「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(66ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method capable of preventing deterioration in an etching selection ratio in etching treatment, and reducing roughness of a pattern edge in a substrate in which a wiring pattern of photoresist is formed in a photolithographic process.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストの配線パターン形成がなされる基板おいて、エッチング処理でのエッチング選択比の低下を抑制し、パターンエッジのラフネスを低減することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

This method of etching applies a predetermined etching process to a substrate (10) having a first layer (13) formed of a resist film, and a second layer (12) formed underneath the first layer (13) and formed of an anisotropic material.例文帳に追加

レジスト膜よりなる第１の層（１３）と、第１の層（１３）の下層に形成され異方性部材よりなる第２の層（１２）とを有する基材（１０）に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an etching height is not varied by a change in an etching speed due to ion implantation to an element isolation insulating film when forming a CMOS having an STI type element isolation structure.例文帳に追加

ＳＴＩ型の素子分離構造を有するＣＭＯＳを形成する際、素子分離絶縁膜がイオン注入を受けて、エッチング速度の変化により、高さが異ならない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the die cutter 1, an etching step for applying physical ion etching onto a cutting edge portion 11 of the die cutter 1 with a machined blade and a coating step for forming a DLC layer are performed alternatively a plurality of times.例文帳に追加

機械加工された刃を有するダイカッター１の刃先部１１に、物理的イオンエッチングを行うエッチング工程と、ＤＬＣ層を形成するコーティング工程とを、交互に複数回行うダイカッター１の製造方法。 - 特許庁

To provide an antireflection film material having a high etching selectivity ratio to a resist, that is, a high etching speed and to provide a pattern forming method by which an antireflection film layer is formed on a substrate using the antireflection film material.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ち、エッチングスピードが速い反射防止膜材料及び、この反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer etching method and apparatus which can improve the uniformity of planarity of each semiconductor wafer within one batch, and control fluctuation in amount of etching process for the entire surface of each wafer, in order to enhance nanotopography.例文帳に追加

１バッチ内での各半導体ウェーハの平坦度の均一化が図れ、しかも各ウェーハの面全体のエッチング量のバラつきを抑え、ナノトポグラフィーが高まる半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high purity copper from water-bearing impure copper powder containing copper chloride and oxide recovered from a deteriorated copper etching solution etc. generated when a copper-clad laminate is subjected to etching.例文帳に追加

銅張積層板をエッチングする際に生ずる劣化銅エッチング液等から回収した銅の塩素化合物及び酸化物を含有する含水不純銅粉から高純度の銅を製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing an ink jet head at a low cost by taking advantage of anisotropic etching capable of micromachining a silicon single crystal substrate with high accuracy and sand blast etching for boring holes through the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に微細な形状を高精度で加工可能な異方性エッチングと、シリコン基板に貫通孔を形成するサンドブラストエッチングの利点を生かし、低コストなインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching processing device for efficiently manufacturing a printed wiring board superior in wiring density and wiring accuracy, and to provide an etching processing method for a substrate for a printed wiring board which uses the device.例文帳に追加

配線密度や配線精度に優れたプリント配線板を効率的に製造することのできるエッチング処理装置とその装置を用いてプリント配線板用基板をエッチング処理する方法を提供すること。 - 特許庁

When plating the material made from the aluminum alloy, this plating method includes the pretreatment step of cathodically electrolyzing the aluminum alloy in an acidic solution, which has been treated in an alkali etching step, in order to remove insoluble components in the alloy formed in the etching step.例文帳に追加

アルミニウム合金製素材にめっきを施すにあたり、その前処理として、アルカリエッチング工程で生成された、アルミニウム合金中の不溶成分を除去すべく、陰極酸電解を行うようにされる。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical semiconductor device having the light emitting device and the functional portion carries out a dry etching at the time of forming at least a part of the functional portion, and thereafter carries out a wet etching.例文帳に追加

発光素子部と機能部とを有してなる光半導体素子の製造方法であって、少なくとも前記機能部の一部を形成するときに、ドライエッチングを行い、その後に、ウエットエッチングをすることを特徴とする。 - 特許庁

By this method, high-density uniform pits can be formed at etching even in the case of electroless etching and the electrolytic capacitor electrodes combining high electrostatic capacity with high reliability can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

無電解においてもエッチング時に均一なピットを高密度に形成することが可能になり、高静電容量及び高信頼性を兼ね備えた電解コンデンサ電極を低コストで製造することが可能になる。 - 特許庁

This etchant is prepared by dipping a stainless steel into an alkaline water solution for ten or more hours, and a semiconductor silicon wafer undergoes etching by using this etchant in this etching method.例文帳に追加

本発明に係るエッチング液は、アルカリ水溶液にステンレス鋼を１０時間以上浸漬して調製されるものであり、本発明に係るエッチング方法では、このエッチング液を用いて半導体シリコンウェーハがエッチングされる。 - 特許庁

