「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma etching method capable of forming a groove or a hole of which the bottom surface is smooth on a polymer material, such as PMMA and PC, or an ultrafine pillar structure on the bottom surface.例文帳に追加

ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.例文帳に追加

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can eliminate a dimensional conversion difference and can simplify a manufacturing process by omitting an etching step.例文帳に追加

エッチング工程を省略することにより寸法変換差を無くすことができるとともに製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an unnecessary etching groove at the upper end of a trench from being formed, hereby preventing any inconvenience from occurring in other processes, in a semiconductor element using an STI technique.例文帳に追加

ＳＴＩ技術を用いた素子において，トレンチ上端部の不要なエッチング溝の形成を防ぎ，他の工程に不具合を生じない半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is downsized and reduced in the material cost, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor device whereby reduction in the yield due to etching processing is less.例文帳に追加

小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置、及び、エッチング処理に起因する歩留まりの低下の少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, the machining allowance for one tank is 16 μm or less for the total front and rear sides of silicon wafer, and the etching grade is 0.3 μm per second or less for the total front and rear sides of silicon wafer.例文帳に追加

この方法では、１槽当たりの取り代をシリコンウェーハの表裏面合計で１６μｍ以下とし、エッチングレートをシリコンウェーハの表裏面合計で０．３μｍ／秒以下とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic component mounted with components comprises the steps of embedding the electronic component 1 having electrodes 2 in a thermoplastic resin sheet base 3, and then exposing the electrode 2 to the surface of the sheet base by polishing or plasma etching.例文帳に追加

電極２を有する電子部品１を熱可塑性樹脂シート基材３に埋設した後、研磨加工あるいはプラズマエッチングにより、シート基材表面に電極２を露出させる。 - 特許庁

This manufacturing method is for laminating combined layers of two types of dielectric thin films 8a and 8b of different etching rates, each having at least two layers and combined with metal electrodes 1a, alternatively and repeatedly.例文帳に追加

エッチング速度が異なる２つの誘電体薄膜８ａ、８ｂを２層以上連続して形成した金属電極１ａとの組み合わせ層をくり返し交互に積層する。 - 特許庁

To provide a color filter producing method which is based on dry etching and makes it possible to produce a color filter that has fine and rectangular pixels and is excellent in flatness.例文帳に追加

ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有し平坦性に優れたカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法の提供 - 特許庁

The line forming method employing the printing means is performed by forming a line without employing copper foil etching, allowing metal powder to adhere by using an adhesive layer, and solidifying the metal powder.例文帳に追加

本発明の印刷手段を採用した線路形成方法は、銅箔のエッチングを採用せずに線路を形成し、粘着層を用いて金属粉末を粘着し、金属粉末を固化する。 - 特許庁

To provide a method of producing a blank for Fe-Ni base alloy cold-rolled sheet for shadow masks having an excellent etching piercing property useable as the shadow mask material of a highly clear and bright TV.例文帳に追加

高鮮明・高輝度ＴＶのシャドウマスク材として使用可能なエッチング穿孔性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金冷延板用素材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for machining an SOI substrate in which a silicon oxide layer exposed to a recess between posts can be removed efficiently by performing wet etching without generating an air bubble in the recess between the posts.例文帳に追加

支柱間の凹部に空気泡を発生させずにウェットエッチングを行い、支柱間の凹部に露出した酸化シリコン層を効率良く除去できるＳＯＩ基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond-coated nondiamond carbon member obtained by using a nondiamond carbon material having low resistance to etching action caused by activated hydrogen as a base material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which efficiently and surely removes reaction products deposited at the bottom of a specified concave pattern during etching for forming this pattern.例文帳に追加

所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効率良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a printed wiring substrate having excellent circuit accuracy by controlling the side etching of a circuit forming area in a process to manufacture a printed wiring substrate by a subtract method.例文帳に追加

サブトラクト法によるプリント配線基板の作製において、回路形成部分のサイドエッチを抑制し、良好な回路精度をもつプリント配線基板を作製することを目的とする。 - 特許庁

In the formation method of the contact holes, before an individual element is subjected to dicing, the through hole is formed on a glass substrate 1 by wet etching, and an electrode pad is formed inside and near the through hole.例文帳に追加

個別の素子をダイシングする前に、ウェットエッチングによりガラス基板１上にスルーホールを形成し、また前記スルーホール内と近傍に電極パットを形成してなるコンタクトホールの形成方法。 - 特許庁

In this method, the dual damascene structure is formed by etching a laminated structure in which an organic insulating film and a metal oxide film are formed on an inorganic insulating film by forming a pattern on the structure.例文帳に追加

無機系絶縁膜上に有機系絶縁膜および金属酸化物膜を形成した積層構造に、パターン形成し、エッチングすることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor element for simply and inexpensively manufacturing the element without using an etching step, and to provide a pattern obtained by the same.例文帳に追加

窒化物半導体素子を、前記エッチング工程を用いずに、簡易に、かつ、低コストで製造する製造方法及び該製造方法により得られたパターン体を提供することである。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

To provide a method of forming a buried wire for removing etching residuals without increasing a dielectric constant, and cleaning a wire-exposed surface without corroding metal.例文帳に追加

埋込配線の形成方法に関し、比誘電率の増加をもたらすことなくエッチング残渣を除去するとともに、金属の浸食をもたらすことなく配線露出表面の清浄化を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an imaging device which can suppress an increase in a noise component such as a dark current due to plasma etching in forming an optical waveguide and can improve condensing efficiency.例文帳に追加

