「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, 0.05 to 0.70% by weight of L-ascorbic acid or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または／および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液に０．０５〜０．７０ｗｔ％のＬ−アスコルビン酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

The etching method consisting of etching the Ti-base films on a semiconductor substrate by using a solution containing hydrogen peroxide and a chelate agent and the etchant for the Ti-base films on the semiconductor substrate consisting of the solution containing the hydrogen peroxide and the chelate agent.例文帳に追加

過酸化水素とキレート剤を含有する溶液を用いて半導体基板上のＴｉ系膜のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法、及び過酸化水素とキレート剤を含有する溶液からなる半導体基板上のＴｉ系膜用エッチング剤。 - 特許庁

The MRAM manufacturing method comprises a step of etching a magnetoresistive film 220 by using a mask pattern 961, a step of fabricating an insulating film and then a metal film on the whole surface after the etching step, and a step of removing the mask pattern 961 and the insulating film and the metal film that are on the mask pattern 961.例文帳に追加

マスクパターン９６１を用いて磁気抵抗効果膜２２０をエッチングする工程と、エッチング後に、全面に絶縁膜、金属膜を順次成膜する工程と、マスクパターン９６１と該パターン上の絶縁膜および金属膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for etching metals in order to form a fine electrode and a metallic wiring in a manufacturing process of a substrate for a semiconductor device or for a liquid crystal element, which easily keeps the etching rate in a desired range over a long period of time.例文帳に追加

半導体装置基板や液晶素子基板の製造工程等における微細な電極や金属配線を形成するための金属エッチング方法において、エッチング速度を容易且つ長期間に亘り所望の範囲とするような、エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

This fine concave forming method includes forming a concave in a silicon substrate by alternately repeating etching and formation of a side wall protective film, removing the side wall protective film to expose the side wall of the concave, and removing the surface layer of the exposed side wall by etching.例文帳に追加

エッチングと側壁保護膜の形成とを交互に繰り返してケイ素基板に凹部を形成し、前記側壁保護膜を除去して前記凹部の側壁を露出させ、露出した前記側壁の表層をエッチングにより除去する、ことを含む微細凹部形成方法。 - 特許庁

To obtain a manufacturing method of the thin-film magnetic head which can make an etching speed fast and improve a mask selection ratio without corroding a magnetic layer, and further a device used for the implementation of the method.例文帳に追加

磁性層に腐食を発生させることなく、エッチング速度が速く、対マスク選択比率も向上させることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法、及びその実施に使用する装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device using a film thickness measuring method of a material to be treated capable of accurately measuring the actual amount of film remaining on a layer to be treated and etching depth on-line, and to provide a plasma treatment device using the film thickness measurement method.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method in which a protective insulating film (flattening film) formed on a pixel circuit can easily be patterned by dry etching, and a display device manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

画素回路上に形成された保護絶縁膜（平坦化膜）をドライエッチングにより容易にパターニングすることができる製造方法、及び、該製造方法により製造された表示装置を提供する。 - 特許庁

A method for making the surface of a silicon substrate rough using a dry etching method, in which the silicon substrate is dry-etched with silicon chips or other silicon substrates being arranged around it.例文帳に追加

シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の周囲にシリコン片もしくは他のシリコン基板を配設して前記シリコン基板をドライエッチングする - 特許庁

To provide a deposition method capable of securely and easily etching back metal or ruthenium having a crystal structure of body-centered cubic lattice, and to provide a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step for forming the silicon nitride film, where the silicon nitride film e.g. a gate side wall 14 and an etching stopper layer 20 are formed by a catalyst CVD method.例文帳に追加

窒化シリコン膜の成膜工程を有する半導体装置の製造方法であって、この窒化シリコン膜例えばゲートサイドウォール１４、エッチングストッパ層２０を、触媒ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

To provide a method of etching a substrate to form a trench extending to the core area and the termination area of a substrate in a manufacturing method of forming self-aligned contacts in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置におけるセルフアラインドコンタクトを形成する製造方法であって、基板のコアエリアとターミネーションエリアの一部分まで拡張してトレンチをエッチングで形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for forming a trench having precise opening dimensions and a rounded bottom face without causing undercut, and to provide a process for fabricating a device by using that method.例文帳に追加

アンダーカットを生ずることなく、精密な開口寸法を有し底面が丸みを帯びたトレンチを形成できるエッチング方法及びこれを用いたデバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal vibration chip, which can advance wet etching without being affected by a crystal plane 5 of crystal having anisotropy, and to provide a method for manufacturing a crystal device.例文帳に追加

異方性を有する水晶の結晶面５に影響されることなく、ウェットエッチングが進行することが可能な水晶振動片の製造方法および水晶デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of treating wafers in a semiconductor manufacturing process and an apparatus for carrying out the same, and a method of etching a substance formed on wafers and an apparatus for carrying out the same.例文帳に追加

