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例文

In the patterning method of a substrate for the display element having a gas barrier layer formed of at least one organic region and at least one inorganic region, wet etching is carried out, and for the etching, etching liquid of weak acid or weak base is used.例文帳に追加

少なくとも１つの有機領域と、少なくとも１つの無機領域とからなるガスバリア層を有する表示素子用基板のパターニング方法であって、ウェットエッチングを行い、かつ、該エッチングに、弱酸または弱塩基のエッチング液を用いることを特徴とする表示素子用基板のパターニング方法。 - 特許庁

The automatic apparatus comprises the etching process having a characteristic for using them (shown above) and the washing and drying process related to the etching treatment, indirectly integrating an action by ultrasonic vibration as the processing method in a holder separately prepared and making it operate, and the washing, drying related to the etching treatment.例文帳に追加

また、これらを使用する為の特徴を持つエッチング処理であり、この加工方法としての超音波振動による作動を、間接的別途用意したホルダーに組み、これに作動させたエッチングに関連する洗浄及び、乾燥方法と其のエッチング加工を設けた自動装置である。 - 特許庁

In the method of forming the solder ball of a substrate, etching is carried out into a conductive pad with depth larger than 50% and smaller than 100% of the thickness of the conductive pad while etching is implemented into the conductive pad of the substrate, and a solder ball is formed in the conductive pad into which etching was implemented.例文帳に追加

基板の導電性パッドにエッチングを進めるが、導電性パッドの厚さの５０％よりは大きく、１００％よりは小さい深さで導電性パッドをエッチングし、エッチングが進められた導電性パッドにソルダーボールを形成することを特徴とする基板のソルダーボールの形成方法である。 - 特許庁

To provide an etching solution which is improved in etching characteristics and used for single crystal silicon, and to provide a method of manufacturing a silicon deposition mask which is capable of stably mass-producing silicon deposition masks of high accuracy by using the above etching solution for single crystal silicon.例文帳に追加

エッチング特性を改善する単結晶シリコン用エッチング液を提供するとともに、この単結晶シリコン用エッチング液を用いることにより、高精細な蒸着マスクを安定して大量に製造することができるようにした、シリコン蒸着マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

The treatment method includes an etching step of etching a ZnO single crystal substrate having a Zn polar surface as a main surface using a solution containing an EDTA chelate compound as an etchant, and a cleaning step of, after the etching, cleaning the substrate using an electrolyte solution having a ligand as a cleaning solution.例文帳に追加

Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。 - 特許庁

例文

To increase etching seeds contributing etching, in a method for making, on a semiconductor surface, a desired pattern having varying depth by using a first mask having a desired pattern and a second mask for controlling the amount of etching seeds diffused in an opening of the desired pattern.例文帳に追加

所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, in which wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 having various pattern densities coexist mixedly, the wiring patterns 20 and 21 and gate electrode patterns 36 and 37 are formed, by dry etching performed under an etching condition such that the etching rate becomes faster as the pattern densities become higher.例文帳に追加

様々なパターン密度を有する配線パターン２０、２１やゲート電極パターン３６、３７が混在する半導体装置の製造方法において、パターン密度が高いほど、エッチング速度が速くなるエッチング条件によるドライエッチングで配線パターンやゲート電極パターンのパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching of a High-k film having an etching speed difference between a rarefaction part and a dense part as well as an etching property with a small shape difference, while keeping high selectivity (ratio) of a metal oxide served as the High-k film to a foundation polysilicon film.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｈｉｇｈ−ｋ膜である金属酸化物を、下地ポリシリコン膜との高い選択性（比）を保ちつつ、パターンの疎部と密部によるエッチング速度差、及び形状差の小さいエッチング特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜のドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

例文

When the active layer is etched by a dry etching method by using metal etching gas, the lower barrier layer 30d below the burying layer is formed of an AlGaInAs layer whose composition is different from that of the lattice layer upper than the lower barrier layer so that it shows an etching rate smaller than the lattice layer.例文帳に追加

埋め込み層下の下側障壁層３０ｄが、メタン系エッチングガスを使ったドライエッチング法により活性層をエッチングする際、格子層に比べて小さいエッチングレートを示すように、下側障壁層より上の格子層の組成とは異なる組成のＡｌＧａＩｎＡｓ層で形成されている。 - 特許庁

