| 例文 |
etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
The method for fabricating a semiconductor device comprises a step (a) for forming a silicon layer 20 and a silicide layer 30 of high melting point metal sequentially in multilayer on a silicon oxide layer 10, a step (b) for etching the silicide layer 30, and a step (c) for etching the silicon layer 20 following to the step (b).例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、(a)酸化シリコン層10の上に、シリコン層20および高融点金属のシリサイド層30が順次積層された積層体を形成する工程、(b)シリサイド層30をエッチングする工程、(c)工程(b)の後に、シリコン層20をエッチングする工程を含む。 - 特許庁
To provide washing liquid and a washing method for removing strongly bonded etching residues remaining after dry etching in a short time, and for preventing copper wiring raw materials or insulating film materials or the like from being oxidized or corroded in the wiring process of a semiconductor element to be used for a semiconcudctor integrated circuit.例文帳に追加
本発明は、半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存する強固に固着したエッチング残渣を短時間で除去し、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液、および洗浄法を提供する。 - 特許庁
To provide a chemical amplification type resist composition which exhibits sufficient transmissivity when an exposure light source for F_2 excimer laser light (157 nm) is used, has a fast etching speed, and improves roughness of a sample surface after dry etching, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加
160nm以下、具体的にはF_2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源使用時に十分な透過性を示し、エッチング速度が速く、かつドライエッチングを実施した後のサンプル表面の荒れが改善された化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A method of managing an etching width includes a step of forming contact arrays R1, R2 having different intervals of contacts C1, C2, a step of wet etching an insulating layer with resist patterns corresponding to these contact arrays R1, R2 as masks, and a step of then observing the discoloring of the resist patterns of these contact arrays R1, R2 by a metallurgical microscope.例文帳に追加
コンタクトC1、C2の間隔が互いに異なるコンタクトアレイR1、R2を形成し、これらのコンタクトアレイR1、R2に対応したレジストパターンをマスクとして、絶縁層のウェットエッチングを行った後に、これらのコンタクトアレイR1、R2のレジストパターンの変色を金属顕微鏡にて観察する。 - 特許庁
A method of manufacturing an array substrate comprises the steps of forming a barrier layer in the lower portion of a source and drain electrodes using material unetched by wet etching liquid for a metal material constituting the source and drain electrodes, and patterning the barrier by anisotropic dry etching, thereby obtaining the desired CDs of a channel portion.例文帳に追加
ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のCDを得る。 - 特許庁
To provide a high-quality gray tone mask for reducing lithographic steps, the mask which does not require an exclusive photomask blank material, nor require an etching facility or preparation of a plurality of etching steps, and which reduces the manufacture cost, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加
リソグラフィ工程を減少するためのグレートーンマスクにおいて、専用のフォトマスクブランク材料を必要とせず、また、エッチング設備やエッチング工程数を複数準備する必要が無く、製造コストが低減された高品質なグレートーンマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing a porous film comprises: subjecting a polymer film that has been irradiated with heavy ions to chemical etching, where alcohol is brought into contact with the polymer film irradiated with heavy ions prior to the chemical etching.例文帳に追加
本発明の多孔性フィルムの製造方法は、重イオンを照射した高分子フィルムを化学エッチングして多孔性フィルムを製造する多孔性フィルムの製造方法において、前記化学エッチングの前に、前記重イオンを照射した高分子フィルムにアルコール類を接触させることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加
貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an etching method for a metal film wherein a connection hole is formed at an inter-layer insulating film of a semiconductor substrate and a metal film comprising at least two layers is formed, and then a metal film other than the connection hole is removed by etching with no seam at the center of the connection hole widened.例文帳に追加
半導体基板の層間絶縁膜に接続孔を形成し、少なくとも2層からなる金属膜を形成した後、接続孔以外の金属膜を接続孔中心部の合わせ目の拡大がないようにエッチング除去する金属膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a field electron emitting device for field emission display having high electron emitting efficiency, without the waste of a carbon nano-tube constructing an electron emission part due to oxidation, at high etching speed, and without the adhesion of any by-product of etching to a space of the electron emission part, with high productivity.例文帳に追加
