「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device which has a mesa structure formed by dry etching, the nitride semiconductor device having electric characteristics and optical characteristics improved by removing a layer damaged during dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element separation film of semiconductor elements which removes an FSG film produced at etching of a first oxide film by an etching process using oxygen to prevent fluorine from diffusing, thereby avoiding the characteristics deterioration of the elements.例文帳に追加

第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching rate control monitor which controls the progress of etching of Si and SiO2 in a chemical, such as hydrofluoric acid or ammonium fluoride in which Si and SiO2 are dissolved, by a measurement method which is independent of the component concentrations in the chemical.例文帳に追加

フッ酸またはフッ化アンモニウム等のＳｉ及びＳｉＯ２を溶解しうる薬液中におけるＳｉ及びＳｉＯ２のエッチング進行状態を薬液の成分濃度に依存しない測定方法によって管理するエッチングレート管理モニターを提供する。 - 特許庁

Moreover, in the method of manufacturing semiconductor device for conducting anisotropic etching to any film of the silicon oxide film and silicon film over the compound semiconductor substrate, the other film is allocated under any film of the silicon oxide film and silicon film, and the anisotropic etching of one film is performed using the other film as the etching stopper.例文帳に追加

また、化合物半導体基板上の酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜に異方性エッチングを行なう半導体装置の製造方法において、前記酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜の下に他方の膜を配置し、この他方の膜をエッチングストッパとして前記一方の膜の異方性エッチングを行なう。 - 特許庁

In the method of forming discharge plasma by microwaves or high frequency by introducing gas into a vacuum chamber, and etching the thin film of the material containing porous silica accumulated on the substrate by applying negative bias voltage to the substrate, the etching is performed using the fluoric gas not having double coupling as etching gas.例文帳に追加

真空チャンバー内にガスを導入してマイクロ波や高周波により放電プラズマを形成すると共に基板に負のバイアス電圧を印加して、基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜をエッチングする方法において、 エッチングガスとして二重結合を持たないフッ素系ガスを使用してエッチングを行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-aligned ferroelectric gate transistor using a buffer layer with a large etching selectivity, which can achieve a higher degree of integration of the self-aligned ferroelectric gate transistor while preventing damage to a silicon substrate by forming a buffer layer with a large etching selectivity between the silicon substrate and a ferroelectric layer and then performing dry etching.例文帳に追加

シリコン基板と強誘電体層間に蝕刻選択比の高いバッファ層を形成して乾式蝕刻を遂行することで、シリコン基板の損傷を防止しながら自己整列強誘電体ゲートトランジスタの集積度を向上し得る蝕刻選択比の大きいバッファ層を利用した自己整列強誘電体ゲートトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

This method forms the structure 2 on a surface of the base board 1 via a predetermined gap, and causes surface roughening on an exposure surface of the base board 1, by melting a metallic film piece 3 by an etching liquid, by forming the metallic film piece 3 soluble in the etching liquid on the exposure surface 4 of the base board 1, after releasably etching the structure 2.例文帳に追加

基板１の表面上に所定のギャップを介して構造体２を形成する方法において、前記構造体２をリリースエッチングした後に、前記基板１の露出面４にエッチング液に可溶である金属膜片３を形成し、この金属膜片３をエッチング液により溶解することにより、前記基板１の露出面に面荒れを起こさせる。 - 特許庁

The film thickness measuring method according to the present invention is characterized in obtaining the film thickness of a coat at a predetermined position of an SiC dummy wafer from a measured etching time by forming the coat on a surface of the SiC dummy wafer under predetermined conditions, etching the coat, and measuring the etching time needed to expose the SiC dummy wafer surface at the predetermined position.例文帳に追加

