「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an apparatus for dry etching even a large area wafer or substrate through a convenient arrangement under conditions of atmospheric pressure in the etching step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるエッチング工程において、大気圧条件下で処理でき、大面積ウェーハや基板に対応でき、簡便な装置でドライエッチングをする方法及びその装置の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon carbide film capable of making a silicon carbide device and a silicon device coexist on a single chip without etching a silicon carbide film having difficulty in etching.例文帳に追加

エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、一つのチップに炭化シリコンのデバイスとシリコンのデバイスを容易に混載させることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical element having a surface which can be used as an optical reflecting surface by utilizing anisotropic etching of silicon with a single process of anisotropic etching with the efficiency and in large quantities.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチングを利用して光学反射面に利用可能な面を持つ光学素子を、一度の異方性エッチングで効率よく大量に作製する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chromium etching waste liquid treatment method in which chromium ions are separated from the waste liquid of a chromium etching liquid comprising cerium ions and the chromium ions, and the cerium ions are inexpensively recovered as cerium oxide in a high yield.例文帳に追加

セリウムイオンおよびクロムイオンを含有するクロムエッチング液の廃液からクロムイオンを分離して、セリウムイオンを酸化セリウムとして安価に収率よく回収するクロムエッチング廃液処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for etching and removing an underlying dielectric film from a via bottom so that the decrease of an upper layer insulating film is eliminated, and no etching residue is left remained on the inner wall surface of the via.例文帳に追加

ビアボトムの下地誘電体膜を、上層絶縁膜の膜減りをなくし、また、ビアの内壁面にエッチング残さを残さないでエッチング除去する方法及び半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for controlling an etching liquid by which the concentration of each component changing with the lapse of time in a repeatedly used etching liquid for a metal-like material can easily and almost fixedly be maintained.例文帳に追加

繰り返して用いられる金属様材料用エッチング液の経時的に変化する成分濃度を容易に略一定に維持することが可能となるエッチング液の管理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device trench isolation forming method as mentioned above, a dry etching where an etching rate difference between a trench forming mask and the trench liner 110 does not occur is carried out, whereby a liner recess can be prevented.例文帳に追加

このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみを防止できる。 - 特許庁

To provide a method and a device of deciding a stable etching end point even if the variation of luminous strength is low near the etching end point, and the influence of noise components is large in a semiconductor wafer.例文帳に追加

エッチング終点付近での発光強度変化が低くノイズ成分の影響が大きい半導体ウェハであっても安定したエッチング終点判定を行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method is as follows: for a specified time of about several seconds after the start of the etching, the flow rate of CHF3 is raised and the flow rate of O2 is dropped, relative to those flow rates in the usual etching.例文帳に追加

エッチング開始後、数秒間程度の所定の時間、通常のエッチングのときのＣＨＦ_3 の流量およびＯ_2 の流量に対して、ＣＨＦ_3 の流量を大きくし、Ｏ_2 の流量を小さくする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method semiconductor apparatus of a and a dry etching device for suppressing a conductive member arranged on a semiconductor substrate from being spattered, and for maintaining etching speed of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられる導電部材がスパッタされることを抑制するとともに、半導体基板のエッチング速度を維持することができる半導体製造方法およびドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a silicon substrate capable of reducing the reflectance of the surface of the silicon substrate and manufacturing a solar battery having high conversion efficiency by holding a stable etching speed.例文帳に追加

安定したエッチング速度を保持することによって、シリコン基板の表面の反射率を低減すると共に、高変換効率を備えた太陽電池を製造可能なシリコン基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the method for removing etching residues adhered on a semiconductor substrate using a peeling liquid containing fluorine, the etching residues are removed while the semiconductor substrate is rotated.例文帳に追加

フッ素を含有した剥離液を用いて半導体基板上に付着しているエッチング残渣物を除去する方法であって、半導体基板を回転させながらエッチング残渣物を除去するようにした。 - 特許庁

To provide a new nickel peeling solution which enables the uniform etching removal of a nickel based covering layer as base of the conventional copper etching liquid and has excellent quality stability, and to provide a peeling method therefor.例文帳に追加

従来の銅エッチング液をベースにした、ニッケル系被覆層の均一なエッチング除去が可能で、溶液の品質安定性に優れた新たなニッケル剥離液及び剥離方法を提供する - 特許庁

To provide a dry etching method of a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride, which can obtain a smooth etched-surface and can perform etching with good reproducibility.例文帳に追加

少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The resist resin composition for glass etching contains (A) a polyarylate resin, (B) a photoacid generator, (C) a silane coupling agent, and the method for forming a circuit uses the resist resin composition for glass etching.例文帳に追加

（Ａ）ポリアリレート樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）シランカップリング剤を含有することを特徴とするガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそのガラスエッチング用レジスト樹脂組成物を用いた回路形成方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the reflection type electrode substrate comprises a step for collectively etching the metal oxide layer and the inorganic compound layer by using an etching liquid consisting of phosphoric acid, nitric acid and acetic acid.例文帳に追加

また、燐酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング液により前記金属酸化物層及び前記無機化合物層を一括エッチングする工程を含む反射型電極基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a silicon substrate etching method and a silicon substrate etching device capable of improving accuracy for processing a hole penetrating through a silicon insulation layer and a silicon substrate in an area including a wiring.例文帳に追加

シリコン絶縁層とシリコン基板とを貫通する孔の加工の精度を配線が含まれる領域にて高めることのできるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The method includes using a single mask to pattern a plurality of cavity areas to be etched on a substrate in different etching steps, and then selectively choosing the cavity areas for etching.例文帳に追加