電子放出部を構成するCNTの酸化消耗がなく、また、エッチング速度が速く、電子放出部上の空間部にエッチング副生物の付着もない、電子放出の効率が高いFED用電界電子放出装置を、高い生産性で製造できる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a solar cell capable of manufacturing a solar cell having high generation efficiency with a high yield by forming a uniform texture in a silicon substrate surface by reducing cation concentration in an etching liquid by a texture etching step which uses an alkali solution and using a substrate whose surface is not contaminated.例文帳に追加
アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。 - 特許庁
A manufacturing method of a semiconductor device 1 comprises a deposition process of sequentially depositing a first layer (barrier layer 25) formed of a nitride semiconductor and a second layer (cap layer 26) on a substrate 10, and a thermal etching process of heating and etching the second layer in a mixed atmosphere of nitrogen and hydrogen.例文帳に追加
半導体装置1の製造方法は、基板10に窒化物半導体で形成された第1層(障壁層25)および第2層(キャップ層26)を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。 - 特許庁
A method of manufacturing a crystal resonator includes forming metal films and resist films on both sides of a substrate; then patterning the outer form of the crystal resonator, respectively on the resist films on the front and rear sides of the substrate; and thereafter, removing the metal films exposed on both the sides of the substrate by etching, and then etching the crystal substrate.例文帳に追加
水晶振動子の製造方法において、基板の両面に金属膜、レジスト膜を形成した後、基板の表裏面のレジスト膜にそれぞれ水晶振動子の外形形状をパターニングし、その後、基板両面に露出した金属膜をエッチング除去、水晶基板のエッチングを行う。 - 特許庁
The method for dry-etching a multilayered material containing a metal thin film employs an etching gas composed of an electron-donating gas and at least either a carbonyl-group-containing gas or a halogen-containing gas.例文帳に追加
金属薄膜を含む多層膜材料のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして、カルボニル基を含有するガスおよびハロゲン元素を含有するガスのうち少なくとも1種類のガスと電子供与性ガスとを組合わせて用いることを特徴とする多層膜材料のドライエッチング方法。 - 特許庁
This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching.例文帳に追加
シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。 - 特許庁
To provide a transistor which maintains a high performance by avoiding remarkable decrease of the performance by reducing excessive etching of a gate insulating film by overetching of dry etching to be performed at a gate electrode forming time, and to provide a method for manufacturing the same and a liquid crystal display device using the transistor.例文帳に追加
ゲート電極形成時に行われるドライエッチングのオーバーエッチングによりゲート絶縁膜がエッチングされすぎることを低減することにより、性能の著しい低下を回避して、高い性能を維持したトランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する - 特許庁
To provide a dry etching device precisely determining the necessity of the maintenance and the inspection and reducing the cost related to the maintenance and the inspection of a pump, and provide a device and a method for monitoring the operation of the pump for the dry etching device.例文帳に追加
保守と点検の必要性を正確に判断するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法とポンプの保守と点検に係わる経費を削減するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法を提供する。 - 特許庁
To provide a cleaning liquid not oxidizing nor corroding a copper wiring material or an insulating film material and capable of removing an etching residue remaining after dry etching in a short time in a wiring process of a semiconductor element employed in a semiconductor integrated circuit, and to provide a cleaning method employing the cleaning liquid.例文帳に追加
半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of etching by which a penetrated part such as a hole or a groove having a opening dimension (d) sufficiently smaller than the thickness of a plate is formed in the etching technique where it is conventionally known that an opening smaller than the thickness T of the plate can not be opened and an etched article.例文帳に追加
従来は板厚Tより小さな開口は開けられないとされていたエッチング技術において、板厚Tより充分小さな開口寸法dの孔や溝などの貫通部を形成することができるエッチング加工方法及びエッチング加工品を提供する。 - 特許庁
The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加
ゲート電極201を残す前記工程は、HBrガスおよびCl_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極201が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁
