「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a non-oriented electrical steel sheet which is suitable to be used for a core material of a driving motor for automobile, and is excellent in an etching-processability and magnetic characteristics, and to provide a method for manufacturing the motor core using the steel sheet.例文帳に追加

自動車の駆動用モータなどのコア材に用いて好適な、エッチング加工性に優れ、かつ磁気特性にも優れる無方向性電磁鋼板の製造方法とその鋼板を用いたモータコアの製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for forming an alignment mark capable of suppressing deformation of the shape of a plurality of the recesses of the alignment mark when the alignment mark is dug out by etching a regrown semiconductor layer, and to provide a method for manufacturing an optical semiconductor element.例文帳に追加

再成長された半導体層をエッチングしてアライメントマークを掘り出す際に、アライメントマークの複数の凹部の形状の崩れを抑制できるアライメントマーク形成方法及び光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a combustion furnace for manufacturing dental prosthesis material, the method being better adapted to various dental prosthesis materials, particularly for at least reducing or completely excluding the use of etching oxides.例文帳に追加

多様な歯科補綴材により良好に適合し、特にエッチング酸化物の使用を少なくとも抑制しまたは完全に除外するよう改善された歯科補綴材製造用燃焼窯の制御方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of cutting semiconductor wafer by which the thermal damage given to a protective sheet can be prevented at the time of cutting a semiconductor wafer by plasma etching, and to provide a protective sheet used in the method.例文帳に追加

プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体ウェハの切断方法および半導体ウェハの切断方法で使用される保護シートを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an image sensor suitable for improving margins of succeeding processes by reducing leanings of boundary portions of etching as small as possible when an insulating film on a photodiode is etched, and to provide a photomask used in the method.例文帳に追加

フォトダイオード上の絶縁膜をエッチングするとき、エッチングの境界部分の傾斜を最大限小さくして、後続の工程マージンの向上に適切なイメージセンサの製造方法と、これに用いられるフォトマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor wafer for solar battery for effectively texturing the surface of a polycrystalline and a single- crystal silicon wafer using the simplified chemical etching method, in order to improve optical absorption coefficient at a low price.例文帳に追加

多結晶及び単結晶シリコンウェハの表面を，簡単な化学的エッチング方法を用いて効果的にテクスチャリングし，低価格で光吸収率の向上した太陽電池用半導体ウェハの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass substrate having a surface shape having different projection heights such as convex parts having differences in level or different heights by improving a method for making unevenness of the glass surface through pushing and etching.例文帳に追加

押圧とエッチングによるガラス表面の凹凸形成方法を改良し、段差を有する凸部、高さの異なる凸部といった、高さの異なる隆起のある表面形状を有するガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which inhibits a damage to a device, and has high accuracy, which is attained by development of a plasma treatment method using a gas free of a greenhouse effect in order to realize the global environmental preservation, and the plasma process of high performance.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To establish a method for producing Fe-Ni base alloy excellent in a surface flaw resistance and a fine etching property at a low cost by reducing the generation of harmful inclusion as less as possible without performing a remelting method after deoxidize-refining.例文帳に追加

脱酸精錬後の再溶解法を実施せずとも有害介在物の生成を可及的に低減し、耐表面疵性と微細エッチング性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金を安価に製造することのできる方法を確立すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium reducing magnetic interference in a track direction by uniform etching and improving recording density and to provide the magnetic recording medium obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、均一なエッチングによりトラック方向の磁気的干渉を低減し、記録密度の向上が可能な、磁気記録媒体の製造方法、および当該製造方法により得られた磁気記録媒体を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a structure by an anisotropic etching method by which the final shape of the structure is prevented from being etched into a shape different from a target shape so as to reduce the defective ratio of the structure.例文帳に追加

構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされることを防止して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a simple method for observing the existence of fine inclusions or precipitates in the Fe-Ni alloy stock and a method for discriminating the uniformity of hole diameter when electron beam transmission holes are pierced by etching are also provided.例文帳に追加

併せて、Ｆｅ−Ｎｉ系合金素材において、微小な介在物若しくは析出物の存在の簡易観察方法およびエッチング加工により電子線透過孔を穿孔したときの孔径均一性の判別方法も提供する。 - 特許庁

In the producing method of the ingot for manufacturing Fe-Ni base alloy material containing a specified quantity of Ni to be applied with etching treatment, the molten metal which is applied with deoxidize-refining containing Ar-blowing by a vacuum induction heating refining method, is cast to make the ingot.例文帳に追加

特定量のNiを含みエッチング処理されるFe−Ni系合金材料製造用鋳塊の製造方法であり、真空誘導加熱精錬法でArの吹き込みを含む脱酸精錬をした溶湯を、鋳造して鋳塊とする。 - 特許庁

To provide a thin film piezoelectric resonator production method which has high process margin, and hence can employ easy processes and achieve a reduction in production costs in the production of the thin film piezoelectric resonator by a wet etching method.例文帳に追加

