「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

A sheet which is formed in a shape of paper made of activated charcoal and carbon nanotubes by applying a paper making method, is integrated with an etching foil via irregularities formed on a surface of the etching foil composing a current collector to prepare the electrode for the electric double-layer capacitor.例文帳に追加

活性炭とカーボンナノチューブを抄紙成型したシートを、集電体を構成するエッチング箔の表面に形成された凹凸部を介してエッチング箔と一体化して、電気二重層キャパシタ用電極を作成する。 - 特許庁

To provide a forming method of an etching mask capable of improving uniformity of CD of a pattern in double patterning, and forming an etching mask having uniform and excellent CD, and to provide a control program and a program storage medium.例文帳に追加

ダブルパターニングにおけるパターンのＣＤの均一性を向上させることができ、ＣＤが均一で良好なエッチングマスクを形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a magnetic layer is accurately etched to obtain a prescribed form in an etching process of the magnetic layer and etching going to be applied to a conductive layer and an insulation layer can be prevented and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

磁性層のエッチング工程において、磁性層を正確にエッチングして所定の形状とすることができ、かつ、導電層や絶縁層がエッチングされることを防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the micro-diamond electrode includes a film forming process for forming a diamond thin film 42 on a substrate 411 comprising silicon or the like and an etching process for etching the diamond thin film 42 to remove a predetermined place to provide the microelectrode 42p.例文帳に追加

シリコン等の基板４１１上にダイヤモンド薄膜４２を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜４２をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極４２ｐを設けるエッチング工程とを備えるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that prevents increase in the contact resistance due to etching of a semiconductor layer when etching an interlayer dielectric, and is excellent in writing characteristics and charge retention characteristics; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタクト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for effectively, easily and inexpensively producing carbonyl sulfide which is an important compound attracting attention as an etching gas for highly anisotropic and highly selective etching by a plasma of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning solution and a cleaning method for semiconductor substrates wherein impurity-doped insulating films are not damaged and wherein etching-derived by-products and silicon films damaged by etching can be selectively removed.例文帳に追加

不純物のドープされた絶縁膜を損傷させず、エッチング副産物またはエッチングにより損傷されたシリコン膜などを選択的に除去することが可能な半導体基板用洗浄液及び洗浄方法を提供する。 - 特許庁

In one of the many embodiments, the method includes assigning a bias voltage to each of at least one etching process, and generating the assigned bias voltage before initiation of one of the at least one etching process.例文帳に追加

多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for patterning source/drain electrodes and an active layer by etching without using any lift-off methods in the case of a material having properties capable of etching with at least the same type of etchant.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と活性層が、少なくとも同じ種類のエッチャントによってエッチング可能な性質を有する材料である場合において、リフトオフ法を使用せず双方をそれぞれエッチングによってパターニングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaner for a semiconductor substrate by which a clean substrate surface can be obtained without leaving a reactive product at etching on the surface of the semiconductor substrate while securing high etching rate, and its cleaning method.例文帳に追加

高いエッチングレートを確保しながら、エッチング時の反応生成物を半導体基板表面に残すことなく、清浄な基板表面を得ることができる半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride based semiconductor laser element, after laminating nitride based semiconductor layers 2-10 on a n-type GaN substrate 1, a projecting ridge portion 11 is formed by dry etching using an ICP etching device.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。 - 特許庁

To prolong the service life of an etchant in an etching method where an etchant composed essentially of ferric chloride is supplied to a material to be etched while circulating the etchant and also to stabilize the quality of the material to be etched after the etching treatment.例文帳に追加

被エッチング材に対し塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を循環しながら供給するエッチング方法において、エッチング液の使用寿命を延ばし、且つエッチング処理後の被エッチング材の品質を安定させること。 - 特許庁

To provide substrate surface treatment device and method for uniformly performing etching treatment by vapor containing acid within a substrate surface, and especially preventing the decrease in an etching rate at the peripheral section of the substrate.例文帳に追加

