「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a treatment method of a substrate capable of selectively removing deposits generated by the dry etching of silicon.例文帳に追加

シリコンのドライエッチングにおいて生成された堆積物を選択的に除去することができる基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mold for nanoimprinting improved in distribution in the substrate surface of an etching depth and reproducibility, and a method for producing the mold.例文帳に追加

エッチング深さの基板面内分布および再現性を改善したナノインプリント用金型及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-precision and efficient adjustment method for a resonant frequency adjusting apparatus of a piezoelectric resonator by ion etching.例文帳に追加

イオンエッチングによる圧電共振子の共振周波数調整装置に関し、高精度で効率の良い調整方式を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a suspension blank with wiring for a hard disk which permits etching processing of a polyimide with high accuracy.例文帳に追加

本発明は、高精度なポリイミドエッチング加工ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element forming method for forming a semiconductor laser element without using an etching mask comprising alumina.例文帳に追加

アルミナを含むエッチングマスクを用いることなく半導体レーザ素子を作製する半導体レーザ素子作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for gravure platemaking capable of satisfactorily etching an area laser ablated even if leavings are generated when a laser ablation is conducted.例文帳に追加

レーザアブレーションを行ったときに残滓が生じてもレーザーアブレーションしたエリアを良好にエッチングできるグラビア製版方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board capable of constituting a large current circuit without damaging an etching property.例文帳に追加

エッチング性を損なうことなく、大電流回路を構成することができる多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an etching mask made of an insulating film for forming a deep trench having high aspect ratio in a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に高アスペクト比の深いトレンチを形成するための絶縁膜からなるエッチングマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a dry etching residue containing platinum chloride from a wafer on which a metal oxide is patterned.例文帳に追加

塩化白金含有ドライエッチング残留物を金属酸化物をパターニングしたウェハから取り除く方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for avoiding malfunction caused by the occurrence of etching residue, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エッチング残渣が発生することにより生じる不具合を回避するための半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preparing a semiconductor device by etching an insulating film consisting of zirconia and Hafnia by wet processing.例文帳に追加

ジルコニアやハフニアからなる絶縁膜を、ウェット処理でエッチングすることにより半導体装置を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an aluminum electrode foil for medium-high voltage electrolytic capacitors executes three or more stages of electrolytic etching process.例文帳に追加

中高圧用の電解コンデンサ用アルミニウム電極箔を製造するにあたって、電解エッチング処理を三段以上行う。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR FILM CARRIER TAPE FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING AND ETCHING PROCESSOR OF THE FILM CARRIER TAPE FOR ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING例文帳に追加

電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法およびそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置 - 特許庁

To provide a bonding method at low temperature or room temperature which includes cleaning and activation of a surface by cleaning or etching.例文帳に追加

洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性化することを含む低温または室温で結合する方法を提供する。 - 特許庁

GLASS PLATE ALLOWED TO HAVE ETCHING EFFECT HAVING STEREOSCOPIC FEELING BY USING SPHERICAL GLASS-BEADS, AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON GLASS PLATE例文帳に追加

円形ガラスビードを利用して立体感のあるエッチング効果を得られるようにしたガラス板およびその紋様成型方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printing plate to achieve a fine pattern by minimizing a variation of etching CD (critical dimension).例文帳に追加

エッチングＣＤ(critical dimension)の変化を最小化して微細パターンを形成することができる印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a through hole easily in an electrical circuit without photolithography steps such as exposure, development, etching, etc.例文帳に追加

露光、現像、エッチングなどフォトリソグラフィーの工程を経ることなく、容易に電気回路にスルーホールを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask.例文帳に追加

基板１１上にパターンを形成するための薄膜１２，１３を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン１４ａをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。 - 特許庁

To provide a method for making, on a semiconductor surface, a desired pattern having depth changed depending on the place thereof, by using a first mask having a desired pattern and a second mask for controlling the amount of etching seeds diffused in an opening of the desired pattern, the method providing a distribution corresponding to the change in depth, of supply of etching seeds contributing etching.例文帳に追加

所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。 - 特許庁

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

To provide an etching method suitable for etching an Si substrate even after a functional element is formed on one face of the Si substrate, and to provide a manufacturing method for an inkjet recording head suitable for forming an ink supply port by etching after setting a heating element, etc., on one face of the Si substrate, and to provide the inkjet recording head easy to be made compact/highly dense.例文帳に追加

