「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for processing silicon, by which the problems found in a wet etching process of the silicon that accurate administration of the etching time is difficult, there is a danger of physical damage caused by sticking on a human body, and the environmental load is large at the time of disposal can be solved.例文帳に追加

シリコンのウェットエッチング方法において、エッチング時間を厳密に管理することが困難であるという問題、使用時の人体への付着による怪我の危険性や廃棄時の環境に対する負荷が大きいという問題を解決するシリコンの加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a reliable method of forming a contact plug for preventing short-circuiting between the contact plug and a word line or between the contact plug and a bit line by using a material having an etching speed ratio of 100 or larger for etching speed of a silicon oxide film as an interlayer film forming the self-aligned contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、酸化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとワード配線、あるいはコンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供する。 - 特許庁

This etching method of copper uses water solution containing Cu(NH_3)_4X_2 and NH_4X (X is halogen elements), and uses water solution in which the number of mols of contained NH_4X is more than the number of mols of Cu(NH_3)_4X_2, and pH ranges from 6.5 to 8.1 as etching liquid.例文帳に追加

Ｃｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2、及び、ＮＨ_4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ_4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ_3）_4Ｘ_2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。 - 特許庁

In the film formation method of the substrate 30, when an SiO_2 film 38 is formed on the substrate 30, the area S_1 of high etching resistance and the area S_2 of low etching resistance are formed so as to be along the uneven patterns of the patterning part 14 of an electrode plate 10.例文帳に追加

本発明に係る基板３０の成膜方法においては、基板３０上にＳｉＯ_２膜３８を成膜すると、そのＳｉＯ_２膜３８には、電極プレート１０のパターニング部１４の凹凸パターンに沿うように、エッチング耐性の高い領域Ｓ_１と低い領域Ｓ_２とが形成される。 - 特許庁

To prevent an increase of effective recording track width by utilizing local etching, to make it possible to precisely control magnetic pole width and to prevent the recording characteristic deterioration due to an edge formed at a magnetic layer by means of magnetic pole trimming using a local etching method.例文帳に追加

局部的なエッチングを利用して、実効的な記録トラック幅の増加を防止し、且つ磁極幅を精度よく制御することを可能にすると共に、局部的なエッチング方法を用いた磁極トリミングによって磁性層に形成されるエッジによる記録特性の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a piezoelectric resonator for forming a groove part with high dimensional accuracy by accurately forming a metallic mask for groove part formation without causing the problem of instability of an etching rate or the like caused by a resist at outer form etching of a crystal chip.例文帳に追加

水晶片の外形エッチング時にレジストに起因するエッチングレートの不安定性等の問題が生じることなく、また溝部形成のための金属マスクを精度よく形成することで、寸法精度の高い溝部を形成することができる圧電振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method for a silicon wafer, which contains an etching process for removing a breaking layer of a degenerated layer on the surface of the silicon wafer made by a mechanical working, and in which the etching process is managed depending on variation of groove width of a micro-crack remaining on the surface of the silicon wafer, and the silicon wafer are provided.例文帳に追加

機械的加工によりシリコンウェーハの表面に生じた加工変質層の破砕層を除去するエッチング処理工程を有し、このエッチング処理の管理をシリコンウェーハ表面に残存するマイクロクラックの溝幅の変化で行うシリコンウェーハの製造方法、また、シリコンウェーハ。 - 特許庁

This method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, having a process for preliminarily treating the amount of ferrous ion to 70 to 95 wt.% based on the total iron amount of an etching waste liquid and a process for spraying and roasting the etching liquid in which the amount of the ferrous ion is adjusted, and a device for producing the iron oxide.例文帳に追加

エッチング廃液の全鉄量に対する第一鉄イオン量を７０〜９５重量％に調整する前処理工程と、第一鉄イオン量が調整されたエッチング廃液を噴霧焙焼する工程とを有するフェライト原料用酸化鉄の製造方法および装置。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching.例文帳に追加

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

The method for dry-etching a multilayered material containing a metal thin film employs an etching gas composed of an electron-donating gas and at least either a carbonyl-group-containing gas or a halogen-containing gas.例文帳に追加

金属薄膜を含む多層膜材料のドライエッチング方法であって、エッチングガスとして、カルボニル基を含有するガスおよびハロゲン元素を含有するガスのうち少なくとも１種類のガスと電子供与性ガスとを組合わせて用いることを特徴とする多層膜材料のドライエッチング方法。 - 特許庁

To provide a method of etching by which a penetrated part such as a hole or a groove having a opening dimension (d) sufficiently smaller than the thickness of a plate is formed in the etching technique where it is conventionally known that an opening smaller than the thickness T of the plate can not be opened and an etched article.例文帳に追加