ウエットエッチング法により薄膜圧電共振器を製造するにあたり、プロセス余裕度が高く、そのため工程が容易であり、製造コストの低廉化を図ることができる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photomask by which a microlens and a spacer taller than the microlens can be formed at the same time by single-time photolithography and etching, a microlens forming method which uses the photomask, and the microlens formed by the method.例文帳に追加

１回のフォトリソグラフィーとエッチングによりマイクロレンズと該マイクロレンズの高さより高いスペーサを同時に形成することが可能なフォトマスク、該フォトマスクを用いたマイクロレンズ作成方法、該方法により作成したマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

To provide an antenna forming method for forming an antenna for RFID use inexpensively and safely without using a method complicated in process and high in manufacturing cost such as an etching technology or a winding coil forming technology.例文帳に追加

エッチング技術や巻線コイル形成技術など、工程が複雑で製造コストが高い方法を用いることなく、安価にかつ安全にＲＦＩＤ用途のアンテナを形成することができるアンテナの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method.例文帳に追加

素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for highly precisely grinding a desired multilayer film/pattern without requiring much time and effort in execution by a conventional chemical etching method, without requiring quality of coating or damaging a silicon in execution by a sand blast method, or without seriously damaging the silicon in a laser method.例文帳に追加

従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein, after etching a laminated film including a metal oxide film, an insulation film present thereunder is etched, and in that case, the enough large etching ratio of a conductor pattern made of an alloy comprising a semiconductor and a high melting point metal to the insulation film can be secured.例文帳に追加

酸化金属膜を含む積層膜をエッチングした後でその下の絶縁膜をエッチングする場合に、半導体と高融点金属との合金よりなる導体パターンと上記絶縁膜とのエッチング選択比を十分大きく確保することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The defect detection method of an SOI substrate at least has: a process for preparing an SC1 solution as an etching solution; a process for dipping the SOI substrate into the SC1 solution for etching; and a process for observing the defects of the etched SOI substrate by a detector.例文帳に追加

少なくとも、エッチング溶液としてＳＣ１溶液を準備する工程と、ＳＯＩ基板を前記ＳＣ１溶液に浸漬してエッチングする工程と、前記エッチングしたＳＯＩ基板の欠陥を、検出装置で観察する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises steps of obtaining pre-etched critical dimension (CD) measurements of a feature on a substrate, etching the feature, treating the etched substrate so as to reduce and/or remove sidewall polymers deposited on the feature during etching, and obtaining post-etched CD measurements.例文帳に追加

本方法は、基板上のフィーチャのエッチング前の臨界寸法(CD)の測定値を得るステップと、フィーチャをエッチングするステップと、エッチング中にフィーチャ上に堆積された側壁上のポリマーを減少及び/又は除去するために、エッチングされた基板を処理するステップと、エッチング後のＣＤ測定値を得るステップとを有する。 - 特許庁

To provide a method capable of etching a dielectric film at an appropriate etching rate and in good contrast while preventing damage of a base metal film and adhesion of an undesired substance to a surface of the base metal surface, in manufacture of a dielectric element having a base metal film and a dielectric film formed on the base metal film.例文帳に追加

卑金属膜及び該卑金属膜上に形成された誘電体膜を有する誘電体素子の製造において、卑金属膜の損傷、及び卑金属膜表面への不要物の付着を抑制しながら、誘電体膜を適度なエッチングレート且つ良好なコントラストでエッチングすることを可能にする方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method has steps (S101, S102) of forming etching grooves XX on boundary lines between semiconductor chips CP from the main surface of a semiconductor wafer WF, for example in a former process, and a back-grinding step (S1042) as a subsequent process of grinding the whole rear surface of the semiconductor wafer WF to the etching grooves XX.例文帳に追加

例えば、前工程プロセスにおいて、半導体ウエハＷＦの主面から各半導体チップＣＰ間の境界ラインにエッチング溝ＸＸを形成し（Ｓ１０１，Ｓ１０２）、次いで後工程となるバックグラインド工程において、半導体ウエハＷＦの裏面全体をエッチング溝ＸＸに到達するまで研削する（Ｓ１０４２）。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8.例文帳に追加

下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。 - 特許庁

The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁

The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an plasma etching method by which, when a substrate having a structure in which a ferroelectric film made of an oxide is sandwiched between an upper electrode film and a lower electrode film is subjected to plasma etching, the lower electrode which is exposed as the ferroelectric film is etched more, is prevented from being etched.例文帳に追加

酸化物からなる強誘電体膜が上部電極膜及び下部電極膜によって挟まれた構造を備える基板をプラズマエッチングする場合に、強誘電体膜のエッチングが進んで露出した下部電極までエッチングされるのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which an emitter and a gate finger electrode having a desired thickness can be formed without requiring exact control of etching thickness in the etching of a pressure-contact IGBT having an emitter and a gate finger electrode consisting of an extremely thin metal film.例文帳に追加