By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加
金属ナノ粒子2が凹部1bの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子2をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子2を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁
To obtain an overlap margin between a storage node contact plug and a landing plug isolation film without poly-pad treatment, and to provide a method of forming contact plugs in a semiconductor device suitable for preventing etching loss of the landing plug isolation film in etching a storage node contact hole.例文帳に追加
ポリパッド処理を行うことなく、ストレージノードコンタクトプラグとランディングプラグ分離膜との間のオーバーラップマージンを確保し、かつ、ストレージノードコンタクトホールをエッチングする際のランディングプラグ分離膜のエッチング損失の防止に適した半導体素子のコンタクトプラグの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a semiconductor device, by which high selectivity in etching is obtained, a wafer treatment equipment used for the method, and the semiconductor device that is obtained by the method.例文帳に追加
エッチングにおいて高い選択性の得られる半導体装置の製造方法と、そのような半導体装置の製造方法に用いられるウェハ処理装置と、そのような半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device forming wiring embedded in an insulating film by damascene method, the method being capable of stabilizing an etching treatment when forming an opening such as a via hole or a wiring trench in the insulating film.例文帳に追加
ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the method for manufacturing the etching components for working the metallic material, such as a ferrous metallic sheet by using a photoetching method, the alkaline photoresist composed of casein, ammonium dichromate and ammonia water is used as the photoresist to be used in the photoresist method.例文帳に追加
フォトエッチング法により鉄系の金属薄板など、金属材料を加工するエッチング部品の製造方法にて、フォトエッチング法にて用いるフォトレジストとして、カゼイン、重クロム酸アンモン、アンモニア水からなり、アルカリ性のフォトレジストを用いること。 - 特許庁
To provide a process monitoring method, which is capable of easily and accurately monitoring the state of a process (film forming, etching, and cleaning) carried out by a thin-film manufacturing apparatus, and to provide the thin-film manufacturing apparatus.例文帳に追加
薄膜製造装置を用いたプロセス(成膜、エッチング及びクリーニング)の状態を簡易かつ正確に監視し得るプロセスモニタリング法及び薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of etching and denaturing the surface of an object to be treated to a prescribed pattern form or introducing a functional material thereto without applying a resist to the surface.例文帳に追加
被処理物表面にレジストを塗布することなく、所定のパターン状に表面をエッチング、変性を行う、または機能性物質を導入する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a forming method of a pattern capable of forming a high precision fine pattern by reducing the side etch, when wet etching is used, and to provide a droplet discharging head.例文帳に追加
ウエットエッチングを用いた際のサイドエッチを低減することにより精度の高い微細なパターンを形成できる、パターンの形成方法、及び液滴吐出ヘッドを提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the microwave semiconductor device includes steps of forming an epitaxial layer 3 having different etching properties from those of the semi-insulating board 2 on the board 2, and further forming a PIN diode 4 on the layer 3.例文帳に追加
半絶縁性基板2上に、半絶縁性基板2とエッチングの性質が異なるエピタキシャル層3を形成し、更にその上にPINダイオード4を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an Fe-Ni base or an Fe-Ni-Co base alloy thin sheet excellent in an etching property and to obtain the thin sheet for shadow mask and the shadow mask excellent in various characteristics.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁
To provide a method for producing an Fe-Ni based thin sheet in which cracking at the time of hot working and roll marks at the time of cold rolling are prevented, and having excellent etching properties and press formability.例文帳に追加
熱間加工時の割れおよび冷間圧延時のロールマークを防止し、エッチング性およびプレス成形性に優れたFe-Ni系薄板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an Fe-Ni or Fe-Ni-Co alloy thin sheet excellent in etching properties, to produce a thin sheet for a shadow mask excellent in various characteristics and to attain a shadow mask.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent device with a photodiode formed with a defect site on a light-receiving part by also applying dry etching to the light-receiving part, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