半導体製造工程中のウェーハ処理方法及びこれを実施するための装置、また、ウェーハ上に形成された物質をエッチングするための方法及びこれを実施するための装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a silicon-containing insulating film low in permittivity and easily processed by etching and a semiconductor device provided with a silicon-containing insulating film formed through the above film forming method.例文帳に追加

誘電率が低く、かつエッチング加工が容易なシリコン含有絶縁膜の成膜方法、及び該成膜方法により成膜されたシリコン含有絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To selectively form an optical thin-film on an optical device without using a photolithographic method and an etching method, and besides, to simply form an optically effective plane with high coaxial precision.例文帳に追加

フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いずに光学素子上に光学薄膜を選択的に形成することができるうえ、簡単且つ高い同軸精度で光学的有効面を形成すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of preventing etching residue of a semiconductor layer, when forming a back gate structure or a double gate structure on a semiconductor substrate by the SBSI method.例文帳に追加

ＳＢＳＩ法によって半導体基板上にバックゲート構造やダブルゲート構造を形成する際に、半導体層のエッチング残りを防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a connection device capable of forming a contactor having a prescribed shape easily and properly, especially when forming the contactor by a wet etching method.例文帳に追加

特にウエットエッチング法にて接触子を成形する際に、容易に且つ適切に所定形状の前記接触子を成形することが可能な接続装置の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

It is possible to reduce only a film growing speed and an etching speed for making a film by using a pulsed plasma CVD method with a duty ratio of 20-70% compared to a conventional CVD method with continuous oscillation.例文帳に追加

本発明ではデューティー比２０〜７０％でパルスプラズマＣＶＤ法による成膜を行うことで、通常の連続発振の場合に比べて成膜速度、エッチング速度のみを遅くすることができる。 - 特許庁

To provide a forming method of for forming recessed parts with different depths in one substrate by one dry etching, and to provide a crystal resonator chip and a gyro resonance chip manufactured by utilizing the forming method.例文帳に追加

ひとつの基板の中で深さが異なる凹部を一度のドライエッチングで製造する製造方法、その製造方法を利用して製造された水晶振動片及びジャイロ振動片を提供することにある。 - 特許庁

To prevent the etching rate of a resist pattern having an adamantane skeleton from increasing locally in a fine pattern formation method which includes the treatment method of the resist pattern.例文帳に追加

本発明はレジストパターンの新規な処理方法を含む微細パターン形成方法に関し、アダマンタン骨格を有するレジストパターンのエッチングレートが局所的に大きくなるのを防止することを目的とする。 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING AREA HAVING NEGATIVELY POLARIZED FACE IN FLUORIDE FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR JUDGING POLARIZED STATE OF FLUORIDE FERROELECTRIC SINGLE CRYSTAL USING IT例文帳に追加

フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法、および、それを用いてフッ化物強誘電体単結晶の分極状態を判定する方法 - 特許庁

To improve an insulating property between adjacent first electrodes and reduce side-etched portions when a piezoelectric body layer is patterned by a wet etching method in an inkjet head manufacturing method.例文帳に追加

インクジェットヘッドの製造方法において、隣接する第1電極層間の絶縁性を向上させるとともに圧電体層をウェットエッチング法でパターニングする際におけるサイドエッチングされる部分を減らす。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method.例文帳に追加

ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。 - 特許庁

In manufacture, the layer 22 of a thin film formed by a deposition method is worked by a semiconductor process (dry etching), and conductive materials, which are alternately provided between the layers 22, are formed as a film by an electroplating method.例文帳に追加

製造においては、堆積法で成膜した薄膜の圧電体層２２は半導体プロセス（ドライエッチング）で加工し、圧電体層２２間に交互する導電材料は電気メッキ法で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for etching the surface of a seed crystal which is capable of being applied to an apparatus and method for producing a homogeneous group III-V compound crystal free from mixing of unintended impurities.例文帳に追加

均質で意図しない不純物の混入のないＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造装置および製造方法に適用され得る種結晶表面のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the substrate with many recesses comprises: a mask forming process of forming a mask having a first opening of many ring shapes on a substrate; a first etching process of etching the substrate through the first opening; an opening area enlargement process of extending the opening area of the opening and forming a second opening; and a second etching process of etching the substrate through the second opening.例文帳に追加

本発明の凹部付き基板の製造方法は、多数の凹部を有する凹部付き基板の製造方法であって、基板上に、多数のリング形状の第１の開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、第１の開口部を介して基板をエッチングする第１のエッチング工程と、開口部の開口面積を拡げ、第２の開口部を形成する開口面積拡大工程と、第２の開口部を介して基板をエッチングする第２のエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask.例文帳に追加

