| 例文 |
etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
In such a method, sidewalls on layers excluding a target film being etched are protected with such a buffer film followed by a gate etching process.例文帳に追加
それによって、エッチング対象となるターゲット膜以外の層の側壁をそうしたバッファ膜で保護し、その後にゲートエッチング工程を実施する。 - 特許庁
Masks 12, 14 are arranged on an SiO2 substrate 10, having a refractive index of 1.444, the substrate 10 is etched reactive ion etching(RIE) method (a).例文帳に追加
屈折率1.444のSi0_2基板10上にマスク12,14を配置し、リアクティブイオンエッチング(RIE)法により基板10をエッチングする(a)。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method, with which it is possible to etch a processing target film with favorable controllability using a resist having high etching resistance.例文帳に追加
エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a processing method of a substrate improved to structuralize the substrate without using a wet or dry chemical etching process.例文帳に追加
ウエット又はドライケミカルエッチングプロセスを用いることなくサブストレートを構造化することに対して、改善されたサブストレートの処理方法を提案する。 - 特許庁
A method is also provided for etching or embossing a predetermined pattern on the surface during magneto-rheological polishing of the surface.例文帳に追加
表面のマグネトレオロジカル研磨の間に表面に、予め定められたパターンを刻み込みまたは浮き出させるための方法もまた提供される。 - 特許庁
In this method, after the over protective layer is once formed greater than the desired film thickness, the layer is removed by dry etching to form the layer with the final film thickness.例文帳に追加
このとき、上地保護層を、一旦所望の膜厚よりも厚く形成した後、ドライエッチングで除去して、最終の膜厚に形成する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a semiconductor device in which deterioration of the device can be suppressed while enhancing the uniformity of etching rate and the yield.例文帳に追加
エッチングレート均一性を向上し、歩留まりが高く、デバイス劣化を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for selectively etching only an area having a specific polarized face in a fluoride ferroelectric single crystal.例文帳に追加
フッ化物強誘電体単結晶における特定の分極面を有する領域のみを選択的にエッチングする方法を提供すること。 - 特許庁
To protect the side wall of an ferroelectric capacitor against ions at hard mask etching in a capacitor-mounted semiconductor device fabrication method.例文帳に追加
キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、ハードマスクをエッチングする際に強誘電体キャパシタの側壁をイオンから保護すること。 - 特許庁
To provide an etching method by which recessed and projecting sections can be formed highly efficiently with a short unit process time on the surface of a substrate, particularly, the substrate used for solar cells.例文帳に追加
基板、特に太陽電池に用いられる基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行うエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a production method of a semiconductor device in which in the case of forming a pattern having a linear part by etching using a photoresist, the linearity of the linear part can be secured.例文帳に追加
フォトレジストを用いたエッチングにより直線部を有するパターンを形成する場合に、直線部の直線性が担保できるようにする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method which prevents the corrosion of a metal wiring during an ITO (indium tin oxide) wet etching process and conducts in-plane uniform patterning of ITO.例文帳に追加
ITOウエットエッチング処理時の金属配線腐食を防止し、かつ面内均一なITOパターニングを行う製造方法を提供する。 - 特許庁
The method includes steps of etching a preform 12 having a plurality of internal channels and then drawing the preform 12 into a photonic band gap fiber.例文帳に追加
複数の内部通路を持つプリフォーム12をエッチングし、次いで、プリフォーム12をフォトニックバンドギャップファイバに線引きする各工程を有してなる。 - 特許庁
To provide a capacitor free from the damage of a dielectric lay by an etching solution and a manufacturing method of a printed circuit board including the same.例文帳に追加
エッチング溶液によって誘電体層が損傷することがないキャパシタおよび該キャパシタを含むプリント回路基板の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a method for forming a highly precise fine pattern by reducing side etch in the case of using wet etching.例文帳に追加
ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a resist material which improves etching resistance to secure the resolution of a resist pattern with micronization, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加