This dry etching method is designed to cause a mass spectrometer to detect AlFx, which is a reaction product, one minute after the start of a dry etching process of an Al2O3 film, the processing of which comes after an SiO2 film has been completely dry-etched.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜がドライエッチングにより完全に堀り抜かれ、Ａ１_2Ｏ_3 膜のドライエッチングが開始されて１分が経過した後に、質量分析計において反応生成物であるＡ１Ｆｘが検出される。 - 特許庁

The etching processing method of the piezoelectric wafer forms a mask 18 with an opening 16 on an one face 12 of the piezoelectric wafer and another face 14, carries out etching of the opening 16, and forms a through-hole.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

In the method for manufacturing the device having 3-dimensional tapered structure, after a core 2 is formed on a substrate 1, an etched surface 2a is formed by etching a part of the core 2 with reactive ion etching, and also grooves 3 are formed on the surface of the core 2 which is not etched.例文帳に追加

基板１上にコア２を形成後、反応性イオンエッチングによりコア２の一部のエッチングを行い、エッチング面２ａを形成すると共に、エッチングされていないコア２の表面に溝３を形成する。 - 特許庁

To provide a laminate for forming a substrate having wiring with improved adhesion properties, low resistance, and improved etching properties, to provide a method for forming the substrate having wiring by etching the laminate, and to provide the substrate having wiring.例文帳に追加

付着性に優れ、低抵抗で、エッチング性に優れる配線付き基板形成用の積層体、かつ該積層体をエッチングして配線付き基板を形成する方法および得られた配線付き基板の提供。 - 特許庁

In this method of manufacturing the semiconductor device, the remaining layer 21c of an etching mask layer 21 remains in a thickness of ≥10 nm when the stamping face 31 of the nano-stamper 30 is pressed on the surface of the etching mask layer 21.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法では、ナノスタンパ３０の押印面３１をエッチングマスク層２１の表面に押し付ける際、エッチングマスク層２１の残層２１ｃが１０ｎｍ以上の厚さで残るようにしている。 - 特許庁

In the forming method of the electrode foil for the electrolytic capacitor before performing the etching processing of each electrolytic capacitor, there is performed etching pre-processing for immersing during 60-300 seconds aluminum original foil into a processing liquid containing a plural kinds of metal ions of pH 10-13 and at 60-90°C.例文帳に追加

エッチング処理を行う前に、複数種類の金属イオンを含有する、ｐＨが１０〜１３、液温が６０〜９０℃の処理液にアルミニウム原箔を６０〜３００秒、浸漬するエッチング前処理を行う。 - 特許庁

In this pattern forming method, materials to be etched are patterned by using a resist mask 3 as an etching mask in the manufacturing process of a semiconductor device, and then the volume of this resist mask is expanded by swelling or the like so that this resist mask can be changed into another etching mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造工程の中でレジストマスクをエッチングマスクに使用し被エッチング材料をパターニングした後、このレジストマスクを膨潤等により体積膨張させて別のエッチングマスクに変える。 - 特許庁

An antioxidant film 3 and a pad oxide film 2 are removed by dry etching or the like in a step (d), and the pad oxide film 2 is made to retreat, and the exposed part of a silicon substrate 1 is removed through an isotropic etching method in steps (e) and (f).例文帳に追加

（ｄ）にて酸化防止膜３、パット酸化膜２をドライエッチング等により除去し、（ｅ）、（ｆ）にてパット酸化膜２を後退させ等方性エッチング法を用いて露出したシリコン基板１を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent the occurrence of a leakage failure between base-collector caused, by etching to a sub-collector region penetrating an external base layer, a trench isolation region (STI) in the etching of via hole on the external base layer.例文帳に追加

外部ベース層上のヴィアホールのエッチングにおいて外部ベース層、トレンチ分離領域（ＳＴＩ）を突き抜けてサブコレクタ領域までエッチングしてしまい、ベース・コレクタ間リーク不良が発生することを防止する。 - 特許庁

To provide a method of processing a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is increased and a machining time can be shortened.例文帳に追加

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a working method of a high dielectric material wherein selectivity to a resist is increased, etching whose depth is at least 1.0 μm is ensured, and an etching rate is sped up and machining time can be shortened.例文帳に追加

対レジスト選択比を向上させ、１．０μｍ以上の深さのエッチングを可能とするとともに、エッチングレートを速め加工時間を短縮することが可能な高誘電体材料の加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film element in which the generation of any damage can be suppressed by allowing stable etching to progress even at the time of forming the thin film element by using reactive ion etching on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に反応性イオンエッチングを用いて薄膜素子を形成する場合においても安定なエッチングを進行でき、ダメージの発生が抑制された薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a high-selectivity etching of a base film can be performed by preventing the decrease in the selectivity because of the existence of a plasma SiON film as an anti-reflection film in an OE(over-etching) step.例文帳に追加

ＯＥ工程中の反射防止膜としてのプラズマＳｉＯＮ膜の存在による選択比の低下を防ぎ、下地膜に対する高選択比のエッチングが可能な半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the flattened object having at least a base material 1 has a near-field etching process for etching the treated surface using near-field light 4a, 4b, 4c.例文帳に追加

