「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an imaging device which can suppress an increase in a noise component such as a dark current due to plasma etching in forming an optical waveguide and can improve condensing efficiency.例文帳に追加

光導波路形成時のプラズマエッチングによる暗電流等のノイズ成分の増加を抑制し、かつ集光効率を向上することができる撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.例文帳に追加

被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element which can control an etching quantity and which has a large light output and high reliability, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング量の制御を可能とし光出力が大きく信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an Ir film 7 is formed on the SiO2 film 6 forming the recess part 6a, a lower electrode 8 is formed in the recess part 6a by etching back the Ir film 7 by a CMP method.例文帳に追加

上記凹部６aが形成されたＳiＯ_2膜６上にＩr膜７を形成した後、Ｉr膜７をＣＭＰ法によってエッチバックすることにより凹部６a内に下部電極８を形成する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The rugged form 15 can be realized through a method wherein the rear surface 11B of the semiconductor chip 11 is subjected to a cutting process using a blade or the like or a selective chemical etching process.例文帳に追加

凹凸形状１５は例えば半導体チップ１１の裏面１１Ｂに対し、ブレード等による切削工程、または選択的に化学的にエッチングすることにより実現する。 - 特許庁

To provide a testing apparatus and a method for opening, short circuit, a neck-down or inappropriate etching in which a trace is not brought into physical contact and is not excessively wasting time.例文帳に追加

トレースが物理的に接触されるものではなく、また過度に時間を費やすことのない開放、ショート、ネックダウンまたは不適切なエッチングのためのテスト装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having an excellent preventing effect against tearing in an unexposed film, high resolution, excellent tenting property and developability and favorable strippability during etching, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

未露光膜破れの防止効果に優れ、高解像度であり、かつテント性及び現像性に優れ、エッチング時の剥離性が良好なパターン形成材料、並びにパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for fine structuring a plate glass base body to a high quality structure having a large depth of the structure and a more smaller dimension of the structure at an etching speed as high as possible.例文帳に追加

板ガラス基体をできるだけ高いエッチング速度で、構造の深さが大きく、構造の寸法がより小さい高品質構造に微細構造化する方法を提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor manufacturing equipment and and a method of manufacturing of a semiconductor device capable of improving a resist selection ratio in consecutive processing stability and etching dimensions in continuous stability, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

レジスト選択比の連続処理安定性、エッチング寸法の連続安定性を高める半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for machining an SOI substrate in which a silicon oxide layer exposed to a recess between posts can be removed efficiently by performing wet etching without generating an air bubble in the recess between the posts.例文帳に追加

支柱間の凹部に空気泡を発生させずにウェットエッチングを行い、支柱間の凹部に露出した酸化シリコン層を効率良く除去できるＳＯＩ基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diamond-coated nondiamond carbon member obtained by using a nondiamond carbon material having low resistance to etching action caused by activated hydrogen as a base material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which efficiently and surely removes reaction products deposited at the bottom of a specified concave pattern during etching for forming this pattern.例文帳に追加

所定の凹状パターンをエッチングによって形成する際に、凹状パターンの底に堆積する反応生成物を効率良く確実に除去できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a nonvolatile semiconductor memory apparatus which can form the tunnel window of a small diameter without exfoliating by wet etching, as well as without giving a damage to a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にダメージを与えることなく、ウェットエッチングにより剥離することなく、小さい径のトンネル窓を形成できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide method for manufacturing an element body of an aluminum alloy substrate for PS plate which improves dissolution efficiency and its substrate while uniformity of a roughened surface by electrolytic etching is kept.例文帳に追加

電解エッチングによる粗面の均一性を保持するとともに、溶解効率を向上させるＰＳ版用アルミニウム合金支持体の素体及び同支持体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide device, in which a wafer is prevented from being damaged in an RIE (reactive ion etching) step and from being stuck to a stage and automatic conveyance of the wafer is made feasible.例文帳に追加

ＲＩＥ工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

It also includes a step for etching and removing at least a part of the insulation film on the peripheral circuit area and a step for flattening the surface of the insulation film by the CMP method.例文帳に追加

そして、周辺回路領域上の前記絶縁膜の少なくとも一部をエッチングして除去する工程と、絶縁膜の表面をＣＭＰ法によって平坦化する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor storage device configured such that loss of an etching mask is small and residues which may cause a short circuit between adjacent memory cells are not left, and to provide the semiconductor storage device.例文帳に追加

エッチングマスクのロスが少なく且つ隣接メモリセル間のショートの原因となる残渣が残らない半導体記憶装置の製造方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation apparatus, by which a silicon oxide film with a higher wet etching resistance in comparison to conventional one can be formed in low temperature film growth at or below 350°C.例文帳に追加

３５０℃以下の低温成膜において、従来よりも耐ウエットエッチング性が高い酸化シリコン膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an integrated circuit device for reducing the reaction products of dry-etching causing connection failures among multilayered wirings and increase in connection resistances.例文帳に追加

多層化した配線間の接続不良や接続抵抗上昇の原因となる、ドライエッチングの反応生成物を抑制する集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of carrying out formation of a groove part on a superconducting layer and making a fine wire reliably by etching without requiring an expensive photomask.例文帳に追加

