「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, except for wet etching, as a method for forming a through-hole in the manufacturing method of a substrate which is constituted of saphire and which has a through-hole whose diameter is under 0.1 mm.例文帳に追加

サファイアからなり、直径0.1mm未満の貫通孔を有する基板の製造方法において、貫通孔を形成する方法としてウエットエッチング以外のものを提供する。 - 特許庁

Then, the semiconductor wafer 10 is made thin by a machine grinding method, a chemical machine grinding method, or etching method or the like from the face opposite to the attached face of the protecting tape 17.例文帳に追加

次に、保護テープ１７の貼付面の反対の面から、機械研削法、化学的機械研磨法あるいはエッチング法などにより、半導体ウェーハ１０を薄膜化する。 - 特許庁

Each connection section 132a is formed by an etching method or a conductive ink printing method and the tip section 132b is formed by a metallic foil adhering method.例文帳に追加

これらの接続部１３２ａはエッチング法又は導電性インク印刷法によりそれぞれ形成されるとともに、先端部１３２ｂは金属箔接着法により形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming a groove on a glass surface by etching the glass surface without masking and a method of manufacturing an optical waveguide using the method.例文帳に追加

マスキングを行うことなくガラス表面をエッチングし、ガラス表面に溝を形成する方法及びこの方法を使用した光導波路の製造方法の提供。 - 特許庁

Resin insulating films mixed with abrasive are formed between terminals 7 by a spin coating method or by an etching method to form cleaning regions 8.例文帳に追加

端子７間に研磨材を混入した樹脂絶縁膜をスピンコート法およびエッチング法によって形成し、クリーニング領域８を形成する。 - 特許庁

To provide copper foil capable of photoetching high in an etching factor, to provide a production method therefor, to provide a copper foil pattern, and to provide a preserving method.例文帳に追加

エッチングファクターの高いフォトエッチングを可能とする銅箔及びその作製方法、エッチング方法、銅箔パターン、保存方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method or the like of forming a pattern by which the pattern is formed without using a resist as an etching mask and without using a lift-off method.例文帳に追加

レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。 - 特許庁

To attain a shortening of a cleaning time duration by raising the etching rate in a cleaner and a cleaning method using a remote plasma treatment method.例文帳に追加

リモートプラズマ処理方法を用いる洗浄装置及び方法において、エッチングレートを向上させ、これによって洗浄時間の短縮化を図る。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device provided with the etching stopper film of low dielectric constant suitable for a damascene method and a production method therefor.例文帳に追加

低誘電率の、ダマシン法に適したエッチングストッパ膜を備えた、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field emission cathode, which method exerts no adverse effect on element characteristics when etching is performed using an ion beam.例文帳に追加

イオンビームを用いてエッチングを行うときに、素子特性に悪影響を及ぼすことのない電界放出陰極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal laminate forming method and a liquid jet head manufacturing method which can unerringly prevent etching residue on a substrate.例文帳に追加

基板へのエッチング残りを確実に防止することができる金属積層体の形成方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR REMOVING METAL IN ETCHANT, DEVICE AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND ETCHANT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液 - 特許庁

To improve safety, cost and flexibility or the like of a method and an apparatus for cleaning and of a method and an apparatus for etching in a semiconductor processing system.例文帳に追加

半導体処理システムにおけるクリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置の安全性、コスト、柔軟性等を改良する。 - 特許庁

To provide a method for making an ingot for producing an Fe-Ni base alloy material, such as shadow mask, having good grade to uneven etching with a vacuum arc remelting method(VAR).例文帳に追加

エッチングむら品位が良好なシャドウマスク材等のFe−Ni系合金材料製造用鋳塊のVARによる造塊方法のを提供。 - 特許庁

To provide a method for surely and efficiently performing an etching process that is made after a film has been formed, and to provide a device suited for the method.例文帳に追加

成膜終了後に行なわれるエッチングの工程を確実かつ効率的に行なう方法およびそれに適した装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SOI substrate having an etching blocking film, and to provide a method for manufacturing an SOI integrated circuit by using the blocking film.例文帳に追加

エッチング阻止膜を有するＳＯＩ基板の製造方法、及びそれを用いてＳＯＩ集積回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To further reduce the aggregate of point defects undetectable by a secco etching method, in a method of manufacturing a silicon wafer, and the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、セコエッチング法では検出できない点欠陥の凝集体をさらに低減すること。 - 特許庁

A columnar spacer SP is formed by a manufacturing method such as a method for etching a resin layer and the liquid crystal in the vicinity of the spacer is possibly contaminated.例文帳に追加

樹脂層をエッチングする等の製法で柱状のスペーサＳＰを設けるが、そのスペーサの周辺の液晶が汚染されることがある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can simplify a photolithography process and an etching process in a dual damascene method.例文帳に追加

デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of improving the lithographic and etching properties, in a multi-layer resist pattern forming method.例文帳に追加

多層レジストパターン形成方法においてリソグラフィー特性及びエッチング特性を改善することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chamber cleaning method which, when plasma etching is performed by the same kind of gas for each board of the same kind, precludes the occurrence of a failure in an etching device by a deposition from a metal thin film to be caused in etching boards.例文帳に追加

同種の基板枚葉毎に同種ガスによるプラズマドライエッチングを行う場合に、基板のエッチングに際して生じる金属薄膜からの析出物がエッチング装置に不具合を消するのを防止するプラズマエッチングにおけるチャンバークリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid jet head in which discharge characteristics are stabilized by preventing occurrence of projecting etching residues on an etching face of a vibrating plate manufactured by etching, and a liquid jet device provided with the liquid jet head.例文帳に追加

エッチングによって作製される振動板のエッチング面状における凸状エッチング残りの発生を防止することで吐出特性を安定させた液体噴射ヘッドの製造方法、及び、その液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a pattern of hot-melt resist 112, carrying out first etching, heating the pattern for softening and flowing, covering etched sides with the pattern, and carrying out second etching in which progress of etching in side faces is permitted to be slower than the progress in depthwise direction.例文帳に追加

ホットメルトレジスト１１２のパターン形成後に第一エッチングを行い、該パターンを加熱し軟化フローさせ、エッチング側面を該パターンで覆い、第二エッチングでは、深さ方向へのエッチングの進行に比べ、側面へのエッチングの進行を遅らせたエッチングを行うこと。 - 特許庁

To provide a laminate for a wiring substrate in which adhesiveness is made superior, electric resistance is made low, an etching speed is fast and etching performance and productivity are made superior, to provide a method to form the wiring substrate by etching the laminate and to provide the wiring substrate.例文帳に追加

付着性に優れ、低抵抗で、エッチング速度が良好というエッチング性および生産性に優れる配線付き基板形成用の積層体、かつ該積層体をエッチングして配線付き基板を形成する方法および得られた配線付き基板の提供。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

The etching treatment method comprises a first step for detecting the etched depth in a material by a film thickness measurement means and for etching to a first depth, and a second step for performing etching to a specific depth at a smaller treatment speed than that of the first step.例文帳に追加

膜厚測定手段により被エッチング材エッチング深さを検出しつつ、第１の深さまでエッチングする第１のステップと、引き続いて、前記第1ステップの処理速度より小さい処理速度で所定の深さまでエッチングする第２のステップとを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a micromechanical sound transducer includes depositing successive layers of first and second membrane support material on a first main surface of a substrate arrangement with a first etching rate and a second etching rate lower than the first etching rate, respectively.例文帳に追加

微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。 - 特許庁

In a dry etching method, a mask pattern 15 is formed on a semiconductor layer 14A and first etching treatment is performed for removing about 70% of the areas of the semiconductor layer 14A under the openings of the mask pattern 15 by using a first etching gas containing chlorine and bromine.例文帳に追加

半導体層１４Ａの上にマスクパターン１５を形成し、塩素と臭素とを含む第１のエッチングガスを用いて半導体層１４Ａにおけるマスクパターン１５の開口部の下側の領域の７０％程度を除去する第１のエッチング処理を行なう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which removes etching residues resulting from a selective etching of a silicon nitride film or a silicon oxide film formed as a hard mask, without giving damage to the base and without greatly etching the remaining hard mask.例文帳に追加

ハードマスク用として形成されたシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を選択的にエッチングした際の残渣を、下地にダメージを与えず、かつ残存しているハードマスクを大きくエッチングすることなく除去することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a silicon wafer etching method that effectively removes Cu together with a wafer surface layer by etching while preventing diffusion of metal impurities such as Cu or the like from the wafer surface layer to a bulk part when etching a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのＣｕ等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にＣｕを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a dry etching equipment and a semiconductor device, in which uniform etching is realized in a wafer surface, by making the amount of incidence of an etching reaction product in a wafer peripheral part and a wafer central part uniform, even when a wafer having a large diameter is used.例文帳に追加

大口径のウエハを用いた場合でも、ウエハ周辺部とウエハ中心部とのエッチング反応生成物の入射量を均一にして、ウエハ面内で均一なエッチングを実現するドライエッチング装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate control of the etching rates of a movable part and a fixed part in sacrifice layer etching, in a manufacturing method of a semiconductor dynamic quantity acceleration sensor for forming a groove for partitioning the movable part and fixed part in a second silicon layer and then performing the sacrifice layer etching via a groove.例文帳に追加

第２のシリコン層に可動部と固定部とを画定する溝を形成した後、この溝を介して犠牲層エッチングを行う半導体加速度センサの製造方法において、犠牲層エッチングにおける可動部および固定部のエッチングレートの制御を容易にする。 - 特許庁