酸を含む蒸気によるエッチング処理を基板面内で均一に行うことができる、特に基板の周縁部でのエッチングレートの低下を防止することができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching device capable of etching a rare earth element oxide formed on a silicon board at a high selection ratio, and a manufacturing method for a semiconductor in which a rare earth element oxide film is formed on a silicon board.例文帳に追加

シリコン基板上に形成された希土類元素の酸化物を高い選択比でエッチングすることができるプラズマエッチング装置、及びシリコン基板上に希土類元素の酸化膜が形成された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a fine pattern having sufficient dry etching durability for a base film can be formed with high reproducibility while preventing spike phenomenon as etching in a photoresist film.例文帳に追加

本発明は、フォトレジスト膜がエッチングされていくスパイク現象を無くし、下地膜に対して十分なドライエッチング耐性を有し、かつ、微細なレジストパターンを再現性良く形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching treatment method for a metallic oxide film by which the prescribed part of a metallic oxide film containing indium as the main component of metallic atoms is selectively subjected to etching, and finer working can be performed thereto.例文帳に追加

インジウムを金属原子の主成分とする金属酸化物膜の所定部位を選択的にエッチングして、より一層微細な加工を施すことができる金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes etching a stacked metal film 14 which is formed by sequentially stacking the first film 12 made from the nickel alloy and the second film 13 made from copper or the alloy thereof on the substrate 11, by using the first etchant or the second etchant.例文帳に追加

これら第１のエッチング液又は第２のエッチング液を用いて、基板１１上にニッケル合金からなる第一膜１２と、銅又はその合金からなる第二膜１３とを順に重ねてなる積層金属膜１４をエッチングする。 - 特許庁

To provide a novel compound for photoresist being used for performing precision-machining utilizing photo-lithography, a photoresist liquid using the compound for photoresist, and an etching method for etching a desired surface using the photoresist liquid.例文帳に追加

フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される、新規なフォトレジスト用化合物、上記フォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記フォトレジスト液を使用して、所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor etching method capable of performing etching by stably controlling a work shape and a depth, etc., concerning the group III nitride semiconductor using a group III nitride material.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物材料を用いるＩＩＩ族窒化物半導体において加工形状および深さなどを安定的に制御してエッチングを行なうことのできるＩＩＩ族窒化物半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method, a base material having the first area mainly constituted of Si and the second area mainly constituted of SiO_2 is etched, by using an etching agent containing hydrogen fluoride and ozone.例文帳に追加

本発明のエッチング方法では、主としてＳｉで構成される第１の領域と、主としてＳｉＯ_２で構成される第２の領域とを有する基材を、フッ化水素とオゾンとを含むエッチング剤を用いてエッチングするものである。 - 特許庁

The capacitor aperture has a narrower line width and a shallower depth than those of the via aperture to obtain a microloading effect in a plasma etching method that is used for simultaneously etching the capacitor aperture and the via aperture in the substrate.例文帳に追加

キャパシタ・アパーチャは、基板内でキャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャを同時にエッチングするために用いられるプラズマ・エッチ法におけるマイクロローディング効果に伴なってバイア・アパーチャよりも狭い線幅およびより浅い深さで形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor light-emitting element comprises: forming a sacrifice part within a width of a street part of a semiconductor laminate; applying wet etching for removing the sacrifice part together with a peripheral part thereof; and removing an etching residue remaining in the street.例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法は、半導体積層体のストリート部の幅以内に犠牲部を形成し、犠牲部とともにその周囲部分を除去するウェットエッチングを施し、ストリートにあるエッチング残存物を除去する。 - 特許庁

Further, the method for forming a conductor pattern is characterized in that the part which has not been coated with an etching resist (3) in a copper layer on an electrical insulating material (3) is etched using the etching liquid, so as to form a conductor pattern (2).例文帳に追加

また、本発明の導体パターンの形成方法は、電気絶縁材(1)上の銅層のエッチングレジスト(3)で被覆されていない部分を、上記本発明のエッチング液を用いてエッチングし、導体パターン(2)を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method performs anisotropic etching from the reverse side of the Si until the width of the part which is made to reach the oxide film area of the SOI board by anisotropic etching becomes greater than the width of the area of the surface of the SOI board from which the Si is removed.例文帳に追加