例文

In the method for dry etching wherein a wafer to be etched is set onto the wafer chuck, an etching gas suitable for the wafer is introduced, and the surface of the wafer is etched; the adhesion of the wafer to the wafer chuck is evaluated beforehand, and the etching condition is adjusted according to the evaluated adhesion.例文帳に追加

ウエーハチャックにエッチングすべきウエーハをセットし、前記ウエーハに合わせたエッチングガスを導入し、前記ウエーハ表面をエッチングするドライエッチング方法において、前記ウエーハの前記ウエーハチャックへの密着度を予め評価し、この評価した密着度によってエッチング条件を調整するようにした。 - 特許庁

The method etching NdFeB includes the steps of: forming photoresists 3a, 3b, 3c, 3d and 3e on NdFeB layer 1 on a substrate 2; and performing a plasma etching to pattern the exposed NdFeB layer 1 using a mixed gas of gas for physical etching and halogen gas, thereby forming patterns 1a, 1b, 1c, 1d and 1e.例文帳に追加

基板２上のＮｄＦｅＢ層１上にフォトレジスト３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅを形成し、物理エッチング用のガスとハロゲンガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングを行って、露呈しているＮｄＦｅＢ層１をパターニングし、パターン１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅを形成する。 - 特許庁

To attain both detachability from a die of an original disk substrate for transfer and transfer accuracy of the original disk for a body to be transferred, and to balance etching accuracy/etching efficiency/fineness of formed pattern in an etching process of a flat substrate, in a manufacturing method of a die of the original disk substrate for transfer.例文帳に追加

転写用原盤基板の型の製造方法において、転写用原盤基板の型からの剥離性と、転写用原盤の被転写体への転写精度の両立を図ると共に、平坦基板のエッチング工程におけるエッチング精度／エッチング効率／形成されるパターンの精細化のバランスを図る。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method or the like for suppressing occurrence of bowing and undercut in a side wall part of an organic film and obtaining a sufficient etching shape at the time of plasma-etching the organic film through a mask consisting of a silicon-containing film, which is formed at an upper layer.例文帳に追加

有機膜を、その上層に形成されたシリコン含有膜からなるマスクを介してプラズマエッチングする際に、有機膜の側壁部分にボーイングやアンダーカットが発生することを抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an etching foil sheet for a game machine in which only aluminum deposit layer is an alkali-soluble component when etching is performed and a delicate picture pattern can be simultaneously applied with a plurality of metallic colors such as gold and silver by one etching process, a decorative foil sheet using this and a method for manufacturing it.例文帳に追加

エッチングに際しアルカリ可溶成分をアルミ蒸着層のみとし、しかも一度のエッチング工程で金色と銀色のように複数のメタリックカラーで繊細な図柄のものを同時に施すことができる遊技機のエッチングホイルシート、これを用いた加飾ホイルシートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The dry etching method of the device sheet includes a stage for sticking the device sheet 4 via wax W onto the flat surface of a ceramic substrate (substrate) 20 consisting of AlTiC or the like and a stage for performing dry etching e.g. ion beam etching(IBE) to the stuck device sheet 4.例文帳に追加

ＡｌＴｉＣなどからなるセラミック基板(基板)２０の平坦な表面上に、ワックスＷを介してデバイスシート４を貼り付ける工程と、この貼り付けられたデバイスシート４に対してイオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのドイラエッチングを施す工程と、を含む、デバイスシートのドライエッチング加工方法。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process for etching an organic material film with an inorganic material film serving as a mask, capable of maintaining a high etching rate according to a pattern to be etched with a superior result in shape and in in-plane uniformity, and which is free of inorganic material film exfoliation.例文帳に追加

無機材料膜をマスクとして有機材料膜をエッチングする場合に、エッチングパターンに対応して、高いエッチングレートを維持しつつ、良好なエッチング形状で、良好な面内均一性でかつ無機材料膜の膜剥がれが生じずにエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for a dielectric thin film of material containing porous silica being made on a semiconductor substrate capable of preventing or reducing the formation of a microtrench at etching on condition that it keeps high etching speed and seiectivity, and besides capable of controlling the taper angle accurately.例文帳に追加