受光部にも乾式エッチングを加えて受光部にディフェクトサイトが形成されたフォトダイオードを具備する有機電界発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a contact capable of reducing an aspect ratio of the contact formed in a logic circuit region so as to reduce an etching process time of a contact hole.例文帳に追加
論理回路領域に形成されるコンタクトのアスペクト比を小さくでき、コンタクトホールのエッチング加工時間を短縮できるコンタクトの製造法を提供すること。 - 特許庁
The method further comprises the steps of then forming a second silicon oxide film 154B, etching back, and processing so that the film 154B retains in a sidewall state on the side of the electrode 152.例文帳に追加
次に、第2シリコン酸化膜154Bを成膜し、エッチバックし、第1転送電極152の側部にサイドウォール状に第2シリコン酸化膜154Bが残るように加工する。 - 特許庁
To provide an etching method in which oxygen plasma can be prevented from having an adverse effect on the ground of an insulating film when the insulating film formed on a substrate is etched.例文帳に追加
基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する - 特許庁
The quantity of needless etched substances re-adhered to the upper part magnetic core and the recording gap at the time of etching is suppressed by this method and the work of high efficient and stable track width precision can be performed.例文帳に追加
この方法によりエッチング時に上部磁気コアや記録ギャップ部への再付着の量が押さえられ、高効率で安定したトラック幅精度の加工が可能になる。 - 特許庁
To provide a method for producing an Fe-Ni series or Fe-Ni-Co series alloy thin sheet excellent in etching properties and to obtain a thin sheet for a shadow mask excellent in various characteristics and a shadow mask.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁
To provide a plasma etching method for forming an inclined structure to a machined plate which is a key point in manufacturing a micromachine, in a short time at a low cost with fewer processes.例文帳に追加
マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。 - 特許庁
To provide a processing method of a silicon substrate that reduces influences of variation in thickness of substrates in wet etching, improves opening accuracy in a front surface of a supply port, and forms a through-hole efficiently.例文帳に追加
ウェットエッチングでの基板厚さのバラツキの影響を抑え、供給口おもて面の開口精度を向上させると共に、貫通穴を効率良く形成すること。 - 特許庁
To provide a method for forming a through hole, which forms a plurality of through holes different in an opening area and a depth at one time by etching in a substrate on which devices and the like are formed.例文帳に追加
デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。 - 特許庁
The method further includes, after the step of preparing the substrate 10 and before the step of growing a GaN crystal 20, a step of etching the principal plane 10m of the substrate 10.例文帳に追加
また、基板10を準備する工程の後、GaN結晶20を成長させる工程の前に、基板10の主面10mをエッチングする工程を、さらに備える。 - 特許庁
To provide a pattern forming method that enables microfabrication and is able to form a resist pattern having superior basic properties such as dry etching resistance, developing performance, a pattern shape, etc.例文帳に追加
超微細加工が可能で、しかも耐ドライエッチング性、現像性、パターン形状等の基本物性に優れたレジストパターンが形成可能な、パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To plasma-etch thin film of non-single-crystalline silicon with a high selection ratio of etching with an apparatus of a simple constitution and with a simple process in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
This manufacturing method has an RIE process for etching a fine pattern on a glass master, and a process for monitoring a residual film level of a resist in the RIE process and an etched depth by RIE.例文帳に追加
ガラスマスター上に微細パターンをエッチングするRIE工程と、前記RIE工程においてレジストの残膜量とRIEによりエッチングされた深さとをモニターする工程とを有する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加
エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁
To provide a device and method for manufacturing display plate, permitting to carry out patterning of a thin film with efficiency and high accuracy without using a photo etching process.例文帳に追加
本発明は、写真エッチング工程を使用せずに効率的でかつ、高精度に薄膜をパターニングできる表示板の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a copper foil for a printed wiring board particularly superior in soft etching property as well as resistance to heat discoloration, rust prevention capability, and solderability, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加
特にソフトエッチング性が優れ、かつ耐熱変色性、防錆力、半田濡れ性等に優れたプリント配線板用銅箔及びその表面処理方法を提供すること。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|