Ｓｉ基板の一方の面に機能素子を形成した後でもＳｉ基板をエッチングするに好適なエッチング方法、発熱体等をＳｉ基板の一方の面に設けその後エッチングによりインク供給口を設けるに好適なインクジェット記録ヘッドの製造方法、小型化・高密度化が容易なインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

An opening 141, which becomes broader toward end part at which the width of the tapered part of the silicon core 103 decreases in extended direction, is formed on a resist film 104, and the silicon core 103 exposed at the opening 141 is processed by a heretofore known reactive ion etching method, for example, a dry etching method using fluorocarbon based gas and hydrocarbon based gas as etching gases.例文帳に追加

シリコンコア１０３が延在している方向の幅が、テーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部１４１をレジスト膜１０４に形成し、公知の反応性イオンエッチングにより、例えば、フッ化炭素系ガスおよび炭化水素系ガスをエッチングガスとしたドライエッチングにより、開口部１４１に露出したシリコンコア１０３を加工する。 - 特許庁

To provide a method for simply and more accurately evaluating the number, intra-surface distribution, and density of crystal defects existing within a surface of a substrate, etc., as to an evaluation method wherein the substrate is etched by means of anisotropic etching to expose etching residues owing to crystal defects and the crystal defects are evaluated based on the etching residues.例文帳に追加

異方性エッチングによって基板をエッチングし、結晶欠陥に起因したエッチング残渣を露出させ、前記エッチング残渣に基づいて結晶欠陥を評価する評価方法において、基板等の表面内部に存在する結晶欠陥の数、面内分布及び密度等を簡便かつより高精度に評価する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an in-situ process control method which can improve the reproducibility and the work precision of an etching process, and to provide a manufacturing method realizing the method and the manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

本発明の目的は、エッチングプロセスの再現性および加工精度の向上が可能なin-situプロセス制御方法およびそれを実現する製造装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The manufacturing method consists of a process where a metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where the wiring part 8 is formed on the insulation layer 5 by a semi-additive method and a process where the insulation layer 5 is processed by a plasma etching method.例文帳に追加

金属層２をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５をプラズマエッチングにより加工する工程とからなる。 - 特許庁

The method of etching the silicon substrate is characterized by etching a surface of the silicon substrate by bubbling a carrier gas in a mixed liquid of hydrofluoric acid, nitric acid, and acetic acid, and then introducing an etching gas produced by the bubbling and containing acid vapor into a container in which the silicon substrate is stored or blowing the etching gas directly to the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 - 特許庁

The method for etching a silicon semiconductor wafer, after lapping with use of a chemical includes steps of filling an etching bath with an alkali chemical including caustic soda (NaOH) and caustic potash (KOH), immersing the silicon semiconductor wafer into the alkali chemical, alkali etching the surface of the silicon semiconductor wafer to make the thickness 30 μm or less, and treating the wafer with an acid chemical, prior to the alkali etching step.例文帳に追加

ラッピング後のシリコン半導体ウェーハを薬液によりエッチングする方法において、エッチング槽内に苛性ソーダ（ＮａＯＨ）及び苛性カリ（ＫＯＨ）からなるアルカリ薬液を満たし、シリコン半導体ウェーハをそのアルカリ薬液に浸漬し、シリコン半導体ウェーハの表面を３０μｍ以下アルカリエッチングし、しかも、そのアルカリエッチングの処理前に酸薬液で酸処理する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for increasing the etching selection ratio, while inhibiting cracks and breakdowns of a substrate or the like to be etched, and enabling a fine precise working and having a high aspect ratio with respect to an oxide material or the like.例文帳に追加

エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor element having the membrane structure comprises the steps of depositing an etching protective film 11 made of a polyimide resin of a material having a different etching selection ratio of aluminum pad 1 and a protective film 8 on the pad 7 and the film 8 made of a silicon nitride.例文帳に追加

アルミパッド７及び窒化ケイ素より成る保護膜８上に、それらアルミパッド７及び保護膜８とエッチング選択比が異なる材料であるポリイミド樹脂より成るエッチング保護膜１１を堆積する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein variation in film thickness of an inter-layer insulating film, variation in polishing of a CMP, variation in rate of dry-etching, and the like are absorbed, for avoiding excessive etching and damage to a semiconductor substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜厚バラ付き、ＣＭＰの研磨バラ付き、ドライエッチングのレートバラ付きなどを吸収し、半導体基板上への過剰なエッチング、ダメージを回避できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not need a oxynitride film as an etching stopper in the upper part of a source/drain contact, and can ensure short margin with a gate electrode in the case of etching of an interlayer insulating film.例文帳に追加