レジストパターンの微細化に伴う解像性確保のため、耐エッチング性が改良されたレジスト材料及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an alloy thin sheet of an Fe-Ni series or an Fe-Ni-Co series excellent in etching properties, to provide a thin sheet for a shadow mask and a shadow mask.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、シャドウマスク用薄板、シャドウマスクを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, preventing residues in a via hole from being generated in dry etching treatment of the via hole in the semiconductor device.例文帳に追加
半導体デバイスにおけるビアホールのドライエッチ処理において、ビアホール内に残渣が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon wafer and the same in which the condensed bodies of point faults that cannot detected by the Secco etching is reduced.例文帳に追加
シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、セコエッチング法では検出できない点欠陥の凝集体をさらに低減すること。 - 特許庁
To provide high purity phosphoric acid containing few fine particles which cause disadvantages at the time of etching of a semiconductor, or the like; and a method for purifying phosphoric acid.例文帳に追加
半導体エッチングの際等に問題となる微小なパーティクルの数が少ない高純度リン酸及びその精製方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method capable of forming irregularities on a surface of an MB-LED type semiconductor light emitting device by a wet-etching.例文帳に追加
MB−LED型半導体発光素子の表面にウエットエッチングにより凹凸を形成することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma processing method capable of accurately detecting the endpoint of cleaning of a magnetic neutral line discharge (NLD) plasma etching apparatus.例文帳に追加
磁気中性線放電(NLD)プラズマエッチング装置のクリーニングの終点を制度良く検出することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a magnetic head, which forms a mask for dry etching to be used in a manufacturing process of a magnetic head with high accuracy.例文帳に追加
磁気ヘッドの製造工程で用いられるドライエッチング用マスクを、高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a flexible substrate which has good etching properties and a barrier layer capable of preventing the decline of heat-resistant peel strength and a method for producing the substrate.例文帳に追加
エッチング性がよく、耐熱ピール強度の低下も防止できるバリア層を備えたフレキシブル基材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flexible printed wiring board which can improve melting removal speed at etching and is provided with a clear end edge of a circuit wire.例文帳に追加
エッチングによる溶解除去速度を高めると共に、回路線端縁の鮮鋭なフレキシブルプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of glass component for drastically reducing cost by eliminating etching process and, abrasion of a mold or else.例文帳に追加
エッチング工程を経ず、しかも型の磨耗等も伴わないため、大幅にコストダウンを図ることができるガラス部品の製造方法を提供する - 特許庁
To provide a semiconductor device where occurrence of etching abnormality can be suppressed when a CVD film is etched, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
CVD膜をエッチングした際にエッチング異常が発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method with which formation of notches and residues can be suppressed when plasma-etching Al films by using hard masks.例文帳に追加
ハードマスクを用いてAl膜をプラズマエッチングする場合において、ノッチ形成や残渣の発生を抑制することのできる方法を提供すること。 - 特許庁
To provide the contact etching method of a semiconductor device for distinguishing the fail of a semiconductor device by a normal wafer test.例文帳に追加
通常のウェハーテストで半導体素子の不良を判別することができる半導体装置のコンタクトエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a substrate treatment apparatus and a substrate treatment method capable of performing uniform etching treatment over the entire region of the main surface of a substrate.例文帳に追加
基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁
The SiN film 3 is selectively etched through a plasma etching method where CF4 gas and O2 gas are used, by which the film 3 is made to recede from the edge of the trench 5.例文帳に追加
CF_4 ガスとO_2 ガスとを用いたプラズマエッチング法によりSiN膜3を選択的にエッチングし、トレンチ5の外側に後退させる。 - 特許庁
The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.例文帳に追加
この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flexible printed circuit board whereby extremely high adhesion is obtained and a high-density pattern can be made by etching.例文帳に追加
密着性が非常に強固でエッチングによる高精細パターン化が可能なフレキシブルプリント回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