本発明の膜厚測定方法は、ＳｉＣダミーウェーハの表面に、所定条件で被膜を形成し、被膜をエッチングし、ＳｉＣダミーウェーハの所定位置において、ＳｉＣダミーウェーハ表面が露出するまでのエッチング時間を測定し、測定されたエッチング時間より、所定位置における被膜の膜厚を得ることを特徴とする。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: preparing the semiconductor wafer; forming an etching groove by patterning the compound semiconductor epitaxial layer using an etching mask; and bonding the compound semiconductor epitaxial film, obtained by etching the peeling layer and peeling the compound semiconductor epitaxial layer, onto the substrate.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、化合物半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、化合物半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた化合物半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

This color photoresist removal method includes steps for: removing the color photoresist on a substrate formed with given elements in the first plasma etching process; conducting wet cleaning after the first plasma etching process; and completely removing residual color photoresist in the second plasma etching process after the wet cleaning.例文帳に追加

本発明のカラー・フォトレジストの除去方法は所定の素子が形成された基板の上のカラー・フォトレジストを第１プラズマエシング工程でとり除く段階と；前記第１プラズマエシング工程の後、湿式クリーニングを行う段階と；及び前記湿式クリーニング後第２プラズマエシング工程で残留カラー・フォトレジストを完全にとり除く段階を含んで成り立つに技術的特徴がある。 - 特許庁

The pattern forming method includes steps of: forming an etching mask 9 having a predetermined pattern formed on a member 3 to be processed; impregnating the etching mask 9 with a predetermined material 12; and patterning the member 3 to be processed using the etching mask 9 impregnated with the predetermined material 12.例文帳に追加

被加工部材３上に所定のパターンが形成されたエッチングマスク９を形成する工程と、前記エッチングマスク９に所定の物質１２を含浸させる工程と、前記所定の物質１２を含浸した前記エッチングマスク９を用い、前記被加工部材３をパターニングする工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法が提供される。 - 特許庁

To provide an etching post-treatment liquid and an etching method, wherein in etching using an iron chloride (III) aqueous solution to which oxalic acid has been added, the crystals of a water-insoluble copper salt formed on the surface of copper at the side face of a pattern are swiftly removed without deteriorating a work environment and without requiring special devices.例文帳に追加

本発明は、シュウ酸を添加した塩化鉄（III）水溶液を用いたエッチングにおいて、作業環境を悪化させたり、特別な装置を必要としたりすることなく、パターン側面の銅の表面に形成された水不溶性銅塩の結晶を迅速に除去するエッチング後処理液およびエッチング方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

The optical pattern etching method includes steps of: forming a photosensitive hydrofluoric acid etching material on a semiconductor or quartz glass substrate; exposing the substrate along a pattern; heating the substrate; subjecting the substrate to development by using an alkali developing solution; and subjecting the substrate to hydrofluoric acid etching by using a solution having ≥30% to ≤50% concentration of hydrofluoric acid.例文帳に追加

光パターンエッチング方法は、半導体または石英ガラスからなる基板上に感光性フッ酸エッチング材料を形成する工程と、基板をパターン露光する工程と、基板を加熱する工程と、基板にアルカリ現像液を用いて現像を施す工程と、基板にフッ酸濃度30％以上50％以下の溶液を用いてフッ酸エッチングを行う工程とを備える。 - 特許庁

This collecting method includes: bringing the waste etching liquid of oxalic acid containing indium in contact with a chelate resin having a polyamine group or an amidoxime group as a functional group; making the indium in the waste etching liquid of oxalic acid chelate-bonded to the functional group of the chelate resin; thereby making the chelate resin adsorb the indium; and collecting the indium from the waste etching liquid of oxalic acid.例文帳に追加

インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液を、官能基としてポリアミン基又はアミドオキシム基を有するキレート樹脂に接触処理せしめて、かかるキレート樹脂の官能基に対して、シュウ酸エッチング廃液中のインジウムを、キレート結合させることにより、インジウムをキレート樹脂に吸着させて、シュウ酸エッチング廃液中から回収するようにした。 - 特許庁

