「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.例文帳に追加

前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of forming a circuit pattern whereby a high- reliability product can be obtained efficiently for a short time, without costing by eliminating the need of etching works and associated facilities, form plates, etc.例文帳に追加

エッチング作業、それに伴う設備や版等を不要として、能率よく短時間で、コストがかからず、しかも信頼性の高い製品を得ることができることとした回路パタ−ンの形成方法とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a double-gate type thin film transistor which will not give unnecessary plasma damages to a semiconductor film at or near the boundary of a channel-protective film and the semiconductor film at etching.例文帳に追加

エッチング時にチャネル保護膜と半導体膜との界面及びその近傍の半導体膜に不必要なプラズマダメージを与えることのないダブルゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a section observation sample obtaining a clean machining section without being affected by the size of the sample, when manufacturing the section observation sample by etching using ion beams.例文帳に追加

イオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する場合に、試料の大きさに影響されないで清浄な加工断面が得られる断面観察試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.例文帳に追加

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.例文帳に追加

そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric element which can conduct heat treatment in an oxygen atmosphere in a state that the TiAlN of a hard mask material for etching a ferroelectric capacitor element remains.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ電極のエッチング用ハードマスク材料のＴｉＡｌＮが残存する状態で、酸素雰囲気中の熱処理を可能にする強誘電体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a high accuracy concave lens shape, a hollow of rotational symmetry is formed in a glass surface with a pulse laser or the like and the glass around the hollow is removed by etching.例文帳に追加

ガラス表面にパルスレーザなどで回転対称の窪みを形成し、その窪みを中心にエッチングによってガラス除去を行うことで、高糖度な凹面レンズ形状を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical switch, which forms a movable micromirror and input-side and output-side optical fiber holding V grooves on one silicon substrate through anisotropic wet etching.例文帳に追加

異方性ウェットエッチングにより１枚のシリコン基板に可動マイクロミラーと入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝とを形成させることができる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove components of a solvent that is used for polymer residue removal when a wet cleaning process is included in a standard post-photoresist-etching cleaning method for porous materials used in semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

半導体装置製造で多孔質材料のための標準的ホトレジストエッチング後のクリーニング法は、湿式クリーニングを含み、その場合、重合体残留物を除去するため溶媒を用いる。 - 特許庁

To pattern a transparent conductive thin film laminated product comprising a transparent, high-refraction factor thin film layer and a transparent metal thin film layer by a fine patterning dry etching method.例文帳に追加

透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層からなる透明導電性薄膜積層体を反応ガスを用いたドライエッチング手法により、微細なパターニドライエッチング法を用いてパターニングする。 - 特許庁

To provide an etching device and method for obtaining the sidewall of a silicon nitride film, having film thickness and height sufficient for electrical insulation at the sidewall part of a pattern having a step in level.例文帳に追加

段差のあるパターンの側壁部において電気的絶縁のために十分な膜厚と高さを有するシリコン窒化膜のサイドウォールを得られるように改良されたエッチング装置および方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method thereof includes a step for forming a flattening film on a steeply stepped projection, and a step for making gentle the step of the projection by etching back the projection part together with this flattening film.例文帳に追加

その製造方法は、急峻な段差の凸部上に、平坦化膜を形成する工程と、この平坦化膜と共に凸部をエッチバックすることで当該凸部の段差を緩やかにする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric capacitor which may be formed, without etching of the lower insulation film of capacitor, and to provide a memory device using the same ferroelectric material capacitor.例文帳に追加

キャパシタ下地絶縁膜をエッチングすることなく、強誘電体キャパシタの形成が可能な強誘電体キャパシタの製造方法、および強誘電体キャパシタを用いたメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To suppress corrosion of an external connection terminal in a method of manufacturing display panels by which a glass substrate is made thin by etching the glass substrate after fabricating a plurality of display panels at the same time on the glass substrate by gang printing.例文帳に追加

ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the etching of an upper electrode can be suppressed, even when a mask material is retreated and the upper surface of the upper electrode is exposed from under the mask material.例文帳に追加

マスク部材が後退して上部電極の上面がマスク部材下から露出した場合でも、この上部電極のエッチングを抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor package for realizing rigid deposition thereof on a mounting substrate by projecting terminal electrodes formed by etching from the lower surface of the same package.例文帳に追加

エッチングにより形成した端子電極を半導体パッケージの下面から突出させることによって、実装基板への強固な固着を実現することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can effectively etch a Pt residue, Pt contamination or a Pt film and prevent the development of corrosion in a metal member of an etching apparatus.例文帳に追加

Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.例文帳に追加

その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.例文帳に追加

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor which can prevent leaning phenomenon that may cause a storage node bridge during wet-etching to form a cylindrical storage node structure and drying process.例文帳に追加

