「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To economically achieve an electrode separation by a simple method without wasting materials by providing an electrode separation structure in which a photolithography and etching are not utilized.例文帳に追加

フォトリソグラフィ法とエッチングを利用しない電極分離構造を提供することにより、材料を無駄にすることなく、簡単な方法で経済的に電極分離を達成する。 - 特許庁

To provide a nonadhesive type copper-clad laminate by a laminating method, high in adhesiveness between a copper foil and a resin, excellent in etching performance, and suitable for forming a fine pitch.例文帳に追加

本発明は銅箔と樹脂の間の接着性が高く、エッチング性に優れ、ファインピッチ化に適した、ラミネート法による無接着剤タイプ銅張積層板を提供する。 - 特許庁

To provide a simplified capacitor and a method for manufacturing a capacitor, wherein planarization of an IMD layer and via etching are simplified.例文帳に追加

本発明は、単純化されたキャパシタ及びＩＭＤ（ｉｎｔｅｒ−ｍｅｔａｌ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）層の平坦化やビア食刻工程を単純化したキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of producing a thin-film transistor is provided, in which thin film transistor components of SiO2 or metal film are formed on a quartz substrate 10 by reactive ion etching technique.例文帳に追加

反応性イオンエッチング技術を用いて石英基板１０上に、ＳｉＯ_2 や金属膜からなる薄膜トランジスタ構成要素を形成する、薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

This reverse tapered shape is obtained by etching the main magnetic pole formed by a frame plating method by ion milling, and an a top surface is made flat.例文帳に追加

この逆テーパ形状は、フレームめっき法により形成された主磁極をイオンミリングにより、エッチングすることにより得られ、かつ上面を平坦化することもできる。 - 特許庁

The through-hole insulator 11 is selectively etched by a reactive ion etching method to the height of a bottom part 19 of the dishing part 17 of the through-hole conductor 5.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法によって、スルーホール絶縁体１１を、スルーホール導電体５のディッシング部１７の底部１９の高さになるまで、選択的にエッチングする。 - 特許庁

Next, a trench 9a leading to the connection hole 4 is made using dry etching method, and then the polyimide film within the connection hole 4 is removed by ashing.例文帳に追加

次にこのシリコン酸化膜６に、ドライエッチング法を用いて、接続孔４に通じるトレンチ９ａを形成した後、接続孔４内のポリイミド膜５をアッシング除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ink jet head in which an orifice of correct shape is formed in a large orifice plate and the body substrate is not damaged by etching liquid.例文帳に追加

大型のオリフィス板に正しい形状のオリフィスを形成し且つ本体基板がエッチング液で損傷を受けることの無いインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of removing the photoresist 3, forming a second plasma nitride film 9, etching back the film, and forming a sidewall 9a made of the second film 9.例文帳に追加

フォトレジスト３を除去後、第２のプラズマ窒化膜９を形成してエッチバックし、凹部８の側壁に第２のプラズマ窒化膜９からなるサイドウォール９ａを形成する。 - 特許庁

This mask manufacturing method is used for manufacturing a mask having a silicon substrate with an opening pattern formed thereon and has an etching process for thinning the silicon substrate.例文帳に追加

本発明のマスク製造方法は、開口パターンが形成されたシリコン基板を有するマスクを製造する方法であって、シリコン基板を薄くするためのエッチング工程を有する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method, in which a semiconductor wafer after etching by using a halogen-containing etchant is subjected to treatment of passivation and stripping in a short time.例文帳に追加

ハロゲン含有エッチャントを用いたエッチング後の半導体ウェハに短時間でパシベーション及びストリッピングの処理を行なうことが出来る基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a color selection electrode element body and a manufacturing method a color selection electrode capable of improving a processing accuracy through shortening of an etching time and productivity improvement.例文帳に追加

エッチング時間の短縮により、生産性を改善し、加工精度を向上することができる色選別電極素体及び色選別電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The layer insulation film 4f is etched to a prescribed film thickness by a wet etching method as a whole, and a layer insulation film 4g of a prescribed film thickness is formed.例文帳に追加

その後、ウェットエッチング法によって、層間絶縁膜４ｆを所定の膜厚まで全面エッチングを行って、所定の膜厚を有する層間絶縁膜４ｇを形成する。 - 特許庁

To provide a processing method for performing plasma etching on an imide heat-resistant resin film of thick membrane using a small amount of an expensive photosensitive resin and at a low cost.例文帳に追加