食刻対象層１２の上部にフォトレジストパターン１４を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン１４の側壁に食刻対象層１２の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the offset-printing plate support comprises the steps of etching an aluminum plate in an alkaline water-solution, electrochemically roughening it in an water-solution containing hydrochloric acid, etching it in an alkaline water-solution, electrochemically roughening it in a water-solution containing hydrochloric acid, and etching it in an alkaline water-solution and subjecting it to an anodic oxidation treatment.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、 １回目の塩酸を含有する水溶液中での電気化学的粗面化処理、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、 ２回目の塩酸を含有する水溶液中での電気化学的粗面化処理、 アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および 陽極酸化処理をこの順に施す平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

A method for etching an SiC substrate 10 has a masking step to form a masking layer 14 where a part of the surface of the SiC substrate 10 is exposed and another part is coated, a modifying step where the composition of an etching area 16 including the exposed surface of the substrate is modified from silicon carbide SiC to graphite C and a removing step to remove the modified etching area 16.例文帳に追加

本発明によるＳｉＣ基板１０のエッチング方法は、ＳｉＣ基板１０に、該基板の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層１４を形成するマスク工程と、露出した基板表面を含むエッチング領域１６の組成を、炭化珪素ＳｉＣからグラファイトＣに変化させる変質工程と、変質したエッチング領域１６を除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

In this measurement method for the etching accuracy, two sheets of metal foils of the same kind and thickness are superposed and stuck to a plate, chemical etchant is sprayed thereon, the plate is taken out before the whole of the upper metal foil is removed by etching, the two metal foils are cut to have the same area as they are still superposed, and the etching amount is examined by comparison of weight.例文帳に追加

同じ種類で同じ厚さの２枚の金属箔を重ねて板に貼り合わせ、化学エッチング液をスプレー噴霧し、上側の金属箔が全てエッチング除去されないうちにその板を取り出し、その２枚の金属箔を重ねたまま同じ面積になるように切断し、その重量を比較することによりエッチング量を調査するエッチング精度の測定方法。 - 特許庁

The etching method of a translucent thin-film solar cell module includes a step of printing an ink slurry, having corrosion resistance against an etching solution in a region to be protected on the thin-film solar cell module placed under a screen, and drying and solidifying the ink slurry; a step of applying an etching solution on the thin film solar cell module; and a step of removing the ink slurry.例文帳に追加

本発明は、エッチング溶液に対して耐食性を有するインクスラリーを、スクリーンの下に置かれた薄膜太陽電池モジュールの保護必要領域に印刷し、前記インクスラリーを乾燥させ固めるステップと、前記薄膜太陽電池モジュールにエッチング溶液を塗布するステップと、前記インクスラリーを除去するステップと、を含む透光性薄膜太陽電池モジュールのエッチング方法。 - 特許庁

The imprint lithography method includes a step of providing a first amount 60 of an imprintable medium having a first etching rate when solidified on a first area of a substrate and a step of providing a second amount 62 of an imprintable medium having a second etching rate different from the first etching rate when solidified on a second area different from the first area on the substrate.例文帳に追加

ある実施形態では、固化すると第１のエッチング速度を有するインプリント可能な媒体の第１の分量６０を基板の第１の領域上に提供するステップと、固化すると第２の異なるエッチング速度を有するインプリント可能な媒体の第２の分量６２を基板の第２の異なる領域上に提供するステップとを含むインプリントリソグラフィ方法が提供される。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: processing the dummy film to a predetermined shape by anisotropic etching of a deposition condition; processing the film to be processed to a predetermined shape by the anisotropic etching; removing the dummy film on the film to be processed formed in the predetermined shape by the anisotropic etching; and forming an upper layer film on the film to be processed.例文帳に追加

さらに、前記ダミー膜を所望の形状にデポ条件の異方性エッチングにより加工する工程と、前記被加工膜を所望の形状に異方性エッチングにより加工する工程と、前記所望の形状に加工された被加工膜上の前記ダミー膜を異方性エッチングにより除去する工程と、前記被加工膜上に上層膜を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide a method and device for producing an X-ray mask by which the starting point and end point of etching are detected with high precision even in the case the etching area is very small, the reproducibility of the etching in the producing process of the X-ray mask is enhanced, and the formation of patterns high in precision is realized.例文帳に追加

エッチング中のプラズマからの発光を分光し、エッチング反応に関わる化学種の発光強度の変化を感度よくモニターすることで、エッチング面積が微少な場合でも、エッチングの開始点、終点を高精度に検出し、Ｘ線マスクの作製プロセスにおけるエッチングの再現性を高め、高精度のパターン形成を実現するＸ線マスクの製造方法と装置を提供する。 - 特許庁