従来は板厚Ｔより小さな開口は開けられないとされていたエッチング技術において、板厚Ｔより充分小さな開口寸法ｄの孔や溝などの貫通部を形成することができるエッチング加工方法及びエッチング加工品を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device precisely determining the necessity of the maintenance and the inspection and reducing the cost related to the maintenance and the inspection of a pump, and provide a device and a method for monitoring the operation of the pump for the dry etching device.例文帳に追加

保守と点検の必要性を正確に判断するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法とポンプの保守と点検に係わる経費を削減するドライエッチング装置およびドライエッチング装置用ポンプの運転監視装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid not oxidizing nor corroding a copper wiring material or an insulating film material and capable of removing an etching residue remaining after dry etching in a short time in a wiring process of a semiconductor element employed in a semiconductor integrated circuit, and to provide a cleaning method employing the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体集積回路に用いられる半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で除去でき、かつ、銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を用いた洗浄法を提供すること。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a transistor which maintains a high performance by avoiding remarkable decrease of the performance by reducing excessive etching of a gate insulating film by overetching of dry etching to be performed at a gate electrode forming time, and to provide a method for manufacturing the same and a liquid crystal display device using the transistor.例文帳に追加

ゲート電極形成時に行われるドライエッチングのオーバーエッチングによりゲート絶縁膜がエッチングされすぎることを低減することにより、性能の著しい低下を回避して、高い性能を維持したトランジスタおよびその製造方法、並びに該トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する - 特許庁

By removing the metal nano particles 2 with the formation of the recesses 1b, the need for a process for removing the metal nano particles 2 after etching is eliminated for ease of manufacturing as compared with a conventional method for roughening by reactive ion etching using the metal nano particles 2 as a mask.例文帳に追加

金属ナノ粒子２が凹部１ｂの形成とともに除去されることにより、金属ナノ粒子２をマスクとして用いた反応性イオンエッチングによって粗面化する従来の方法に比べ、エッチング後に金属ナノ粒子２を除去する工程が不要となるから容易である。 - 特許庁

To obtain an overlap margin between a storage node contact plug and a landing plug isolation film without poly-pad treatment, and to provide a method of forming contact plugs in a semiconductor device suitable for preventing etching loss of the landing plug isolation film in etching a storage node contact hole.例文帳に追加

ポリパッド処理を行うことなく、ストレージノードコンタクトプラグとランディングプラグ分離膜との間のオーバーラップマージンを確保し、かつ、ストレージノードコンタクトホールをエッチングする際のランディングプラグ分離膜のエッチング損失の防止に適した半導体素子のコンタクトプラグの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device, by which high selectivity in etching is obtained, a wafer treatment equipment used for the method, and the semiconductor device that is obtained by the method.例文帳に追加

エッチングにおいて高い選択性の得られる半導体装置の製造方法と、そのような半導体装置の製造方法に用いられるウェハ処理装置と、そのような半導体装置の製造方法によって得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device forming wiring embedded in an insulating film by damascene method, the method being capable of stabilizing an etching treatment when forming an opening such as a via hole or a wiring trench in the insulating film.例文帳に追加

ダマシン法により絶縁膜に埋め込まれた配線を形成する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜にビアホールや配線トレンチ等の開口部を形成する際のエッチング処理を安定化しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the etching components for working the metallic material, such as a ferrous metallic sheet by using a photoetching method, the alkaline photoresist composed of casein, ammonium dichromate and ammonia water is used as the photoresist to be used in the photoresist method.例文帳に追加

フォトエッチング法により鉄系の金属薄板など、金属材料を加工するエッチング部品の製造方法にて、フォトエッチング法にて用いるフォトレジストとして、カゼイン、重クロム酸アンモン、アンモニア水からなり、アルカリ性のフォトレジストを用いること。 - 特許庁

This manufacturing method has an RIE process for etching a fine pattern on a glass master, and a process for monitoring a residual film level of a resist in the RIE process and an etched depth by RIE.例文帳に追加

ガラスマスター上に微細パターンをエッチングするＲＩＥ工程と、前記RIE工程においてレジストの残膜量とRIEによりエッチングされた深さとをモニターする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method that enables microfabrication and is able to form a resist pattern having superior basic properties such as dry etching resistance, developing performance, a pattern shape, etc.例文帳に追加

超微細加工が可能で、しかも耐ドライエッチング性、現像性、パターン形状等の基本物性に優れたレジストパターンが形成可能な、パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the matter that a size of an organic film becomes thin even if an etching of the organic film of a lower layer is performed by a gas containing NH_3.例文帳に追加

ＮＨ_3を含むガスで下層の有機膜のエッチングを行なっても、有機膜の寸法が細ることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To plasma-etch thin film of non-single-crystalline silicon with a high selection ratio of etching with an apparatus of a simple constitution and with a simple process in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、簡単な装置構成及び工程によって、高いエッチング選択比で非単結晶シリコン薄膜をプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reliability of manufacturing processes can be ensured even when wet etching is performed, and bonding strength between a substrate and a chip is enhanced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for manufacturing display plate, permitting to carry out patterning of a thin film with efficiency and high accuracy without using a photo etching process.例文帳に追加