The dry etching method includes a mounting process for mounting a material A to be etched onto the lower electrode of a vacuum treatment chamber 20a having upper and lower electrodes 21 and 23, a heating process for heating the inside of the vacuum treatment chamber and the upper and lower electrodes, and a dry etching treatment process for carrying out dry etching treatment to the material to be etched.例文帳に追加

上部電極２１及び下部電極２３を具えた真空処理室２０ａの、下部電極上に被エッチング材Ａを搭載する搭載工程と、真空処理室の内部、上部電極及び下部電極を加熱する加熱工程と、被エッチング材に対してドライエッチング処理を施すドライエッチング処理工程とを、ドライエッチングプロセスに用いる。 - 特許庁

The evaluation method of a semiconductor substrate includes a process in which a semiconductor substrate is submerged in an etching liquid filled in a vessel, a process in which the semiconductor substrate submerged in the etching liquid is irradiated with light through the etching liquid so that the semiconductor substrate emits photoluminescence light, and a process for observing the photoluminescence light that has been released.例文帳に追加

容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 - 特許庁

To provide an etching method whereby, in selectively etching a polysilicon film on a lower layer film having steps to form a specified pattern, a part of the polysilicon film existing at a step region of the lower layer film can be perfectly removed and a pattern can be formed accurately with suppressing the side etching occurring at the sidewall of the pattern on the polysilicon film.例文帳に追加

段差を有する下層膜上に形成されたポリシリコン膜を選択的にエッチングして所定パターンを形成する際に、下層膜の段差部領域に存在するポリシリコン膜の一部を完全に除去でき、かつポリシリコン膜のパターンの側壁に発生するサイドエッチングを抑制しつつ精度良くパターンを形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

This method for correcting the sectional shape of a noncircular glass preform 1 to perfectly circular shape using an etching liquid 4 is characterized that the glass preform 1 is soaked in the etching liquid 4 so that the direction of the maximum diameter (Dmax) 2 on the section perpendicular to the axis of the preform 1 is perpendicular to the etching liquid level.例文帳に追加

非円形状を有するガラス母材１の断面形状を、エッチング液４を用いて真円形状に修正するに際し、該ガラス母材１の軸に垂直な断面での最大径（Ｄmax）２方向が、エッチング液面に対して垂直となるようにエッチング液４に浸水させて、ガラス母材１の非円形状を修正することを特徴としている。 - 特許庁

This method for manufacturing this package comprises an exposure process for exposing the photosensitive glass and an etching process for chemically etching the exposed photosensitive glass, so that the almost closed-end cylindrical package body having the bottom part and the peripheral wall part formed in the surrounding can be formed by the exposure process and the etching process.例文帳に追加

その製造方法としては、例えば感光性ガラスを露光する露光工程と、その露光した感光性ガラスをケミカルエッチングするエッチング工程とを備え、上記露光工程およびエッチング工程によって底部とその周囲に設けられた周壁部とを有する略有底短筒状のパッケージ本体を形成する工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dry-etching apparatus or the like capable of forming a semi-spherical (convex lens like) projecting part provided with a desired loose curved shape on one surface center part of a piezoelectric substrate such as an AT cut quartz crystal substrate for the first time by the dry-etching method without using a resist causing the increase of percent defective after etching.例文帳に追加

エッチング後に不良品率を増大させる原因となるレジストを一切用いずにドライエッチング法によって、ＡＴカット水晶基板等の圧電基板の片面中央部に対して所望の緩やかな曲面形状を備えた半球状（凸レンズ状）の凸部を形成することを始めて可能にしたドライエッチング装置等を提供する。 - 特許庁

By using a method of dry etching which uses a reactive gas with high processing accuracy for etching and by controlling the etching depth d larger than the thickness (t) of the transparent film 11, the height (h) of disk-like protrusions 13 can be made uniform, fluctuation in the volume of the protrusions 13 can be suppressed and the size of the microlenses 14 after the heat treatment is made uniform.例文帳に追加

