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etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
The manufacturing method of the semiconductor device includes: a step of selectively dry-etching a silicon substrate 101 with a first etching gas to form a first trench 109; and a step of further dry-etching the silicon substrate 101 on the bottom of the trench 109 with a second etching gas to form a second trench 113 including a part radially expanding downwardly from the bottom of the first trench 109.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法は、第１エッチングガスを用いてシリコン基板１０１を選択的にドライエッチングして第１トレンチ部１０９を形成する工程と、第２エッチングガスを用いて、第１トレンチ部１０９の底部においてシリコン基板１０１をさらにドライエッチングし、第１トレンチ部１０９の底部から下方向に向かって拡径した部分を含む第２トレンチ部１１３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
The method of patterning a dielectric film includes a step of forming a first dielectric film on a silicon substrate, a step of forming a second dielectric film on the first dielectric film, a step of partially exposing the first dielectric film by partially etching the second dielectric film with use of an etching paste, and a step of etching the exposed first dielectric film using an etching solution.例文帳に追加
シリコン基板上に、第１の誘電体膜を形成する工程と、該第１の誘電体膜上に、第２の誘電体膜を形成する工程と、エッチングペーストを用いて、第２の誘電体膜を部分的にエッチングすることにより、第１の誘電体膜を部分的に露出させる工程と、露出した第１の誘電体膜を、エッチング液を用いてエッチングする工程とを含む誘電体膜のパターニング方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a deteriorated layer removal step, wherein the deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to the silicon carbide substrate is removed by executing, in order, a first etching step of anisotropic plasma etching using an inert gas and a second etching step of isotropic plasma etching using an inert gas.例文帳に追加
炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、不活性ガスを用いた異方性プラズマエッチングによる第１エッチング工程と、不活性ガスを用いた等方性プラズマエッチングによる第２エッチング工程とをこの順序で実施することにより除去する変質層除去工程を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 特許庁
In the method for regenerating the iron chloride-based etching liquid containing nickel in an electrolytic cell, an Fe-Ni alloy in an amount dissolved by an etching stage among metal in the etching liquid is electrolytically recovered at the ratio of the alloy dissolved by the etching stage on the cathode side of the electrolytic cell, and chlorine ions produced by a reduction reaction on the cathode side are consumed to oxidize bivalent iron into tervalent iron.例文帳に追加
ニッケルを含む塩化鉄系エッチング液を電解槽にて再生する方法において、電解槽の陰極側で、エッチング液中の金属のうちエッチング工程により溶解されたＦｅ−Ｎｉ合金の量をエッチング工程により溶解された合金比率で電析回収し、電解槽の陽極側で、陰極側の還元反応により生成される塩素イオンを消費充当して２価鉄を３価鉄に酸化する。 - 特許庁
This method includes the steps for: forming an etching mask extending in a predetermined direction on a second semiconductor region 30 of a substrate product 10A having first and second semiconductor regions 20, 30 including an InP based compound semiconductor; forming a stripe mesa structure 40 by performing dry etching using an etching mask, and then performing wet etching; forming an insulation film 42; and forming an electrode 50 by the lift-off method.例文帳に追加
この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid jet head capable of forming a fluid channel of a pressure generation chamber or the like by etching with high accuracy.例文帳に追加
圧力発生室等の流路をエッチングにより高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for etching a glass substrate which facilitates the fabrication of a silicon mask and improves workability.例文帳に追加
シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor package having a small environmental load for remarkably saving reducing the number of processes such as etching and plating, etc.例文帳に追加
エッチング、メッキといった工程を大幅に削減することができ、環境負荷の小さな半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁
According to this method, the particles strongly adhered to the thin film is removed by the synergism of etching and ultrasonic cleaning.例文帳に追加
この方法によれば、エッチングと超音波洗浄の相乗効果により、薄膜に強固に付着していたパーティクルが除去されることとなる。 - 特許庁
To detect cracks undetectable by a dark visual field observing method when inspecting a quartz blank after lapping and before chemical etching.例文帳に追加
ケミカルエッチング前でラッピング加工後の水晶ブランクを検査するに際して、暗視野観察法では検出できないクラックを検出できるようにする。 - 特許庁
To provide a method for in-situ cleaning of walls of a reactive ion etching chamber to remove contamination, e.g. copper containing contamination from the walls.例文帳に追加
銅含有汚染物などの汚染物を壁から除去するために、反応性イオンエッチングチャンバの壁をその場洗浄する方法を提供する。 - 特許庁