厚膜のイミド系耐熱性樹脂フィルムに対して、高価な感光性樹脂の使用量を少なくして低コストでプラズマエッチングする加工方法を提供する。 - 特許庁

After the photoresist 40 is removed, the a-Si layer 32 is etched by anisotropic etching method using the terminal electrodes 33 as a mask thus isolating a plurality of photodiodes.例文帳に追加

フォトレジスト４０を除去した後、端子電極３３をマスクとしてａ−Ｓｉ層３２を異方性ドライエッチング法によりエッチングして複数のフォトダイオードを分離する。 - 特許庁

To provide a semiconductor sensor device capable of forming a diaphragm structure without performing any etching using an alkali solution and realizing microfabrication, and a method of manufacturing the semiconductor sensor device.例文帳に追加

アルカリ溶液を用いたエッチングを行なうことなくダイヤフラム構造を形成でき、微細化を実現できる半導体センサ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant and an etching method which help prevent metal contamination of a semiconductor silicon wafer and a semiconductor silicon wafer which is least contaminated with metal.例文帳に追加

半導体シリコンウェーハの金属汚染防止に資するエッチング液及びエッチング方法並びに金属汚染を大幅に低減した半導体シリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT TOGETHER WITH ITS MANUFACTURING METHOD COMPRISING BIT LINE LANDING PAD AND BORDERLESS CONTACT ON BIT LINE STUD COMPRISING LOCAL ETCHING PREVENTING LAYER FORMED IN VOID REGION例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of thinning a semiconductor wafer which can reduce a processing cost by reusing a carrier plate in thinning the semiconductor wafer by spin etching.例文帳に追加

半導体ウエハにスピンエッチングにより薄型化加工を行う際に、キャリア板を再利用することで加工コストの軽減を図った、半導体ウエハの薄型加工方法を提供する。 - 特許庁

The method for etching a photomask includes a step of providing a processing chamber, having a substrate supporting pedestal adapted to receive a substrate for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。 - 特許庁

In the method of manufacturing a distributed-feedback semiconductor laser 1A, an etching mask 30b for forming a diffraction grating 22 is composed of a semiconductor material.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ１Ａの製造方法においては、回折格子２２を形成するためのエッチングマスク３０ｂが半導体材料で構成されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a diffraction optical grating of high diffraction efficiency, with which the deterioration in a shape is reduced in forming a step-wise diffraction structure by etching a substrate.例文帳に追加

基板をエッチングして階段状回折構造を形成する際に、形状の劣化を少なくして回折効率の高い回折光学格子の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a step S20 of etching a surface of a crystal with an etchant containing ammonium fluoride, and a step S30 of annealing the crystal in an inert gas.例文帳に追加

結晶の表面を、フッ化アンモニウムを含有するエッチング液でエッチングする工程Ｓ２０と、結晶を不活性ガス中でアニール処理する工程Ｓ３０とを備える。 - 特許庁

To provide a blank mask for forming a fine etching objective film pattern having vertical side face profile on a photomask, and to provide a method of manufacturing the photomask using the same.例文帳に追加

フォトマスク上に、垂直側面プロファイルを有する微細なエッチング対象膜パターンを形成するためのブランクマスク及びこれを用いるフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method uses a mask (e.g., a mask that has been previously used for etching features into a device) for selective epitaxial growth or selective ion implantation.例文帳に追加

この発明に従った方法は、マスク（たとえば機構を素子にエッチングするために以前使用されたマスク）を選択的エピタキシャル成長または選択的イオン注入用に使用する。 - 特許庁

The surface processing method of AlN crystal comprises a step of mechanically polishing or polishing the surface of AlN crystal, and a step of etching the surface.例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の表面を機械研削または機械研磨する工程と、その表面をエッチングする工程とを含むＡｌＮ結晶の表面処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulating film, by which the insulating film can be formed of a non-photosensitive siloxane resin and formed into a desired shape by wet etching.例文帳に追加

非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device in which, when forming a piezoelectric blank by wet etching, adverse influences in outer shape are prevented from being exerted upon the piezoelectric blank.例文帳に追加

