partway; and exfoliating the etching resist 3.例文帳に追加

基板１表面に形成した銅配線２を覆うエッチングレジスト３を設ける工程と、前記銅配線２表面が露出するまで前記エッチングレジスト３を除去する工程と、前記銅配線２を途中までエッチングする工程と、前記エッチングレジスト３をはく離する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for accurately measuring the etching depth, even when an initial depth varying at each sampling time before etching is present or when the etching rate is not constant in the depth direction, and to provide an etching system employing it.例文帳に追加

エッチング加工前のサンプル毎に変動する初期深さが存在する場合でも、また、エッチングレートが深さ方向に対して一定でない場合でも、正確にエッチング深さを算出するエッチング深さ測定方法および測定装置、並びにそれを用いたエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device removes semiconductor burr 74 by dry etching using an etching gas having a longitudinal direction etching rate R2 larger than a depth direction etching rate R1 (namely, R1/R2 is smaller than 1) in a word line parallel direction cross section of a groove 72.例文帳に追加

溝７２のワード線平行方向断面における深さ方向エッチレートＲ１よりも横方向エッチレートＲ２が大きい（Ｒ１／Ｒ２が１より小さい）エッチングガスを用いて、半導体バリ７４をドライエッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the etching parts by etching the metallic base material consisting of the iron-nickel alloy containing 30 to 50 wt.% nickel by using a ferric chloride solution comprises etching the metallic base material in the state that the potential of the metallic base material in etching exceeds 150 mV.例文帳に追加

ニッケルを３０〜５０重量％含有する鉄−ニッケル合金からなる金属基材を、塩化第二鉄溶液にてエッチング加工するエッチング部品の製造方法において、エッチング加工時の前記金属基材の電位が１５０ｍＶを越える状態でエッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide dry etching gas selectively etching a resist and underlying silicon while avoiding a reduction of an etching speed of a silicon oxide film, a silicon nitride film, and a silicon-containing film such as a silicon-containing low dielectric constant film in a manufacturing process of a semiconductor device; and to provide an etching method using the same.例文帳に追加

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜、シリコン含有低誘電率膜等のシリコン含有膜のエッチング速度の低下を防ぎ、レジストや下地のシリコンなどに対して、選択的にエッチングすることができるドライエッチングガス及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of variation in width and depth of a groove formed by electrolytic etching by achieving stabilization of the electrolytic etching, in particular, by stabilizing the shape of the groove formed by the electrolytic etching by advantageously solving the problem in the conventional continuous electrolytic etching of an indirect energizing method.例文帳に追加

従来の間接通電方式の連続電解エッチングの問題点を有利に解決して、電解エッチングを安定化させることを可能とし、特に、電解エッチングにより形成される形状を安定化させて、溝幅や溝深さにバラツキが生じるのを抑えることを可能とする。 - 特許庁

To provide a selective etching method whereby, without raising the cost for selectively etching one of copper or copper-base films of a metal laminate 1 having an etching barrier layer 3 intervenient between copper films 2 and 3, the fear that the etching barrier layer 3 is corroded, resulting in the corrosion of the other copper film 4 or copper-base film, is eliminated.例文帳に追加

銅膜２・４膜間にエッチングバリア層３を介在させた金属積層板１の一方の銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチングに要するコストを高めることなく、エッチングバリア層３が侵されて他方の銅膜４又は銅系膜までが侵される虞をなくす。 - 特許庁

To provide an etchant for GaInP system compound semiconductor and an etching method which are treated easily, realize the etching at the etching rate which is relatively approximated to that of the etchant for the AlGaInP system and As system compound semiconductors, and obtain a resulting smooth and uniform surface after the etching process.例文帳に追加

手軽に取り扱うことができ、かつAlGaInP系およびAs系化合物半導体などのエッチング液と比較的近いエッチング速度でエッチングが行え、かつエッチング後に得られる表面が平滑かつ均一であるGaInP系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

That is, after the formation of the trench 9a by dry etching, the polyimide film is removed by a method other than dry etching, and the inside of the connection hole 4 is exposed, so that etching at lower aspect ratio becomes possible as compared with the case of forming the trench 9a and the connection hole 4 with one dry etching.例文帳に追加

すなわち、トレンチ９ａをドライエッチングで形成してから、ドライエッチング以外の手法でポリイミド膜５を除去し、接続孔４内部を露出させるので、トレンチ９ａと接続孔４とを一度のドライエッチングで形成することに比べて、低いアスペクト比でのドライエッチングが可能となる。 - 特許庁

The processing method includes the selective etching of a nitride film by using the etching solution, that is, the hydrofluoric acid-added phosphoric acid solution, and a means for determining the content of hydrofluoric acid in the etching solution for controlling, based on the thus-determined content, the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution.例文帳に追加

本発明の処理方法は、フッ酸が添加された燐酸溶液からなるエッチング液を用いて、窒化膜を選択的にエッチングすることを含み、前記エッチング液中のフッ酸の含有量を検出し、前記含有量に基づき、前記エッチング液のフッ酸の濃度を制御する手段を含む。 - 特許庁

At evenly scraping the surface of a silicon substrate comprising a horizontal surface and a slope an anisotropic dry-etching method, the etching condition of a reactive ion etching cycle comprising deposition and etching is set to a following condition: E1<D1, D2<E2, and D3<E3.例文帳に追加

水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。 - 特許庁