「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

The dielectric device manufacturing method comprises the steps of: forming a dielectric layer 3 made of an oxide on a first electrode layer 2 made of a metal; forming an etching mask 4 on the dielectric layer 3; and etching the dielectric layer 3 through the etching mask 4 by means of plasma of CHF_3-containing etching gas to expose the first electrode layer 2.例文帳に追加

金属からなる第１の電極層２の上に酸化物からなる誘電体層３を形成し、誘電体層３の上にエッチングマスク４を形成し、ＣＨＦ_３を含むエッチングガスのプラズマによってエッチングマスク４を介して誘電体層３をエッチングすることで、前記第１の電極層２を露出させる。 - 特許庁

According to the method of etching metal, at a concentration control point 6 where a groove 3 formed in a copper substrate 2 by etching is reached to a predetermined depth, a concentration of a liquid chemical for forming an etching controlled coating by replenishing a new solution into an etching solution 4, is reduced from 1,000 ppm to 500 ppm.例文帳に追加

この金属のエッチング方法によれば、エッチングにより銅基板２に形成される溝３が設定深さに達した濃度制御点６において、エッチング液４中に新液を補充してエッチング抑制被膜を形成するための薬液の濃度を１０００ｐｐｍから５００ｐｐｍへ低下させる。 - 特許庁

To prevent deposition substance from affecting a characteristic of etching, to generate plasma of a low dissociation degree which is suitable for deposition, and to secure anisotropy in an etching cycle even if cycles of etching and deposition are made into high speed in a manufacturing method of a semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、エッチングとデポジションとのサイクルを高速にした場合でも、デポジション物質がエッチングの特性に影響を及ぼさず、さらに、デポジションに適した解離度の低いプラズマを生成して、エッチングサイクルにおける異方性を確保すること。 - 特許庁

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.例文帳に追加

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁

In this method for detecting an etching end point, only a signal change based on an etching reaction in each etching cycle is extracted, a discontinuous location in a waveform corresponding to the extracted signal change is continuously corrected with the use of a first correction waveform and then a second correction waveform CW2 to detect an etching end point ED, based on a continuos waveform after correction.例文帳に追加

各エッチングサイクルにおけるエッチング反応に基く信号変化だけを取り出すとともに、取出した信号変化に相応する波形の不連続個所を第１補正波形、次いで第２補正波形ＣＷ２によって連続させる補正を行い、補正後の連続波形よりエッチング終点ＥＤを検出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate for a thermal head, the substrate which has high partially convexed protrusions, and also has small undulations in their convexed top surfaces and slopes, by etching while removing a solid reaction product produced in a glass etching so as to improve a decrease of an etching speed and an unevenness of etching.例文帳に追加

エッチング速度の低下及びエッチングの不均一を改善するために、ガラスエッチング時に生成する固形の反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、凸状部の高さが高く、かつ凸状部頂面およびその斜面のうねりが小さいサーマルヘッド用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

Then, the method is also provided with (b) a step of detecting the light intensity of the laser light 14, reflected from both the surface and the backside of the SiC substrate 2, calculating an amount of etching, based on an interference waveform indicated by the detected light intensity, and stopping the etching processing in the step (a), when the amount of etching reaches a desired amount of etching.例文帳に追加

そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device having a fin structure which comprises a step of etching a silicon substrate with a recess gate mask, and performing a selective etching process on a device isolation film having a double oxide film structure with a rapid oxide film etching speed and a slow oxide film etching speed to form the fin structure, thereby simplifying the process and maximizing a current driving operation.例文帳に追加

リセスゲートマスクを利用してシリコン基板を食刻し食刻速度の速い酸化膜と、食刻速度の遅い酸化膜の二重酸化膜構造の素子分離膜に対し選択的食刻を行いフィン構造を形成することにより、工程を単純化し電流駆動能力を最大化する。 - 特許庁

This method includes a process of forming a reflection preventing film on the base substrate, a process of forming a photoresist having a prescribed pattern on this reflection preventing film, a first etching process for etching the reflection preventing film with this photoresist as a mask, and a second etching process for etching the base substrate with the reflection preventing film as a mask.例文帳に追加

