「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of fabricating a semiconductor device, the method suppressing damage caused by etching, and to provide the semiconductor device fabricated by the same.例文帳に追加

エッチングによる損傷を抑制可能な半導体素子の形成方法及びこれによって形成された半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a GaAs layer with good selectivity, and a manufacturing method for a semiconductor element with an accurately controlled recess depth.例文帳に追加

より選択的なＧａＡｓ層のエッチング方法およびリセス深さを正確に制御することのできる半導体素子の製造方法。 - 特許庁

To provide an etching liquid composition and a patterning method of a conductive film using the same and a manufacturing method of a flat panel display.例文帳に追加

本発明は、エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a crystalline substrate etching method capable of readily and highly precisely forming fine through holes, and a liquid injection head manufacturing method.例文帳に追加

微細な貫通孔を容易に且つ高精度に形成できる結晶基板のエッチング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device, the method making a phase change region be a thin layer without executing an etching process.例文帳に追加

エッチング工程を実施することなく相変化領域を薄層化する不揮発性メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

POST-PROCESSING AGENT OF ETCHING FOR RESIN-FORMED BODY, POST-PROCESSING METHOD USING THE SAME, AND PLATING METHOD FOR RESIN-FORMED BODY例文帳に追加

樹脂成形体に対するエッチングの後処理剤、該後処理剤を用いる後処理方法、及び樹脂成形体に対するめっき方法 - 特許庁

METHOD OF ETCHING ALUMINUM STUCK ON FIXTURE FOR WORKING ALUMINUM MATERIAL AND METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING ALKALINE SOLUTION USED FOR THE SAME例文帳に追加

アルミニウム材加工治具に付着したアルミニウムのエッチング方法及びそれに用いたアルカリ性溶液の回収方法とその回収装置 - 特許庁

The etching method forms a resist layer on the substrate by using the photolithography method, uses the resist layer as a mask, removes at least part of the substrate in its thickness direction by the dry etching method and processes the substrate to have a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、基材上にフォトリソグラフィー法によりレジスト層を形成し、このレジスト層をマスクとして用いて、基材の厚さ方向の少なくとも一部をドライエッチング法により除去して、所定のパターンに加工する方法である。 - 特許庁

To provide a method of dry etching by which a high selection rate can be obtained and a method of manufacturing a semiconductor device by which the manufacturing yield or performance of a semiconductor device can be improved by using the method of dry etching.例文帳に追加

高選択比を得ることの出来るドライエッチング方法、または高選択比の得られるドライエッチング方法を用いることにより、製造歩留まりや半導体装置の性能を向上できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method, a polishing method and a fabricating method of silicon carbide capable of etching and polishing the surface of silicon carbide, microfabricating and removing silicon carbide efficiently under low temperature conditions of several hundreds degree.例文帳に追加

数百度程度の低温条件において、炭化珪素表面のエッチング及び研磨や炭化珪素の微細加工及び除去を容易に且つ効率良く行うことができる、炭化珪素のエッチング方法、研磨方法及び加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method by which the short-circuitting part of electrodes with each other is removed, the manufacturing method of a photovoltaic device in which the short-circuit of a photovoltaic element is prevented by using the etching method, and to provide the photovoltaic device.例文帳に追加

電極同士の短絡部分を除去できるエッチング方法、該エッチング方法を用いて光起電力素子の短絡を防止することができる光起電力装置の製造方法及び光起電力装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask capable of facilitating control of a pattern shape for forming an oblique hole in processing by oblique etching, to provide a method for manufacturing a three-dimensional structure, and to provide a method for manufacturing a three-dimensional photonic crystalline laser device.例文帳に追加

斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminate production method related to a laminated sheet for aiming an etching processing, a processing method therefor or the like and a washing, drying and etching process by setting a holder which indirectly incorporates an ultrasonic vibration, and an automatic apparatus to be used for this method.例文帳に追加

エッチング加工を目的とする積層シートに係関連するラミネート製造及び、其の加工方法等であり超音波振動を間接的に組み込んだホルダーを設け、洗浄加工及び乾燥、エッチング加工方法であり、また使用する自動装置。 - 特許庁

