「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide, by an easy and inexpensive method, an etching protective material having all of excellent durability against an etchant (alkali and acid), heat resistance in processing, excellent adhesiveness to a wafer subjected to an etching treatment, and removability after the etching treatment; and to provide a method of manufacturing a device substrate using the same.例文帳に追加

簡便かつ安価な方法により、エッチング液（アルカリおよび酸）に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The surface working method is for performing reactive ion etching to the base material 1 made of the silicon carbide, and films 3 and 4 including at least one etching suppressing element selected from an element group including Ni and at least one etching accelerating element selected from an element group including W are turned to etching masks.例文帳に追加

本発明に係る表面加工方法は、シリコンカーバイドからなる基材１に反応性イオンエッチングを行う表面加工方法であって、Ｎｉを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング抑制元素と、Ｗを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング促進元素とを含む膜３，４をエッチングマスクとするものである。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus capable of independently controlling distributions of line widths and heights of line parts in a surface of a wafer in forming the line part by etching a laminated mask film including an inorganic film and organic film, or in forming a plurality of kinds of line parts having different intervals between adjacent line parts by etching a mask film.例文帳に追加

無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can enhance the etching selection ratio between a silicon-containing conductive film and a silicon oxide film and assure the etching and removal of only the desired silicon-containing conductive film without etching the silicon oxide film of the under layer and without deforming the etched shape of silicon-containing conductive film.例文帳に追加

従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for an etching agent of excellent aging resistance, capable of obtaining stable etching even when continuously etched, without containing an effluent hardly-treating component such as boron and fluorine, and capable of obtaining excellent uniformity in the etching and excellent corrosion resistance after etched, in the etching agent for aluminum or aluminum alloy, and a treatment method therefor.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金のエッチング剤において、ホウ素、フッ素等の難排水処理性の成分を含むことなく、連続したエッチング処理を行っても安定したエッチング力が得られ、かつエッチングの良好な均一性、エッチング後の耐食性を得ることができる、耐老化性に優れたエッチング剤の組成物およびその処理方法の提供。 - 特許庁

ELECTRON EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT, COLD CATHODE FIELD ELECTRON EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR IT, COLD CATHODE FIELD ELECTRON EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT, AND METHOD FOR ETCHING THIN FILM例文帳に追加

電子放出装置及びその製造方法、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法、並びに、薄膜のエッチング方法 - 特許庁

A method for continuously etching them comprises converting tin (II) generated in the water-soluble solution to tin (IV), by adding an oxidizing agent to the solution, contacting it with oxygen and air, oxidizing it at an anode side with electrolysis, or the like, and etching them.例文帳に追加

連続的にエッチングするには、水溶液中に生じたスズ（II）を酸化剤の添加、酸素や空気との接触、電解で陽極側で酸化させる等により酸化してスズ（IV）に戻してエッチングする。 - 特許庁

The etching is effected by a method wherein CH_2F_2 gas is added to C_4F_8 gas or the like, and plasma etching is effected under a treating condition that fluorocarbon is readily deposited on the resist mask 8 at a part whereat an interval between patterns is wide.例文帳に追加

このエッチングは、Ｃ_４Ｆ_８ガス等にＣＨ_２Ｆ_２ガスを添加して、パターンの間隔の広い部分のレジストマスク８上にフルオロカーボンが堆積されやすい処理条件でプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method comprises a step for removing a film deposited on a substrate entirely or partially by etching, and a step for polishing the substrate chemically and mechanically following to the etching step.例文帳に追加

膜が堆積された基板の前記膜の全部あるいは一部をエッチング除去するエッチング工程と；エッチング工程の後に、前記基板を化学機械研磨する工程とを備える化学機械研磨方法。 - 特許庁

To provide a method for producing flash memory device with which a cell area can be miniaturized and highly integrated by making an etching process for defining a floating gate into anisotropic etching process.例文帳に追加

フローティングゲートを定義するためのエッチング工程を非等方性エッチング工程とすることにより、セル面積を最小化し且つ高集積化できるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, improving the controllability of a dimension and a shape of a workpiece, after etching by suppressing a cutting amount of a resist pattern at the time of etching.例文帳に追加

エッチング時にレジストパターンの削れ量を抑えることにより、エッチング加工後における被加工物の寸法及び形状の制御性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method has an etching process wherein a specimen 21 with a resist pattern 30 formed on its top surface is subjected to plasma-aided dry etching for the formation of a layer with its cross section having protrusions.例文帳に追加

上面にレジストパターン３０が形成された試料２１に対して、プラズマによるドライエッチングを行なうことにより、試料２１の上部に断面凸状部を形成するエッチング工程を有している。 - 特許庁

To provide an etching method, wherein even in such a case that two or more masks are formed in layers on the surface of a substrate to be treated, an etching operating corresponding to the respective membranes of the masks is completed in a single manner.例文帳に追加