下地基板上に反射防止膜を形成する工程と、この反射防止膜上に所定パターンを有するフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストをマスクとして反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と、反射防止膜をマスクとして下地基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an etching foil for an electrolyte capacitor, which includes a plurality of steps of etching process in an etching liquid containing chlorine ions with respect to an aluminum foil, an immersion step of immersing the aluminum foil in an ethylene glycol aqueous solution having a concentration of 10.0 to 60.0 wt.% is provided between respective steps of etching process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程を複数段有する、電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、各段のエッチング工程の間に、濃度１０．０〜６０．０ｗｔ％のエチレングリコール水溶液に浸漬させる浸漬工程を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

In the etching method for etching the wafer 80, an etching gas is supplied toward one surface of the wafer 80 where a plurality of communicating holes communicating the front and the back are formed, and at least a part of the supplied etching gas is discharged from the plurality of communicating holes to the other surface side.例文帳に追加

ウエハ８０をエッチングするエッチング方法であって、表裏を連通する複数の連通孔が形成されているウエハ８０の一方の表面に向けてエッチングガスを供給するとともに、供給したエッチングガスの少なくとも一部を前記複数の連通孔から他方の表面側に排出する方法。 - 特許庁

To provide a method of patterning a dielectric film which allows patterning and reduces or fully removes a residue after etching paste thermal treatment, by etching the dielectric film having such a thickness not capable of being etched in single etching paste processing through simple processing using the etching paste to form a patterned film.例文帳に追加

一度のエッチングペーストによる処理ではエッチングできない程度の厚さを有する誘電体膜を、エッチングペーストを用いた簡単な処理でエッチングしてパターニングを形成できるとともに、エッチングペーストの熱処理後に発生する残渣を低減もしくは完全に除去できる誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method that can greatly facilitate a processing shape confirming operation in etching processing which should have been done frequently by suppressing a temporal decrease in etching speed during continuation of warming unique to an etchant containing hydroxylamines, in etching processing of silicon, especially, anisotropic etching of silicon in a manufacturing process of an MEMS component.例文帳に追加

シリコンのエッチング加工、特にＭＥＭＳ部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミン類を含有するエッチング液に特有な加温継続時のエッチング速度の経時低下を抑制することによって、頻繁に行わざるを得なかったエッチング処理中の加工形状確認操作を大幅に簡略化できる、エッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This analysis method of the quartz member has the first process for etching by supplying etching liquid to the quartz member, and the second process for analyzing a metal in the etching liquid used in the first process; and has the characteristic that the supplying of the etching liquid in the first process is performed into a recessed etching liquid holding part formed on the quartz member.例文帳に追加

石英部材にエッチング液を供給してエッチングする第１の工程と、前記第１の工程で用いた前記エッチング液中の金属を分析する第２の工程と、を有する石英部材の分析方法であって、前記第１の工程の前記エッチング液の供給は、前記石英部材に形成された凹状のエッチング液保持部にされることを特徴とする石英部材の分析方法。 - 特許庁

The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加

エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ２０４、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ２０６及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ２０８を有する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process S101 for forming an etching mask material by a lithography process on a silicon substrate, a process S102 for forming a slit in the etching mask material by cutting the etching mask material formed on the silicon substrate by focused ion beam and a process S104 for forming a groove in a slit portion formed in the etching mask material by etching.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、シリコン基板上にリソグラフィ工程によってエッチングマスク材を形成する工程Ｓ１０１と、シリコン基板上に形成されたエッチングマスク材を集束イオンビームで切断してエッチングマスク材にスリットを形成する工程Ｓ１０２と、エッチングによってエッチングマスク材に形成されたスリット部分に溝を形成する工程Ｓ１０４とを含む。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.例文帳に追加

耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device of this invention comprises a step of forming the silicon nitride film having a part with the arsenic included and a part without the arsenic included; a first etching step of etching the part with the arsenic included out of the silicon nitride film by a dry etching; and a second etching step for etching the part without the arsenic included out of the silicon nitride film by the wet etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、砒素が含まれている部分と砒素が含まれていない部分とを有するシリコン窒化膜を形成する工程と、ドライエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれている部分をエッチングする第１のエッチング工程と、ウェットエッチングにより、前記シリコン窒化膜のうちの前記砒素が含まれていない部分をエッチングする第２のエッチング工程と、を含む、ことを特徴とする - 特許庁

