「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

The structure determination device 80 measures a size of a pattern structure on a wafer surface before the etching processing using the scatterometry method.例文帳に追加

構造判別装置８０は、エッチング処理前におけるウェハ表面のパターン構造の寸法を、スキャトロメトリ法を用いて測定する。 - 特許庁

To etch an InP layer by a dry etching method in a more stable state without inviting a rise in the cost.例文帳に追加

コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。 - 特許庁

To provide a nano-meter scale etching method of a metallic film, by which the metallic film is etched under a control in a nano-meter scale.例文帳に追加

ナノメートルスケールで制御して金属膜をエッチングすることが可能な金属膜のナノメートルスケールエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The inert gas used for the etching method contains as a principal content at least one selected from neon, argon, krypton and xenon.例文帳に追加

該不活性ガスが、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの中の少なくとも一つを主成分とすることを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric barrier with a low dielectric constant, improved etching resistivity, and excellent barrier characteristics.例文帳に追加

低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate high-precision measurement of a V-groove by simplifying the method for measuring the V-groove as well as an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスを簡素化すると共に、Ｖ溝の測定方法を簡素化してＶ溝の高精度測定が容易になるようにする。 - 特許庁

Furthermore, the method includes a fifth step of patterning by etching an Si wafer 1 using the SiO_2 layers 3 after the fourth step as a mask.例文帳に追加

さらに、第４工程後のＳｉＯ_2層３をマスクにして、Ｓｉウエハ１をエッチングしてパターニングする第５工程を備えている。 - 特許庁

To decide the presence or absence of an etching product, without having to directly observe it in a semiconductor device, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

半導体装置とその製造方法において、エッチング生成物を直接観察することなくその有無を判断すること。 - 特許庁

To provide an etching method that controls the tapered shape of projections regardless of the shape of a resist film, and also to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

レジスト膜の形状に関係なく凸部のテーパ形状を制御できるエッチング方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing an in-plane dispersion of line widths of a pattern formed on an etching object material.例文帳に追加

被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with a dual damascene structure where etching amount of a low dielectric constant film is controlled.例文帳に追加

低誘電率膜のエッチング量を制御したデュアルダマシン構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a selective cleaning composition for removing residues such as photoresist, etching residue, etc., and to provide a cleaning method.例文帳に追加

フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for carrying out uniformly the plasma etching of a wafer surface using a silicon electrode board of the almost same size as the wafer.例文帳に追加

ウエハとほぼ同じ寸法のシリコン電極板を用いてウエハ表面を均一にプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device and a processing method that suppress clogging of a filter while maintaining precision of etching processing.例文帳に追加

エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method suppressing increase of specific permittivity of a porous insulating film having low permittivity.例文帳に追加

低誘電率を有する多孔性の絶縁膜における比誘電率の増大を抑制可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of simultaneously cleaning inorganic and organic contaminants from semiconductor wafers and micro-etching the semiconductor wafers.例文帳に追加

有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of comparatively enlarging a selection ratio when dry-etching an insulating film on a molybdenum-based metal film.例文帳に追加

モリブデン系金属膜上の絶縁膜をドライエッチングする際に、選択比を比較的大きくする事ができる方法を提供する。 - 特許庁

A first color/blue layer is formed on a support member, and stripe-shaped blue patterns 27 are formed by using a dry etching method.例文帳に追加

支持体上に第１色目・青色層を形成し、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の青色パターン２７を形成する。 - 特許庁

METAL FATIGUE ACCELERATING DEVICE OF TRIMMING LINE SECTION AND METAL FATIGUE ACCELERATING METHOD OF TRIMMING LINE SECTION, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT例文帳に追加

トリミング線部の金属疲労促進装置とトリミング線部の金属疲労促進方法、およびエッチング加工製品の製造装置 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon-on-nothing (SON) MOSFET using selective etching of a Si_1-xGe_x layer.例文帳に追加

Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層の選択的エッチングを用いるシリコンオンナッシング（ＳＯＮ）ＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for transferring the pattern comprises the steps of selectively modifying the resist film after the rugged mold is pressed by emitting an ultraviolet ray, and then wet etching the film.例文帳に追加

凹凸型をプレスした後のレジスト膜を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

A silicon nitride film, a thermal oxide film 4, and the silicon substrate 2 are etched anisotropically by dry etching method so as to form a trench.例文帳に追加

ドライエッチング法によりシリコン窒化膜６、熱酸化膜４及びシリコン基板２を異方的にエッチングしトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a lithium niobate single crystal having a high etching rate and a large electromechanical coupling coefficient and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エッチングレートが速く、電気機械結合係数が大きいニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCHING RESIDUAL, AND METAL OXIDE FROM SUBSTRATE CONTAINING ALUMINUM AND ALUMINUM-COPPER-ALLOY例文帳に追加

