「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE ETCHING DEVICE, AND A MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH SURFACE FORMED OF UNEVEN SHAPE BY USING THE SAME例文帳に追加

半導体基板の表面エッチング装置、およびそれを用いて表面に凹凸形状が形成された半導体基板を製造する方法 - 特許庁

To provide a film formation method which can control size of hemispherical crystal grain to be small by combining etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を組み合わせることにより、半球状の結晶粒のサイズを小さく制御することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a silicon wafer with an alkali solution, capable of improving wafer surface roughness.例文帳に追加

シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法であって、ウェハ表面粗度の改善が可能なエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a polarizing optical element capable of simplifying a manufacturing process without requiring dry etching, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ドライエッチングを必要とせずに製造工程を簡略化することができる偏光光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables readily judgement as to whether the etching quantity is adequate, from optical non-destructive tests.例文帳に追加

光学的な非破壊検査で簡単にエッチング量の適否判定を可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

DEVICE FOR COLLECTING IMPURITY AT EDGE PART OF WAFER-SHAPED MATERIAL, DEVICE FOR CLEANING AND ETCHING THE MATERIAL AND METHOD USING THE DEVICE例文帳に追加

ウェーハ形状材料のエッジ部不純物回収装置、及び同材料の洗浄・エッチング装置並びに同装置を利用した方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an exposure mask which can correct the dimensional slip of the patterns without etching in a slightly deficient manner.例文帳に追加

エッチングを不足気味に行うことなく、パターンの寸法ずれを補正することが可能な露光用マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a probe card, capable of protecting a probe head even during an etching process to reduce the percentage defective of the probe card.例文帳に追加

エッチング工程中にもプローブヘッドが保護でき、プローブカードの不良率を低減できるプローブカードの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of forming a resist pattern excellent in shape and etching resistance, and a resist pattern forming method.例文帳に追加

形状およびエッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This composition is useful in a method for efficiently removing the smut generated in the etching stage of an aluminum pretreating process.例文帳に追加

この組成物は、アルミニウム予備処理プロセスのエッチング工程から生じるスマットを効率的に除去する方法において有用である。 - 特許庁

To provide a method for making a superconducting circuit without requiring an expensive vacuum deposition system, a photolithography technology and an etching means.例文帳に追加

高価な真空蒸着装置、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング手段を必要としない超電導回路作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a contact hole by which a minute hole can precisely be formed, and to provide a dry etching device.例文帳に追加

微細なコンタクトホールを精度良く形成することができるようにしたコンタクトホールの形成方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching processing method capable of reducing a work defect in the terminal edge of a large diameter wafer and raising production yield.例文帳に追加

大口径ウエハの最エッジ部での加工不良を低減し、生産歩留まりを向上できるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element for preventing the degree of etching in a conductive layer at a lower portion of a gate electrode layer from causing a difference, when etching the gate electrode layer at a memory cell region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域と周辺回路領域のゲート電極層をエッチングする時にゲート電極層の下部の導電層がエッチングされる程度の差を発生させないようにする非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, since the silicon oxide film containing no boron and phosphorus can be used as the hard etching masks 3a, there is no contamination by boron and phosphorus, and a rinsing is not required for removing the residual of the compounds of boron and phosphorus after an etching.例文帳に追加

この方法では、ホウ素や燐を含まないシリコン酸化膜をハードエッチングマスク３ａとして使用できるため、ホウ素や燐の汚染がないことや、エッチング後のホウ素や燐の化合物の残渣除去のためのリンスが必要ない。 - 特許庁

To provide a substrate treating device and method for preventing etching liquid from adhering to the central part of a substrate surface and for appropriately performing treatment to the peripheral part of the substrate surface by the etching liquid.例文帳に追加

基板表面の中央部にエッチング液が付着することを防止でき、かつ、基板表面の周縁部にエッチング液による処理を良好に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing a substrate in which accuracy in detecting a finishing point of etching process can be improved even when an etching object has light transmissivity and has a minute pattern.例文帳に追加

エッチング対象が透光性を有し、且つパターンが微細である場合であってもエッチング処理の終点検出の精度を向上させることができる基板の製造装置および基板の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not apply a thermal damage to a lower layer wiring formed previously, and can remove a water content or etching gas component coupled to a film of a low dielectric constant after etching.例文帳に追加