エッチングに加工精度の高い反応性ガスを用いたドライエッチング法を用い、エッチングの深さｄが透明膜１１の厚さｔより深くなるようにすることにより、円板状の突起１３の高さｈを一定にすることができ、突起１３の体積変動が抑えられ、熱処理後のマイクロレンズ１４のサイズが均一となる。 - 特許庁

This method also includes a step for etching the predetermined region of the inter-layer insulating films, and then for stopping the etching process at the etching stop films to form a damascene pattern.例文帳に追加

所定の構造が形成された半導体基板１０１の上部に誘電定数が低い物質を用いたエッチング停止膜１０２，１０４を形成し、層間絶縁膜１０３，１０５を形成する段階;及び上記層間絶縁膜の所定領域をエッチングし、上記エッチング停止膜でエッチング工程が停止するようにしてダマシンパターンを形成する段階を含む。 - 特許庁

The semiconductor etching method has a process of forming a metal fluoride layer at a temperature of not less than 150°C as at least one part of an etching mask 3 to be formed on a semiconductor layer 2; a process of patterning the metal fluoride layer; and a process of etching the semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer 3 as a mask.例文帳に追加

半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０℃以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

A method for etching the insulating film 3, arranged in a laminated state between conductor films 1 and 2, comprises a step of partly etching the film 3 to a position on the way of a thickness direction, a step of executing a masking 5 on a side face 3a of the partly etched film 3, and a step of etching the residual film 3.例文帳に追加

導体膜１，２間に積層状態に配される絶縁膜３をエッチングする方法であって、絶縁膜３を厚さ方向の途中位置まで部分的にエッチングするステップと、部分的にエッチングされた絶縁膜３の側面３ａにマスキング５を施すステップと、残りの絶縁膜３をエッチングするステップとを含む絶縁膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selective etching method capable of evaluating a crystal defect of an ultra-low resistant silicon single crystal substrate having electric resistivity of <10 mΩ cm, especially BMD (bulk micro defects) properties, which can not be easily detected by conventional methods, by selectively etching using a chromium-less etching solution which does not contain harmful chromium and utilizing the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。 - 特許庁

This collecting method includes: bringing the waste etching liquid of oxalic acid containing indium in contact with a weakly basic anion-exchange resin having a primary amino group and/or a secondary amino group as a functional group; thereby making the anion-exchange resin physically adsorb the indium in the waste etching liquid of oxalic acid; and collecting the indium from the waste etching liquid of oxalic acid.例文帳に追加

インジウムを含有するシュウ酸エッチング廃液を、官能基として１級アミノ基及び／又は２級アミノ基を有する弱塩基性陰イオン交換樹脂に接触処理せしめることにより、かかるシュウ酸エッチング廃液中のインジウムを、かかる陰イオン交換樹脂に物理的に吸着させて、シュウ酸エッチング廃液中から回収するようにした。 - 特許庁

In this method for manufacturing the electrolyte capacitor etching foil which has a preliminary treatment process by acid and/or alkali, a washing process, and an etching process in an etching liquid containing chlorine ions, to an aluminum foil, ethylenediamineteraacetic acid of 0.001-0.010 mol/L or its salt is blended in a treatment liquid used in the preliminary process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、酸または／およびアルカリによる前処理工程と、水洗工程と、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程とを有する電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、前記の前処理工程で使用する処理液に０．００１〜０．０１０ｍｏｌ／Ｌのエチレンジアミン四酢酸またはその塩が配合されていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

A method for manufacturing the substrate for the liquid discharge head includes: the step of forming etching mask patterns on the first and second faces of a silicon substrate; the step of forming a leading hole in an etching region of the silicon substrate; and the step of anisotropic etching the silicon substrate from both the first and second faces.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板の第１面および第２面にエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板のエッチング領域に先導孔を形成する工程と、前記シリコン基板を第１面および第２面の両面から異方性エッチングする工程と、を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド用基板の製造方法である。 - 特許庁