円筒状のストレージノード構造を形成するためのウェットエッチング及び乾燥処理のとき、ストレージノードブリッジの原因となるリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered.例文帳に追加

第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。 - 特許庁

In the method for the production of a silicon epitaxially grown wafer, a flattening process by plasma etching of a silicon wafer 1 after primary polishing and a growth process of an epitaxial layer are successively performed.例文帳に追加

一次ポリッシング後のシリコンウェーハ１を、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程とを連続で行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャル成長ウェーハの製造方法である。 - 特許庁

In at least some embodiments, the invention is a plasma etching method comprising steps of applying a gas mixture of CF_4, N_2, and Ar and forming high density low impact energy plasma.例文帳に追加

少なくともいくつかの実施形態においては、本発明は、ＣＦ_4、Ｎ_2、Ａｒを含むガス混合物を適用するステップと、高密度低衝撃エネルギープラズマを形成するステップとを含むプラズマエッチング法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.例文帳に追加

下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive pattern with high conductivity which uses an etching liquid with less environmental load, the reduced number of steps and low-temperature processing that is applicable even for a plastic substrate.例文帳に追加

環境負荷の少ないエッチング液で、工程数が少なく、プラスチック基板に対しても適用可能な低温処理で、高伝導率の導電性パターンを形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in resolution in lithography, having high etching resistance and capable of giving an ultrafine resist pattern and to provide an appropriate pattern forming method using the composition.例文帳に追加

リソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることを可能とするレジスト組成物及びこれを用いた好適なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display device which can be safely handled in the following process even after etching a pair of large-sized transparent substrate 1, and is hard to crack on an end surface.例文帳に追加

一対の大判透明基板１をエッチングした後でも、以降の工程において安全にハンドリングができ、且つ端面にクラックの入り難い液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁

To provide a method for recovering and reducing relative dielectric constant of an interlayer insulating film which has been deteriorated and raised, being influenced by preceding etching, ashing or the like treatment, with a comparatively simplified arrangement.例文帳に追加

先行するエッチング、アッシング処理等の影響で劣化上昇した層間絶縁膜の比誘電率を比較的簡易な構成で回復低下させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The method uses a gas containing Xe in a process that uses plasma for forming films, etching, surface deterioration and the like.例文帳に追加

本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, by which the iron oxide having prescribed powder characteristic values and scarcely containing impurities can be produced from an etching waste liquid, and to provide a device for producing the same.例文帳に追加

エッチング廃液から所定の粉体特性値を有し、かつ不純物の少ないフェライト原料用酸化鉄を製造することができる製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁

The method of flattening the treated surface reduces maximum protrusion 5a, 5b, 5c length (Rmax) of the treated surface 2 to 10 nm or less by etching the treated surface using the near-field light.例文帳に追加

さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 - 特許庁

To equalize the etching rates of a laminated part of insulating layer/ metal layer and a part in which the insulating layer does not substantially exist, in a method of manufacturing the magneto-resistive(MR) element to simultaneously etch both parts.例文帳に追加

絶縁層と金属層の積層部と、絶縁層が実質的に存在しない部分とのエッチングを同時に行うＭＲ素子の製造方法において、両部分のエッチング速度の均一化を図る。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.例文帳に追加

周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively producing etched parts by pasting both sides of a metallic thin sheet with the etched parts having half- etched parts in a multi-face way without connecting them by a bridge, and performing etching working.例文帳に追加

金属薄板の両面にハーフエッチング部を有するエッチング部品をブリッジで連結させずに多面付けしてエッチング加工によって廉価に製造するエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an array substrate of a liquid crystal display that reduces the extent of over-etching of a TFT channel and can secure display function of the liquid crystal display.例文帳に追加

ＴＦＴチャンネルのオーバーエッチングされる程度が低下され、液晶表示装置の表示機能が確保できる液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.例文帳に追加

製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Ｓｉ残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁

In the case of using such a method, the oxide film formed in the hard mask so plays the role of a protective layer when performing the over-etching of the silicon nitride film as to suppress the damage of the silicon nitride film by preventing the generation of its pitting.例文帳に追加

このような方法によるとハードマスクに形成された酸化膜がオーバエッチングの際の保護層の役割を果たして、ピティングの発生が防がれ、窒化シリコン膜の損傷が抑えられる。 - 特許庁

To provide an etching solution for a conductor allowing excellent profiles to be obtained while minimizing manufacturing processes and costs, and to provide the manufacturing method of a thin film transistor display panel using the same.例文帳に追加

製造工程及び費用を最少化しながらも優れたプロファイルを得ることができる導電体用エッチング液及びこれを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 - 特許庁