先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for dry-etching a substrate, which can easily control a temperature of the substrate by cooling and heating the substrate, prevents an etching apparatus from being etched, and besides, facilitates the handling of the substrate.例文帳に追加

基板の冷却、加熱による温度管理を容易に行うことができ、かつエッチング装置をエッチングしてしまうのも防止でき、さらには基板の取扱いも容易になる基板のドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By the treating method for the non-volatile material, reaction products inhibitting vertical etching are removed each time, and the material to be etched is exposed, so that the perpendicularity of the shape of the side walls after the etching treatment can be improved.例文帳に追加

この不揮発性材料の処理方法によって、垂直なエッチングを阻害する反応生成物をその都度取り除き、被エッチング材料を露出させることで、エッチング処理後の側壁形状の垂直性を向上できる。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

The etching method is used to form projections 21a by etching on a sapphire substrate used in a semiconductor light-emitting element formed by providing semiconductor layers 22, 23, and 24 on the sapphire substrate 21 having the projections 21a.例文帳に追加

本発明は、凸部２１ａを有するサファイア基板２１の上に半導体層２２，２３，２４を設けて成る半導体発光素子に用いられる前記サファイア基板上に、エッチングにより前記凸部２１ａを形成する方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that is improved to prevent a modified resist surface layer from peeling when continuously performing dry etching and wet etching by the same resist pattern.例文帳に追加

同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern by which the difference in etching shapes caused by the pattern density can be eliminated, and which is excellent in rapid response to the variation of the etching shift amount or the like and is at low cost.例文帳に追加

パターン形成方法に関し、パターン疎密に依るエッチング形状の差を解消することが可能であり、また、エッチングシフト量の変動などに対して即応性に優れ、且つ、低コストのパターン形成方法を提供しようとする。 - 特許庁

To provide a plasma-generating device and a plasma generating method in which if the etching selectivity with respect to mask is small, the thickness of the mask can be made small, and also the in-plane uniformity of an etching speed is proper.例文帳に追加

対マスクエッチング選択性が小さくてもマクス厚を薄くすることができ、パターンの微細化を図ることができる、また、エッチング速度の面内均一性が良好なプラズマ生成装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, ethylene diamine tetraacetate or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または／および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液にエチレンジアミン四酢酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

In a method for dry etching the insulating film provided on the semiconductor substrate, a ratio of an Ar gas in mixture gas used when dry etching is carried out is set at 40% or less.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、半導体基板に設けられた絶縁膜をドライエッチングする方法において、ドライエッチングする際に使用する混合ガスの中のＡｒのガス比率を、４０％以下に設定することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor with a stable characteristic by suppressing the dispersion of etching amount of a lower layer semiconductor film in dry-etching a metallic film to form source-drain electrodes without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程数の増加なく、ソース・ドレイン電極形成のための金属膜のドライエッチングに際して、下層の半導体膜の削れ量のばらつきを抑え特性の安定した薄膜トランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a polysilicon layer removing method capable of substantially removing etching residue, while improving the shape when a polysilicon layer of an end of a substrate where the polysilicon layer is formed is removed through wet etching.例文帳に追加

ポリシリコン膜が形成された基板の端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去する際に、形状性良く、かつエッチング残りが実質的に存在せずに除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing glass 10 on the surface of which unevenness 10b is formed includes a process for etching the surface 10a of the glass 10 with an etching solution in such a state that a net 20 is brought into contact with the surface 10a of the glass 10.例文帳に追加

ガラス１０の表面１０ａに網２０を接触させた状態で、ガラス１０の表面１０ａをエッチング液によりエッチングする工程を備える、表面に凹凸１０ｂが形成されたガラス１０の製造方法である。 - 特許庁

To provide a product as a double layer flexible copper-clad laminated sheet using a direct metallization method in which satisfactory peeling strength after heating and chemical resisting performance of a circuit to be formed can be maintained, and etching with a copper etching liquid can be facilitated.例文帳に追加

