「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method by which the quantity of etching of each substrate can be grasped, and to provide a method of manufacturing liquid crystal display device.例文帳に追加

本発明は、個々の基板のエッチング量を容易に把握することができる基板処理方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided flexible circuit board manufacturing method capable of properly forming a conduction hole used for the formation of a viahole in an insulating base material through a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材に対するビアホ−ル形成の為の導通用孔を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate and a manufacturing method of a semiconductor device, which reduce the particle contamination resulting from the etching residue of a support.例文帳に追加

支持体のエッチング残渣に起因したパーティクル汚染を低減できるようにした半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a micro-device which can perform a desired fine processing by carrying out anisotropic etching to a substrate, and to provide a method for manufacturing a liquid jetting head.例文帳に追加

基板を異方性エッチングすることによって、所望の微細加工を行うことができるマイクロデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Such a structure is different from a double core structure by a conventional etching method, and the method using the SAG is far advantageous to obtain the spot size converter having an excellent performance.例文帳に追加

このような構造は、従来のエッチング法による２重コア構造とは違って、SAGを用いた方法がはるかによい性能のスポットサイズ変換器を得るのに有利である。 - 特許庁

A method for varying an etching speed at the time of forming the groove with the impurity injection is applied to the method for forming the groove 150 deeper than the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

溝１５０を半導体基板表面よりも深く形成する方法として、不純物を注入することによって溝形成時のエッチング速度をかえる手法を用いる。 - 特許庁

To provide a striation detection method for a semiconductor crystal, capable of easily and simply revealing striation of the semiconductor crystal by improving a conventional etching method.例文帳に追加

従来のエッチング法を改善し、半導体結晶のストリエーションを容易、且つ簡便に顕在化させることのできる半導体結晶のストリエーション検知方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method which can manufacture a high-capacity anode foil for an electrolytic capacitor by controlling a pit generating point uniformly using an inexpensive and simple method in an etching step.例文帳に追加

エッチング工程にて、安価かつ簡易な方法でピット発生点を均一に制御して高容量の電解コンデンサ用陽極箔を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method by which retrogression of a desired pattern is suppressed at etching of an unnecessary pattern in patterning method using a phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いたパターン形成において、不要パターンをエッチングする際に所望パターンの後退を抑制することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Also, this method uses an etching method to remove a part exposed to the other end face in the one end external electrode and the conductive internal electrode from the other end face.例文帳に追加

一方端面の外部電極と導通する内部電極の、他方端面への露出部分を、他方端面から除去する方法としてエッチング法を用いる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing mask blanks having a thinner pattern formation area than the other area in a method different from etching.例文帳に追加

エッチングとは異なる方法により、他の領域に比して薄膜のパターン形成領域を有するマスクブランクスを作製することができるマスクブランクスの作製方法を提供する。 - 特許庁

Fe-Ni ALLOY STOCK FOR SHADOW MASK, EXCELLENT IN PROPERTY OF PIERCING BY ETCHING, SIMPLE METHOD FOR INCLUSION OBSERVATION, AND METHOD FOR DISCRIMINATING UNIFORMITY OF ELECTRON BEAM TRANSMISSION HOLE例文帳に追加

エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材並びに介在物の簡易観察方法および電子線透過孔均一性の判別方法 - 特許庁

To provide a method for forming a protection part preventing side etching in a producing method of a multi-layer pattern including two or more layers etched with the same etchant.例文帳に追加

同一のエッチャントでエッチングされる２層以上の層を含む多層膜パターンの製造方法において、サイドエッチングを防ぐための保護部を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pre-treating method for etching a semiconductor wafer, by which the semiconductor wafer of high flatness can be obtained, and the pre-treating method can be easily carried out without causing contamination to an environment.例文帳に追加

高平坦度の半導体ウェーハが得られ、さらに取扱いが容易で環境上も好ましい半導体ウェーハのエッチングの前処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a manufacturing method of a MEMS device capable of preventing poor formation of the protective coat for wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチングに対する保護膜の形成不良の発生を防止可能とした半導体装置の製造方法及びＭＥＭＳ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method can manufacture the light diffusing plate at a lower cost, in simpler processes and in a shorter period of time as compared with a method by photolithographic etching which needs many processes.例文帳に追加

多くの工程を必要とするフォトリソエッチングによる方法に比べて、コストがかからず、簡単なプロセスで短時間に光拡散板を製作することができる。 - 特許庁

To provide a cleaning gas which has a fast etching speed, a high cleaning efficiency and an excellent cost-performance, a cleaning method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

エッチング速度に優れ、クリーニング効率が高くかつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガス及びクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plating method using a plating solution containing no brightener, or a method wherein surface is roughened by etching is performed in order to form the roughened surface of the copper bump 3.例文帳に追加

銅バンプ３の粗面３ａを形成するには、光沢剤を含まないメッキ液を用いてメッキを行なう方法、または表面をエッチングにより粗面化する方法が採られる。 - 特許庁

SOI SUBSTRATE HAVING ETCHING BLOCKING FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, SOI INTEGRATED CIRCUIT PRODUCED ON THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE SOI INTEGRATED CIRCUIT BY USING THE SAME例文帳に追加