A cylindrical straight pore canal having a uniform pore diameter is formed on an insulating membrane to form a filter membrane, by using at least one among a track-etching method, a photolithographic method, a punching method, a replica method and a laser method.例文帳に追加

絶縁膜に円筒状かつ真直であり、均一な孔径の孔道を形成してろ過膜を、トラックエッチング法、フォトリソグラフィ法、パンチング法、レプリカ法及びレーザー法の少なくとも一つを用いて形成する。 - 特許庁

To provide a gravure plate making method which makes it possible to directly form a negative image consisting of etching resists by jetting an etching resist forming solution to a roll to be processed having variety of sizes from an ink jet printing device and then form cells by etching the negative image.例文帳に追加

大きさが種々に異なる被製版ロールにインクジェット型のプリンタ装置によりエッチングレジスト形成液を噴射してエッチングレジストよりなるネガ画像を直接形成し得、その後エッチングしてセルを形成する、グラビア版の製版方法。 - 特許庁

An etching waste liquid treatment method has the process of distilling the etching waste liquid obtained after the etching processing of a material to be etched with a hydrochloric acid-containing etchant, and the process of obtaining hydrochloric acid by subjecting the distillate obtained by the distillation to reduction treatment.例文帳に追加

本発明のエッチング廃液の処理方法は、塩酸を含むエッチング液によって被エッチング材をエッチング加工した後のエッチング廃液を蒸留する工程と、蒸留して得られた留出液を還元処理して塩酸を得る工程と、を有する。 - 特許庁

To provide an etching method and apparatus for a wafer edge in which etching liquids of different components or blending can be reused by concurrently and simultaneously etching edge portions of multilayered wiring of an insulating film or a metal film formed on an upper surface of the wafer.例文帳に追加

ウエーハの上面に形成された絶縁膜やメタル膜の多層配線のエッジ部分を同時に効率よくエッチングし、成分や配合の異なるエッチング液を再利用できるようにしたウエーハエッジのエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing processing damage of an Si wafer by achieving wet etching by a mixed acid that brings the Si wafer into a surface condition at a level without roughening it at an etching rate of 10-60 μm/min and at uniformity of ±5% with respect to an etching amount.例文帳に追加

１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a microneedle includes a step of forming an island-like etching mask, which has a thickness distribution, on a substrate, and a step of processing the substrate into needle shape by using a difference between the etching rate of the etching mask and that of the substrate.例文帳に追加

基板上に厚み分布をもつ島状のエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクと基板とのエッチングレートの差を利用して前記基板を針状に加工する工程とを含むことを特徴とするマイクロニードルの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a dual damascene wiring capable of etching a wiring groove while protecting a lower layer wiring and keeping the shape of a via hole good without using an etching stopper in the case of etching the wiring groove.例文帳に追加

配線溝エッチング時に、エッチングストッパ層を用いず、下層配線を保護しつつ、かつビア孔形状を良好に保って、配線溝のエッチングを行なえる、デュアルダマシン配線を有する半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a device sheet, by which prescribed dry etching can be exactly performed by fixing the device sheet onto the surface of a substrate in the flat state and peeling after the dry etching can be performed without any trouble and to provide a jig used therefor.例文帳に追加

デバイスシートを基板の表面上に平坦な状態で固定して所要のドライエッチングを正確に行えると共に、係るエッチング後の剥離も支障なく行えるデバイスシートのドライエッチング加工方法およびこれに用いる治具を提供する。 - 特許庁

Such a dry etching method includes a stage of etching the copper-containing aluminum film using chlorine gas not containing hydrocarbon gas and a stage of etching the metal conductive film using chlorine gas containing hydrocarbon gas.例文帳に追加

そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated.例文帳に追加

特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a thin dielectric film of material containing organic silicon compound formed on a semiconductor substrate which can prevent or reduce formation of a microtrench, at the time of etching in the state that an etching rate is maintained while a low pressure is kept as it is.例文帳に追加

低圧のまま、エッチング速度を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できる半導体基板上に形成される有機珪素化合物を含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then removing etching residue of a bottom Mo layer 51 by plasma etching under the same resist pattern 9, and removing a protrusion 54 of a top Mo layer 53 at an end face of the pattern of the three-layer metal film (first stage of second etching).例文帳に追加