(4) A conductor pattern is formed by forming the resist pattern by using the method described in (3), and etching or plating the portions not covered with the resist pattern.例文帳に追加
(4)(3)記載の方法によりレジストパターンを形成し、レジストパターンに覆われていない部分をエッチングまたはめっきし、導体パターンを形成する。 - 特許庁
The grooves are formed by an etching method to be symmetric with respect to the central position in a thickness direction of the oscillator 1 as a reference.例文帳に追加
これらの溝は、水晶振動子1の厚み方向の中央位置を基準として対称となるように、エッチング法によって形成されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor device for forming a film in comparatively higher film forming rate by preventing etching to the underlayer (N+).例文帳に追加
下地(N+)へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
DUAL ETCHING BONDED PAD STRUCTURE FOR PUTTING CIRCUIT BELOW PAD BY REDUCING STRESS AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加
ストレスを減少してパッドの下に回路を入れることができるようにするためのデュアル食刻ボンドパッド構造およびそれを形成するための方法 - 特許庁
To provide a substrate treatment method which can improve a selection ratio in etching a silicon layer with respect to an oxide film layer as a mask layer.例文帳に追加
マスク層としての酸化膜層に対するシリコン層のエッチングにおける選択比を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing method by which a hole having a high aspect ratio or the like can be formed in a silicon layer without reducing an etching rate.例文帳に追加
エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a new processing method and device capable of sufficiently applying etching without damaging a compound semiconductor.例文帳に追加
化合物半導体に損傷を与えることなく、十分にエッチング加工を行うことができる新規な加工方法及び加工装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a semiconductor device configured to enhance a margin of an etching process by preventing silicon horns from being formed in recess gate regions.例文帳に追加
リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防ぎ、エッチング工程のマージンを高める半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor element that can etch a conductor film on a semiconductor substrate by using a spin etching process.例文帳に追加
スピンエッチング方法を使用して、半導体基板上の伝導体膜をエッチングすることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The etching method is characterized in that a platinum group film is etched with a solution comprising a permanganate and having a pH of 12.6 to 15.8.例文帳に追加
過マンガン酸塩を含む、pHが12.6〜15.8の溶液で、白金族の膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁
To provide a ceramic tool used for semiconductor manufacture and suitable for a plasma etching process, a method of manufacturing the same and a joining agent for ceramic.例文帳に追加
半導体製造に用いられかつプラズマエッチング工程に好適なセラミックス治具、その製造方法及びセラミックス用接合剤を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a nanohole structure having regularly arrayed nanoholes formed without using dry etching.例文帳に追加
本発明は、ドライエッチングを用いずに形成した規則配列したナノホールを有するナノホール構造体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a method for producing carbonyl difluoride (COF_2) useful for an organic synthesis reagent, a cleaning gas or an etching gas or the like for a semiconductor producing apparatus and the like.例文帳に追加
有機合成試薬、半導体製造装置等のクリーニングガス、エッチングガス等に有用な二フッ化カルボニル(COF_2)の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a wiring structure in which no fence is formed even when trench-etching is performed on a film having a low dielectric constant.例文帳に追加
低誘電率膜104に対してトレンチエッチングを行ってもフェンス113が形成されない、配線構造の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing method for forming a silicon nitride film having a small etching grade against an HF system solution without raising a film forming temperature.例文帳に追加
HF系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dry etching method that does not generate conical-pattern defects in a separation groove, when the separation groove is formed on a silicon substrate.例文帳に追加
シリコン基板に分離用溝を形成するときに、分離用溝に円錐状のパターン欠陥の生じないドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for refining xenon difluoride to high purity to be used as an isotropic etching gas for manufacturing a semiconductor in the field of electronics.例文帳に追加
エレクトロニクス分野の中で半導体製造用等方性エッチングガスとして使用される高純度二フッ化キセノンの精製方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|