To provide a wet etching method that enables uniform wet etching by sufficiently suppressing the retention of "bubbles generated by reactive generated gas" on a surface of a semiconductor wafer even when patterns formed by wet etching are reduced in size.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic etching method and a device therefor in which electrolytic etching can be easily performed without largely releasing an etching liquid even in a complicated curved shape in the weld zone at the bottom part of a nuclear reactor, and crystal grain boundaries in the surface of the structure in a nuclear reactor are made visible.例文帳に追加

原子炉底部溶接部などの複雑な曲面形状でも、エッチング液を多量に放出することなく簡易に電解エッチングを行い、原子炉炉内構造物表面の結晶粒界を視認可能とする電解エッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The wet etching method includes the steps of contacting the etching agent containing the cryolite and/or the potassium tetrafluoroborate on one or more surfaces of the support layer 130 containing the aluminum oxide of a multilayer laminate, and then etching at least the part of the support layer 130.例文帳に追加

ウェットエッチング法は、多層積層体の酸化アルミニウムを含有する支持層１３０の１以上の表面にクライオライト及び／又はテトラフルオロホウ酸カリウムを含有するエッチング剤を接触させ、次いで支持層１３０の少なくとも一部をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a method and a device for monitoring an etching capable of detecting the correct end of etching of a product substrate without reducing the quantity of light of a light emitting spectrum of plasma, even if deposits are produced in a vacuum processing chamber by etching.例文帳に追加

エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なエッチングモニター方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for dry etching by which shape reproducibility is improved in dry etching of a metallic film in a groove without requiring the end detection of etching regardless of the length of the longitudinal direction of the groove like a siring groove, etc., in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における配線溝等のような溝の長手方向の長さに関係なく、溝内の金属薄膜をエッチングの終点検出を必要とせずに形状再現性良くドライエッチングを行なうことができるドライエッチング方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an inverse prevention type IGBT equipped with an inclined side surface, causing little unwanted etching that reaches the lower side of an etching mask at the time when forming a slope on the side surface of a semiconductor chip, resulting in no contamination with etching liquid.例文帳に追加

半導体チップ側面に傾斜面を形成する際に、エッチングマスクの下側に及ぶ不必要なエッチングがほとんど無く、エッチング液による汚染も生じない傾斜状の側面を備える逆阻止型ＩＧＢＴの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrochemical etching method for metal, in which unexpected etching caused by the retainment of an aqueous solution is prevented so as to enable working in desired shape, and further, etching in complicated shape using no mask treatment is made possible.例文帳に追加

本発明の課題は、水溶液の滞留に起因する予定外のエッチングを防止して所望形状の加工を可能とし、更にはマスク処理を用いない複雑形状のエッチングを可能とする金属の電気化学的エッチング手法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an etching treating method by which operability by the safe and secure performance of the regeneration of a cleaned member attached with a deposited film by wet etching treatment can be improved, and further, the maintenability of an etching treating system can remarkably be improved and to provide the system.例文帳に追加

ウエットエッチング処理による堆積膜が付着した洗浄部材の再生を、安全で確実に行うことによる作業性の向上と共に、エッチング処理装置のメンテナンス性を飛躍的に向上させることが可能なエッチング処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring structure for preventing an etching damage and oxidation caused by exposing lower wirings in an etching atmosphere by using a dual damascene wiring method introducing a via capping process.例文帳に追加

ビアキャッピング工程を導入したデュアルダマシン方法を使用して下部配線がエッチング雰囲気に露出されることによって惹起しうるエッチング損傷及び酸化を防止できる多層金属配線構造を形成する方法を含む。 - 特許庁

To provide a method of silicon anisotropic etching that forms a slope WA that makes 45 degrees against the main surface SF of a silicon substrate 5 with favorable flatness and smoothness, and to provide a silicon anisotropic etching liquid for use in the method.例文帳に追加

シリコン基板５の主表面ＳＦに対して４５°を成す傾斜面ＷＡを平坦性および平滑性良く形成するシリコン異方性エッチング方法及び当該方法において使用するシリコン異方性エッチング液を提供する。 - 特許庁

In the pattern forming method for the resin film by dry etching, a pattern forming method is characterized by using: novolak resin as a resist; and halogen-based gas as etching gas, wherein the resin film contains fluorine-containing aromatic resin.例文帳に追加

ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a mask which can be used for a photo-electrochemical etching, can be worked finely, and has a resistance against an acid and an alkali, to provide a method for forming the mask and a manufacturing method for a semiconductor device using the mask for the photo-electrochemical etching.例文帳に追加

光電気化学エッチングに利用でき、微細加工が可能で、かつ、酸やアルカリに対して耐性があるマスクと、このマスクの形成方法と、この光電気化学エッチング用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