「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(68ページ目) - Weblio英語例文検索

This wiring forming method is provided with a process for preparing a substrate wherein fine dimples are formed on the surface, a process for plating the surface of the substrate in plating liquid, and a process wherein a plating film formed on the surface of the substrate is subjected to electrolytic etching in etching liquid containing additive which acts as etching promoter.例文帳に追加

表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成されためっき膜をエッチング促進剤として機能する添加剤を含有したエッチング液中で電解エッチングする工程とを有する。 - 特許庁

The method further includes the steps of then, removing the plated resist layer 3, thereafter forming an etching resist layer 7 of the thickness capable of coating the bump 4 and the register mark 5, aligning and exposure developing a predetermined wiring pattern on the etching resist layer 7 to the register mark 5, and etching to form circuit wiring 9.例文帳に追加

次いで、めっきレジスト層３を除去した後、バンプ４および位置合わせ用ターゲット５を被覆できる厚さのエッチングレジスト層７を形成し、エッチングレジスト層７に所定の配線パターンを位置合わせ用ターゲット５に対して位置合わせをして露光現像し、エッチングして回路配線９を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes an etching process stage of etching the low permittivity insulating film formed on a substrate, a CO_2 plasma process stage of exposing the substrate to the CO2 plasma after the etching process stage, and an ultraviolet process stage of irradiating the low permittivity insulating film with ultraviolet rays after the CO_2 plasma process stage.例文帳に追加

基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ_2プラズマに晒すＣＯ_2プラズマ処理工程と、ＣＯ_2プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by an etching process using laser beam irradiation, which can applied for production of a semiconductor device in wide range requiring the etching process for a complicated shape, deep and large removal region or the like, and can obtain high etching rate.例文帳に追加

レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By this forming method, the fine hole can be formed in the printed board speedily at a low cost by etching other materials (e.g. glass fibers) of the printed board 10 which can not be removed with plasma by using a chemical solution after etching for the fine hole is carried out by mainly using plasma technology and plasma etching is performed.例文帳に追加

主にプラズマ技術を利用して微小穴のエッチングを行い、且つプラズマエッチングした後、化学溶液を利用してプラズマで除去できないプリントボード１０のその他の材料（例えば、ガラス繊維）をエッチングさせ、迅速且つ低コストで行うことができるプリントボードの微小穴の形成方法である。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a semiconductor device by allowing each fluorine-containing agent in an etching environment to have the specific ratio of fluorine atoms to atoms other than fluorine, and executing etching with a specific pressure, or executing etching with specific power density.例文帳に追加

本発明による半導体装置を製造する方法は、基板（３０）内または基板（３０）上に実質的に垂直な端部を形成し、実質的に垂直な端部に沿って基板（３０）上に第１層（３９）を形成し、第１層（３９）をエッチングしてスペーサ（４２）を形成することにより半導体装置を形成する方法である。 - 特許庁

In the wet etching method of a compound semiconductor, a laminated compound semiconductor layer is formed, which includes two layers of compound semiconductor layers 31 and 32 having different etching rates, and etching is carried out from the end surface of the laminated compound semiconductor layer, to form a tapered shape 113 on the end surface of the lower compound semiconductor layer 31.例文帳に追加

２層のエッチングレートの異なる化合物半導体層３１、３２より成る積層化合物半導体層を形成し、この積層化合物半導体層にその端面からエッチングを施して下層の化合物半導体層３１端面にテーパ形状１１３を形成する化合物半導体ウェットエッチング方法。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming an insulating film 4 so as to embed scratches 3a, 3b occurring on the surface of the film 2 at this polishing time, and then etching back under the condition where an etching selection ratio of the film 4 to the film 2 becomes '1' by reactive ion etching until the film 2 is exposed.例文帳に追加

この研磨時に層間絶縁膜２の表面に生じるスクラッチ３ａ、３ｂを埋め込むように絶縁膜４を形成した後、層間絶縁膜２に対する絶縁膜４のエッチング選択比が１になる条件で反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜２が露出するまでエッチバックを行う。 - 特許庁

In the method of forming a plurality of lead frame continuous bodies 5 by etching after forming pilot holes 2 in a metal plate 1 by press, a width of the metal plate is reduced by separating a side edge portion 1a where the pilot holes 2 are formed, before the etching, and then the etching is performed.例文帳に追加

金属板材１にプレス加工によりパイロットホール２を形成した後、エッチング加工によって複数条のリードフレーム連接体５を形成する製造方法において、パイロットホール２が形成されている側縁部分１ａをエッチング加工前に分離することによって、金属板材１の幅を狭くしてエッチング加工を行う。 - 特許庁