エッチング阻止膜を有するＳＯＩ基板、その製造方法、その上に製作されたＳＯＩ集積回路及びそれを用いてＳＯＩ集積回路を製作する方法 - 特許庁

The contact structure can be formed by forming an AlCu film with the CVD method or sputtering method and also forming the upper electrode wiring with the lithographic and dry-etching techniques.例文帳に追加

ＡｌＣｕ膜をＣＶＤ法またはスパッタ法により形成し、リソグラフィーおよびドライエッチング技術により上部電極配線を形成することでコンタクト構造が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon nitride film with high etching selecting ratio and releasability and a method of forming a fine pattern with sufficient precision by using the silicon nitride film.例文帳に追加

エッチング選択比ならびに剥離性の高い窒化シリコン膜を製造する方法、及び窒化シリコン膜を用いて、微細なパターンを精度よく形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method suitable for executing wet etching while sufficiently protecting a protection target, and also to provide a micro movable element that is manufactured by utilizing the method.例文帳に追加

保護対象箇所を充分に保護しつつウエットエッチングを行うのに適した方法、および、当該方法を利用して製造することのできるマイクロ可動素子を、提供する。 - 特許庁

To provide except wet etching as a method for forming through hole in a method for manufacturing a substrate and made of a sapphire and having the through hole including a diameter of less than 0.1 mm.例文帳に追加

サファイアからなり、直径0.1mm未満の貫通孔を有する基板の製造方法において、貫通孔を形成する方法としてウエットエッチング以外のものを提供する。 - 特許庁

To provide an electroless plating method which can form a plating film having high adhesion on a nylon-based resin molded body by a simple method without performing etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行わず、ナイロン系樹脂成形体に高い密着性を有するめっき膜を簡易な方法で形成可能な無電解めっき法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive layer in which the conductive layer can be formed selectively in a predetermined region without using an etching as a patterning method.例文帳に追加

パターニング方法としてエッチングを用いることなく、導電層を所定の領域に選択的に形成することができる導電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for thermodynamically removing oxide on a copper surface, using hafnium as a barrier material, after via-etching in a manufacturing method of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、バイアエッチング後に、バリヤー材料としてハフニウムを使用して銅表面上の酸化物を熱力学的に除去できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid injection head and an etching method of a crystal substrate, wherein generation of foreign matters is surely prevented, so that the reliability is improved.例文帳に追加

異物の発生を確実に防止して信頼性を向上することができる液体噴射ヘッドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure control method which controls quickly and accurately the gas pressure in a chamber of vacuum process equipment and also to provide a dry etching device that uses the pressure control method.例文帳に追加

真空プロセス機器のチャンバの内部のガス圧力の制御を、迅速、適確に行なう圧力制御方法、及びそれを用いたドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

Such a treatment includes a dipping method for dipping a capacitor in an acid or alkaline solution, an electrolytic etching method, a sand blasting method for spraying fine sand over the surface of the aluminum case, or the like.例文帳に追加

梨地面２１の処理方法には、酸又はアルカリ性の溶液に浸漬する方法、電解エッチングによる方法、細かい砂をアルミニウムケース１０の表面に吹き付けるサンドブラスト方法などがある。 - 特許庁

The method comprises, for the step of etching a thin film exposed at the front surface of a substrate, a first step of heating with application of gas plasma almost not including the etching function to the thin film; and a second step of etching the thin film exposed at the front surface of substrate with application of plasma.例文帳に追加

基板の表面に露出している薄膜をエッチングする工程において、上記薄膜に対するエッチング能力を殆んど有しないガスのプラズマの印加により加熱する第１の工程と、上記基板の表面に露出している薄膜をプラズマの印加によりエッチングする第２の工程と、を含む。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

This method comprises the surface of a substrate to a plating treatment of forming a plating film on this surface by bringing the surface into contact with a plating solution and an etching treatment of etching portions of the plating film formed on the surface of the substrate by bringing the substrate after the plating into contact with an etchant and subjecting the surface again to the plating treatment after the etching treatment.例文帳に追加

めっき液に接触させて基板の表面にめっき膜を形成するめっき処理と、めっき後の基板をエッチング液に接触させて基板の表面に形成しためっき膜の一部をエッチングするエッチング処理を行い、エッチング処理後に再度めっき処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

There is provided a method for manufacturing a charged particle beam mask for etching an Si substrate 11 by conducting an inspection of a foreign matter on the surface (etching surface) at an Si substrate 11 side, before etching the Si substrate 11, with an average surface roughness at the Si substrate 11 side of a charged particle beam mask manufacturing substrate 10 set at 5nm or less.例文帳に追加

荷電粒子線マスク製造用基板１０のＳｉ基板１１側（エッチング面）の平均表面粗さを５ｎｍ以下とし、Ｓｉ基板１１をエッチングする前に、Ｓｉ基板１１側（エッチング面）表面の異物検査をして、Ｓｉ基板１１をエッチングする荷電粒子線マスクの製造方法である。 - 特許庁