Ｓｉ裏面から異方性エッチングを、前記ＳＯＩ基板表面のＳｉを除去した領域の幅より異方性エッチングによってＳＯＩの酸化膜領域に到達させた部分の幅が大きくなるまで行う。 - 特許庁

To provide a method for etching a resin film, by which the resin film can be etched in a short time anisotropically to the thickness direction of the resin film in a beautifully and uniformly arranged etching shape.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができるエッチング方法を提供せんとするものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a forming method of a hole or a groove part using an inductively coupled plasma etching device free to maintain etching speed and working quality and a manufacturing method of an ink jet head.例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置において、処理時間や処理枚数の増加にともない、チャンバー内壁へフッ素化合物のポリマーが付着していくことによる、エッチング速度低下改善およびノズル穴または溝部の深さ方向に対する垂直性およびウェハ面内の深さバラツキ低減方法の確立。 - 特許庁

The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.例文帳に追加

レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein it is possible to form a trench wiring by a dual damascene method, capacitance of an etching stopper film is reduced, and deterioration of adhesion of an insulating film which is to be caused by the etching stopper film is prevented, and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

デュアルダマシン法により溝配線を形成することが可能であり、エッチングストッパ膜の電気容量が低減された、或いはエッチングストッパ膜に起因する絶縁膜の密着性の低下が防止された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method, easily forming a structure having a floating part floated from the base material and a fixed part fixed to the base material a vibrator manufactured according to the etching method and an electronic equipment including the vibrator.例文帳に追加

基材から浮上する浮上部と基材に固定された固定部とを有する構造体を、固定部を小さく設計した場合でも、容易に形成することができるエッチング方法、このエッチング方法を用いて製造された振動子、この振動子を備える電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a dry etching method processing an etching object layer into a shape of a desired rugged pattern with a high precision, a magnetic recording medium manufacturing method utilizing the same, and a magnetic recording medium which has a recording layer formed into a rugged pattern and allows good magnetic characteristics to be surely obtained.例文帳に追加

被エッチング層を所望の凹凸パターンの形状に高精度で加工できるドライエッチング方法、これを利用した磁気記録媒体の製造方法及び記録層が凹凸パターンで形成され、良好な磁気特性が確実に得られる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electro-optic device capable of preventing generation of electrostatic breakdown even when a high dielectric constant insulating film is used for a dielectric layer and dry etching is employed for etching the high dielectric constant insulating film or the like, and to provide an electro-optic device manufactured by the method.例文帳に追加

誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a patterning method of a conductive thin film, where resist and an etching liquid having a large environment load as in chemical etching are not used, damage is small and treatment time is short to a base and a conductive thin film having weak chemical resistance properties, in the plasma patterning method of the conductive thin film.例文帳に追加

導電性薄膜のプラズマパターニング方法において、ケミカルエッチングのように環境負荷の大きいレジストやエッチング液を使用せず、更に耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of shadow mask never causing a diameter failure of pore by forming an etching corrosion-resisting resin layer without leaving bubbles in a pore in the formation of the etching corrosion- resisting resin layer on the pore side in the manufacturing method of a shadow mask by photeteching.例文帳に追加

フォトエッチング法によりシャドウマスクを製造する方法にて、小孔側にエッチング耐蝕樹脂層を形成する際に、小孔内に気泡を残さずエッチング耐蝕樹脂層を形成し、小孔の孔径不良を発生させないシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this method, after etching and the photo resist peeling, the magnetic field reinforcement type reactivity ion etching method is used for removing a residual substance.例文帳に追加

本発明の方法によれば、エッチング及びフォトレジスト剥離後、磁界強化型反応性イオンエッチング法を用いて残留物質を除去することにおいて、その反応条件は、弗素及び酸素を含む気体が反応気体として用いられ、圧力が１０〜５０mtorrで、磁界が２０〜１００ガウスである。 - 特許庁