レジスト、エッチング残渣、及び金属酸化物をアルミニウム及びアルミニウム銅合金を有する基板から除去する方法及び組成物 - 特許庁

To provide an ion working device and an ion working method capable of stably executing plasma CVD or plasma etching.例文帳に追加

安定してプラズマＣＶＤあるいはプラズマエッチングを行うことができるイオン加工装置及びイオン加工方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a capacitor electrode by etching a metal nitride film under an environment containing fluorine and oxygen.例文帳に追加

この方法は、フッ素および酸素を含む環境で金属窒化膜をエッチングしてキャパシタ電極を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a method of forming an FeRAM integrated circuit which includes performing capacitor stack etching to define an FeRAM capacitor.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭキャパシタを画定するキャパシタスタックエッチングを実施することを含む、ＦｅＲＡＭ集積回路の形成方法を得る。 - 特許庁

The ZnSe poly crystal 1 is etched by the reactive ion etching method using chlorine gas which does not included a hydrocarbon group.例文帳に追加

ＺｎＳｅ多結晶体１を炭化水素基を含まない塩素系ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によりエッチングする。 - 特許庁

To provide a novel compound for photoresist, a photoresist liquid using the compound, and an etching method using the photoresist liquid.例文帳に追加

新規なフォトレジスト用化合物、前記化合物を用いたフォトレジスト液、当該フォトレジスト液を使用するエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching elongate features in a generally planar workpiece of a type located in a chamber.例文帳に追加

チャンバ内に置かれるタイプの全体に平坦な加工品に細長い特徴部分をプラズマエッチングするための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask creating method for enabling provision of a mask with desired dimensions by dry etching without recreating a mask.例文帳に追加

マスク再作成を行わなくてもドライエッチングによって所望の寸法のパターンが得られるマスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of dry cleaning that can remove the source of dust generated from the inside wall of a semiconductor etching apparatus.例文帳に追加

半導体エッチング装置内壁で発生する塵埃の発生源を取り去ることのできるドライクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head that can control the PTR even after etching to recover the characteristics.例文帳に追加

特性回復のためのエッチングを行った場合にもＰＴＲの制御が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method of a film to be etched capable of both obtaining highly accurate dry etching and reduction of LER.例文帳に追加

高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the quantity of side etching of a wiring layer and to suppress the narrowing of the wiring width of the wiring layer and an irregularity in the wiring width in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

配線層のサイドエッチング量を減少させ、配線層の配線幅の狭幅化及びばらつきを抑制する。 - 特許庁

The process step of working the metallic layer and the conductive layer by the photoetching method is included and the insulating layer 2 is worked by the wet etching.例文帳に追加

金属層と導電性層をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層をウェットエッチングにより加工する。 - 特許庁

To provide powder for thermal spraying suitable for forming a thermally sprayed coating having excellent plasma etching resistance, and to provide a method for forming the thermally sprayed coating.例文帳に追加

耐プラズマエッチング性に優れる溶射皮膜の形成に適した溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a crystal resonator wherein a side etching is hardly in progress from a boundary face of joined crystal wafers.例文帳に追加

接合した水晶ウエハの境界面からサイドエッチングが進みにくくした水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for dry etching by which silicon can be dry- etched by using resist layers as masks and in which the occurrence of silicon residues due to watermarks can be prevented.例文帳に追加

レジスト層をマスクとしてシリコンをドライエッチングする方法において、ウォータマークに基づくシリコン残渣の発生を防ぐ。 - 特許庁

The manufacturing method of a thin film magnetic head is provided with a process for forming materials for a head, an etching process, and a head forming process.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの製造方法は、ヘッド用素材形成工程と、エッチング工程と、ヘッド形成工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method in which a self aligned contact etching process is used and capable of forming a pad without a void.例文帳に追加

セルフアラインコンタクトエッチング工程を採用し、ボイドのないパッドを形成しうる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine pattern forming method for forming a fine pattern by using a resist having superior resistance in etching.例文帳に追加

エッチングの耐性が優秀なレジストを使用して微細なパターンを形成することができる微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To avoid inconvenience due to side etching although a subtractive method which can minimize the cost is used to form a printed board.例文帳に追加

プリント基板を作成するにあたり最もコストを抑えられるサブトラクティブ法を用いながら、サイドエッチングによる不都合を回避する。 - 特許庁

To provide dry etching method capable of working a thick polysilicon (or amorphous silicon) layer so as to have an anisotropic configuration with proper dimensional accuracy.例文帳に追加

厚いポリシリコン（又はアモルファスシリコン）層を寸法精度良く異方性形状に加工できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing an etching foil for aluminum electrolytic capacitor of high capacity and high quality.例文帳に追加

高容量、高品質のアルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