「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method which carries out maintenance-free and particle-free CVD and etching, controlling the deposition of reaction products to the wall surface of a reaction chamber etc.例文帳に追加

反応室壁面等への反応生成物の付着を抑制し、メンテナンスフリー．パーティクルフリーのＣＶＤ，エッチングを行う方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor laser element for suppressing variation of a characteristic by improving accuracy of dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングの精度を向上させることにより、特性のばらつきを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method of heating a focus ring and a plasma etching apparatus, capable of simplifying a structure of a heating mechanism without a dummy substrate.例文帳に追加

ダミー基板を必要とすることなく、かつ、加熱機構の構成を簡略化することのできるフォーカスリングの加熱方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semi-aqueous formulation for removing bulk photoresists, residues after etching, residues after ashing, and impurities and a method of using the same.例文帳に追加

本発明は、バルクのフォトレジスト、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及び不純物を除去するための半水性の配合物及びその使用方法に関する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for forming a resist underlay film that can be easily removed by using an alkali liquid while maintaining etching resistance.例文帳に追加

エッチング耐性を維持しつつ、アルカリ液を用いて容易に除去可能なレジスト下層膜を形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide an etching method capable of forming an aperture of a millimeter order, without generating sub-trenches due to erosion in a periphery of the bottom face of the aperture.例文帳に追加

ミリメートルオーダーの開口を，開口周縁部の底面が削れるサブトレンチ形状を発生させることなく形成できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a producing method for Fe-Ni or Fe-Ni-Co alloy thin sheet excellent in etching properties, to obtain a thin sheet for a shadow mask excellent in various characteristics and to obtain a shadow mask.例文帳に追加

エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor light element, in which a contact area between a semiconductor layer and an electrode layer on an upper surface of a waveguide ridge is prevented from decreasing and etching damage in the semiconductor layer is prevented thereby.例文帳に追加

導波路リッジの上表面で半導体層と電極層との接触面積の減少を防ぎ半導体層のエッチング損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed-circuit board which does not require a chemical etching process needed to remove a carrier, in order that the carrier may not be used.例文帳に追加

本発明はキャリアを使用しないため、キャリア除去に必要な化学的エッチング工程を要しない印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a terminal via on a semiconductor substrate so that a metallic conductor in a test block can be prevented from being damaged in an etching process.例文帳に追加

試験区域の金属導線がエッチングの過程において破損しないよう、半導体基板上に端末バイア（terminal via) を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a chamber (etching processing chamber) capable of stopping production of particles (foreign matter) when particles not smaller than 2.0 μm are produced.例文帳に追加

２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a plurality of thin-film elements, in which the number of mask master making processes of the process as a whole and of the etching processes can be reduced.例文帳に追加

工程全体のマスクマスター作製及びエッチング工程の数を削減することができる複数の薄膜素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

As for an operation for cutting an arbitrary pattern, a method being simple and having high processability, such as cutting by a press or forming by etching, can be used.例文帳に追加

また、任意のパターンの打ち抜き作業は、プレスによる打ち抜き、エッチングによる成形等の簡易で加工性の高い方法を用いることができる。 - 特許庁

To provide a plug processing method for a resin mold for processing the surface of a plug by wet etching to form a large number of sharp recessed embossed bottomes.例文帳に追加

ウェットエッチングにより詰め栓の表面に底がシャープな凹形状の多数個のエンボスを加工可能とした樹脂成形型用詰め栓加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method and its apparatus which can efficiently remove an oxide film generated in a minute connection hole by means of dry etching.例文帳に追加

微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

To provide both a method for industrially and advantageously producing a high-purity hexafluorothane usable as an etching gas or a cleaning gas and the use thereof.例文帳に追加

エッチングガスあるいはクリーニングガスとして使用することができる高純度のヘキサフルオロエタンを工業的に有利に製造する方法およびその用途を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which prevents a loss of a drain contact plug caused by an etching gas during a metal wiring overetching process.例文帳に追加

金属配線オーバーエッチング工程の際にエッチングガスによるドレインコンタクトプラグの損失を防止するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To protect a semiconductor device against damage caused by excessive etching so as to obtain the semiconductor device improved in operating characteristics and reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

過度のエッチングによる素子の損失を防止して、素子の動作特性及び信頼性を向上させる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for effectively etching the insulating film formed on a substrate when forming a diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中に拡散領域を形成する場合において、基板上に形成された絶縁膜のエッチング処理を効率良く行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate penetration etching method in which steps can be simplified, a substrate can be efficiently cooled, and the flow of the plasma ion flux is maintained constant.例文帳に追加

工程を単純化させ、基板の冷却を効率よく行わせ、プラズマイオンフラックスの流れが一定に保たれる基板貫通エッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can form a contact hole at a high aspect ratio while securing the etching selection ratio of an insulating film to a resist.例文帳に追加

レジストに対する絶縁膜のエッチング選択比を確保しながら、高アスペクト比のコンタクトホールを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of maintaining an appropriate concentration of an indium ion, in particular, out of an indium ion and a tin ion included in an etchant.例文帳に追加

エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high planarity semiconductor wafer and a high planarity semiconductor wafer, in which high planarity is attained for every site through plasma etching.例文帳に追加

高平坦度半導体ウェーハの製造方法及び高平坦度半導体ウェーハにおいて、プラズマエッチング法によって、サイト毎の高平坦度を得ること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high productivity by reducing the discharged amounts of per fluorocarbon(PFC) gas while maintaining high etching rate.例文帳に追加

高エッチレートを確保しつつＰＦＣガスの排出量を削減することができ、しかも生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a GaN semiconductor device in which an etching selection ratio with a base can be enlarged and an electron supply rate is not dropped.例文帳に追加

下地とのエッチング選択比を大きくできて電子供給率の低下を来す恐れのないＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を提供する - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device capable of avoiding sidewall from being removed together by etching for forming a shared contact hole.例文帳に追加

シェアードコンタクトホールを形成するためのエッチングによってサイドウォールが併せて除去されてしまうことを回避し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the residue of a chemical component of an etching solution on a semiconductor layer before oxide film formation.例文帳に追加

酸化膜形成前の半導体層上にエッチング液の薬液成分が残留することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device wherein the formation of minute etching residue such as the factor of the occurrence of particles can be avoided.例文帳に追加

パーティクル発生の要因となるような微細なエッチング残りが形成されることを回避することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor sample where no bending distortion is introduced into a thin-film part by pretreatment, namely selective etching.例文帳に追加

前処理である選択エッチングにより薄膜部１６に曲げ歪みが導入されることのない半導体試料１３の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device increasing stress without increasing the thickness of an etching stopper film and without reducing sidewall width, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エッチングストッパ膜の厚さを増すことなく、サイドウォール幅を減じることなく、応力を増大することのできる半導体装置とその製造方法を提供する - 特許庁

To provide an inspection method in which it can be easily and surely confirmed that a vent hole for gas blowout formed in a silicon electrode plate for plasma etching penetrates the silicon electrode plate.例文帳に追加

プラズマエッチング用シリコン電極板に形成されたガス噴出用の通気孔の貫通を容易かつ確実に確認できる検査方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, a cool-down step is performed for the plasma etching device whenever the working process is performed for a specified number of sheets of wafer.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、所定枚数のウエハに加工処理を施す毎に、上記プラズマエッチング装置にクールダウンステップを行なうものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a magnetoresistive element capable of preventing corrosion of the element due to a halogen-based component used for etching.例文帳に追加

エッチングに用いられるハロゲン系成分による素子の腐食を防止することが可能な磁気抵抗素子の製造装置及び製造方法を提供すること - 特許庁

By such a method, the Schottky barrier transistor can be manufactured without passing a selective wet etching process which removes a non-reacted metal after the silicide reaction.例文帳に追加

このような方法によれば、シリサイド反応後に未反応金属を除去する選択的ウェットエッチング工程を経ずにショットキー障壁トランジスタが製造できる。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a silicon substrate, capable of obtaining a uniform emulsified etching surface by plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理によって均一な白濁状のエッチング面を得ることができるシリコン系基板の表面処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of etching the silicon wafer with the alkali solution is characterized by bubbling the alkali solution with an oxidizing gas.例文帳に追加

シリコンウェハをアルカリ溶液でエッチングする方法において、アルカリ溶液中に酸化性ガスをバブリングすることを特徴とする、シリコンウェハのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To improve processing accuracy of a semiconductor device manufacturing method by specifying a hydrogen concentration to control an etching rate in pyrolysis using hydrogen.例文帳に追加

水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させる。 - 特許庁

ALUMINUM MATERIAL HAVING SUPERIOR ETCHING CHARACTERISTIC FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR ELECTRODE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ELECTRODE MATERIAL FOR ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR, AND ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR例文帳に追加

エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ - 特許庁

To provide a photomask blank and a method for manufacturing a photomask in which sufficient process accuracy with low dependence of pattern density is obtained in an etching process.例文帳に追加

エッチング加工時にパターンの粗密依存性が低い十分な加工精度を得ることのできるフォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

By this method, the Fe-Ni stock for shadow mask, having electron beam transmission holes improved in the dispersion of diameter of openings caused by abnormal holes by etching, can be obtained.例文帳に追加

エッチング加工により、異常孔に基づく開口部の直径のバラツキを改善した電子線透過孔を具備するFe-Niシャドウマスク用素材が得られる。 - 特許庁

There is provided the method for manufacturing the multilayer wiring board in which an electrolysis-filled plating portion of 5 μm or thicker is left in the upper-layer wiring layer by half-etching to form the multilayer wiring layer.例文帳に追加

上層配線層の電解フィルドめっき部を５μｍ以上残すようにハーフエッチングした多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Corresponding to the form of the above penetration holes 18, the manufacturing method of the mask forms the openings in an etching-proof film, and etches the single crystal substrate 10 into it.例文帳に追加

マスクの製造方法は、上記貫通穴１８の形状に対応して、耐エッチング膜に開口を形成して、単結晶基板１０をエッチングする。 - 特許庁

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材４２のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材４２をエッチングする。 - 特許庁