「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

A pre-treating method for etching a semiconductor wafer includes a process of applying acid that is one main component of a mixed acid, and functions as a relaxing agent on the surface of the semiconductor wafer before etching P4 is carried out by the use of the mixed acid.例文帳に追加

混酸エッチングＰ_４を行う前に、半導体ウェーハの表面に混酸の１主成分であり緩和剤の働きをする酸を塗布する半導体ウェーハエッチングの前処理方法。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching method in which occurrence of an ejection nozzle having an incomplete shape or incomplete electrical connection at the electrode terminal part due to readhesion of the etching residue of metal mask is prevented.例文帳に追加

メタルマスクのエッチング残渣の再付着による吐出ノズルの形状不良や電極端子部分の電気接続不良が発生しない異方性エッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treating device suitable for conveniently and safely treating a dry etching exhaust gas, and a method for treating the dry etching exhaust gas using the treating device.例文帳に追加

本発明の課題は、ドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した処理装置及び当該処理装置を用いたドライエッチング排ガス処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized.例文帳に追加

ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for forming the sidewall shape of a groove into a desired shape, and achieving superior etching, for example, even if the width of the groove is different.例文帳に追加

溝の幅が相違する場合等においても、溝の側壁形状を所望の形状とすることができ、良好なエッチングを行うことのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrostatic actuator or the like capable of preventing the yield from decreasing caused by invasion of an etching liquid and an etching gas into a gap in the midway of a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程途中において、エッチング液やエッチングガスのギャップへの侵入に起因する歩留まり低下を防止することが可能な静電アクチュエータの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a fine structure formation method, using isotropic etching, by which controllability of etching in fine processing is improved, and even a large-sized substrate can be uniformly processed as a result.例文帳に追加

等方性エッチングを用いた微細加工の際にエッチングの制御性を向上し、大型基板においても均一な加工を実現する微細構造形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing distortion or loss of a photoresist pattern used as an etching barrier in a process of etching an organic bottom anti-reflective coating.例文帳に追加

有機反射防止膜のエッチングの際にエッチングバリアとして用いられる感光膜パターンの歪み又は損失を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加

化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁

To provide an Si etching method that can prevent sidewall damages and makes high selection ratio and vertical form processing compatible, in an etching process for a silicon substrate or silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板またはシリコン層のエッチング加工において、側壁ダメージの防止、高選択比および垂直形状加工を両立させることができるＳｉエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In step 13, a chemical liquid containing at least an etching liquid is jetted on the selected specified regions by an ink-jetting method to perform a wet etching control, thereby improving the planarization level.例文帳に追加

ステップ１３において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行い、平坦化レベルの改善を図る。 - 特許庁

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate.例文帳に追加

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 - 特許庁

In this method, the depth of a pattern can be controlled by the process performing anisotropic etching, and by the process performing isotropic etching, a curved surface structure can be produced.例文帳に追加

本発明の構成によれば、異方性エッチングを行う工程によりパターンの深さを制御することが出来、等方性エッチングを行う工程にり曲面構造にすることが出来る。 - 特許庁

To provide an element structure of a semiconductor device for increasing an etching margin in various etching processes, and a method of manufacturing a semiconductor device having the element structure.例文帳に追加

様々なエッチング工程におけるエッチングマージンを増やすための半導体装置の素子構造及び該素子構造を有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small substrate processing system for etching a substrate well at low cost and a substrate processing method for etching a substrate well at low cost.例文帳に追加

低コストで、しかも良好なエッチング処理を行うことができる小型の基板処理装置、および低コストで、しかも良好なエッチング処理を行うことができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for uniformly etching a silicon oxide layer by making a silicon structure formed with a plurality of trenches reaching the silicon oxide layer in a silicon layer as an object.例文帳に追加

シリコン層に酸化シリコン層に達する複数のトレンチが形成されているシリコン構造体を対象物とし、酸化シリコン層を均一にエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This method for etching a resin film is characterized by involving irradiating the resin film with infrared rays prior to and/or during the etching operation.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、樹脂膜をエッチングするに際し、該エッチング前および該エッチング中の少なくとも一方において、赤外線を照射することを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method using less fluorine gas, while selective etching is performed, without the use of fluorine gas of high GWP.例文帳に追加

フッ素系ガスの使用量の低減を図ることが出来るとともに、ＧＷＰの高いフッ素系ガスを用いずとも選択エッチングを行うことが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate and that of a semiconductor device capable of etching a first semiconductor layer fully and preventing its etching residue.例文帳に追加

第１半導体層を十分にエッチングすることができ、そのエッチング残りを防止できるようにした半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wet etching method of a gallium oxide single crystal, with which a technique of wet etching in a semiconductor manufacturing process is applicable to a gallium oxide single crystal.例文帳に追加

半導体製造工程におけるウェットエッチングに関する技術を酸化ガリウム単結晶に対して適用可能にする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compact and inexpensive plasma treatment device capable of efficiently performing etching to a workpiece, and to provide a plasma treatment method capable of efficiently performing etching.例文帳に追加

ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for a multilayer film in which an etching surface is made vertical without undercutting a metal film nor shaping the metal film and an oxide film into stairs.例文帳に追加

金属膜がアンダカットされることもなく、また、金属膜と酸化物膜とが階段形状になることもなく、エッチング面が垂直形状となるようにする多層膜のエッチング方法の提供。 - 特許庁

The flattening process by plasma etching used in this method is preferably carried out by downstream plasma etching, and the gas used is preferably a gas containing sulfur hexafluoride and hydrogen gas.例文帳に追加

ここにおいて用いられるプラズマエッチングによる平坦化工程は、ダウンストリームプラズマエッチングであることが好ましく、また、使用されるガスとしては六弗化硫黄と水素ガスを含むものが好ましい。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an etching device, that is high in processing accuracy, without generating abnormal configuration, even if a complicated configuration such as a multi-stage configuration is etched, and to provide a final molded object.例文帳に追加

多段形状のような複雑な形状であっても異常形状を生じさせることのない、加工精度の高いプラズマエッチング方法とエッチング装置及び最終成形物の提供。 - 特許庁

The recesses 7 are formed by a method of selectively removing the surface of the trench wiring 6 by chemical etching, using ammonia or chelating agent, a method of forming a damaged layer on the surface of the trench wiring 6 and selectively removing the damaged layer by chemical etching, utilizing the accelerated etching effect, or a method of forming an oxide layer on the surface of the trench wiring 6 and removing the oxide layer by chemical etching.例文帳に追加

リセス７は、アンモニアやキレート剤を用いた化学的エッチング法により溝配線６の表面を選択的に除去する方法、溝配線６の表面にダメージ層を形成し、このダメージ層を増速エッチ効果を利用して化学的エッチング法により選択的に除去する方法、または、溝配線６の表面に酸化層を形成し、この酸化層を化学的エッチング法によって除去する方法により形成する。 - 特許庁

In this method, a time point when the leakage current exceeds a predetermined threshold value is used as the etching ending point of the wafer 21.例文帳に追加

この方法では、リーク電流が所定のしきい値を超えた時点をウェハ２１のエッチング終点とする。 - 特許庁

ETCHING COMPOSITION OF THIN FILM TRANSISTOR LIQUID DISPLAY DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR LIQUID DISPLAY DEVICE例文帳に追加

薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物及び薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。 - 特許庁

CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION FOR LOW-TEMPERATURE DRY ETCHING AND PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

低温ドライエッチング用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device with high yield, preventing the corrosion of metal wiring at a wet etching treatment of an ITO.例文帳に追加

ＩＴＯウエットエッチング処理時の金属配線腐食を防止し、高歩留まりの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming a wiring groove 5 on the porous MSQ(2) by plasma etching with this SiC mask 3 as a mask.例文帳に追加

このＳｉＣマスク３をマスクとしたプラズマエッチングにより、ポーラスＭＳＱ（２）に配線溝５を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and apparatus not requiring the setting of special regions for detecting end points.例文帳に追加

終点検出のための特別な領域を設定する必要がないプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method which can sufficiently enlarge the selection ratio of a silicon nitride film to a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の選択比を充分大きくできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To achieve removal of silica and recovery of an aqueous alkaline solution from alkaline etching waste liquid by a low-cost method.例文帳に追加

アルカリエッチング排液からのシリカの除去およびアルカリ水溶液の回収を安価な手法によって達成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a semiconductor device, capable of increasing the accuracy of etching amount.例文帳に追加

エッチング量の精度を高めることのできる半導体装置の製造方法および製造装置を実現する。 - 特許庁

To provide a method of etching a sapphire substrate that can suppress burning and carbonization of photoresist as far as possible.例文帳に追加

フォトレジストの焼けや炭化の発生を極力抑えることができるサファイア基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device with high power generation efficiency in which laser etching is easy.例文帳に追加

レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a five-tone photomask, wherein five tones can be obtained by etching three times.例文帳に追加

エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method whose selection ratio for the ground is large and which forms wirings of tapered shapes.例文帳に追加

下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a partial etching glazed ceramic substrate that improves the print quality of a thermal printhead.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドの印字画質を向上できる部分エッチンググレーズドセラミック基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an efficient manufacturing method of a highly flat semiconductor wafer without requiring fast rate etching.例文帳に追加

レートの早いエッチングを要することなく、平坦度の高い半導体ウェハを効率よく製造することができる。 - 特許庁

IMPROVEMENT OF ANISOTROPICAL CHEMICAL ETCHING METHOD OF SILICON OXIDE IN MANUFACTURING MOS TRANSISTOR FLASH EPROM DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ・フラッシュＥＰＲＯＭ装置を製造する際の酸化珪素の異方性化学的エッチング法の改良 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with improved mask formation in wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングの際のマスク形成を改良した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Complicated manufacturing control such as waste solution disposal is not required as compared with a chemical formation method such as etching.例文帳に追加

エッチング等の化学的な形成方法に比べて、廃液処理等の煩雑な製造管理を必要としない。 - 特許庁

To provide an etching tape and a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

本発明はエッチングテープ及びこれを利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