DEVICE FOR RECOVERING ELEMENT IN COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR RECOVERING ELEMENT, METHOD FOR DECOMPOSING AND REFINING ELEMENT, DEVICE AND METHOD FOR ETCHING COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の元素の回収装置、元素の回収方法、元素の分解精製方法、化合物半導体のエッチング装置、エッチング方法および化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding material is manufactured through a method where the aluminum foil of a laminated material composed of aluminum foil and a resin is masked with an etching resist while the openings are left uncovered, and then the laminated material is subjected to etching.例文帳に追加

本発明の電磁波シールド材は、アルミニウム箔と樹脂のラミネート材のアルミニウム面をエッチングレジストにより開口部を残してマスキングした後、エッチングすることにより製造できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which dimensional conversion difference of an etching pattern can be controlled over a wide range by taking a measure other than the resizing of a photomask, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

フォトマスクのリサイズ以外の方策で対処すべく、大きい範囲で寸法変換差を制御し得る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the recording head comprises a first etching process for etching a part 1a of the surface of a silicon substrate 1 in such a manner that a plurality of pillar like parts 1c are left therein.例文帳に追加

本発明の記録ヘッドの製造方法は、シリコン基板１の表面の一部１ａを、複数の柱状部分１ｃが残るようにエッチングする第１エッチング工程を備える。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加

Ｈ_2ＳＯ_4とＮＨ_4Ｆ、もしくはＨ_2ＳＯ_4とＨＦを主成分とし、含有Ｈ_2Ｏが５wt％以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device for keeping constant an etching rate without relation to a connecting state of a lower layer wiring and preventing a shooting out of an etching stopper.例文帳に追加

下層配線の接続状態に関係なくエッチングレートを一定にすることができ、エッチングストッパ膜の突き抜けを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Recessed and projecting sections of 5-20 nm size are formed on the surface of the transparent conductive film 7, which is composed of an ITO through spraying method or performing wet etching, dry etching, sandblasting, polishing, etc.例文帳に追加

スプレー法を用いて、又はウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト、研磨などにより、ＩＴＯの透明導電膜７の表面に５ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing ink discharge head hardly causing a manufacturing step dependent variation in opening size of an ink supply port, and not requiring dry etching in removal of an etching stop layer.例文帳に追加

インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method capable of increasing symmetry of the shape of a sidewall and improving processing accuracy when etching a target etching film, in SWP.例文帳に追加

ＳＷＰにおいて、側壁部の形状の対称性を高め、被エッチング膜をエッチングするときの加工精度を向上させることができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Via holes (opening patterns) 107 are formed in a substrate 101 by selectively etching the substrate 101 by the dry etching method using chlorine gas with a mask pattern 106 used as a mask.例文帳に追加

塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。 - 特許庁

In etching by a subtractive method, a wiring having an approximately rectangular cross-sectional shape is formed by an anisotropic etching where an etch factor is greater than 5.例文帳に追加

サブトラクティブ法におけるエッチングを、エッチングファクターの値が５より大きい異方性のエッチングにして略矩形状の断面形状を有する配線を形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a novel etching method which can avoid great damage to a photo resist as an etching mask and can suitably remove an unwanted part of an anti-reflection film to be exposed from the photo resist.例文帳に追加

エッチングマスクとなるフォトレジストに大きな損傷を与えることなく該フォトレジストから露出する反射防止膜の不要部分を好適に除去し得る新規なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide resist for metal foil etching, which is heat drying type resist ink and can suppress the occurrence of a pinhole during etching processing using acid, and to provide a metal foil pattern forming method.例文帳に追加

熱乾燥型レジストインキであって、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチング用レジストの提供、および金属箔パターン形成方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process for forming a first opening 11a on a substrate S by applying etching on Cr film blanks 10 forming a Cr film on the substrate S by using a Cr etching liquid.例文帳に追加