To improve precision and stability of thin-film processing by enhancing the etching resistance of a resist pattern, using a simple and effective resist-modifying method.例文帳に追加
簡便かつ効果的なレジスト改質法によりレジストパターンのエッチング耐性を強化して、薄膜加工の精度・安定性を向上させる。 - 特許庁
Therefore, by etching by this method, the waveguide can be formed into a ultrasmall size, having a low loss, and waveguide type optical parts can be realized for practical use.例文帳に追加
従って、この方法でエッチングすることにより超小型化、低損失化を図り、導波路型光部品を実用化することが可能となる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which includes an etching stopper film and suppresses an increase of capacitance between wiring, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
エッチングストッパ膜を有し、配線間容量の増大を抑制可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is conformable to prevent a bit line hard mask from damaging in the case of storage node contact etching.例文帳に追加
ストレージノードコンタクトエッチングの際、ビットラインハードマスクが損傷することを防止するのに適合した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide aluminum foil for an electrolytic capacitor subjected to satisfactory surface roughening even in d.c. etching and capable of obtaining high electrostatic capacitance, and to provide its production method.例文帳に追加
直流エッチングにおいても良好な粗面化がなされ高い静電容量が得られる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得る。 - 特許庁
To provide a method for forming a groove for generating dynamic pressure capable of forming a groove for generating dynamic pressure with high working precision and to provide an etching solution.例文帳に追加
動圧発生用溝を高い加工精度で形成することのできる動圧発生用溝形成方法、及びエッチング溶液を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which flattens an insulating film buried in a trench through a process of etching back the insulating film at a desired taper angle.例文帳に追加
トレンチ内へ埋め込んだ絶縁膜を所望のテーパー角度でエッチバックして平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for extremely uniform etching without mechanical contact with the major surface of a glass sheet which is transported in a vertical orientation.例文帳に追加
垂直な向きで搬送するガラス板の主表面とまったく物理的に接触せずに、極めて均一なエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for etching a glass substrate which facilitates the fabrication of a silicon mask and improves workability.例文帳に追加
シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of easily detecting a defect of a silicon carbide single crystal at a low cost with high precision in a manufacturing process through alkali etching.例文帳に追加
アルカリエッチングにより、製造プロセス中で容易かつ安価に炭化珪素単結晶の欠陥を高精度で検出する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method capable of efficiently recovering cerium from chromium etching solution containing cerium compound and chromium compound.例文帳に追加
セリウム化合物とクロム化合物を含有するクロムエッチング液から、セリウムを効率よく回収することが可能なセリウムの回収方法を提供する。 - 特許庁
As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.例文帳に追加
ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which reduces time and effort required for design of a mask used for patterning an etching target layer.例文帳に追加
エッチング対象層をパターニングするためのマスクの設計にかかる手間を軽減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus.例文帳に追加
装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of raising etching rate of a sacrifice layer by further raising a modification degree of the sacrifice layer.例文帳に追加
犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent display device which can dispense with a photo-etching process for forming a spacer pattern and provide its manufacturing method.例文帳に追加
スペーサパターンを形成するための写真エッチング工程を排除する有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching method for simply and easily producing a quartz glass member which has opaque part and transparent part at optional locations on the surface.例文帳に追加
任意の位置に不透明部と透明部とを表面に有する石英ガラス部材を簡便に製造するためのエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which pattern deformation is minimized by increasing etching selectivity of a sacrifice hard mask.例文帳に追加
本発明は、犠牲ハードマスクのエッチング選択比を増加させ、パターン変形を最小化できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method and a device for etching, which is stable, and has less re-sticking matters to a resist side wall.例文帳に追加
本発明は、安定にエッチングができ、かつ、レジスト側壁への再付着が少ないエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide an etching method capable of obtaining a hole of a good shape by preventing the occurrence of problems such as bowing, necking or the like.例文帳に追加