次いで、同一のレジストパターン９下で、プラズマエッチングにより、ボトムＭｏ層５１のエッチング残りを除去するとともに、三層金属膜のパターンの端面におけるトップＭｏ層５３の突き出し部５４を除去する（第２のエッチングの第１段階）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device that performs anisotropic dry-etching on an insulating film allowing for high selectivity with a photo-resist film and without causing an etching stop, the anisotropic dry-etching done when forming an upper contact with a large radius and a lower contact with a small radius.例文帳に追加

上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for collecting gold from the etching waste comprises the steps of: adding a sulfite solution to a waste liquid of an iodine-based etching solution to reduce iodine, which has been used for etching gold; then adding a metallic powder to reduce gold remaining in the waste liquid; and separating the solid from the liquid.例文帳に追加

金のエッチングに使用した後のよう素系エッチング液の廃液に亜硫酸塩溶液を添加し、よう素を還元した後、金属粉を添加し廃液中の残りの金を還元し、固液分離するエッチング廃液からの金の回収方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a step of finely working a resist pattern, formed in a lithography step by isotropic etching using ozone and another step of etching a work by using the finely worked resist pattern as a mask are performed by means of the same etching system EM1.例文帳に追加

オゾンを用いた等方性エッチングによってリソグラフィ工程で形成されたレジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして被加工材をエッチングする工程とを同一のエッチング装置ＥＭ１で行う。 - 特許庁

To provide an etching method capable of making highly accurate working to a fine pattern and working of a high selection rate to a mask and a base layer be compatible without causing charge-up and etching shape abnormalities in a workpiece, and an etching device.例文帳に追加

被処理物にチャージアップやエッチング形状異常を与えることなく、微細パターンに対して高精度の加工とマスクや下地層に対する高選択比の加工とを両立することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the etching method where an etching liquid is sprayed on a beltlike flexible substrate 1 carried so as to be guided and supported by rolls 3, the carrying height of the flexible substrate 1 under etching is set to have ruggedness depending on the height of each roll 3.例文帳に追加

ロール３に案内支持されて搬送される帯状のフレキシブル基板１に、エッチング液を供給ポンプを介してスプレーで噴射するエッチング方法において、エッチング中のフレキシブル基板１の搬送高さにロール３の高低により凹凸を設ける。 - 特許庁

This etching method which etches a fluorine-added carbon film formed on a substrate by plasma, comprises the steps of a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas; and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.例文帳に追加

基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 - 特許庁

The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁

The ion beam etching method according to the embodiment comprises: a cooling stage S52 of cooling a drawing electrode E with an inert gas; and an etching stage S54 of etching a substrate W using an ion beam IB drawn by the drawing electrode E.例文帳に追加

実施形態に係るイオンビームエッチング方法は、引き出し電極Ｅを不活性ガスにより冷却する冷却工程Ｓ５２と、引き出し電極Ｅによって引き出されたイオンビームＩＢを用いて基板Ｗをエッチングするエッチング工程Ｓ５４とを含む。 - 特許庁

This regenerating method comprises cooling a copper-etching waste liquid which contains sulfuric acid, hydrogen peroxide and a hydrogen peroxide stabilizer, and has etched copper at 20-40°C, to 10°C or lower to precipitate/separate copper sulfate, supplying a regenerated etchant to the etching tank, and reusing it for etching.例文帳に追加

硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する２０〜４０℃でエッチングした銅エッチング廃液を１０℃以下に冷却して硫酸銅を析出分離し、再生エッチング液をエッチング槽に供給し、エッチングに再利用する。 - 特許庁

To provide a method capable of eliminating the phenomenon that, in the case hydrochloric acid and hydrogen peroxide are added to an etching soln. and the etching soln. is regenerated, excessive hydrochloric acid is contained in the regenerated etching soln. to cause intergranular corrosion and crevice corrosion.例文帳に追加

エッチング液に塩酸と過酸化水素とを添加してエッチング液を再生する場合に、再生されたエッチング液中に過剰な塩酸が含まれて粒界腐食や隙間腐食を引き起こす、といったことを無くすことができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film etching method of etching a thin film using a femtosecond laser, to provide a simplified process and also a process productivity, and to provide a method of fabricating a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a color filter capable of removing easily a photoresist layer after dry etching treatment, and capable of forming a desired color layer pattern, in the manufacturing method for the color filter using dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