この方法は、単一マスクを用いて、異なるエッチング工程で基板にエッチングされる２以上のくぼみ領域をパターニングし、エッチングのためのくぼみ領域を選択的に選択する工程を含む。 - 特許庁

To provide an etching method of a semiconductor wafer for manufacturing the semiconductor wafer having stable flatness by controlling the flatness of the semiconductor wafer based upon an etching rate and the number of revolutions.例文帳に追加

半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printing plate by which changes in an etching critical dimension (CD) is minimized to form a fine pattern by flattening the plate with an organic film and then etching into a desired width.例文帳に追加

有機膜を用いて平坦化した後に望む幅でエッチングすることによって、エッチングＣＤの変化を最小化し微細パターンを形成することができる印刷板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an inkjet recording head which improves a yield through a rapid decrease of the probability of cracking of an etching stopping layer during the formation of an ink supply port using anisotropic etching and permitting high definition printing.例文帳に追加

異方性エッチングを使ったインク供給口形成時のエッチングストップ層の割れの確率が飛躍的に低下して歩留まりが向上し、高品位な印字が可能なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

Generally, silica fine particles with a grain size of 1 to 10 μm are contained by 2 to 8 wt.%, and it is effective that this technique is used for an etching method in which etching depth is controlled to at least 50 μm.例文帳に追加

一般に粒径１〜１０μｍのシリカ微粒子を２〜８重量％含有し、エッチング深さが少なくとも５０μｍになるようにするエッチング法に用いられるのに効果的である。 - 特許庁

To provide an etching removal method and a device of an unnecessary layer capable of surely removing the unnecessary layer by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程で確実に不要層を除去できる不要層のエッチング除去方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method and a system for processing a wafer in which uniformity of etching characteristics can be enhanced in the wafer plane.例文帳に追加

ウェハ面内におけるエッチング特性の均一性を向上し得るウェハ処理装置及びウェハ処理方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field-effect transistor which does not need selective etching after siliciding a source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域のシリサイド化後に選択的エッチングを不要とする電界効果トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

PLANOGRAPHIC PRINTING ETCHING LIQUID WITH DEODORIZER ADDED THERETO AND METHOD OF IMPARTING DEODORIZING FUNCTION TO MATTER TO BE PRINTED BY USING THE SAME例文帳に追加

消臭剤を添加した平版印刷用エッチ液とそれによる被印刷物への消臭機能を付与する方法 - 特許庁

Moreover, the tasks are solved, by adopting a wet etching method for the step of applying patterning to the crystal elements stated.例文帳に追加

また、上述する水晶素子にパターンニングする工程にはウェットエッチング工法を用いることにより課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for forming an entirely new projecting and recessed pattern without necessitating an etching process or an embossing process using a form.例文帳に追加

エッチング工程や型によるエンボス工程を必要としない全く新しい凹凸パターンの形成方法を提供。 - 特許庁

To provide an etching method of a crystal substrate easily and highly precisely forming recessed parts different in depth.例文帳に追加

深さの異なる凹部を容易に且つ高精度に形成することができる結晶基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method for etching magnetic materials for manufacturing a magnetoresistive random access memory (MRAM) device.例文帳に追加

抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造のために磁性材料をエッチングする改善された方法を提供する。 - 特許庁

ETCHING LIQUID CONCENTRATION CONTROLLING DEVICE AND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

エッチング液濃度制御装置および液晶表示装置の製造装置および製造方法ならびに液晶表示装置 - 特許庁

In this method, a time point when the AC voltage is lower than a predetermined threshold value is used as the etching ending point of the wafer 21.例文帳に追加

この方法では、交流電圧が所定のしきい値を下回った時点をウェハ２１のエッチング終点とする。 - 特許庁

To provide an etching method for a compound semiconductor, by which an embedded re-grown interface having few crystal defects is realized.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない埋込再成長界面を実現する化合物半導体のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently treating a copper chloride- containing waste etching solution with a reduced amount of sludge generated.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を効率よくかつ低められたスラッジ発生量で処理するための方法を提供する。 - 特許庁

The invention also refers to a method for producing a titanium based metallic product with recessed parts and/or through holes using the electrolytic etching liquid.例文帳に追加

前記電解エッチング液を使用する凹部および／または貫通孔を有するチタン系金属製品の製造方法。 - 特許庁

To provide an etching method that can realize shape accuracy higher than ever before in shaping a material film.例文帳に追加

素材膜の整形にあたってこれまで以上に高い形状精度を実現することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching treatment method which brings about high selectivity by controlling water concentration inside a reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の水分濃度を制御することにより高い選択性をもたらす選択エッチング処理方法を与える。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which are capable of etching a nitride film on a substrate surface at a lower cost.例文帳に追加

より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MFMOS memory transistor and an MFMS memory transistor, in which precision etching treatment is not required.例文帳に追加

精密なエッチング処理を必要としない、ＭＦＭＯＳおよびＭＦＭＳメモリトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents a defect from being caused even if over-etching thereof is made great, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーエッチングを大きくしても、問題発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a pattern forming method which can form a detailed hole pattern while increasing dry etching endurance of resist.例文帳に追加

レジストのドライエッチング耐性を向上させつつ、微細なホールパターンを形成することができるパターン形成方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which the etching dispersion for a diaphragm portion of a semiconductor substrate is suppressed.例文帳に追加

半導体基板のダイヤフラム部分のエッチングばらつきが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching processing method preventing a formed pattern from being deformed even if the pattern has a high aspect ratio.例文帳に追加

形成されるパターンのアスペクト比が高くてもパターンが歪むのを防止することができるエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for controlling a temperature of a semiconductor wafer during reactive ion etching and similar processes.例文帳に追加

反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