ボーイングやネッキング等の不具合が発生することを防止して、良好な形状のホールを得ることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a wiring pattern at high density while mainly using isotropic etching suitable for mass-production but inappropriate for high density of a wiring pattern.例文帳に追加
量産に適する等方性エッチングを主に用いて配線パターンを形成する方法では配線パターンの高密度化が困難である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method that prevents silicon horns from being formed in a recess gate area and increases a margin in the etching process.例文帳に追加
リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防止し、食刻工程のマージンを高める半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a structure by which an efficient film is formed by suppressing the occurrence of etching on a base body.例文帳に追加
基体上のエッチングの発生を抑制し、効率のよい膜を形成することができる構造物作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The colored curable composition includes a colorant, inorganic particles, and a curable compound and is used for pattern formation by a dry etching method.例文帳に追加
着色剤、無機粒子、及び硬化性化合物を含み、ドライエッチング法によるパターン形成に用いられる着色硬化性組成物である。 - 特許庁
To provide a dry etching method and a device which are capable of processing a magnetic material while restraining carbon monoxide from dissociating in plasma.例文帳に追加
プラズマ中の一酸化炭素の解離を抑制しつつ磁性体材料の加工を行うドライエッチング方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents the degradation of wiring reliability, which is caused by a reaction product produced during an etching process.例文帳に追加
エッチング工程で生成される反応生成物による配線信頼性の低下を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a metal wiring which is free from side etching and has a good cross-section shape even if the metal wiring is rarefact.例文帳に追加
金属配線が疎であっても、サイドエッチングの無い、良好な断面形状を有する金属配線を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which defective products are reduced by removing plating burrs occurred in etching processing.例文帳に追加
エッチング加工で発生しためっきバリを除去して、不良品の少ない半導体装置を造る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a compact semiconductor manufacture device where etching distribution can be controlled in a wafer face, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加
ウェハ面内でエッチング分布をコントロールすることのできる、コンパクトな半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BIT-LINE LANDING PAD AND NO BOUNDARY CONTACT ON BIT-LINE STUD PROVIDED WITH ETCHING STOP LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
エッチング阻止層が備わったビットラインスタッド上にビットラインランディングパッドと非境界コンタクトを有する半導体素子及びその形成方法 - 特許庁
To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.例文帳に追加
マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a CMOS image sensor wherein the LTO film is prevented from delamination by pad etching performed two times for changing the pad layout.例文帳に追加
パッドエッチングを２回行い、パッドレイアウトを変更してＬＴＯ膜の剥離を防止したＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for efficiently treating an etching waste liquid containing copper chloride to recover sludge with a low occurring amount of sludge.例文帳に追加
塩化銅含有エッチング廃液を効率よくかつ低められたスラッジ発生量で処理し、スラッジを回収するための方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent side etching and damage of a substrate by a gate electrode in which impurities are introduced.例文帳に追加
不純物が導入されたゲート電極でサイドエッチングや下地の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a wiring structure in which no fence is formed even when a film having a low dielectric constant is subjected to trench-etching.例文帳に追加
低誘電率膜１０４に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス１１０が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁
The method forms a line-type pattern by laminating a lower dielectric film 12 and an upper dielectric film onto a substrate 10 and then etching the upper dielectric film.例文帳に追加
基板１０上に下部絶縁膜１２と上部絶縁膜とを積層した後、上部絶縁膜をエッチングしてラインタイプパターンを形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of performing high-precision processing of a film to be processed such as an insulating film by using dry etching.例文帳に追加
ドライエッチングを用いて絶縁膜等の被加工膜の高精度加工を行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new, reliable method for etching a high-k material with sufficient selectivity for SiO_2 layer and silicon layer.例文帳に追加
ＳｉＯ_２層及びシリコン層に対する十分な選択性でｈｉｇｈ−ｋ物質をエッチングする新しい信頼できる方法を明らかにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a metal circuit which has a low electric resistance value and is stable without performing a conventional photo process nor a conventional etching process.例文帳に追加
従来のフォトプロセス及びエッチングプロセスを行わず、電気抵抗値が低く、且つ安定的な金属回路の製造方法を提供すること。 - 特許庁
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