被処理部材の表面に２種以上のマスクが多層に形成されている場合であっても各マスクの膜質に対応したエッチングを一度で行うことが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A first stage of etching of the electrode layer 4a and the heating resistor layer 3 is executed by a wet etching method in such a manner that the electrode layer 4a having the thickness t1 is etched to leave the thickness t2 thereof.例文帳に追加

次に、電極層４ａおよび発熱抵抗層３をエッチングにより厚さｔ_1の電極層４ａを厚さｔ_2が残るようにウエットエッチング法により第1段階目のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a copper alloy material for an electric/electronic component having high strength and high conductivity and capable of securing a uniform etching property even in half etching, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高強度と高導電性を有するとともに、ハーフエッチング時においても、均一なエッチング性を確保することを可能とした電気・電子部品用銅合金材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this surface working method for an aluminum material in which, after pretreatment of executing etching, anodic oxidation treatment of depositing a film is executed, and a coating film is deposited thereon, the etching is executed by using acid.例文帳に追加

エッチングを行う前処理の後、皮膜を形成する陽極酸化処理を行い、その上に塗膜を形成するアルミニウム材の表面加工方法であって、前記エッチングを酸を用いて行う。 - 特許庁

To provide a method for producing a laminated substrate which can easily form a metal membrane layer on an insulating substrate, reduces an etching residue on the insulating substrate after etching, and is excellent in reliability on insulation.例文帳に追加

絶縁基板上に薄膜の金属層を容易に形成でき、さらにエッチング後において絶縁基板上にエッチング残りが少なく、絶縁信頼性に優れた積層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The VCSEL 102 is formed, for instance, by a method wherein it is first built on a semiconductor substrate with an etching stop layer 104 in between and then the semiconductor substrate is removed by etching, and is extremely thin.例文帳に追加

このＶＣＳＥＬ１０２は、例えば半導体基板上にエッチングストップ層１０４を介して形成した後、エッチングにより半導体基板を除去したものであり、極めて薄く形成されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device that improves the reproducibility of the etching of slant-part formation, and prevents etching liquid from being contaminated by the peeling of a resist film when a taper angle θ at a slant part is small.例文帳に追加

傾斜部のテーパー角θが小さい場合に、傾斜部形成のエッチングの再現性を高め、レジスト膜の剥離によるエッチング液の汚染を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method realizing more accurate size and form control in plasma etching than ever and obtaining an etched pattern of desired size and form.例文帳に追加

プラズマエッチングにおける寸法制御及び形状制御を従来に比べて高精度で行うことができ、所望寸法及び所望形状のエッチングパターンを得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recycling waste plastics and an etching waste liquid by which waste plastics subjected to metal plating can be utilized even as resources, and further, the metals incorporated in an etching waste liquid can be recovered.例文帳に追加

金属めっきがなされた廃プラスチックを資源としても利用できるほか、更には、エッチング廃液に含まれる金属の回収も可能な廃プラスチック及びエッチング廃液の再資源化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching a film in a short time anisotropically in the direction of its thickness and also affording an etching design uniformly in order.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、さらに、均一に整ったエッチング形状を得ることができるエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁

That is, the flow path is formed by etching using a metal layer provided on the back surface of the flow path substrate as an etching mask, and thereafter, the orifice plate is formed by an electroforming method using the metal layer as a seed layer.例文帳に追加

すなわち、流路基板裏面に設けた金属層をエッチングマスクとしてドライエッチングにより流路を形成、その後、金属層をシード層としてオリフィスプレートを電鋳法により形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for improving the selection ratio of a silicon oxide film for amorphous carbon more than that of the related art, a plasma etching apparatus, a control program, and a computer storage medium.例文帳に追加

アモルファスカーボンに対するシリコン酸化膜の選択比を従来に比べて向上させることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for making a patterned magnetic recording medium that includes a step of completely peeling etching resist on a magnetic layer having been used for etching the magnetic layer without causing magnetic characteristics of the magnetic layer to deteriorate.例文帳に追加

磁性層のエッチングに使用した磁性層上のエッチングレジストを、磁性層の磁気特性を劣化させること無く完全剥離する工程を含むパターン化磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove adsorbed water in a charged droplet etching gun mounting chamber, concerning a sample surface contaminant removal method and a device using charged droplet etching.例文帳に追加

本発明は帯電液滴エッチングを用いた試料表面汚染物除去方法及び装置に関し、帯電液滴エッチング銃装着チャンバ内の吸着水を除去することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-reliability semiconductor substrate without causing damage of a compound semiconductor layer or transition of a crystal by influence due to natural oxidation in etching a selection etching layer.例文帳に追加

選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To easily confirm the end point of a sacrificial layer etching in the manufacturing method of a semiconductor mechanical quantity sensor consisting of a beam structure moving part formed on a substrate using sacrificial layer etching.例文帳に追加