本発明は、写真エッチング工程を使用せずに効率的でかつ、高精度に薄膜をパターニングできる表示板の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper foil for a printed wiring board particularly superior in soft etching property as well as resistance to heat discoloration, rust prevention capability, and solderability, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加

特にソフトエッチング性が優れ、かつ耐熱変色性、防錆力、半田濡れ性等に優れたプリント配線板用銅箔及びその表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method for forming an inclined structure to a machined plate which is a key point in manufacturing a micromachine, in a short time at a low cost with fewer processes.例文帳に追加

マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of a silicon substrate that reduces influences of variation in thickness of substrates in wet etching, improves opening accuracy in a front surface of a supply port, and forms a through-hole efficiently.例文帳に追加

ウェットエッチングでの基板厚さのバラツキの影響を抑え、供給口おもて面の開口精度を向上させると共に、貫通穴を効率良く形成すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a through hole, which forms a plurality of through holes different in an opening area and a depth at one time by etching in a substrate on which devices and the like are formed.例文帳に追加

デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes, after the step of preparing the substrate 10 and before the step of growing a GaN crystal 20, a step of etching the principal plane 10m of the substrate 10.例文帳に追加

また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 - 特許庁

To obtain an etching method for forming a contact hole having a high aspect ratio stably with high controllability by preventing the protective film layer of a gate, i.e., a silicon nitride film, from being etched as much as possible.例文帳に追加

ゲートの保護膜層であるシリコン窒化膜までエッチングされることを極力抑え，制御性よく安定的な高アスペクト比のコンタクトホールの形成を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching solution by which productivity is improved, the equipment cost and running cost are reduced, and further, waste matter is eliminated to prevent environmental disruption.例文帳に追加

生産性を向上させ、設備費やランニングコストを低減するとともに、廃棄物のなくすことで環境破壊を起こさないエッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a shaping die and the shaping die which can produce and reproduce the shaping die without any wet etching process nor grinding process.例文帳に追加

成形型の加工及び再生をウエットエッチングではなく、また研削工程なしに実現できる成形型の表面処理方法及び成形型を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for etching crystal lens for working a crystal lens for which the thickness of the crystal lens is not larger than 30 μm with satisfactory working yield, and for preventing roughness on the working face.例文帳に追加

水晶を３０μｍ以下の薄肉に加工歩留りよく、短時間で加工でき、又加工面に粗さがない水晶体のエッチング加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color filter, by which a pattern suppressed in residual film after development can be formed by a dry etching process and the color filter almost free from damage and having good surface state can be manufactured.例文帳に追加

ドライエッチング法を利用して現像残膜を抑えたパターン形成を可能とし、ダメージが抑えられ表面性状の良好なカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

In the manufacture of such a semiconductor device, a window is formed in the column of the protective material by patterning the window with a photoetching method, using a mask material and removing the protective material by etching.例文帳に追加

すなわち、保護材料の柱部分の窓をあける時に、マスク材料を用いて、窓を写真食刻法でパターニングし、保護材料をエッチング除去して行う。 - 特許庁

To provide a material for forming a lower layer film of a photoresist with which a lower layer film with high etching resistance, a high reflection preventing effect, and a high poisoning resistant effect is formed as a lower layer film for a two layered or three layered resist process, and also to provide a pattern forming method.例文帳に追加

２層あるいは３層レジストプロセス用下層膜として、エッチング耐性、反射防止効果、耐ポイゾニング効果の高い下層膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical semiconductor device that can prevent an optical input/output end surface from being contaminated even when formed by etching.例文帳に追加

光入出力端面をエッチングにより形成する場合でも光入出力端面の汚染を防ぐことができる光半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which decreases a plug loss by shortening the overetching time when etching back metal such as tungsten to form metal plugs.例文帳に追加

Ｗ等のメタル材料をエッチバックしてメタルプラグを形成する際、オーバーエッチング時間を短くしてプラグロスを小さくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid ejecting head, which can secure a preferable hysteresis characteristic even when removing surface contamination of a pressure generating element by magnetron dry etching.例文帳に追加

圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去しても、良好なヒステリシス特性を確保できる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can accurately and easily control the depth of etching without degrading element characteristic.例文帳に追加

エッチングマーカー層を用いた半導体装置の製造方法であって、素子特性を低下させることなく、エッチング深さを精密かつ容易に制御可能なものを実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device capable of unfailingly detecting a material of a nitride film or a Cap layer to be separated caused by etching.例文帳に追加

エッチングにより離脱する窒化膜またはＣａｐ層の材質を、確実に検出可能な半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