The manufacturing method for a crystal oscillating piece for working a crystal wafer by etching from front and rear sides changes the dimensions of a mask to be used in etching by the front and rear sides of the crystal wafer and performs etching with a mask of smaller dimensions defined as a reference mask and a mask of larger dimensions as a relative mask.例文帳に追加

水晶ウェハーを表裏からのエッチングにより加工する水晶振動片の製造方法であって、エッチングの際に使用するマスクの寸法を水晶ウェハーの表裏で変え、寸法の小さいマスクを基準マスクとし、寸法の大きいマスクを相対マスクとしてエッチングを行う水晶振動片の製造方法とした。 - 特許庁

In the etching method for soaking a silicon wafer into an etchant for etching, before etching, the silicon wafer is so heated that the temperature of the silicon wafer becomes the same as the temperature of the etchant or the temperature in a predetermined temperature range from the etchant temperature, and then the heated silicon wafer is soaked into the etchant.例文帳に追加

シリコンウエーハをエッチング液に浸漬しエッチングを行うエッチング方法において、前記エッチングを行う前に、前記シリコンウエーハの温度が前記エッチング液の液温と同温又は該液温から所定の温度範囲内の温度になるように前記シリコンウエーハを加温し、該加温したシリコンウエーハを前記エッチング液に浸漬するようにした。 - 特許庁

The method is provided with an outline etching process (S104) for etching a mask material positioned on the outline of a region to be removed in a mask so that it is penetrated by using convergent ion beams and etching gas, and a removing process (S106) for removing the mask material positioned on the inner side of the outline of the region to be removed in the mask.例文帳に追加

収束イオンビームとエッチングガスとを用いて、マスクの除去したい領域の輪郭に位置するマスク材料を貫通するようにエッチングする輪郭エッチング工程（Ｓ１０４）と、前記マスクの除去したい領域の輪郭の内側に位置するマスク材料を除去する除去工程（Ｓ１０６）と、を備える。 - 特許庁

To provide an etching apparatus having a transporting means for transporting a metal sheet as a workpiece and an etching nozzle for spraying an etching liquid to the metal sheet, which can etch very anisotropically with little uneveness even if the workpiece is large, and to provide a method therewith.例文帳に追加

被加工物である金属板を搬送する搬送手段と、金属板にエッチング液をスプレー状に噴射するエッチングノズルとを備えるエッチング装置において、被加工物が大型化した場合でも、高い異方性加工が可能で加工ムラの少ないエッチング加工を行うことが可能なエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Then, an oxide film is formed on all the surface through a CVD method, and a side wall 9 is formed on the side wall of the gate electrode 8 by etching back the oxide film.例文帳に追加

次に全面にＣＶＤ法で酸化膜を堆積し、エッチバックによってゲート電極８の側壁にサイドウォール９を形成する。 - 特許庁

The method for forming the pattern comprises the steps of forming an ITO film 50 and an MoCr film 100, and dry etching the film 50 and the film 100.例文帳に追加

ＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００を形成し、これらＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００をドライエッチングする。 - 特許庁

Using RF etching method, a barrier metal layer 120 is left only on a bottom face of a trench 108 and on a lower sidewall of an insulating film pattern.例文帳に追加

RFエッチング方法でトレンチ１０８の底面と絶縁膜パターンの下部側壁にのみ障壁金属層１２０を残留させる。 - 特許庁

To provide a method for the metallization of an electrically non-conductive substrate that can be employed if very different etching baths are used.例文帳に追加

本発明は、種々のエッチングバスを採用することのできる、非導電性基板（サブストレート）への金属被覆（メタライゼーション）方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating semiconductor device which can control removal by etching of a film embedded to fill an element isolation groove.例文帳に追加

素子分離溝内に充填した埋め込み膜がエッチング除去されることを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for preventing deterioration of wiring reliability due to a reaction product generated in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a conductive film useful as a charge preventing film having etching resistance which is adaptive to semiconductor processes.例文帳に追加

半導体プロセスに適応し得るエッチング耐性を有する帯電防止膜として有用な導電性膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for forming a contact hole, having a desired shape, by simple etching-rate control.例文帳に追加

簡単なエッチングレートの管理により所望の形状のコンタクトホールを形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a display device in which a side etching of a laminated structure is prevented and a good shaped patterning can be made possible.例文帳に追加

積層構造のサイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As an etching stopper film 110 to be used for the damascene method, a film (SiCN film) containing Si, C and B as main elements is used.例文帳に追加

ダマシン法で用いるエッチングストッパ膜１１０としては、ＳｉとＣとＮとを主要元素として含む膜（ＳｉＣＮ系膜）を用いる。 - 特許庁

To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an oscillator to be manufactured in photolithographic and dry etching processes with its natural frequency having less dispersion.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びドライエッチング行程により製造され、固有振動数のばらつきを低減できる振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for patterning a surface which can keep the etching selection ratio of a substrate to a mask high irrelevantly to a mask opening rate.例文帳に追加