To provide a method and a device for measuring an etching depth capable of measuring precisely the depth of an etching groove usable for any wafer, even when the various kinds of wafers including a wafer narrow in a measuring objective surface area are measured, and provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

測定対象面積が小さいウエハを含むような、多品種のウエハを測定するような場合でも、それらのウエハのいずれに対しても精度良くエッチング溝の深さを算出できるエッチン深さ測定方法とその装置、および、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a quartz, capable of forming a highly precise electrode pattern by washing with an acid before etching a quartz wafer for preventing the etching unevenness from its generation, and a method for producing a quartz device.例文帳に追加

水晶ウェハをエッチングする前に、酸によって洗浄することによって、エッチングの際に生じるエッチングムラの発生を防止して、高精度な電極パターンの形成を行うことができる水晶の表面加工方法及び水晶デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a finely-processed metallic product, which efficiently processes a metal so as to acquire superior properties with high accuracy by using a binary fluid etching technique of simultaneously spraying both of an etching liquid and a gas from the same nozzle to spray the etching liquid in a mist form, and to provide the finely-processed metallic product made by the manufacturing method.例文帳に追加

金属の微細加工を、同一ノズルからエッチング液と気体の双方を同時に噴射し、エッチング液が霧状に噴射される２流体エッチングにより行う方法において、加工特性が高く、効率よく高精度に行うことのできる金属微細加工製品の製造方法およびその製造方法により作られた金属微細加工製品を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a dry etching method in which machining with superior machining precision and quality can be performed by reducing in-plane variance in etching rate, by solving the problem that the outer periphery of a sample is insufficiently machined because of in-plane variance in etching rate in the sample is large as to dry etching of an oxide film etc., is large to possibly generate problems of machining precision and quality.例文帳に追加

酸化膜等のドライエッチングに関し、試料内におけるエッチングレートの面内バラツキが大きいために試料外周部に加工量の不足部分が発生して加工精度や品質面において問題発生の恐れがあるという課題を解決し、エッチングレートの面内バラツキを低減して加工精度や品質面において優れた加工を行うことができるドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of producing the adsorbent comprises: separating metallic ions except for an iron ion dissolved by etching from an etching liquid having deteriorated ferric chloride as a main ingredient after etching-processing electronic parts to recover etching liquid; obtaining an iron-containing solid generated by neutralizing a part of the recovered liquid obtained by the recovery or a diluted liquid thereof with an alkali liquid; and adding an acid to the iron-containing solid to acidify.例文帳に追加

その吸着剤の製造方法は、電子部品をエッチング処理した後の劣化した塩化第２鉄を主成分とするエッチング液からエッチングにより溶解された鉄以外の金属イオンを分離して前記エッチング液を再生し、その再生により得られた再生液の一部又はその希釈液をアルカリ液で中和して生成した鉄含有固形物に酸を添加して酸性化せしめることを特徴とするものである。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the organic EL display device carrying out etching of the wiring electrode by wet etching and etching of the insulating film by dry etching.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置の支持基板上に配置された薄膜状の配線電極であって、モリブデン、クロムおよびボロンを含む非晶質合金膜からなることを特徴とする表示装置用配線電極、該配線電極を備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置、および、前記配線電極をウェットエッチングにより、絶縁膜のエッチングをドライエッチングにより行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask by which an optimum etching period can be always set corresponding to changes in a device state with lapse of time upon dry-etching a shifter film of a phase shift mask, particularly for a halftone phase shift mask, etching conditions can be set considering variance in the shifter film thickness caused by formation of a shifter film or etching of a chromium light shielding film.例文帳に追加

フォトマスクの製造方法に関し、位相シフトマスクのシフター膜をドライエッチングする際、経時的な装置状態の変化に対応して常に最適なエッチング時間の設定を行うことができるように、特に、ハーフトーン型の位相シフトマスクにおいては、シフター膜形成やクロム遮光膜のエッチングによって生じるシフター膜厚のばらつきを考慮したエッチング条件の設定を行なうことができるようにする。 - 特許庁