「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

In the etching method for etching a semiconductor substrate 1 to form a pattern, a pseudo pattern 3 is provided on the region of the semiconductor substrate 1 other than a region on which a desired pattern is formed, the end point of etching of the pseudo pattern 3 is monitored simultaneously with the etching, and the etching is terminated when the end point reaches a predetermined depth D.例文帳に追加

半導体基板１をエッチングしてパターンを形成するエッチング方法において、半導体基板１に形成する所望のパターンの領域以外に疑似パターン３を設け、エッチングと同時に疑似パターン３のエッチングの終点を監視し、この終点が所定の深さＤになったときに、エッチングを終了させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an etching solution that etches a Ni-based multilayered thin-film at a higher etching angle of 60-90 degrees than a conventional one does, has a satisfactory balance between etching rates to each metallic thin film and oxide thin film thereof, which compose the Ni-based multilayered thin-film, and causes little aging of the etching solution, and to provide an etching method.例文帳に追加

従来のエッチング液よりも、ニッケル系薄膜の積層薄膜に対して、そのエッチング角度を６０〜９０度にエッチングすることができ、ニッケル系積層薄膜を構成する各々の金属薄膜およびその酸化物薄膜に対してエッチング速度のバランスがよく、エッチング液の液疲労が少ないエッチング液およびエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of nondestructively and optically discriminating a lower layer resist material which is hardly to cause side etch before etching when etching a lower layer resist, to provide an apparatus for the method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using this method.例文帳に追加

下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the surface treatment, a thin film may be formed on the surface by a sputtering or chemical vapor deposition method(CVD method) or a fine roughness may be formed on the surface by a wet etching method or a wet etching method after the thin film is formed.例文帳に追加

この表面処理はスパッタリングまたは化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって表面に薄膜を形成しても良いし、表面に湿式エッチングまたは上記の薄膜形成後の湿式エッチングの方法で微細な粗さを形成しても良い。 - 特許庁

In the wiring etching method, including a step of etching a wiring film formed on a semiconductor substrate by plasma etching, etching is carried out under CW conditions (condition for causing continuous plasma discharge), until a prescribed film thickness prior to etching of the wiring film extending throughout the entire film thickness, and subsequently etching is carried out under TM conditions (condition for causing intermittent plasma discharge).例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線膜をプラズマエッチング法によりエッチングする工程を含む配線エッチング方法において、前記配線膜が全膜厚にわたってエッチングされるよりも前の所定の膜厚まではＣＷ条件（プラズマ放電を連続的に放電させる条件）でのエッチングを行い、それ以降はＴＭ条件（プラズマ放電を断続的に放電させる条件）でのエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method and a system for dry etching and a method and a system for forming a gate electrode in which excellent shape controllability of a metal layer is exhibited in etching and ER microloading can be suppressed sufficiently.例文帳に追加

エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ＥＲマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A gate etching method for a high voltage FET comprises a step for penetrating first and second openings of a mask layer, etching first and second dielectric regions by a virtually isotropic method, and generating first and second trenches.例文帳に追加

マスク層の第１及び第２の開口部を貫通して実質的に等方的な方法で第１及び第２の誘電領域をエッチングして第１及び第２のトレンチを生成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for generating reference data for performing the inspection of a line width by an APM-PER inspection method using the reference data regardless of a resist pattern or a pattern after etching and re-etching.例文帳に追加

レジストパターンやエッチング後及び再エッチング後のパターンに関わらず、基準データを用いてＡＰＭ−ＰＥＲ検査法による線幅の検査を行うための基準データの生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can prevent side etching of resist from occurring and can process a base film into a desired shape in an excellent way, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of fabricating a silicon device and a method for manufacturing an ink-jet type recording head and a silicon wafer for reliably protecting circumferential faces in the case of etching to improve the reliability of etching.例文帳に追加

エッチングの際に外周面を確実に保護してエッチングの信頼性を向上することができるシリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法並びにシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where an etching residue is not generated in etching an inorganic insulating film covered with an organic insulating film, and to provide its manufacturing method, and a photosensitive resin composition to be used for the manufacturing method.例文帳に追加

有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成しない半導体装置、その製造方法及び当該製造方法に使用する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a metal film processing method with which it is possible to perform etching processing on a metal film, whose etching was impossible with a conventional cluster beam method, by using a cluster beam generated from an oxidation gas, a complexation gas, and a rare gas.例文帳に追加

従来のクラスタビーム法ではエッチングできなかった金属膜を酸化ガスと錯化ガスと希ガスとを用いたクラスタビームによりエッチング加工することが可能な金属膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar battery comprises a step of forming a concavity and a convexity on the surface of a polysilicon substrate by a reactive ion etching method using first etching gas comprising H_2O.例文帳に追加

Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a waste liquid of an etching solution, which can more efficiently remove an Al component and an Mo component in the waste liquid of the etching solution containing phosphoric acid than a conventional method, and to provide a regenerating apparatus therefor.例文帳に追加

リン酸を含むエッチング廃液中のＡｌ成分やＭｏ成分を、従来よりも効率良く除去することができるエッチング廃液の再生方法及び再生装置を提供する。 - 特許庁

As to this multicolor film forming method, films different in colors are piles to coat by ≥2 layers by an ion plating method, and a part of the film as the upper layer is removed by an etching method or a laser marking method.例文帳に追加

イオンプレーティング法で色の異なる被膜を２層以上重ねてコーティングし、エッチング法またはレーザーマーキング法で上層の被膜の一部を除去する。 - 特許庁

Instead of a normal subtractive etching method, a multi-mesa FET structure forming method using a Damascene method gate process or a Damascene method alternate gate process is included.例文帳に追加

通常の減法エッチング法の代わりに、ダマシン法ゲート・プロセスもしくはダマシン法代替ゲート・プロセスを用いるマルチ・メサ型ＦＥＴ構造を形成する方法を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring pattern which prevents the width of the wiring from increasing in an etching process, and prevents the wiring from corroding in a wet treatment process that follows the etching process.例文帳に追加

配線パターンの形成方法に関し、エッチング工程における配線幅の増大と、エッチング工程後のウエット処理工程における配線の腐食を防止する。 - 特許庁

To provide a dry etching method and a device to be used for it capable of sufficiently taking the etching selection ratio of metal of a high melting point such as MoW and SiO2.例文帳に追加

ＭｏＷのような高融点金属とＳｉ０_2とのエッチング選択比を十分にとることが可能なドライエッチング方法及びそれに用いる装置を提供する。 - 特許庁

To provide a microstructure forming method for improving the controllability of etching in the case of fine-working using isotropic etching, and also, attaining uniform working even in a large-sized substrate.例文帳に追加

等方性エッチングを用いた微細加工の際にエッチングの制御性を向上し、大型基板においても均一な加工を実現する微細構造形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for utilizing dependence on temperature of an etching rate without reduction of utilization efficiency of an etching apparatus, and also to provide an apparatus for manufacturing the same semiconductor device.例文帳に追加

エッチング装置の利用効率を低下させずにエッチングレートの温度依存性を利用可能な半導体の製造方法、及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor device, having small deterioration in the device characteristics, caused by an etching damage and small variation in device characteristics caused by variation in etching.例文帳に追加

エッチングダメージによる装置特性の劣化及びエッチングのばらつきによる装置特性のばらつきが小さい窒化物半導体装置の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an etching method in which contamination of a substrate with residues is prevented and processes and cost for residue removal are reduced with respect to peeling-off of photoresist after etching.例文帳に追加

エッチング後のフォトレジストの剥離において、残渣による基板の汚染を防止し、残渣除去のための工程やコストを削減することが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching post-treatment method and an etching system wherein equipment is not caused to increase its size and chlorine-based gas remaining on a substrate can be efficiently removed.例文帳に追加

設備の大型化を招くことなく、基板に残存する塩素系ガスを効率良く取り除くことが可能なエッチング後処理方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The etching method comprises a step for rotating the substrate 122 on the rotatable substrate support member, and a step for feeding the etching solution to a periphery 126 of the substrate.例文帳に追加

本方法は、回転可能な基板支持体上に位置決めされた基板１２２を回転させるステップと、エッチング液を基板の周縁部分１２６に送給するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a supporting device preventing or suppressing intrusion of an etching liquid between a support base supporting a treating object and the treating object, and to provide an etching method.例文帳に追加

被処理物を支持する支持台と被処理物との間にエッチング液が侵入するのを防止または抑制することのできる支持装置およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for analyzing a semiconductor substrate which can perform etching the semiconductor substrate having a membrane comprising polysilicon or the like and suppress the etching of a wafer base material.例文帳に追加

本発明は、ポリシリコン等の膜を備える半導体基板がエッチング可能であるとともに、ウェーハ基材のエッチングを抑制できる半導体基板の分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method to form an outer shape and a groove of an object to be formed such as a quartz substrate that reduces the number of etching times applied to the object to be formed.例文帳に追加

水晶基板等の被成形物の外形及び溝部を成形するためのエッチング方法に対し、被成形物に対するエッチング回数の削減を図る。 - 特許庁

In the method of manufacturing an imprint mold, a fresh pattern is patterned again on a patterned photosensitive resin having been used as an etching mask and etching repeatedly.例文帳に追加