基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。 - 特許庁

To provide an etching method which offers a sufficient etching selection ratio of a silicon nitride film with regard to source/drain electrodes containing a high melting point metal material even when a large-sized glass board is processed.例文帳に追加

大型ガラス基板を処理する場合でも、高融点金属材料を含むソース・ドレイン電極に対して窒化ケイ素膜のエッチング選択比が十分に得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a trench etching method of a silicon carbide semiconductor substrate capable of etching at a high speed and furthermore controlling the angle of a trench sidewall at 85° or larger without generating micro-trenches at the bottom of the trench.例文帳に追加

高速でエッチングでき、トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を８５°以上に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。 - 特許庁

The method also comprises the steps of forming a gate electrode 8, then wet etching the films 3 and 4 under the condition in which the film 4 has sufficiently larger etching rate than that of the film 3, and removing only the film 4.例文帳に追加

ゲート電極８の形成後、ＳｉＯ_2膜３よりもＨＳＱ膜４が十分大きいエッチング・レートを持つ条件下でウェットエッチングして、ＨＳＱ膜４のみを除去する。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus and a plasma processing method, for uniform etching processes from the central part in a wafer plane to edge part, by solving the problem of degradation in rate in a wafer edge part.例文帳に追加

ウェハエッジ部でのレートの低下を解消し、ウェハ面内の中心部からエッジ部にわたって均一なエッチング加工を可能にするプラズマエッチング装置及び、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of detecting an etching depth on a real time basis which can accurately calculate the etching depth of a substrate even when the substrate is transparent.例文帳に追加

透明な基板を使用する場合においても、基板のエッチング深さを正確に算出することができるエッチング深さのリアルタイム検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology of manufacturing a reflection mirror with a wet etching method in the technology with which a plate reflection mirror having a reflection face to which light is made incident is manufactured by the etching.例文帳に追加

光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する技術において、その反射ミラーをウエットエッチングによって製作する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of etching a trench with good in-plane uniformity directly for a substrate or a film formed on the substrate, irrespective of high-frequency power.例文帳に追加

高周波パワーに拘わらず、基板に直接または基板上に形成された膜に対して面内均一性良くトレンチのエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method capable of measuring an etching depth even when the thickness of a layer to be etched is changed due to nonuniformity in crystal growth without depending on existence of a mask.例文帳に追加

マスクの有無に依存せず、被エッチング層の層厚が結晶成長時のばらつきなどによって変動しても、エッチング深さを計測することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing deterioration in the etching selection ratio of SiGe to Si when etching the SiGe formed on the Si.例文帳に追加

Ｓｉ上に形成されたＳｉＧｅをエッチングする際に、Ｓｉに対するＳｉＧｅのエッチング選択比の劣化を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant which has superior suppressing effects on foaming and superior wettability during etching, and can obtain highly accurate conductive patterns free from an unetched part, and to provide an etching method.例文帳に追加

エッチングの際に発泡抑制効果および濡れ性が優れており、エッチング残りのない高精度の導電性パターンが得られるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board that can maintain an excellent etching factor in a formed circuit and can effectively prevent occurrence of surface-layer migration by eliminating etching residues.例文帳に追加

形成した回路の良好なエッチングファクターを維持すると同時に、エッチング残を解消し、表層マイグレーションの発生を有効に防止できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having a element isolation trenched film, which can gradually adjust the top rounding angle and can remove the etching loss layer generated after trench etching.例文帳に追加

トップラウンド角度を緩やかに制御でき、トレンチエッチング後に発生されたエッチング損失層を除去できるトレンチ型素子分離膜を備えた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern forming method is characterized by forming a hard mask layer, providing the step in the hard mask layer and performing anisotropic etching on a substrate using the hard mask layer as an etching mask.例文帳に追加

本発明のパターン形成方法は、ハードマスク層を形成し、該ハードマスク層に段差を設け、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板に異方性エッチングを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of easily machining a shape varying in etching depth in the same plane, for reduced mask area without changing an etching area.例文帳に追加

エッチング面積を変えずにマスク面積を小さくする、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供すること。 - 特許庁