少なくとも基材１を有する平坦化物の製造方法であって、近接場光４ａ，４ｂ，４ｃを用いて被処理面をエッチングする近接場エッチング処理工程を有する平坦化物の製造方法とする。 - 特許庁

To improve performance of a product element by removing an influence of etching products and that of cleaning products, and by performing efficient etching treatment having improved reproducibility in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の製造方法において、エッチング生成物の影響及びクリーニング生成物の影響を除去でき、再現性のよい高効率のエッチング処理を可能として製品素子の性能の向上を図る。 - 特許庁

To provide a dry etching device in which a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching of the substrate can be removed or reduced efficiently, and to provide a neutralization method of a substrate.例文帳に追加

基板に対するドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を効率的に除去あるいは減少させることができるドライエッチング装置および基板の除電方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of generating highly uniform plasma with a high density, while suppressing adhering substances on a dielectric member in radical etching and/or low-speed etching with low substrate bias.例文帳に追加

ラジカル性のエッチング、及び／又は低い基板バイアスで低速のエッチングにおいて、誘電体部材への付着物を抑制しながら、高密度で高い均一性のプラズマを生成できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide the contact formation method of a semiconductor device that two-stage self-aligned contact etching process of different conditions of etching processes is performed, to form a contact hole having stable characteristics.例文帳に追加

食刻工程の条件が異なる２つの段階の自己整合的なコンタクト食刻工程を行ない、安定的な特性を有するコンタクトホールを形成する半導体素子のコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method which controls usage of highly corrosive processing gas, and forms a pattern of a desired shape with high precision, and to provide a plasma-etching apparatus and a computer storage medium.例文帳に追加

腐食性の高い処理ガスの使用を抑制することができるとともに、所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor element which is capable of obtaining a flat etching surface after etching a group III-V nitride base compound semiconductor, and obtaining the semiconductor element excellent in characteristics with a good yield.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物系化合物半導体をエッチングした後に平坦なエッチング面を得ることができ、特性の優れた半導体素子を歩留まり良く得られる半導体素子の製造方法を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for washing or etching quartz or a silicon substrate without almost discharging fluorine gas and compounds containing fluorine to the external in the case of washing or etching the quartz or the silicon substrate by using fluorine gas.例文帳に追加

石英やシリコン基板について、フッ素ガスを用いて洗浄またはエッチングをする場合において、フッ素ガス、フッ素含有化合物を外部に殆ど放出することなく洗浄またはエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant which solves problems such as irritating odor of hydrogen chloride and corrosion of devices, and controls distribution of width of a wiring pattern within the surface, by enhancing an etching rate, and to provide an etching method.例文帳に追加

塩化水素による刺激臭や装置への腐食などの問題を解決し、エッチングスピードを高めて、配線パターンの幅の面内のバラツキを抑制することができるエッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor etching method capable of easily etching a semiconductor layer that cannot be etched easily, such as a group III-V nitride semiconductor, by a relatively simple process.例文帳に追加

本発明は、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

The etching method comprises treating a surface to be etched with an etching solution containing a halide and/or nitrate containing at least one metal selected from the group comprising Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ca and Zn.例文帳に追加

本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含むハロゲン化物及び／または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of increasing an etching rate for a transparent conductive film on a substrate to 1500 to 2000 Å/min. without impairing a selection ratio and also suppressing dusting.例文帳に追加

基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを１５００〜２０００Å／ｍｉｎまで選択比を損なうことなく向上させ、さらにダストの発生も抑制したドライエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for wet etching by using a liquid essentially comprising fluoric acid and nitric acid, a sufficient etching selection ratio to the insulating film 14 can be obtained so that formation of a protective insulating film or the like which increases the cost is not required.例文帳に追加

フッ酸と硝酸とを主成分とする液を用いたウエットエッチング法では、絶縁膜１４とのエッチング選択比を充分にとることができ、コストアップとなる保護絶縁膜等を形成する必要はない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MEMS element, and a MEMS element, in which control of etching time is easier in release etching of a structure, and a support part of the structure is formed with favorable precision to achieve excellent characteristics.例文帳に追加

構造体のリリースエッチングの際にエッチングの時間管理を容易にするとともに、構造体の支持部を精度よく形成でき特性の優れたＭＥＭＳ素子の製造方法およびＭＥＭＳ素子を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, a dry etching stop layer 13, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、ドライエッチングストップ層１３、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The forming method for the reflection preventing structure comprises etching a base material layer together with particles using the particles arranged on the base material and harder to etch than the base material, as a mask and stopping etching work before the particles disappear.例文帳に追加

基材層上に配置された、基材よりもエッチングされにくい粒子をマスクとして、粒子と共に基材層をエッチングし、かつ粒子が消失する前にエッチング加工を停止する反射防止構造の形成方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a new organic electroluminescent element capable of resolving a variety of problems occurring when etching with an etching fluid by using a photoresist, while maintaining the merit of the accuracy of a pattern in a conventional photolithography method.例文帳に追加

従来のフォトリソグラフィー法におけるパターンの精度が優れている点を維持しつつも、フォトレジストを使用してエッチング液によりエッチングする際に生じ得る種々の懸念を極力解消し得る、新たな有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