高いエッチング速度及び選択性を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できしかもテーパー角を精度良くコントロールすることができる半導体基板上に形成されるポーラスシリカを含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing polymer solution processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層をポリマー溶液処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing chemical processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask.例文帳に追加

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, by which when a large number of individual patterns arranged parallel with one another are formed by dry-etching a conductive material joined to an insulating material, the side faces of the patterns are made free of the occurrence of etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching).例文帳に追加

絶縁材料上に接合された導電性材料にドライエッチングを施して、多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、パターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The filler 36 is then removed until an upper surface of a partition film 21 on the recording element 20A (when the recording element has no partition film 21, an upper surface of the recording element 20A) is exposed by using a dry etching method by which an etching rate of the filler 36 is higher than an etching rate of the first coating material 42.例文帳に追加

次に充填材３６のエッチングレートが第１被覆材４２のエッチングレートよりも高いドライエッチング法により記録要素２０Ａの上の隔膜２１の上面（隔膜２１がない場合は記録要素２０Ａの上面）が露出するまで充填材３６を除去する。 - 特許庁

The method of etching a carbon-containing film includes a step of forming a mask pattern on a carbon-containing film to partially expose the top surface of the carbon-containing film, and anisotropically etching the carbon-containing film with a plasma of a mixture gas composed of O_2- and Si-containing gases using the mask pattern as an etching mask.例文帳に追加

炭素含有膜上に炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成し、マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ_２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって炭素含有膜を異方性エッチングする炭素含有膜エッチング方法である。 - 特許庁

This etching method for metal, which employs an aqueous agent solution containing an acid component and an oxidizing component, is characterized by keeping the mol number of the oxidizing agent in the etching solution, larger than the product of the mol number of an etched metal ion generated by the etching and a valence number of the ionized metal.例文帳に追加

酸成分、及び酸化剤成分を含むエッチング水溶液剤を用いた金属のエッチング方法であって、エッチング系内における酸化剤モル数を、エッチングにより生成した被エッチング金属イオンモル数と該金属のイオン化価数との積より大きく保つことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method uses the etching composition which effectively protects a pattern or a storage electrode composed of polysilicon and selectively eliminates the oxidized film in a wet etching process, as a result the oxidized film is eliminated in a high etching ratio and impairment of polysilicon film is inhibited.例文帳に追加

ポリシリコンで構成されたパターン又はストレージ電極を効果的に保護することができるエッチング組成物を用いて、ウエットエッチング工程で酸化膜を選択的に除去するので、高いエッチング選択比で酸化膜を除去できるとともに、ポリシリコン膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

In the method of etching the resin film, at least one type selected from ultraviolet rays, microwaves, laser beams, and infrared rays is applied or a magnetic field is applied when performing wet etching using etching liquid containing urea, an alkali metal compound, and an amine compound.例文帳に追加

本発明の樹脂膜のエッチング方法は、尿素、アルカリ金属化合物、アミン化合物を含有するエッチング液を用いて、ウエットエッチングする際に、紫外線、マイクロ波、レーザーおよび赤外線から選ばれた少なくとも１種を照射するか、または、磁場をかけることを特徴とするものである。 - 特許庁

In a method for manufacturing the tuning fork type quartz oscillator using the photolithography technique, etching pattern width of a crystal orientation side that causes etching residue of a tuning fork branch part of the tuning fork type quartz oscillator is uniformly set to perform etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた音叉型水晶振動子の製造方法において、音叉型水晶振動子の音叉枝部のエッチング残りを生じる結晶方位側のエッチングパターン幅を均一に設定しエッチングする事を特徴とする音叉型水晶振動子の製造方法とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the capacitor comprises the steps of forming the lower electrode 20 made of an amorphous silicon on the contact electrode 17 made of a polycrystalline silicon and a sidewall film 15, then etching the electrode 20 through wet etching, by using an aqueous solution containing NH4OH and H2O2 as an etching liquid, and removing the surface layer.例文帳に追加

非晶質シリコンからなる下部電極２０を多結晶シリコンからなるコンタクト電極１７およびサイドウォール膜１６の上に形成した後、ＮＨ_4 ＯＨとＨ_2 Ｏ_2 とを含む水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングにより下部電極２０をエッチングし、その表面層を除去する。 - 特許庁