ソース・ドレインコンタクトの上部にエッチングストッパとしての窒化膜を必要とせず、かつ層間絶縁膜のエッチング時にゲート電極とのショートマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ingot rolling method of an alloy low in thermal expansion for electronic parts which is free from generation of defective etching such as stripe and irregularity to degrade local sharpness of an image, and enables highly precise etching.例文帳に追加

画像の局部的な鮮明度の低下をもたらすスジむら等のエッチング不良が発生せず、かつ高精度のエッチング加工が可能な電子部品用低熱膨張合金の分塊圧延方法を提供する。 - 特許庁

To provide substrate processing equipment and method capable of removing unnecessary matters from the peripheral portion on the surface of a substrate by etching while controlling the peripheral etching width accurately over the entire circumferential surface.例文帳に追加

周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

The etching method of a quartz glass member comprises applying a polyvinyl chloride coating liquid on at least one part of the outer surface of the quartz glass member, drying the liquid, and then treating the member with an etching liquid containing hydrogen fluoride as the main component.例文帳に追加

石英ガラス部材のエッチング方法において、石英ガラス部材の外表面の少なくとも一部にポリ塩化ビニル塗布液を塗布し、乾燥したのち、フッ化水素を主成分とするエッチング液で処理する。 - 特許庁

To provide a method for forming an etching mask, a control program, and a program storage medium, which can form easily with sufficient precision an fine pattern etching mask of nonlinear shape without using a reticle of complicated pattern.例文帳に追加

複雑なパターンのレチクルを用いることなく非直線状の微細なパターンのエッチングマスクを精度良く容易に形成することのできるエッチングマスクの形成方法、制御プログラム及びプログラム記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which can form a through-hole or a hole shape having a high aspect ratio of 20 or higher, also can suppress a bowing shape, and can obtain a fine etching shape.例文帳に追加

２０以上の高アスペクト比を有する貫通孔や穴形状を形成することができるとともに、ボーイング形状を抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an NAND flash element, which reduces a plug forming process by overall etching and secures a process margin by reduction in thickness of an etching layer at the time of drain contact formation.例文帳に追加

全面エッチングによるプラグ形成工程を減らすことができ、ドレインコンタクト形成時にエッチング層の厚さ減少による工程マージンを確保することが可能なＮＡＮＤフラッシュ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal surface treatment method of copper or a copper alloy for smoothing the surface, without receiving influence of a copper concentration in an etching solution, within a limit of etching amount of the copper or copper alloy of 0.1-30 μm.例文帳に追加

銅または銅合金のエッチング量が、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内で、エッチング液中の銅濃度の影響を受けずに、表面平滑化が出来る銅または銅合金の金属表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of precisely etching a GaN material, wherein the modified and smooth surface of the GaN material can be provided, and a GaNHBT can be manufactured by selectively etching an n-p-n GaN material.例文帳に追加

ＧａＮ材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料を選択的にエッチングしてＧａＮＨＢＴを製造できる方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a plasma etching device capable of reducing dust in the case of trigger discharge in an etching process for generating a high frequency plasma (RF plasma) by using a trigger discharging system.例文帳に追加

トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程において、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The method may includes one or more mask layer forming procedures, one or more pre-processing measurement procedures, one or more partial-etching (P-E) procedures, one or more final-etching (F-E) procedures and one or more post-processing measurement procedures.例文帳に追加

当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 - 特許庁

To provide a print circuit board which can reduce process time and cost by using a first insulation layer as an etching resist instead of a dry film and not removing it after etching as well as the method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチングレジストとしてドライフィルムの代わりに第１絶縁層を使用し、エッチング後にも除去しないことにより、工程費用および工程時間が節減できるプリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes forming a second resist pattern 123 protecting a region corresponding to an entire emitting region; and etching the laminated body using the first resist pattern and the second resist pattern as an etching mask, thereby forming the mesa structure.例文帳に追加

次に、出射領域の全体に対応する領域を保護する第２のレジストパターン１２３を形成し、第１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、メサ構造体を形成する。 - 特許庁

A recess filling method is carried out in a manner such that a film forming process which forms a metal film 15 on a surface where a recess 12 is formed on a surface of a substrate 11 and an etching process which injects an ion of an etching gas into the metal film are repeated alternately.例文帳に追加

本発明は基板１１の表面の凹部１２が形成された面に、金属膜１５を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