「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a dry etching method by which application of a resist on the surface of a wafer is eliminated to reduce the number of manufacturing steps, when the rear surface of the wafer is etched entirely and productivity can be improved.例文帳に追加

ウェーハの裏面を全面エッチングする場合に、ウェーハの表面にレジストを塗布することを不用にして製造工程数を減らし、生産性を高くすることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating an electromagnetic wave shielding material which can form a fine metal pattern with high accuracy without carrying out an etching process, and which can achieve good adhesion between the metal pattern and a substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく、微細な金属パターンを高精度で形成することができ、該金属パターンの基材との密着性も良好な、電磁波シールド材料の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask pattern in an easy process so as to increase the etching selection ratio for a material to be etched (such as a metal film to be etched) comparable with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクに匹敵する被エッチング材料（例えば金属からなる被エッチング膜）とのエッチング選択比を大きくすることが可能なマスクパターンを簡単な工程で形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the leaving of recesses and projections having a pitch the same as that of a scanning pitch on a surface when a semiconductor wafer having an oxide film is subjected to a flattening work by local dry etching method.例文帳に追加

酸化膜の付いた半導体ウェハを局所ドライエッチング法によって平坦化加工するとき、加工後の表面にスキャンピッチと同じピッチの凹凸が残されることを防止することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method by which the residue of a trench etching can be reduced, hence increase the manufacturing yield.例文帳に追加

素子領域を確定するリソグラフィー工程において、有効チップ外のウェハ周辺部に残ったレジストにより、ウェハ全体に占める被エッチング領域は小さくなり、残さが多量に残って製品の歩留まりが低下する。 - 特許庁

To improve characteristics of an element by recovering an element substrate from a damage due to etching treatment in a method of manufacturing an element substrate having a laminate structure of a first conductive film, an insulation film and a second conductive film.例文帳に追加

第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a hardening component for a transferring material which is preferable to a nano-imprint method that the selectivity of a dry etching speed of an argon gas and an oxygen gas is high and can form a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which the need of separately forming a mask oxide film thickness at the time of gate etching and the gate formation of a stack gate transistor and a peripheral transistor is facilitated.例文帳に追加

ゲートエッチングの際のマスク酸化膜厚を作り分ける必要をなくし、スタックゲートトランジスタ部及び周辺トランジスタ部のゲート形成を容易にした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.例文帳に追加

被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a langasite-based single crystal substrate capable of obtaining good surface state at a relative low temperature for a short time without forming a film on substrate surface by etching.例文帳に追加

エッチングにより基板表面に被膜が形成されることなく、比較的低温および短時間で良好な表面状態を得ることができるランガサイト系単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The number of etching factors Ef of the wiring pattern 2 in the subtractive method is 2 to 4, the top width T of the wiring 3 of the wiring pattern 2 is 2 to 6 μm, and a wiring pitch is ≤30 μm.例文帳に追加

サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric element which can conduct heat treatment in an oxygen atmosphere in a state that the TiAlN of a hard mask material for etching a ferroelectric capacitor element remains.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ電極のエッチング用ハードマスク材料のＴｉＡｌＮが残存する状態で、酸素雰囲気中の熱処理を可能にする強誘電体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a high accuracy concave lens shape, a hollow of rotational symmetry is formed in a glass surface with a pulse laser or the like and the glass around the hollow is removed by etching.例文帳に追加

ガラス表面にパルスレーザなどで回転対称の窪みを形成し、その窪みを中心にエッチングによってガラス除去を行うことで、高糖度な凹面レンズ形状を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical switch, which forms a movable micromirror and input-side and output-side optical fiber holding V grooves on one silicon substrate through anisotropic wet etching.例文帳に追加

異方性ウェットエッチングにより１枚のシリコン基板に可動マイクロミラーと入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝とを形成させることができる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove components of a solvent that is used for polymer residue removal when a wet cleaning process is included in a standard post-photoresist-etching cleaning method for porous materials used in semiconductor device manufacturing.例文帳に追加

半導体装置製造で多孔質材料のための標準的ホトレジストエッチング後のクリーニング法は、湿式クリーニングを含み、その場合、重合体残留物を除去するため溶媒を用いる。 - 特許庁

To pattern a transparent conductive thin film laminated product comprising a transparent, high-refraction factor thin film layer and a transparent metal thin film layer by a fine patterning dry etching method.例文帳に追加

透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層からなる透明導電性薄膜積層体を反応ガスを用いたドライエッチング手法により、微細なパターニドライエッチング法を用いてパターニングする。 - 特許庁

To provide an etching device and method for obtaining the sidewall of a silicon nitride film, having film thickness and height sufficient for electrical insulation at the sidewall part of a pattern having a step in level.例文帳に追加

段差のあるパターンの側壁部において電気的絶縁のために十分な膜厚と高さを有するシリコン窒化膜のサイドウォールを得られるように改良されたエッチング装置および方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method thereof includes a step for forming a flattening film on a steeply stepped projection, and a step for making gentle the step of the projection by etching back the projection part together with this flattening film.例文帳に追加

その製造方法は、急峻な段差の凸部上に、平坦化膜を形成する工程と、この平坦化膜と共に凸部をエッチバックすることで当該凸部の段差を緩やかにする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric capacitor which may be formed, without etching of the lower insulation film of capacitor, and to provide a memory device using the same ferroelectric material capacitor.例文帳に追加

キャパシタ下地絶縁膜をエッチングすることなく、強誘電体キャパシタの形成が可能な強誘電体キャパシタの製造方法、および強誘電体キャパシタを用いたメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To suppress corrosion of an external connection terminal in a method of manufacturing display panels by which a glass substrate is made thin by etching the glass substrate after fabricating a plurality of display panels at the same time on the glass substrate by gang printing.例文帳に追加