マスク開口率によらずにマスクに対する基板のエッチング選択比を高く保つことができる表面パターニング方法を提供する。 - 特許庁

As an etching stopper film 110 to be used for the damascene method, a film (SiCN film) containing Si, C and B as main elements is used.例文帳に追加

ダマシン法で用いるエッチングストッパ膜１１０には、ＳｉとＣとＮとを主要元素として含む膜（ＳｉＣＮ系膜）を用いる。 - 特許庁

The composition provides significant optical characteristics, mechanical properties and etching selectivity and is applicable by a spin-on coating method.例文帳に追加

これらの組成物は、顕著な光学特性、機械特性およびエッチング選択性をもたらし、スピンオン塗布法を用いて、塗布することができる。 - 特許庁

To provide a halftone mask that facilitates process shape control during etching and to provide a method of manufacturing a pattern substrate using the mask.例文帳に追加

エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること - 特許庁

The wet etching method includes immersing a gold material made of gold or a gold compound such as auric oxide into concentrated sulfuric acid containing carbon monoxide.例文帳に追加

金又は酸化金などの金化合物からなる金材料を、一酸化炭素を含む濃硫酸中に浸漬してウエットエッチングする。 - 特許庁

In this manufacturing method, opening parts OP3 penetrating at least an interlayer insulating film 5 are formed by anisotropic dry etching using a resist mask RM2.例文帳に追加

レジストマスクＲＭ２を用いて異方性ドライエッチングを施し、少なくとも層間絶縁膜５を貫通する開口部ＯＰ３を形成する。 - 特許庁

To contrive improvement in cleaning efficiency and further to prevent etching of substrates in a method (or an equipment) for cleaning substrates such as semiconductor substrates.例文帳に追加

半導体基板等の基板を洗浄する方法（又は装置）において、洗浄効率の向上を図り、更には基板のエッチングを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing the degradation of the characteristics of the semiconductor device, by reducing a damaged layer introduced through plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングによって導入された損傷層を軽減し、半導体装置の特性を劣化させない製造方法を提供する。 - 特許庁

This channel-constituting part and the reflection-preventing structure are formed by one process using a wet etching method by simultaneous processing of both surfaces.例文帳に追加

この流路構成部および反射防止構造は、ウエットエッチング法を用いた一つの工程で両面の同時加工により形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a High-k film can be etched while preventing the side etching of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のサイドエッチングを防いでＨｉｇｈ−ｋ膜をエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated silicon substrate by suppressing the occurrence of a void in a wafer laminating interface due to etching.例文帳に追加

エッチングを原因としたウェーハ張り合わせ界面でのボイドの発生が抑えられる張り合わせシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method and an imprint device capable of reducing processing steps and processing devices and forming minute vias.例文帳に追加

処理工程や処理装置を削減するとともに微細なビア形成を可能とするエッチング方法およびインプリント装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a semiconductor device by acquiring a larger process margin for etching a High-k film.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ膜をエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、安定的に半導体装置を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

An electric charge is poured into the ONO laminated film 5 by plasma dry etching or plasma chemical gas phase growing method after the charge accumulation treatment.例文帳に追加

電荷蓄積処理の後、プラズマ・ドライエッチングまたはプラズマ化学的気相成長法によりＯＮＯ積層膜５に電荷を注入する。 - 特許庁

To provide a method and a device for determining an endpoint in an alternating cyclic etching process or a time-division multiplex process.例文帳に追加

交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the nitride semiconductor device 10 comprises the steps of first formation, second formation, and dry etching.例文帳に追加

窒化物半導体素子１０の製造方法は、第１形成工程と、第２形成工程と、ドライエッチングを行なう工程とを備えている。 - 特許庁

The method also comprises the steps of pattern forming the conductor layer part exposed from the opening 3 and the plated layer part by etching, and executing the copper plating 10.例文帳に追加

開口部３から露出している導体層部分とめっき層部分をエッチングしてパターン形成し、銅めっき１０を施す。 - 特許庁

The method improves the treatment speed and reduces damage of a workpiece in comparison with charged particle vapor deposition and etching.例文帳に追加

局部的プラズマ処理方法は、帯電粒子蒸着およびエッチングに比べて、処理速度を向上させ、加工物損傷を低減する。 - 特許庁

To provide cutters for surgery, capable of further lowering piercing resistance or the like while preventing excessive etching, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

過剰エッチングを防止してさらに刺通抵抗等を下げることができる外科用刃物類とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suitable for microfabrication technology by forming a film which exhibits excellent film formation properties and etching resistance.例文帳に追加

成膜性及びエッチング耐性に優れる膜を形成し、微細加工技術に適する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