犠牲層エッチングを用いて基板上に梁構造の可動部を形成してなる半導体力学量センサの製造方法において、犠牲層エッチングの終点を容易に確認できるようにする。 - 特許庁

A process to form a silicon oxide film is carried out by a CVD method on a silicon structure processed by hole etching or trench etching and on which the silicon of at least the bottom surface of the hole or the trench is exposed.例文帳に追加

ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつそのホール又はトレンチの少なくとも底面のシリコンが露出しているシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。 - 特許庁

To provide a method of forming the electrode of a semiconductor element which uses a solution for etching to remove a metal remained in the top surface of a silicide without performing silicide formation using the solution for eliminating etching without performing replacing of the solution frequently.例文帳に追加

溶液の交換を頻繁に行うことなく、シリサイド化されずにシリサイド上面に残った金属を除去するエッチング用の溶液を用いた半導体素子の電極形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes a process of forming the etching protection film 15 having an insulating layer and an opening by exposure and development to a photoresist layer 10, forming the slit 6, and peeling the etching protection film.例文帳に追加

フォトレジスト層１０への露光、現像により、絶縁層及び開口部を有するエッチング保護膜１５を形成する、スリット６を形成する、エッチング保護膜を剥離する、工程を具備する。 - 特許庁

To provide a silicon processing method forming a structure small in a processing dimensional error even when there is an alignment error between a crystal axis orientation and an etching mask, a silicon substrate with an etching mask, and the like.例文帳に追加

結晶軸方位とエッチングマスクとの間にアライメント誤差があっても、加工寸法誤差の少ない構造体を形成可能なシリコンの加工方法、エッチングマスク付きシリコン基板等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oscillator, in which a terminal point of etching is easily detected and oscillation characteristics of the formed oscillator is easily and surely maintained constant, and a wet etching device.例文帳に追加

容易にエッチングの終点を検出することができ、形成される振動子の振動特性を一定に保つことが容易且つ確実にできる振動子の製造方法、及びウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of stably judging the end of etching even for a semiconductor wafer having a small change in light emitting intensity and largely affected by noise components near the end of etching, and a device therefor.例文帳に追加

エッチング終点付近での発光強度変化が低くノイズ成分の影響が大きい半導体ウェハであっても安定したエッチング終点判定を行う方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a metal pattern formation method by which a metal pattern non-formation portion can be easily removed by etching when forming a metal pattern by etching and a good adhesiveness of the formed metal pattern can be achieved.例文帳に追加

エッチングにより金属パターンを形成する際、金属パターン非形成部のエッチングによる除去性に優れ、且つ、形成された金属パターンの密着性が良好な金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating the etching amount of an SOI wafer in which the etching amount of a silicon single crystal layer by cleaning, or the like, can be evaluated accurately and inexpensively at the time of producing an SOI wafer.例文帳に追加

ＳＯＩウエハを製造する際、洗浄等によるシリコン単結晶層のエッチング量を正確かつ安価に評価することができるＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a satisfactory etching method by which the etching of a stopper film underlying a high dielectric insulating film can be suppressed in a semiconductor device using the high dielectric insulating film as a gate insulating film.例文帳に追加

高誘電体絶縁膜をゲート絶縁膜に用いる半導体装置において、高誘電体絶縁膜の下層のストッパー膜がエッチングされることを抑えた良好なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an element structure where at least one edge is flat and has no etching level difference in an edge emission element requiring an etching process twice or more.例文帳に追加

２回以上のエッチング工程を必要とする端面発光素子において、少なくとも１つの端面においてエッチング段差のない平坦な面を有する素子構造を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wet etching method where a correct pattern shape and excellent dimensional precision can be obtained by increasing adhesion between a metal-deposited layer and a resist ink for wet etching.例文帳に追加

金属蒸着層とウェットエッチング用レジストインクとの密着性を高めることにより、正確なパターン形状ならびに優れた寸法精度を得ることを可能にするウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To execute good patterning at an overall etching face by suppressing a surface roughness of the overall etching face and generation of micropyramids in a method for manufacturing ink jet heads of an electrostatic driving form.例文帳に追加

静電駆動方式インクジェットヘッドの製造方法において、全面エッチング面の表面粗さ及びマイクロピラミッドの発生を抑えることにより、全面エッチング面での良好なパターニングを行う。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a reactive ion etching (RIE) device and the reactive etching device, whereby electrodes and the barrier plates in the vicinity of electrodes can be automatically cleaned without exposing them to the atmosphere when cleaning the electrodes.例文帳に追加

電極をクリーニングする際、大気開放せずに電極及び電極周辺の隔壁を自動クリーニングするリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）装置のクリーニング方法およびリアクティブエッチング装置の提供。 - 特許庁