ダイレクトメタライゼーション法を用いた２層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element for preventing bridging between cells when wet-etching an oxide film in a cell region by manufacturing a cylindrical capacitor by selectively etching only the oxide film in the cell region.例文帳に追加

セル領域の酸化膜だけを選択的にエッチングしてシリンダー型キャパシタを製造し、セル領域酸化膜を湿式エッチングするとき発生するセル間のブリッジング現象を防止するための半導体素子の製造方法に関する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor apparatus, the 1st insulating film 3 is used as the etching stopper film when the through hole 7 is formed in the substrate 1, so side etching of the top-surface electrode 5 can be prevented.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、基板１に貫通孔７を形成する際に、第１絶縁膜３をエッチングストッパ膜として用いているので、表面電極５にサイドエッチが発生するのを防止することができる。 - 特許庁

This etching method comprises a process of fruorinating the surface of a silicon wafer, and a process of etching the silicon by treating the surface of the silicon wafer using an alkali compound aqueous solution containing a methyl group having a concentration of 10-30%.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンウェーハの表面をフッ素化処理する工程と、濃度１０〜３０％のメチル基含有アルカリ化合物水溶液を用いて前記シリコンウェーハ表面を処理してシリコンをエッチングするものである。 - 特許庁

To provide a waste gas processing method for a semiconductor manufacturing device so as to inexpensively and easily remove harmful polyfluoride compound gas used for a cleaning or etching processing inside a processing chamber in a plasma CVD device and a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of then dry etching under the condition in which an etching velocity of the dielectric 2 with respect to that of the sidewall 9a becomes about 10, thereby obtaining the through hole 10 having a tapered shape of an optimal slope.例文帳に追加

その後、サイドウォール９ａのエッチング速度に対する層間絶縁膜２のエッチング速度が約１０になるような条件でドライエッチングをすることにより、最適な傾斜のテーパ形状を有するスルーホール１０を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that has been improved to prevent a modified resist surface layer from being released when continuously performing dry etching and wet etching by the same resist pattern.例文帳に追加

同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a minute region working method and equipment of a wafer, which can cope with the size of a wafer and a plurality of kinds of etching works by performing etching work with chip unit aiming at a chip to be formed in a wafer.例文帳に追加

ウェハーに形成されるチップに着目して、チップ単位でエッチング加工するようにして、ウェハーの大きさや複数種類のエッチング加工に対応できるようにしたウェハーの微小領域加工方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To realize a dry-etching method capable of obtaining wafers having stable performance even if a plurality of the wafers are subjected to processing in a case of etching a laminated gate and ensuring the same result with a case of using actual wafer samples even when dummy wafers are used in a continuous test.例文帳に追加

積層ゲートをエッチングする場合において、複数枚処理しても安定な性能が得られ、また、連続試験を行う際にＳｉダミーウェーハを用いても実ウェーハサンプルを流す場合と同様な結果が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a method for etching a carbon-based material, which does not require heating in particular, and keeps very excellent flatness and mask selection ratio, and can obtain a shape faithful to the shape of a mask and a high etching rate.例文帳に追加

特別な加熱を必要とせず、極めて良好な平坦性及びマスク選択比を保ち、且つマスク形状に忠実な形状及び高いエッチング速度を得ることができる炭素系材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electronic device characterized by forming a first layer, forming a TiN film on the first layer, and etching part of the first layer by wet etching by using the TiN film as a mask.例文帳に追加

また、第１の層を形成し、前記第１の層の上にＴｉＮ膜を形成し、前記ＴｉＮ膜をマスクとして、ウェットエッチングにより前記第１の層の一部をエッチングすることを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。 - 特許庁

In the invented method of inspecting an N-region, an anisotropic dry etching having different etching speeds against a part where a crystal defect 4 is present and a part where a crystal defect 4 is absent which are formed in a wafer 2 is applied.例文帳に追加

本発明のＮ領域の検査方法によると、ウェーハ２内に形成されている結晶欠陥４の存在部位と結晶欠陥４の非存在部位に対するエッチング速度が異なる異方性ドライエッチングを実施する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gray tone mask by which a light shielding film and a translucent film are formed from film materials having approximate etching characteristics without providing an etching stopper film, and misalignment of a pattern in a translucent part is prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるグレートーンマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