光導波路形成時のプラズマエッチングによる暗電流等のノイズ成分の増加を抑制し、かつ集光効率を向上することができる撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element which can control an etching quantity and which has a large light output and high reliability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング量の制御を可能とし光出力が大きく信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an Ir film 7 is formed on the SiO2 film 6 forming the recess part 6a, a lower electrode 8 is formed in the recess part 6a by etching back the Ir film 7 by a CMP method.例文帳に追加

上記凹部６aが形成されたＳiＯ_2膜６上にＩr膜７を形成した後、Ｉr膜７をＣＭＰ法によってエッチバックすることにより凹部６a内に下部電極８を形成する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The rugged form 15 can be realized through a method wherein the rear surface 11B of the semiconductor chip 11 is subjected to a cutting process using a blade or the like or a selective chemical etching process.例文帳に追加

凹凸形状１５は例えば半導体チップ１１の裏面１１Ｂに対し、ブレード等による切削工程、または選択的に化学的にエッチングすることにより実現する。 - 特許庁

To provide a testing apparatus and a method for opening, short circuit, a neck-down or inappropriate etching in which a trace is not brought into physical contact and is not excessively wasting time.例文帳に追加

トレースが物理的に接触されるものではなく、また過度に時間を費やすことのない開放、ショート、ネックダウンまたは不適切なエッチングのためのテスト装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having an excellent preventing effect against tearing in an unexposed film, high resolution, excellent tenting property and developability and favorable strippability during etching, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

未露光膜破れの防止効果に優れ、高解像度であり、かつテント性及び現像性に優れ、エッチング時の剥離性が良好なパターン形成材料、並びにパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor device which is provided with excellent element properties wherein variations in film thickness can be suppressed and the occurrence of dry etching damage can be also suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

膜厚バラツキを抑制し、かつドライエッチングダメージの発生を抑制できる優れた素子特性を兼ね備えた薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereby increase in the resistance of wiring or generation of a short-circuiting caused by excessive polishing, excessive etching or the like when the flattening is carried out by the CMP method can be prevented.例文帳に追加

これにより、ＣＭＰ方法のような平坦化を利用する場合に発生する過多研磨または過多蝕刻等による配線の抵抗の増加あるいは短絡の発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a treatment system of boards for flexible printed wiring boards by a roll-to-roll method by which a development time, etching time and peeling time can be easily adjusted.例文帳に追加

現像処理時間、エッチング処理時間、剥離処理時間を容易に調整できるロールｔｏロール方式によるフレキシブルプリント配線板用基板の処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method to produce a liquid crystal display device by which a reaction product is not deposited when a contact hole is opened in an interlayer insulating film by dry etching, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

ドライエッチングによる層間絶縁膜へのコンタクトホール開口時に反応生成物が再付着しない液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fine grid manufacturing method with which a base material surface is prevented from being oxidized, and etching processing is prevented from being affected even in forming a mask film on the base material by using a metal pattern film.例文帳に追加

金属製のパターン膜を用いて基材上にマスク膜を形成しても、基材表面が酸化されずエッチング加工に影響を及ぼさない微細格子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fine structuring a plate glass base body to a high quality structure having a large depth of the structure and a more smaller dimension of the structure at an etching speed as high as possible.例文帳に追加

板ガラス基体をできるだけ高いエッチング速度で、構造の深さが大きく、構造の寸法がより小さい高品質構造に微細構造化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment and and a method of manufacturing of a semiconductor device capable of improving a resist selection ratio in consecutive processing stability and etching dimensions in continuous stability, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

レジスト選択比の連続処理安定性、エッチング寸法の連続安定性を高める半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile semiconductor memory apparatus which can form the tunnel window of a small diameter without exfoliating by wet etching, as well as without giving a damage to a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にダメージを与えることなく、ウェットエッチングにより剥離することなく、小さい径のトンネル窓を形成できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide method for manufacturing an element body of an aluminum alloy substrate for PS plate which improves dissolution efficiency and its substrate while uniformity of a roughened surface by electrolytic etching is kept.例文帳に追加

電解エッチングによる粗面の均一性を保持するとともに、溶解効率を向上させるＰＳ版用アルミニウム合金支持体の素体及び同支持体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide device, in which a wafer is prevented from being damaged in an RIE (reactive ion etching) step and from being stuck to a stage and automatic conveyance of the wafer is made feasible.例文帳に追加

ＲＩＥ工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

It also includes a step for etching and removing at least a part of the insulation film on the peripheral circuit area and a step for flattening the surface of the insulation film by the CMP method.例文帳に追加

そして、周辺回路領域上の前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage device configured such that loss of an etching mask is small and residues which may cause a short circuit between adjacent memory cells are not left, and to provide the semiconductor storage device.例文帳に追加

エッチングマスクのロスが少なく且つ隣接メモリセル間のショートの原因となる残渣が残らない半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation apparatus, by which a silicon oxide film with a higher wet etching resistance in comparison to conventional one can be formed in low temperature film growth at or below 350°C.例文帳に追加

３５０℃以下の低温成膜において、従来よりも耐ウエットエッチング性が高い酸化シリコン膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated circuit device for reducing the reaction products of dry-etching causing connection failures among multilayered wirings and increase in connection resistances.例文帳に追加

多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for etching the photomask includes a step of providing a processing chamber 102, having a substrate supporting pedestal 124 adapted to receive a substrate 122 for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。 - 特許庁

To provide the dry etching method of a substrate efficiently and stably achieving micro-fine working to a substrate made of hard and brittle materials with high hardness and brittleness such as a crystal substrate.例文帳に追加

水晶基板等の高硬度で脆い硬脆性材料からなる基板に対する微細加工を効率よく安定して実現できる基板のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