「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma treatment method with which pattern falling hardly occurs when trimming a resist pattern and an etching amount in a longitudinal direction of the pattern can be reduced, and a resist pattern reforming method for reforming the resist pattern prior to trimming.例文帳に追加

レジストパターンのトリミングの際にパターン倒れが発生し難く、パターンの縦方向のエッチング量を少なくすることができるプラズマ処理方法およびトリミングに先立ってレジストパターンを改質するレジストパターンの改質方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a simple and inexpensive field emission element by a new method completely different from a conventional etching technique or lithography technique; and to provide a field emission element having nonconventional material and shape.例文帳に追加

従来のエッチング技術やリソグラフィー技術とは全く異なる新規な方法によって簡便かつ安価な電界放出素子を製造する方法と、従来にはない材質、形状を有する電界放出素子を提供する。 - 特許庁

An etching stopper layer for a contact hole bored in an interlayer insulating film is formed of a laminated film 16 composed of a silicon nitride film 16a deposited through a thermal CVD method, and a silicon nitride film 16b deposited through a plasma CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのエッチングストッパ層を、熱ＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ａとプラズマＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ｂとからなる積層膜１６で構成する。 - 特許庁

To provide: a crystal substrate etching method capable of processing with high accuracy; a piezoelectric vibrating reed of which the outer shape is formed by this method; a piezoelectric vibrator having this piezoelectric vibrating reed; an oscillator; an electronic device; and a radio-controlled timepiece.例文帳に追加

精度よく加工することができる水晶基板のエッチング方法、この方法により外形を形成した圧電振動片、この圧電振動片を有する圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for etching silicon and an etched silicon body manufactured by the method and the apparatus capable of easily forming a desired taper angle and achieving also the smoothing of the taper surface while no overhang shape is formed.例文帳に追加

所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a combustion furnace for manufacturing dental prosthesis material, the method being better adapted to various dental prosthesis materials, particularly for at least reducing or completely excluding the use of etching oxides.例文帳に追加

多様な歯科補綴材により良好に適合し、特にエッチング酸化物の使用を少なくとも抑制しまたは完全に除外するよう改善された歯科補綴材製造用燃焼窯の制御方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor suitable for improving margins of succeeding processes by reducing leanings of boundary portions of etching as small as possible when an insulating film on a photodiode is etched, and to provide a photomask used in the method.例文帳に追加

フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき、エッチングの境界部分の傾斜を最大限小さくして、後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法と、これに用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method of cutting semiconductor wafer by which the thermal damage given to a protective sheet can be prevented at the time of cutting a semiconductor wafer by plasma etching, and to provide a protective sheet used in the method.例文帳に追加

プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体ウェハの切断方法および半導体ウェハの切断方法で使用される保護シートを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium reducing magnetic interference in a track direction by uniform etching and improving recording density and to provide the magnetic recording medium obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減し、記録密度の向上が可能な、磁気記録媒体の製造方法、および当該製造方法により得られた磁気記録媒体を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a structure by an anisotropic etching method by which the final shape of the structure is prevented from being etched into a shape different from a target shape so as to reduce the defective ratio of the structure.例文帳に追加

構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされることを防止して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate peripheral processing device and a substrate peripheral processing method which can achieve properly etch-remove a copper film from the substrate peripheral portion corresponding to states of an etching solution and to provide a substrate peripheral processing device and a method which do not need to prepare a plurality of recipes corresponding to the thickness of the copper thin films.例文帳に追加

エッチング液の状態に応じた適切な処理を行って、基板の周縁部の銅膜を良好にエッチング除去することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor wafer for solar battery for effectively texturing the surface of a polycrystalline and a single- crystal silicon wafer using the simplified chemical etching method, in order to improve optical absorption coefficient at a low price.例文帳に追加

多結晶及び単結晶シリコンウェハの表面を，簡単な化学的エッチング方法を用いて効果的にテクスチャリングし，低価格で光吸収率の向上した太陽電池用半導体ウェハの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass substrate having a surface shape having different projection heights such as convex parts having differences in level or different heights by improving a method for making unevenness of the glass surface through pushing and etching.例文帳に追加

押圧とエッチングによるガラス表面の凹凸形成方法を改良し、段差を有する凸部、高さの異なる凸部といった、高さの異なる隆起のある表面形状を有するガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To establish a method for producing Fe-Ni base alloy excellent in a surface flaw resistance and a fine etching property at a low cost by reducing the generation of harmful inclusion as less as possible without performing a remelting method after deoxidize-refining.例文帳に追加

脱酸精錬後の再溶解法を実施せずとも有害介在物の生成を可及的に低減し、耐表面疵性と微細エッチング性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金を安価に製造することのできる方法を確立すること。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photomask by which a microlens and a spacer taller than the microlens can be formed at the same time by single-time photolithography and etching, a microlens forming method which uses the photomask, and the microlens formed by the method.例文帳に追加

１回のフォトリソグラフィーとエッチングによりマイクロレンズと該マイクロレンズの高さより高いスペーサを同時に形成することが可能なフォトマスク、該フォトマスクを用いたマイクロレンズ作成方法、該方法により作成したマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

To provide an antenna forming method for forming an antenna for RFID use inexpensively and safely without using a method complicated in process and high in manufacturing cost such as an etching technology or a winding coil forming technology.例文帳に追加

