「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which eliminates the need of a quick etching process for removing an unnecessary part of a foundation metallic layer while using a plating method, and can supply electric power even by a continuous transfer type method.例文帳に追加

めっき法を用いながら、下地金属層の不要な部分を除去するクイックエッチング工程を不要とし、また連続搬送型製法にしても給電できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a wafer, which solves problems that arise in manufacturing a semiconductor element, by reducing the lifting of a predetermined film or reducing the variation of an etching rate that depends on a region, in a process of etching the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のエッチング工程時に所定の膜の浮き上がり現象または地域によるエッチングレートの変化幅を減らし、半導体素子製造工程時の問題点を予め防止することが可能なウェーハ製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an aluminum foil material for an electrolytic capacitor anode in which deterioration in etching properties with the lapse of time can be prevented compared with those directly after its production, and further, excellent etching properties can be obtained even directly after the production, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

エッチング特性がアルミニウム箔材の製造直後に比べ、経時的に劣化するのを防止し得るとともに、製造直後においても優れたエッチング特性が得られる電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a display device having an inverted stagger type thin-film transistor in a channel etching structure, an etching process is performed using a mask layer formed of a multi-gradation mask, namely an exposure mask, where transmitted light has a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which can be manufactured at a low cost without using substance which exhibits high toxicity, e.g. Cl2, and can be manufactured using various etching systems without causing the availability thereof to be lowered, and to provide an etching method.例文帳に追加

製造コストが低く、Ｃｌ_２等の毒性の強い物質を使用せずに、かつ、エッチング装置の稼働率を低下させずに製造することができ、さらに、様々なエッチング装置で製造することができる半導体装置、及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a dry etching method, a silicon substrate W is mounted on a susceptor 12 disposed in a chamber 10 in which a vacuum can be formed and an etching gas is discharged in the chamber 10 to generate plasma and a first high frequency RF_L for drawing ions is applied to the susceptor 12.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Lを印加する。 - 特許庁

A method for embedding a thick-film capacitor includes a process for etching a foil electrode at the outside of the boundary of a capacitor dielectric layer in order to prevent the etching liquid from coming into contact with the capacitor dielectric layer and prevent the capacitor dielectric layer from being damaged.例文帳に追加

厚膜コンデンサを埋め込む方法は、エッチング液がコンデンサ誘電体層に接触しないように、かつコンデンサ誘電体層に損傷を与えないように、箔電極をコンデンサ誘電体の境界の外部でエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory cell wherein an increase in thickness of an oxide film in a dielectric film can be restrained in a heat treatment process for compensating etching damage after an etching process for forming a stack gate is performed.例文帳に追加

スタックゲートを形成するためのエッチング工程を行った後、エッチング損傷を補償するための熱処理工程で誘電体膜内の酸化膜の厚さ増加を抑制することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this method of manufacturing a thin film transistor, the surface of the semiconductor layer of a channel section 19 is formed in a predetermined recessed and projecting surface at the time of performing channel etching for removing a prescribed ohmic layer 14 and its diffusion layer by plasma etching.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層１４およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部１９の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。 - 特許庁

The method includes etching a dielectric layer to form a cavity therein, exposing an etch stop layer located beneath the cavity, and etching the exposed etch stop layer to extend the cavity, exposing a conductive feature in a present interconnecting structure.例文帳に追加

本方法は、誘電体層をエッチングしてそこに空洞を形成し下に位置するエッチング止め層を露出し、露出したエッチング止め層をエッチングして空洞を拡張し、現存の相互接続構造における導電形状特徴を露出することを含む。 - 特許庁

The method relates to wafer processing utilizing multilayer processing procedure including one or more measuring processes, one or more poly-etching (P-E) processes and one or more metal gate etching processes, and the multilayer/multi-input/multi-output (MLMIMO) model and library.例文帳に追加

本発明は、1つ以上の測定処理、1つ以上のポリエッチング(P-E)処理及び1つ以上の金属ゲートエッチング処理を有する多層処理手順並びに多層/多入力/多出力(MLMIMO)モデル及びライブラリを用いてウエハを処理する方法を供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 4 is formed on a semiconductor substrate 1 where a transistor 2 for selecting a storage element is formed, and a contact hole is formed at the interlayer insulation film 4 by a plasma etching method with a gas system containing CHF_3 as an etching gas.例文帳に追加