極めて薄い金属膜からなるエミッタおよびゲートフィンガー電極を有する圧接型ＩＧＢＴにおけるエッチングにおいて、エッチング厚さの厳密な制御を必要とすることなく、所望の厚さを有するエミッタおよびゲートフィンガー電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for etching a nitride silicon layer on the surface of a substrate includes a fist step S1 of exposing the substrate surface to a oxidizing solution, to form an oxide film on the surface of the nitride silicon layer and a second step S2 of exposing the substrate surface to a fluorine- containing solution for etching the oxide film.例文帳に追加

基板表面の窒化シリコン層をエッチングする方法であって、基板表面を酸化性溶液に晒すことによって、前記窒化シリコン層表面に酸化膜を形成する第１ステップＳ１と、基板表面をフッ素含有溶液に晒すことによって、酸化膜をエッチングする第２ステップＳ２とを行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an electrode structure of a display panel in which excessive etching of an electrode located in a block boundary portion of a display area is prevented and the width of the electrode can be made uniformly by providing a dummy electrode which limits inflow of an etching reagent to the block boundary portion of a substrate end, and a method for forming its electrode.例文帳に追加

表示パネルの電極構造及びその電極形成方法に関し、基板端部のブロック境界部分にエッチング液の流入を制限するダミー電極を設けることにより、表示領域のブロック境界部分に位置する電極の過度のエッチングを防止して、電極の幅が均一に仕上がるようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device including a substrate to be processed having a conductive layer 28 which is mainly formed of platinum comprises a process for etching the conductive layer 28, and processes to generate plasma and to conduct the cleaning of the substrate to be processed to which an etching product 30 is adhered.例文帳に追加

プラチナを主体とする導電層２８を有する被処理基板を含む半導体装置の製造方法であって、前記導電層２８をエッチングする工程と、プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによってエッチング生成物３０が付着した前記被処理基板をクリーニングする工程とを含む。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A method for evaluating a single crystal silicon wafer includes a first step S11 for dry etching a mirror-finished surface 10a of a single crystal silicon wafer 10 on a condition that the etching rate of Si is higher than that of SiO_2, and second steps S12 and S13 for measuring the number of pits existing on the dry etched surface.例文帳に追加

鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a stacked semiconductor integrated device that attains grinding resistance in reverse-surface grinding of a semiconductor wafer, heat resistance in an anisotropic dry etching process etc., chemical resistance during plating and etching, final smooth peeling from a support substrate for processing, and low adherend contamination at the same time.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に成立させる、積層型半導体集積装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which makes the almost plane surface of polysilicon film contact with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the salient or the protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁

To provide a method for uniformly etching a gate insulating film and a semiconductor substrate without damaging them and for forming a gate electrode, when regions different in etching rates are given in the same gate polysilicon film by means of introducing different concentration ions or different ion types.例文帳に追加

本発明は、異なる濃度のイオンが導入されたり、異なるイオン種が導入されることにより、同一ゲートポリシリコン膜内において、エッチングレートが異なる領域を有する場合に、ゲート絶縁膜や半導体基板にダメージを与えることなく均一にエッチングしてゲート電極を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An GaN material etching method is carried out through such a manner that an electromechanical cell is composed of an anode, a cathode, and an electrolyte, a GaN material is made to serve as an anode, and a bias voltage high enough to induce etching of the GaN material is applied between the anode and the cathode.例文帳に追加

電気化学的電池がアノード、カソード、及び電解液から成る電気化学的電池においてアノードとしてＧａＮ材料を形成し、そして上記ＧａＮ材料のエッチングを引き起こすのに十分なレベルまで上記アノードとカソードの間にバイアスを印加することを含むＧａＮ材料のエッチング方法。 - 特許庁

A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To obtain a method for forming a wiring of a semiconductor device, which can resolve etching conditions at the time of wiring and suppressing a charging damage on a semiconductor device, for example, exploring a cause/ effect relationship between the etching conditions at the time of the wiring and a fluctuation in the threshold voltage of an MOS FET and, on the basis of it.例文帳に追加

配線形成の際のエッチング条件と半導体装置のチャージングダメージ、例えば配線形成の際のエッチング条件とＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧の変動との間の因果関係を解明し、それに基づいてチャージングダメージを抑制できる半導体装置の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium 1 for successively laminating at least a magnetic film 5, the protective film 6 and the lubricating layer 7 on a non-magnetic substrate 2, before depositing a lubricant on the protective film 6 and forming the lubricating layer 7, the surface of the protective film 6 is processed by using dry etching such as plasma etching.例文帳に追加

非磁性基板２上に少なくとも磁性膜５、保護膜６および潤滑層７を順次積層する磁気記録媒体１の製造方法において、潤滑剤を保護膜６上に蒸着し潤滑層７を形成する前に、保護膜６の表面をプラズマエッチングなどのドライエッチングを用いて処理する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

The method of use thereof includes a process which contacts the almost plane surface of polysilicon film with the solution which is highly aqueous and strongly basic for a sufficient time to make etching selectively the upheaval or protrusion from the surface of the almost plane polysilicon film without etching significantly the almost plane polysilicon film.例文帳に追加

その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 - 特許庁