To provide an etching agent in which the problem of instability of etch rate is solved by adding an additive for prevention of secular change to an etching agent for a copper lamination film composed of copper or copper/ titanium or the like for a component material for electronic equipment and also to provide a method for manufacturing a base material for electronic equipment by the use of the etching agent.例文帳に追加

本発明は、電子機器用素子材料の銅又は銅／チタンなどの銅積層膜のエッチング剤に経時変化防止用添加剤を添加してエッチング率の不安定性を解決したエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a metal etching product with an insulating treatment applied, barrier ribs 11 are formed using a wet etching method on the surface of a metal substrate 12, and then, an insulation layer 13 is formed by using a spray coating method on a whole surface of the metal substrate 12.例文帳に追加

本発明の絶縁処理を施した金属エッチング製品の製造方法は、金属基板１２の表面に、ウエットエッチング法を用いて隔壁１１を形成し、次いで、この金属基板１２の表面全体にスプレーコーティング法を用いて絶縁層１３を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To form an accurate desired gate electrode by suppressing an electron shading damage and reducing positive charging by a polysilicon electrode, in a manufacturing method for semiconductor memory and an etching method for gate electrode using a plasma dry etching method for flash memory or DRAM, etc., having a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートを有するフラッシュメモリやＤＲＡＭ等のプラズマドライエッチングによる半導体メモリの製造方法及びゲート電極エッチング方法に関し、電子シェーディングダメージを抑制し、ポリシリコン電極が正のチャージングを抑制して正確な所望のゲート電極を形成することを課題とする。 - 特許庁

To provide an alkaline etching solution capable of improving surface roughness even with a relatively low alkaline concentration, which has been conventionally widely used, an alkaline etching method using the solution, a method of manufacturing a silicon wafer using it, and further a silicon wafer with a surface roughness improved by the method.例文帳に追加

従来広く用いられてきた比較的低いアルカリ濃度においても表面粗度の改善が可能なアルカリエッチング液、それを用いたアルカリエッチング方法、及びそれを用いるシリコンウェーハの製造方法、さらにはそれにより得られる表面粗度が改善されたシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Alternatively, a method for etching a substrate in a chemical reaction can be used as a method to thin or eliminate the substrate, thus forming a stopper layer by the use of a material having resistance characteristics for an etchant used when etching is performed by the chemical reaction.例文帳に追加

または、基板の薄膜化または基板の除去の方法として、基板を化学反応によりエッチングする方法を用い、化学反応によるエッチングを行う際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料によりストッパー層を形成する。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

To provide a method for performing plasma etching on tungsten silicide on polysilicon, the method being useful particularly for manufacturing flash memory requiring the long over etching time of micro loading and having both of a dense area and an isolation (iso) area.例文帳に追加

マイクロローディングによる長時間のオーバーエッチングを要する、緊密に密集した領域と隙間のある（ｉｓｏ）領域との両方を有するフラッシュメモリを製造するのに特に有用な、ポリシリコン上の珪化タングステンをプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

In addition, this manufacturing method comprises a step of forming a protection film 16 on the processed film 5 and the non-processed film 14 and a step of etching the protection film 16 in an RIE method and dropping the processed film 5 in the groove by selectively etching the processed film 5.例文帳に追加

更に、加工膜５および非加工膜１４の上に保護膜１６を形成する工程と、ＲＩＥ法を用いて、保護膜１６をエッチングすると共に、加工膜５を選択的にエッチングして溝内の加工膜５を落とし込む工程とを備える。 - 特許庁

In addition, the metal film forming method includes a process to form a photo resist pattern of a desired shape on the metal film divided into a plurality of areas and the resin film, and a process to form the metal film pattern of a desired shape by removing a part of the metal film divided into a plurality of areas by the chemical etching method, a plasma etching method or the ion beam etching method.例文帳に追加

さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金属膜の形成方法とする。 - 特許庁

PATTERNING METHOD FOR HIGHLY FINE RIB, PATTERNING METHOD FOR LOW MELTING POINT GLASS, MOLDING METHOD FOR HIGHLY FINE RIB MADE OF LOW MELTING POINT GLASS, AND ETCHING COATING USED FOR PATTERNING OF HIGHLY FINE RIB例文帳に追加