An etching method for a substrate according to the present embodiment includes: a step for providing the substrate onto a substrate support in a chamber; a step for etching a formation inside the substrate within plasma in the chamber; a step for decreasing positive charges in the formation; and a step for further etching the formation inside the substrate within the plasma after decreasing the positive charges in the formation.例文帳に追加

本発明の実施形態による基板の蝕刻方法はチャンバー内に基板サポート上に基板を提供する段階、前記チャンバー内にプラズマ内で前記基板内に形成物を蝕刻する段階、前記形成物内に正電荷を減少させる段階、および前記形成物内に正電荷を減少させた後に、プラズマ内で前記基板内に前記形成物をさらに蝕刻する段階を含む。 - 特許庁

A method of forming the through holes comprises processes of (a) forming a resist pattern on the insulation film by photolithography, (b) forming the through holes by dry-etching the insulation film according to the resist pattern, (c) removing the resist pattern by dry-etching, and (d) removing a polymer residue in the through holes by dry-etching.例文帳に追加

（ａ）フォトリソグラフィーにより絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）レジストパターンに基づいて絶縁膜をドライエッチングすることによりスルーホールを形成する工程と、（ｃ）ドライエッチングによりレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングによりスルーホール内のポリマー残留物を除去する工程とを含むスルーホールの形成方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This etching method selectively etches a silicon nitride film, and this uses a reactive ion etching device including a processing chamber 1 which holds a substrate 4 as the target of etching, a gas supply means 7 which supplies reactive gas into the processing chamber 1, and an upper electrode 2 and a lower electrode 3 which are provided inside the processing chamber and to which high-frequency currents are applied.例文帳に追加

この発明によるエッチング方法は、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング方法であって、エッチング対象である基板４を内部に保持する処理室１と、処理室１の内部に反応ガスを供給するガス供給手段７と、処理室内部に設けられ、高周波電流が印加される上部電極２および下部電極３とを含む反応性イオンエッチング装置を用いる。 - 特許庁

The etching method comprises the steps of: forming a resist 10 on the surface of a masking material 9 layered on an electroconductive foil 11 of a material to be etched; forming a pattern on the resist 10; etching the masking material 9 by using the resist 10 as a mask; removing the resist 10; and etching the electroconductive foil 11 of the material to be etched, through the masking material 9.例文帳に追加

本実施の形態のエッチング方法は、被エッチング材である導電箔１１に積層されたマスク材９の表面にレジスト１０を形成する工程と、レジスト１０をパターニングする工程と、レジスト１０をマスクとして用いてマスク材９をエッチングする工程と、レジスト１０を除去する工程と、マスク材９を介して被エッチング材である導電箔１１をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a passivation film on a semiconductor substrate surface having desired element regions and a wiring layer, a step of etching the passivation film to expose pad regions for external connections, and a step of etching the wiring layer surface with a liquid containing ammonium fluoride after that etching step.例文帳に追加

所望の素子領域および配線層の形成された半導体基板表面にパッシベーション膜を形成する工程と、外部接続を行うべきパッド領域を露呈せしめるべく、前記パッシベーション膜をエッチングするエッチング加工工程と、前記エッチング加工工程後、弗化アンモニウム含有液を用いて配線層表面をエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In one embodiment, a method for etching chromium includes steps of: preparing a film stack having a chromium layer in a processing chamber; patterning a photoresist layer on the film stack; depositing a conformal protective layer on the patterned photoresist layer; etching the conformal protective layer to expose the chromium layer through the patterned photoresist layer; and etching the chromium layer.例文帳に追加

一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process of etching the first and second surfaces of a semiconductor board oppositely disposed to each other using an acid solution, a process of forming a protective film on the first surface of the semiconductor board after the etching with the acid solution, and a process of etching the second surface of the semiconductor board with an alkaline solution after the formation of the protective film.例文帳に追加

半導体基板の第１の面および第１の面の反対側にある第２の面を酸溶液を用いてエッチングする工程と、酸溶液を用いたエッチング後に半導体基板の第１の面上に保護膜を形成する工程と、保護膜の形成後に半導体基板の第２の面をアルカリ溶液を用いてエッチングする工程とを含む太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for solving the problem wherein alignment when an etching resist layer and a plating resist layer are formed causes the positional misalignment between a land and a hole even in a method of manufacturing a circuit board, such as a subtractive method, an additive method, and a semi-additive method.例文帳に追加

サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法等のいずれの回路基板の製造方法においても、エッチングレジスト層およびめっきレジスト層を形成する際の位置合わせが原因となり発生していたランドと孔の位置ずれの問題を解決する手段を提供することを課題とする。 - 特許庁