A manufacturing method for a piezoelectric vibration piece can form a groove on a vibration arm part without penetration, because when the groove is formed by wet-etching a crystal substrate made of a Z plate, wet-etching is continued even after the progress of etching gets extremely slow on the crystal surface of the crystal substrate made of a Z plate, and the progress of wet-etching gets slow or stops in the substrate.例文帳に追加

Ｚ板からなる水晶基板にウェットエッチングを施して、溝部を形成する際に、Ｚ板からなる水晶基板の結晶面でエッチングの進行具合が極端に遅くなった後、引き続きウェットエッチングを施しても、基板において、ウェットエッチングの進行具合が遅くなる、または止まるので、溝部を貫通させることなく振動腕部に形成させることができる圧電振動片の製造方法を提供することが可能となる。 - 特許庁

To provide a mono-particle membrane etching mask on a curved surface in which particles composing a mono-particle membrane are highly accurately arrayed in a two dimensional closest packing, its manufacturing method, a method of manufacturing a fine structure using the mono-particle membrane etching mask, and a highly accurate fine structure on a curved surface formed by the manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、単粒子膜を構成する各粒子が２次元に最密充填し、高精度に配列した曲面上の単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた曲面上の微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた高精度な曲面上の微細構造体を提供する。 - 特許庁

To provide dry etching method/device for reducing reaction products bonded to an equalized ring disposed in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器内に設けられた均一化リングに付着する反応生成物を低減させることが可能なドライエッチング方法および装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a dynamic quantity detection sensor capable of suppressing the influence of a micro-loading effects, and improving the uniformity of etching, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

マイクロローディング効果の影響を抑制し、エッチングの均一性の向上が図られた力学量検出センサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling a nitric acid-containing solution in nitrite ion concentration and restraining NOx gas from being generated when a silicon wafer is subjected to etching by using a nitric acid-containing solution.例文帳に追加

硝酸含有液でシリコンウエハをエッチング処理する場合における亜硝酸イオン濃度の制御、ＮＯxガスの発生を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin-film pattern which does not require an etching process and can facilitate forming a thin-film pattern with a fine evenness.例文帳に追加

エッチングプロセスが不要で、平坦性の良好な薄膜パターンを容易に形成することのできる薄膜パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a vertical channel transistor, which can stably form a pillar serving as a vertical channel without the use of an etching process.例文帳に追加

エッチング工程を利用しなくとも、垂直チャネルとして作用するピラーを安定的に構築できる垂直チャネルトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an anodizing solution for forming an anodic oxide coating with a dramatically improved etching resistance, in a simple method.例文帳に追加

耐エッチング性を飛躍的に向上させた陽極酸化皮膜を簡便な方法で形成することができる陽極酸化用化成液を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of sufficiently assuring etching resistance as a mask material and accurately working a member to be worked.例文帳に追加

マスク材としてのエッチング耐性を十分に確保でき、被加工部材を高精度に加工することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the colder dump wherein, requiring no resist, problems of etching damage or the like do not occur, can be provided.例文帳に追加

レジストを必要とせず、エッチング損傷等の問題が生じない半田バンプを提供できる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the stencil mask manufacturing method, a plurality of thin films are laminated, and patterning is performed by etching processing for each of the thin films.例文帳に追加

本発明のステンシルマスク製造方法は、薄膜を複数積層し、それぞれの薄膜についてエッチング加工によるパターン形成を行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for reducing the time for etching a debonding buffer layer when manufacturing a substrate of a crystalline body of Group III nitride.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for machining an aperture of consistent sub-μm accuracy in which no dross nor smear is generated without using any complicated machining process such as etching.例文帳に追加

エッチング処理のような複雑な加工プロセスを使用することなく、ドロスやスミアの発生を伴わないサブμｍ精度の安定した孔の加工方法を得る。 - 特許庁

To provide an apparatus that effectively and/or locally wet-etches a semiconductor substrate, and to provide a method of etching same.例文帳に追加

半導体基板を効率良く及び／又は局所的にウェットエッチングすることができる半導体基板のエッチング装置及びエッチング方法を提供すること。 - 特許庁