圧電素板をウエットエッチングにより形成するときに、圧電素板に対して外形上の悪影響を与えるのを防止した圧電デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor apparatus, etc. which can manufacture the semiconductor apparatus with high performance without using expensive and precision exposure device and etching device.例文帳に追加

高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suitable for manufacturing while preparing platinum or iridium as a material for an electrode and employing high-temperature etching technique, and the manufacturing method of the same.例文帳に追加

白金やイリジウムをキャパシタの電極材料として備え、高温エッチング技術を用いて製造するのに適した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to the method to supply a dynamic protective layer to at least one mirror M for protecting at least one mirror M from ion etching.例文帳に追加

本発明は、イオンによるエッチングから少なくとも１つのミラーＭを保護するために、少なくとも１つのミラーＭに動的保護層を供給する方法に関する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the piezoelectric vibration chip, a plurality of piezoelectric substrates 12 are formed by etching a piezoelectric wafer 10, then an electrode pattern 24 is formed onto the piezoelectric substrates 12.例文帳に追加

圧電振動片の製造方法は、圧電ウエハ１０をエッチングして複数の圧電基板１２を形成し、これらの圧電基板１２に電極パターン２４を形成するものである。 - 特許庁

To provide an etching method which can make a surface applicable as an end surface of a semiconductor laser resonator in a wafer selectively and without giving a damage to a crystal.例文帳に追加

ウエハ内において選択的にかつ結晶にダメージを与えることなく半導体レーザ共振器端面にも使い得る面を出すエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a process of etching and flowing out a polymer from an area in a surface layer of a substrate precursor which contains inorganic particles embedded in a polymer matrix.例文帳に追加

該方法は、重合体マトリクスに埋め込まれた無機粒子を含有する基板前駆体の表面層の領域から重合体をエッチングして流す工程を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which removal of fluorine remaining on a surface of copper wiring and etching of an organic insulating film are efficiently performed.例文帳に追加

銅配線の表面に残存したフッ素の除去及び有機絶縁膜のエッチングを効率的に行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method for improving the selective ratio of tungsten to silicon as compared with before, and to stably provide manufacturing semiconductor devices of proper quality.例文帳に追加

従来に較べてタングステンとシリコンとの選択比を向上させることができ、良質な半導体装置を安定して製造することのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate processing apparatus capable of reliably performing etching to enhance yield, and to provide a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる半導体基板処理装置及びその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In one implementation, a method is provided that includes a step of plasma-etching a high-k dielectric material with a first plasma gas reactant mixture having BCl_3.例文帳に追加

一実施態様においては、ＢＣｌ_３を有する第１プラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of suppressing variation in an etching rate caused by wear of an electrode plate of an upper electrode.例文帳に追加

上部電極の電極板の消耗にともなうエッチングレートの変動を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and device having sufficient selective ratio of etching rate for either one of a silicon nitride film and a silicon oxide film.例文帳に追加

シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜のいずれにも十分なエッチングレートの選択比を有する半導体装置の製造方法と半導体製造装置とを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a correction process of charged particle beam exposure data effectively correcting a pattern variation by an etching process.例文帳に追加

エッチングプロセスによるパターン変動を有効に補正することができる荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using multiple layers of a pre-porous dielectric material that is made porous subsequent to etching and metal filling in an aperture.例文帳に追加

エッチングおよび開口の金属充填の後に多孔性にされる予備多孔性誘電材料の複数の層を使用した電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for reusing a printing plate without necessity of releasing a Ballard copper plating after chrome etching, plate falling by an abrasive polisher, reforming the Ballard copper plating or the like.例文帳に追加

クロムエッチングしてからバラード銅メッキを剥離することや、砥石研磨機による落版や、バラード銅メッキ等の再形成を行う必要がない印刷版の再利用方法。 - 特許庁

To provide a high-pressure treatment method capable of selectively removing a doped glass layer in the doped glass layer and an oxide layer formed on a substrate excellently by an etching.例文帳に追加

基板上に形成されたドープガラス層と酸化物層のうちドープガラス層を選択的に、しかも良好にエッチング除去することができる高圧処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for rear side of silicon wafer and a protecting tape for silicon wafer, with which troubles can be prevented by holding a silicon wafer with a sufficient holding power.例文帳に追加

シリコンウェハを十分な保持力で保持して不具合を防止することができるシリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープを提供することを目的とする。 - 特許庁