Further, a method for processing the semiconductor wafer, wherein a planarizing step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that the etching step is performed as above and, in the mirror surface polishing step, a back side polishing step is performed after the acid-etching, and then a surface polishing step is performed.例文帳に追加

および平坦化工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程は上記のように行い、鏡面研磨工程は前記酸エッチング後、裏面研磨工程を行ない、その後表面研磨工程を行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

To simplify an etching process, and to reduce a variation of optical characteristics of an obtained wire grid polarizer as one of objectives, in a method of manufacturing the wire grid polarizer including the etching process in which a metallic wire is formed by etching a metallic layer formed on a substrate having grating projections.例文帳に追加

格子状凸部を有する基材上に形成された金属層をエッチングして金属ワイヤを形成するエッチング工程を有するワイヤグリッド偏光子の製造方法において、当該エッチング工程を簡略化すると共に、得られるワイヤグリッド偏光子の光学特性のばらつきを低減することを目的の一とする。 - 特許庁

To provide an etching method capable of forming a structure with a large hollow section and a space section having a complicated constitution and further the structure having a high aspect ratio with an excellent form accuracy without deteriorating the surface state, because a sacrificial layer can be removed by an etching at a sufficient speed from a fine etching opening.例文帳に追加

微細なエッチング開口から犠牲層を十分な速度でエッチング除去することが可能で、これによって大きな中空部や複雑な構成の空間部を有する構造体、さらには高アスペクト比の構造体を形状精度良好に、かつ表面状態を劣化させずに形成できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting diode having a region (etching region) roughened by etching at least partially on the surface in which a thin-film transparent conductive film can be formed into an effective form in the etching region and the efficiency of LED can be sharply enhanced, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

表面の少なくとも一部にエッチングにより荒らした領域（エッチング領域）を有する発光ダイオードにおいて、当該エッチング領域に薄膜の透明導電膜を有効な形で形成でき、ＬＥＤ効率を大幅に向上することが可能である発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor etching method includes: a process for preparing the base part of the group III nitride semiconductor having a layer with a relatively large amount of aluminum and a layer with a relatively small amount of aluminum; and a process for etching the base part with the use of etching gas containing iodine atoms.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体のエッチング方法は、アルミニウムを相対的に多く有する層と、アルミニウムを相対的に少なく有する層とを含むＩＩＩ族窒化物半導体のベース部を準備する工程と、ベース部に対してヨウ素原子を含むエッチングガスによりエッチングを行なう工程とを備えている。 - 特許庁

A method of manufacturing magnetic heads includes: a process for etching a non-magnetic layer 43P, such that an initial groove including the first portion is formed in the non-magnetic layer 43P; a process for forming an initial groove mask 54 covering the first portion; and a second etching process for etching the non-magnetic layer 43P, such that the groove section is completed.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法は、非磁性層４３Ｐに第１の部分を含む初期溝が形成されるように非磁性層４３Ｐをエッチングする工程と、第１の部分を覆う初期溝マスク５４を形成する工程と、溝部が完成するように非磁性層４３Ｐをエッチングする第２のエッチング工程を含んでいる。 - 特許庁

The etching method can include producing an oxidizing substance by electrolyzing a sulfuric acid solution, and producing an etching solution having a prescribed oxidizing species concentration by controlling a produced amount of the produced oxidizing substance, and the produced etching solution is fed to the surface of a workpiece.例文帳に追加

硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin-film transistor, a sacrifice layer formed of a metal oxide semiconductor is formed over a conductive layer formed of a metal oxide semiconductor; a metal film is formed over the sacrifice layer; the metal film is processed by dry etching; and the sacrifice layer exposed by the dry etching is subjected to wet etching.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

The pretreatment method for electroless-nickel-plating aluminum or the aluminum alloy comprises the step of etching aluminum or the aluminum alloy with an etching solution containing copper ions, and the step of removing an etching residue from etched aluminum or an etched aluminum alloy with a cleaning solution capable of dissolving copper.例文帳に追加

アルミニウムやアルミニウム合金に無電解ニッケルめっきを行うための前処理方法として、銅イオンを含有するエッチング溶液でアルミニウム、アルミニウム合金をエッチングする工程と、エッチング後のアルミニウム、アルミニウム合金から、銅を溶解することができる洗浄溶液を用いてエッチング残渣を除去する工程と、を有するものとする。 - 特許庁

To provide an etching method of a gallium nitride based semiconductor capable of executing fine etching only at a desired part at a sufficient etching speed without forming a protective film on a surface and without damaging the surface, and capable of applying even to a compound semiconductor of indium nitride or the like to be decomposed at a low temperature.例文帳に追加

表面に保護膜を形成することなく、かつ表面にダメージを与えることなく、所望箇所のみに微細なエッチングを、十分なエッチング速度で行うことができ、かつ、低温で分解する窒化インジウムなどの化合物半導体に対しても適用できる窒化ガリウム系半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