記憶素子選択用のトランジスタ２を含む回路が形成された半導体基板１の上に層間絶縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に対してＣＨＦ_3 を含むガス系をエッチングガスとするプラズマエッチング法でコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film to form a resist underlayer film, having a lowered reflectance, a high etching resistance, and high heat and solvent resistances, in particular, without wiggling during substrate etching, and to provide a patterning process that uses the film.例文帳に追加

反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a capacity type electromechanical conversion apparatus, and a capacity type electromechanical conversion apparatus capable of etching a sacrifice layer comparatively at high speed not depending on spread rate controlling, and forming a cavity satisfactory, by electrolytic etching.例文帳に追加

電解エッチングにより、拡散律速に依存せず比較的高速に犠牲層をエッチングできて、キャビティを良好に形成できる容量型電気機械変換装置の作製方法及び容量型電気機械変換装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for copper or copper alloy that is used for manufacturing a printed wiring board, having a fine wiring pattern, with an excellent yield and without causing a short-circuit defect when executing etching by an etchant containing a banking agent.例文帳に追加

バンキング・エージェントを含むエッチング液によりエッチングを行った場合、微細な配線パターンを有するプリント配線板を、ショート欠陥を発生させることなく、良好な歩留まりで製造する銅又は銅合金のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of omitting separate provision of a chamber exclusive for the pretreatment etching, and also omitting any driving system exclusive for opening/closing a shutter to protect a target or the like from any deposit caused by the pretreatment etching, and its cleaning method.例文帳に追加

前処理エッチング専用のチャンバーを別に設けることを不要し、さらには、前処理エッチングによる付着物からターゲット等を保護するシャッターの開閉専用の駆動系をも不要とするスパッタリング装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper foil of an electronic circuit, and a method for forming the electronic circuit, in which a uniform circuit having a target circuit width can be formed by preventing drooping due to etching at the time of forming a circuit by etching the copper foil of a copper clad laminate plate.例文帳に追加

銅張り積層板の銅箔をエッチングにより回路形成を行うに際し、エッチングによるダレを防止し、目的とする回路幅の均一な回路を形成できる電子回路用銅箔及びそのための電子回路の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant suitable for etching a layer, containing titanium as a main constituent within a layered product including the layer, containing titanium as a main constituent and a layer containing aluminum as a main constituent, and a layer containing aluminum as a main constituent, and to provide an etching method.例文帳に追加

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In this plasma treatment method wherein plasma is generated and then a high-frequency voltage is applied to an object on a wafer for etching, the wafer temperature during the etching process is changed by steps for radicals to enter to reach the bottom of the pattern on the object.例文帳に追加

プラズマを生成し、高周波電圧を印加することによりウエハ上の被処理材をエッチングするプラズマ処理方法において、エッチング中にウエハ温度を、被処理材のパターン内底部までラジカルが入射できる温度にステップ的に変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element wherein a plurality of contact holes are formed at the same time in one etching process without causing excessive etching and yield and productivity are excellent, a method of manufacturing the same, and a display device.例文帳に追加

過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this circuit formation method for etching an organic insulation material of a polyimide layer 2, a mixture liquid of abrasive such as alumina 8 and water is discharged to collide it against the organic insulation material and scrape the organic insulation material off in the etching.例文帳に追加

ポリイミド層２などの有機絶縁材料をエッチングする回路形成方法において、前記エッチングは、アルミナ８などの研磨剤と水との混合液を吐出し、前記有機絶縁材料に衝突させ、前記有機絶縁材料を削り取る。 - 特許庁

To provide a dry etching method, using a fluorine-based etching gas, especially one which uses ICP (inductively-coupled plasma) type low-pressure, high-density plasma, for effectively preventing unwanted particles without decreasing the productivity.例文帳に追加

弗素（フッ素）系エッチングガスを用いるドライエッチング方法、特にはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型の低圧高密度プラズマを用いるエッチング方法において、不所望なパーティクルの発生を効果的に防止でき、且つ生産性を損なうことのないものを提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a silicon oxide film where gas related to global warming is restrained from being exhausted, the silicon oxide film can be etched by keeping it high in selectivity to resist, an etching process can be kept high in reproducibility.例文帳に追加

地球の温暖化に繋がるようなガスの排出を抑止することができ、またレジストに対する選択性を高く維持してエッチングすることができ、加えてプロセス再現性においても有用な特徴を持つシリコン酸化膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of processes in a method for manufacturing a semiconductor device by forming a contact hole through simultaneous etching of a laminated film of an inorganic insulating film and an organic resin film made of different materials which have different film thicknesses with a single etching.例文帳に追加