ガラス基板に多面取りで複数の表示パネルを同時に作製した後に、ガラス基板をエッチングにより薄肉化する製造方法において、外部接続端子の腐食を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the etching of an upper electrode can be suppressed, even when a mask material is retreated and the upper surface of the upper electrode is exposed from under the mask material.例文帳に追加

マスク部材が後退して上部電極の上面がマスク部材下から露出した場合でも、この上部電極のエッチングを抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can effectively etch a Pt residue, Pt contamination or a Pt film and prevent the development of corrosion in a metal member of an etching apparatus.例文帳に追加

Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode with a homogeneous aluminum surface layer oxide film and excellent etching characteristic which can be treated in a short time without any precise atmospheric control.例文帳に追加

精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、アルミニウム表層酸化膜が均質でエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a groove 12 is formed by etching the silicon nitride film 3 and silicon oxide film 4 using a resist pattern 11 as a mask, and an SiOC film 13 is embedded only in the groove 12 with the CMP method.例文帳に追加

その後、レジストパターン１１をマスクとしてシリコン窒化膜３およびシリコン酸化膜４をエッチングして溝１２を形成し、溝１２内のみにＳｉＯＣ膜１３をＣＭＰ法を用いて埋込む。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

The method further includes a step of plasma processing the semiconductor wafer 1 after the mask pattern is formed to remove the boundary region of the semiconductor wafer 1 by plasma etching, and a step of dividing each semiconductor element 1c.例文帳に追加

そしてマスクパターン形成後の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより半導体ウェハ１の境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子１ｃ毎に分割する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor which can prevent leaning phenomenon that may cause a storage node bridge during wet-etching to form a cylindrical storage node structure and drying process.例文帳に追加

円筒状のストレージノード構造を形成するためのウェットエッチング及び乾燥処理のとき、ストレージノードブリッジの原因となるリーニング現象を防止することができるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered.例文帳に追加

第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。 - 特許庁

The forming method of a conductor pattern (1) forms the conductor pattern (1) by etching at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy and Pd with the liquid.例文帳に追加

本発明の導体パターン(1)の形成方法は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を、前記エッチング液によりエッチングして導体パターン(1)を形成する。 - 特許庁

This method has a process of depositing a metal film containing aluminum on a semiconductor substrate, and a process of etching the metal film by using plasma of mixed gas of Cl_2 gas, BCl_3 gas, and CH_2Cl_2 gas.例文帳に追加

半導体基板上にアルミニウムを含む金属膜を堆積する工程と、Ｃｌ_2ガス、ＢＣｌ_3ガス、ＣＨ_2Ｃｌ_2ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、前記金属膜をエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant.例文帳に追加

フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection member having a sharp tip shape part of various shapes without depending on a supporting substrate and having a sufficient hardness without etching a supporting substrate directly, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板を直接エッチングすることなく、かつ、十分な硬度を有し、かつ、支持基板によらずに様々な形状の先端鋭利形状部を有する相互接続部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI.例文帳に追加

Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic device includes a process of performing dry etching using a gas containing fluorine on the metal film containing Ti such as the TiN film 103 formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

電子デバイスの製造方法は、半導体基板１００上に形成されたＴｉＮ膜１０３等のＴｉを含む金属膜に対し、フッ素を含むガスを用いてドライエッチングを行なう工程を含む。 - 特許庁

To provide an optical element in which a periodic structure itself is hardly separated from a substrate even when removing the minute particles being an original form of the periodic structure by etching or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

周期性構造の元型となる微粒子をエッチングなどで除去する際にも、周期性構造物そのものが基板から剥がれ難い光学素子およびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.例文帳に追加

基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

Further, the method includes a step of removing the second interlayer insulating film 8 on the local wiring 15a by etching after forming of the sidewall 10, and forming a via hole 23 to expose on the local wiring 15a.例文帳に追加

さらに、サイドウォール１０を形成した後で、局所配線１５ａ上の第二層間絶縁膜８をエッチングして除去し、当該局所配線１５ａ上を露出させるビアホール２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench, in a short time, which has no sub-trench and has a flat bottom through dry etching in which a trench made narrow to approximately ≤200 nm is formed in a single crystal Si.例文帳に追加

単結晶Ｓｉに２００ｎｍ以下程度に狭幅化したトレンチを形成するドライエッチングにおいて、サブトレンチがなく底部が平坦なトレンチを短時間で形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a patterned conductor layer capable of forming a minute patterned conductor layer without using metal particles while reducing the number of photolithography steps and etching steps.例文帳に追加

金属微粒子を使用することなく、かつフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を削減しながら、微細なパターン化導体層を形成することが可能なパターン化導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of detoxifying-treating the exhaust gas discharged from a dry etching device 30 by using the detoxifying device 1 is provided.例文帳に追加

ドライエッチング装置３０から排出される排ガスを除害装置１を用いて除害処理する方法であって、ドライエッチング装置３０から排出された排ガスを除害装置１に導入して除害処理する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, the second metal layer 45 is patterned so as to have a width (W2) narrower by about 1-4 μm than the photosensitive film width (W1) by an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加

感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.例文帳に追加

製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Ｓｉ残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁

In the case of using such a method, the oxide film formed in the hard mask so plays the role of a protective layer when performing the over-etching of the silicon nitride film as to suppress the damage of the silicon nitride film by preventing the generation of its pitting.例文帳に追加

このような方法によるとハードマスクに形成された酸化膜がオーバエッチングの際の保護層の役割を果たして、ピティングの発生が防がれ、窒化シリコン膜の損傷が抑えられる。 - 特許庁