本発明は、高価なフォトマスクを要することなくエッチングにより超電導層に溝部形成が可能であって細線化を確実に行うことができる方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric actuator which prevents a particle size in a piezoelectric layer of a piezoelectric element from increasing and has a function as an etching stop layer during patterning of the piezoelectric layer.例文帳に追加

圧電素子の圧電体層の大粒化を防止し、しかも圧電体層のパターニングの際のエッチングストップ層としての機能も有する圧電アクチュエーターの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for etching the photomask includes a step of providing a processing chamber 102, having a substrate supporting pedestal 124 adapted to receive a substrate 122 for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。 - 特許庁

To provide the dry etching method of a substrate efficiently and stably achieving micro-fine working to a substrate made of hard and brittle materials with high hardness and brittleness such as a crystal substrate.例文帳に追加

水晶基板等の高硬度で脆い硬脆性材料からなる基板に対する微細加工を効率よく安定して実現できる基板のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method, a groove surrounding the semiconductor device is formed by carrying out plasma etching on the surface of the semiconductor substrate by using a plasma processing apparatus 1.例文帳に追加

本発明の製造方法では、プラズマ処理装置１を用いて前記半導体基板の表面をプラズマエッチングすることによって前記半導体素子を取り囲む溝を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a silicon wafer, which can compatibly decrease the amount of a reaction reagent (mixed acid) and secure in-plane uniformity of etching, and which has high precision and high sensitivity.例文帳に追加

本発明は、反応試薬（混酸）の少量化とエッチングの面内均一性確保の両立ができ、高精度で高感度なシリコンウェーハの評価方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the rut of a silicon substrate caused by etching is prevented in a region other than a film forming region when a film is removed by a chemical.例文帳に追加

膜を薬液により除去する際に、膜の形成領域以外の領域においてエッチングによりシリコンからなる基板の掘れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface acoustic wave element capable of minimizing damages by etching, increasing the production yield of the surface acoustic wave element and also improving the reliability.例文帳に追加

エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a DLC (Diamond Like Carbon) film where a DLC film is partially removed by a plasma etching process in which cost does not increase for masking and treatment time is not largely taken.例文帳に追加

マスキングにコストが嵩まず、処理時間を多大に費やさないプラズマエッチング法によって部分的にＤＬＣ被膜を除去するＤＬＣ被膜除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical source device which is provided with a reliable and low-cost cooling device which can be formed by using an inexpensive chemical etching method, and is suitable for mass production, and has high cooling performance.例文帳に追加

安価な化学エッチング法を用いて形成でき、大量生産に適し、高い冷却性能を有し、信頼性の高い、低価格な冷却装置を備えた光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.例文帳に追加

下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁

This method for evaluating a structural change in a tooth substance surface layer is characterized in that a sliced segment of a tooth is treated by the dyeing liquid for tissue dyeing or treated by ion etching to observe an obtained segment.例文帳に追加

歯の薄切切片を組織染色用染色液処理、又はイオンエッチング処理し、得られる切片を観察することを特徴とする歯質の構造変化の評価方法。 - 特許庁

To provide an Fe-Ni alloy cold rolled sheet more excellent in etching properties and surface properties and to provide a method for refining an Fe-Ni alloy by which the same cold rolled sheet can suitably be produced.例文帳に追加

エッチング性および表面性状のより優れたＦｅ−Ｎｉ合金冷延板と、このような冷延板を好適に製造し得るＦｅ−Ｎｉ合金の精錬方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device which suppresses the etching of an element isolation insulating film when an insulating film formed between a control gate and a floating gate is etched.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートとの間に形成される絶縁膜のエッチング時の素子分離絶縁膜のエッチングを抑制することができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a substrate sheet for an IC tag for surely exerting an antistatic function even in the case of forming an antenna part by etching and a method for manufacturing the substrate sheet for the IC tag.例文帳に追加

アンテナ部をエッチングによって形成する場合であっても帯電防止機能を確実に発揮できるＩＣタグ用基材シート及びＩＣタグ用基材シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to the method including a step to remove the selected portions of the capacitor by sandblasting or other means so that a ceramic dielectric may not contact acid etching liquid.例文帳に追加

本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a semiconductor substrate will not be damaged, even if over-etching is carried out at forming of an opening for contact, and a method of manufacturing of the semiconductor device.例文帳に追加

コンタクト用の開口部を形成する際にオーバーエッチングを行っても、半導体基板にダメージを与えることのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.例文帳に追加

２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film and its patterning method whereby patterning characteristics can be improved by adjusting the etching rate of the zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

酸化亜鉛系透明導電膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系透明導電膜及びそのパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film.例文帳に追加

所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

To provide a pattern working method and a pattern working device, working the worked base within a mask width to be flat without over-etching by anisotropy working, and performing microprocessing.例文帳に追加

異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき、微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a peeling method for an organic film by plasma etching that reduces the consumption of fluorine-based gas, has a desired organic film peeling speed, and less damages a substrate etc.例文帳に追加

フッ素系ガスの使用量を低減し、かつ所望の有機膜剥離スピードを有し、また、基板等に対するダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜の剥離方法を提供する。 - 特許庁