エッチング技術や巻線コイル形成技術など、工程が複雑で製造コストが高い方法を用いることなく、安価にかつ安全にＲＦＩＤ用途のアンテナを形成することができるアンテナの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method.例文帳に追加

素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for highly precisely grinding a desired multilayer film/pattern without requiring much time and effort in execution by a conventional chemical etching method, without requiring quality of coating or damaging a silicon in execution by a sand blast method, or without seriously damaging the silicon in a laser method.例文帳に追加

従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a stopper layer formation step, a colored layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a second etching step and a photo resist layer removal step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、ストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for extracting impurities present in the surface and in the depth direction of a semi conductor substrate with high accuracy in which the etching speed is high, the etching quantity can be controlled correctly, and the concentration of impurities of the back ground is low.例文帳に追加

半導体基板の表面および深さ方向に存在する不純物を高精度で抽出する方法と装置に関し、エッチング速度が速く、エッチング量を正確に制御できて、かつバックグラウンド不純物濃度の低い半導体基板の不純物抽出方法ないし不純物抽出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography, for forming a resist underlayer film capable of reducing reflectance, having high etching resistance, high heat resistance and solvent resistance, and free of the occurrence of twist particularly in the etching of a substrate; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises steps of: depositing a copper-containing metallic thin film on a base material; selectively exposing the metallic thin film; and applying etching to the exposed part or the unexposed part by the use of the etching agent to which the additive for prevention of secular change is added to form the desired pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に銅を含む金属薄膜を形成する工程と、その金属薄膜を選択的に露光する工程と、露光された部位又は露光されない部位を経時変化防止用添加剤が添加されたエッチング剤でエッチングして所望のパターンを形成する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.例文帳に追加

誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device includes etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the bottom of the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side wall junction region, and forming a bit line coupled to the side wall junction region.例文帳に追加

基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This method for etching a nitride silicon layer on the surface of a substrate includes a fist step S1 of exposing the substrate surface to a oxidizing solution, to form an oxide film on the surface of the nitride silicon layer and a second step S2 of exposing the substrate surface to a fluorine- containing solution for etching the oxide film.例文帳に追加

基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層表面に酸化膜を形成する第１ステップＳ１と、基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、酸化膜をエッチングする第２ステップＳ２とを行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an electrode structure of a display panel in which excessive etching of an electrode located in a block boundary portion of a display area is prevented and the width of the electrode can be made uniformly by providing a dummy electrode which limits inflow of an etching reagent to the block boundary portion of a substrate end, and a method for forming its electrode.例文帳に追加

表示パネルの電極構造及びその電極形成方法に関し、基板端部のブロック境界部分にエッチング液の流入を制限するダミー電極を設けることにより、表示領域のブロック境界部分に位置する電極の過度のエッチングを防止して、電極の幅が均一に仕上がるようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

The defect detection method of an SOI substrate at least has: a process for preparing an SC1 solution as an etching solution; a process for dipping the SOI substrate into the SC1 solution for etching; and a process for observing the defects of the etched SOI substrate by a detector.例文帳に追加

少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements.例文帳に追加

本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein, after etching a laminated film including a metal oxide film, an insulation film present thereunder is etched, and in that case, the enough large etching ratio of a conductor pattern made of an alloy comprising a semiconductor and a high melting point metal to the insulation film can be secured.例文帳に追加

酸化金属膜を含む積層膜をエッチングした後でその下の絶縁膜をエッチングする場合に、半導体と高融点金属との合金よりなる導体パターンと上記絶縁膜とのエッチング選択比を十分大きく確保することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An GaN material etching method is carried out through such a manner that an electromechanical cell is composed of an anode, a cathode, and an electrolyte, a GaN material is made to serve as an anode, and a bias voltage high enough to induce etching of the GaN material is applied between the anode and the cathode.例文帳に追加

電気化学的電池がアノード、カソード、及び電解液から成る電気化学的電池においてアノードとしてＧａＮ材料を形成し、そして上記ＧａＮ材料のエッチングを引き起こすのに十分なレベルまで上記アノードとカソードの間にバイアスを印加することを含むＧａＮ材料のエッチング方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface.例文帳に追加

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁

The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal insulator metal capacitor which can prevent surface etching damage to a capacitor electrode by avoiding the generation of a large amount of a polymer and the lifting of a film formed on the upper portion of the capacitor electrode by etching a barrier metal film for capacitor electrode by using a hard mask, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ハードマスクを利用してキャパシタ電極用バリアー金属膜をエッチングすることにより、多量のポリマー発生を防ぎキャパシタ電極の表面エッチング損傷を防ぐことと、キャパシタ電極上部に形成される膜質のリフティングを防ぐことのできるＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device, which is capable of preventing the occurrence of an insufficient withstand voltage or capacity unevenness of holding capacities from being caused by remaining of etching residuals or roughness of surfaces though dry etching is used when forming the holding capacities provided with thin dielectric layers, and to provide the electro-optical device.例文帳に追加

薄い誘電体層を備えた保持容量を形成する際にドライエッチングを利用しても、エッチング残滓の残存や表面の荒れに起因する保持容量の耐電圧不足や容量ばらつきの発生を防止可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供することこと。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching liquid little in trouble due to short circuit between conductor circuits and superior in circuit forming property by suppressing the generation of residue of a copper foil, even in an inner layer conductor circuit to which the rust preventing treatment such as chromate treatment has been applied, and to provide a manufacturing method of print wiring boards using the etching liquid.例文帳に追加

クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