本発明のインプリントモールド製造方法は、エッチングマスクとして用いたパターニングされた感光性樹脂に新たなパターンを再度パターニングし、再度エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

In this method for manufacturing a display device, a tube is disposed on a region of an insulating layer where an opening is to be formed, and a processing agent (etching gas or etching liquid) is discharged onto the insulating layer.例文帳に追加

チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。 - 特許庁

The method for extending the life of the etching solution is characterized by electrochemically oxidizing cerium ions in the etching solution containing the trivalent cerium ions and chromium ions.例文帳に追加

３価のセリウムイオンおよびクロムイオンを含有するクロムエッチング液中のセリウムイオンを電気化学処理により酸化することを特徴とするエッチング液の長寿命化方法。 - 特許庁

This method of etching comprises applying a magnetic field at least either of before and during the etching to the resin film.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、樹脂膜をエッチングするに際し、該エッチング前および該エッチング中の少なくとも一方において、磁場をかけることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method of roughening a substrate, capable of stably forming an etching mask of a single-layer particle layer without causing the agglomeration of particles and executing etching using the mask.例文帳に追加

粒子の凝集を起こすことなく、安定的に単層粒子層のエッチングマスクを形成して、このマスクを用いてエッチングを行うことのできる基板の粗面化方法を得る。 - 特許庁

To provide a plasma etching method by which a guard ring (GR) having wide opening area and a via hole having small opening area can be simultaneously formed by etching to uniform depths.例文帳に追加

開口面積の広いガードリング（ＧＲ）や開口面積の小さいビアホール（Ｖｉａ）を同時に且つ均等深さにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MEMS device for reducing an amount of side etching in a part where etching is essentially undesirable when releasing a movable electrode to miniaturize this device.例文帳に追加

可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treating apparatus applicable to the more fine forming and an etching method which is applicable to the more fine forming and enables to perform etching process with higher selectivity.例文帳に追加

より微細化に対応可能なプラズマ処理装置およびより微細化に対応可能でかつより選択性の高いエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of etching metal for avoiding decrease of an etching speed and increasing anisotropy even if thickness of a metal member to be etched is thick.例文帳に追加

エッチング対象となる金属部材の厚さが厚くてもエッチング速度の低下を回避できると共に異方性を高くできる金属のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a.例文帳に追加

そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁

The method further comprises the steps of burying the metal plug in the port, then dry etching exposed surfaces of the fifth interlayer dielectric and the plug with an atmosphere containing a CF4 and executing etching back.例文帳に追加

接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第５の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をＣＦ4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。 - 特許庁

The etching method of a resin film comprises, when the film is etched, irradiating a microwave in the system at least one of before the etching is made or during it is made.例文帳に追加

樹脂膜をエッチングするに際し、エッチング前もしくはエッチング中の少なくとも一方において、マイクロ波を照射することを特徴とする樹脂膜のエッチング方法。 - 特許庁

To provide a magnetic material dry etching method capable of precisely etching a very small area to be etched of a magnetic material of the area width of ≤ 150 nm.例文帳に追加

領域幅が例えば１５０ｎｍ以下の磁性材の微細なエッチング対象領域を精密にエッチングすることができる磁性材のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching liquid for copper which can perform etching while maintaining the top shape of a pattern even if being continuously or repeatedly used, and to provide a method for forming a conductor pattern using the same.例文帳に追加

連続又は繰り返し使用してもパターンのトップ形状を維持しながらエッチングできる銅のエッチング液と、それを用いた導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a etching method of semiconductor substrate, capable of forming a recess having an accurately controlled depth without depending on a shape or a size of an etching pattern.例文帳に追加

エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Moreover, in a drop etching method, etching can be equalized by providing a member opposed to the substrate 102 with a gas discharge port thereby preventing the occurrence of bubbles.例文帳に追加

また、ドロップエッチング法においては、基板と対向する部材に気体放出口を設けることにより気泡の発生を防いで、エッチングを均一にすることができる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device and its manufacturing method capable of preventing the occurrence of an etching residue without an etching time increased when a level difference adjustment film is formed.例文帳に追加

エッチング時間を増加させることなく、段差調整膜を形成する際のエッチング残渣の発生を防止する固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for making an etching groove for optical fiber setting and an etching groove for an optical waveguide of an optical coupler with less error of mask alignment.例文帳に追加

光結合器の光ファイバ装着用エッチング溝と光導波路用のエッチング溝とをマスクアライメントによる誤差を少なく製造する方法を提供すること。 - 特許庁