半導体装置の作製方法において、材料及び膜厚の異なる積層膜（無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層膜）を同時に一回のエッチングによりコンタクトホールを開口することで、工程数を低減させることを課題とする。 - 特許庁

To form simply a space for storing etching liquid on the surface, and to prevent leak of the etching liquid, in a method for analyzing nondestructively a metal included in a surface layer of a quartz glass product such as a quartz glass tube.例文帳に追加

石英ガラス管などの石英ガラス製品の表層に含有される金属を非破壊的に分析する方法において、エッチング液を表面に貯留する空間を簡単に形成できるようにすると共にエッチッング液の漏れが無いようにする。 - 特許庁

A method for manufacturing the acoustic sensor includes removing the extended part 48a by etching from a back chamber 35 provided in the silicon substrate 32 to form a cavity 50 in a region excluding the tip part of a lower face of the beam part 36a, and subsequently removing the second sacrifice layer 47 by etching.例文帳に追加

シリコン基板３２に設けたバックチャンバ３５から延出部４８ａをエッチング除去して梁部３６ａの下面の先端部を除く領域に空洞部５０を形成した後、さらに第２犠牲層４７をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrooptic device, which prevents penetration of an etching liquid from a boundary surface of sticking between a semiconductor substrate and a support substrate when using wet etching to form a contact hole to be used to control the potential of a light shielding layer.例文帳に追加

遮光層の電位の制御に使用されるコンタクトホールをウエットエッチングを用いて形成する際に、半導体基板と支持基板との貼り合わせ界面からエッチング液が浸透しない電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device for performing lithography processing and etching processing for a plurality of semiconductor wafers included in each of a plurality of lots comprises an etching condition setting process, a correlation relation acquiring process, and a feedback processing process.例文帳に追加

複数のロットのそれぞれが含む複数の半導体ウェハに対して、リソグラフィ処理及びエッチング処理を行う半導体装置の製造方法であって、エッチング条件設定工程、相関関係取得工程及びフィードバック処理工程を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor element with a two-step continuous wet etching step by using different etching solutions for providing an insulating margin between contacts that are self-aligned with a lower conductive layer and an upper conductive layer.例文帳に追加

下部導電層と下部導電層によって自己整列されるコンタクト間の絶縁マージンを確保するために相異なる蝕刻液を使用した２段階の連続的な湿式蝕刻工程を用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which includes a spacer film which adjusts a radius of a via and an etching stopper film formed on an intervia insulating film and suppresses the occurrence of leakage current in an interface between the spacer film and the etching stopper film, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ビアの径を調節するスペーサ膜と、ビア間絶縁膜上に形成されたエッチングストッパ膜を有し、スペーサ膜とエッチングストッパ膜の界面におけるリーク電流の発生を抑えた半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method of a silicon nitride film which keeps the etching rate during the period of cleaning relatively small even if a film is formed at relatively low temperatures, therefore, improves the controllability of the film thickness during the period of cleaning, and also allows the film to sufficiently function as an etching stopper film.例文帳に追加

比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜として十分機能することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist resin composition for glass etching, which has such resistance to hydrofluoric acid as to allow only a desired region to be selectively etched when etching a glass substrate and has adhesion to the glass substrate; and to provide a method for forming a circuit by using the resist resin composition.例文帳に追加

ガラス基板のエッチング加工の際、所望の領域のみを選択的にエッチングすることが可能な耐フッ酸性、ガラス基板に対する密着性を有するガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそれを用いた回路形成方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the mesa-type semiconductor device comprises the steps of adding any of ethylenediamine tetraacetate, a hydroxyethylethylenediamine triacetate, hydroxyethylidene diphosphonate, methylenephosphonic acid, and diethylenetriamine pentaacetate to an alkali solution for etching, or cleaning them with added pure water, after the alkali etching.例文帳に追加

エツチング用のアルカリ溶液にエチレンジアミン四酢酸塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸塩、ヒドロキシエチリデン二ホスホン酸塩、メチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五酢酸塩のいずれかを加え、またはアルカリエツチング後に、それらを加えた純水で洗浄する。 - 特許庁

To provide an etching solution capable of selectively removing SiO_2 system deposit and CF system deposit in the same process, while controlling etching of a thermal oxidation film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using, such etchant.例文帳に追加

熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant composition which can efficiently roughen (forming a concavity and convexity) a surface of a semiconductor film constituting a light extraction surface of an LED by etching without using a special technique, and to provide an etching method using the etchant composition.例文帳に追加

特殊な技術を用いることなく、ＬＥＤの光取り出し面を構成する半導体膜の表面を、効率よくエッチングして粗面化（凹凸化）することが可能なエッチング液組成物および該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

An etching method of an amorphous oxide semiconductor film containing at least either of gallium and zinc, and indium selectively etches the amorphous oxide semiconductor film by an alkaline etching solution.例文帳に追加

ガリウム又は亜鉛の少なくともいずれか一方とインジウムとを含むアモルファス酸化物半導体膜のエッチング方法であって、アルカリ性のエッチング液によって前記アモルファス酸化物半導体膜の選択エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the scintillator array includes: forming the scintillator array joined through an adhesive layer by adjacent scintillator elements of a plurality of scintillator elements (801); etching the adhesive layer (802), and manufacturing the scintillator array by filling a gap generated by etching with a partition wall material (803).例文帳に追加

複数のシンチレータ素子の隣り合うもの同士が接着層を介して接合されたシンチレータアレイを形成し(801)、前記接着層をエッチングし(802)、前記エッチングによって生じる隙間に隔壁材を充填する(803)ことによってシンチレータアレイを製造する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a contact plug 7 is formed in a state that an oxide film 20 is formed on a nitride film 5 as an etching stopper at the time of wet-etching, whereby the contact plug 7 is formed in a state of projecting up of an underlayer oxide film 4, preferably the nitride film 5.例文帳に追加

ウェットエッチング時にエッチングストッパーとなる窒化膜５の上に酸化膜２０を付けた状態でコンタクトプラグ７を形成し、これにより、コンタクトプラグ７を、下地酸化膜４、好ましくは、窒化膜５よりも上方に突出させた状態に形成する。 - 特許庁

To provide a wet etching method of a compound semiconductor, whereby the change in tapered shape is suitably adjusted, both in a perpendicular and a lateral direction with a single wet etching on a compound semiconductor layer formed with an even thickness.例文帳に追加

厚さ一様に成膜された化合物半導体層について、１回のウェットエッチングにより縦方向および横方向の何れの方向にもテーパ形状の変化調整を適正に実施する化合物半導体ウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator chip whereby sufficient heat dissipation from a piezoelectric substrate can be obtained in the case of forming the piezoelectric resonator chip from the piezoelectric substrate by using dry etching, occurrence of cracks in the piezoelectric substrate is prevented and fluctuation in etching shape can be suppressed.例文帳に追加

ドライエッチングを用い圧電基板から圧電振動片を形成する際に、圧電基板からの充分な放熱が得られ、圧電基板の割れを防止し、エッチング形状のばらつきを抑える圧電振動片の製造方法を提供する。 - 特許庁

After being planarized by a CMP method, the first element isolation insulating film 31 and the second element isolation insulating film 32 are etched under the etching condition that the etching rate of the second element isolation insulating film is higher that of the first element isolation insulating film.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１と第２素子分離絶縁膜３２は、ＣＭＰ法により平坦化された後、第２素子分離絶縁膜３２のエッチングレートの方が第１素子分離絶縁膜のそれよりも高いエッチング条件でエッチングされる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus which can obtain an etching grade higher than a conventional one, where a damage of a treated matter due to etching is little, and which can produce a surface wave downstream negative ion in a radio frequency band; and to provide a plasma producing method.例文帳に追加

従来の装置よりも高いエッチングレートを得られ、エッチングによる被処理物へのダメージが少なく、ラジオ周波数帯で表面波ダウンストリーム負イオンの生成が可能であるプラズマ処理装置およびプラズマ発生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element in which a mesa structure is formed by wet etching, capable of preventing abnormal etching from occurring at a corner of the mesa structure, and to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

本発明は、ウェットエッチングを行いメサ構造を形成する半導体光素子とその製造方法において、メサ構造の角部で異常エッチングが起こることを回避できる半導体光素子とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method by which an AlGaInP system semiconductor layer and the other semiconductor layers can be respectively etched at relatively close etching speed by using an easily handleable etchant, and also, a smooth surface can be obtained after etching.例文帳に追加

手軽に取り扱うことのできるエッチング液を用いて、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と他の半導体層を比較的近いエッチング速度でエッチングすることができ、なおかつ、エッチング後に平滑な表面が得られる方法を提供すること。 - 特許庁