「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A SOI wafer provided with a silicon thin film which deposits oxygen little is prepared through an SIMOX method or a lamination method, the SOI wafer is cleaned with an alkaline solution such as SCI or TMAH, and a silicon ultra-thin film SOI is manufactured by the etching action of the alkaline solution.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法や貼り合せ法により、酸素析出物の少ないシリコン薄膜を有するＳＯＩウェハーを用意し、これをＳＣ１やＴＭＡＨなどのアルカリ溶液で洗浄し、この洗浄液のエッチング作用により、シリコン超薄膜ＳＯＩを製造する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method capable of improving a film work in processing accuracy, when the stepped part of the film work is processed by a method where the material or thickness of a mask of an etching stopping layer is selected in a wide range.例文帳に追加

本発明は、段差部を有する被加工膜の前記段差部内の加工を行う際に、マスクあるいはエッチングストッパー層の材料や厚さの選択の幅を広げて加工精度を高くすることができる半導体装置の製造方法を目的とするものである。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where the contact resistance of a metal film is reduced by removing a polymerized film produced by etching an insulating film with a simple process, in a method of manufacturing a semiconductor device in which the metal film is vapor- deposited, after the insulating film is etched.例文帳に追加

絶縁膜のエッチング処理後に金属膜を蒸着する半導体製造方法において、絶縁膜のエッチングにより生成された重合膜を簡単なプロセスで除去し金属膜のコンタクト抵抗の低減を図った半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient method for reducing the amount of an iron material to be used and also suppressing the generation of hydrogen as for a method by which metallic copper is recovered from an aqueous solution containing hydrochloric acid and copper chloride such as an etching waste solution, and by which an aqueous solution of ferrous chloride is obtained.例文帳に追加

エッチング廃液等の塩酸および塩化銅を含有する水溶液から、金属銅を回収しかつ塩化第一鉄水溶液を得る方法に関して、鉄材の使用量を減少させ、かつ水素の発生を抑制する効率的な方法の提供。 - 特許庁

The method described above includes a process step of working the metallic layer 1 and the conductive layer 3 respectively by a photoetching method and a process step of working the insulating layer 2 by forming resist images in order to work the insulating layers and wet etching according to the resist images.例文帳に追加

金属層１と導電性層３をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層２を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層２を加工する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a circuit forming method which reduces etching process load and resist process load to achieve improvement of dimensional precision and minuteness of circuit intervals when obtaining a circuit board comprising a metal-insulator composite member and is versatile, and to provide a product manufactured by the circuit forming method.例文帳に追加

金属−絶縁体複合部材による回路基板を得るにあたり、エッチング加工負荷およびレジスト工程負荷の軽減を図り、寸法精度の向上や回路間隔の細小化を図ると共に汎用性のある回路形成方法とその製品を提供する。 - 特許庁

To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.例文帳に追加

製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

To provide a method for patterning by dry etching capable of easily forming a mask with a taper-shaped side face on a member to be etched with a hollow and well performing the patterning, a mold used for it and a method for manufacturing an inkjet head.例文帳に追加

空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of the suspension for the hard disk head which can manufacture a 'wireless suspension' by an etching method with superior productivity and working environment which were difficult before, and excellent in a fast access at a low price.例文帳に追加

従来困難であった生産性および作業環境性に優れたエッチング法によって「ワイヤーレス・サスペンション」を製造することが可能となり、また高速アクセス性に優れ、かつ安価に供給することができるハードディスクヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.例文帳に追加

レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film-forming method capable of forming a resist underlayer film that has a function as an antireflective film and that is excellent in pattern transfer performance and etching resistance, to provide an underlayer film that does not bend in micronized pattern transfer and a method of forming the underlayer; and also to provide a pattern forming method.例文帳に追加

反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.例文帳に追加

そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁

This manufacturing method of a printed circuit substrate using an imprint method comprises a step for disposing a plating layer on an insulating layer on which a number of incised character patterns are formed by an imprint method and a step for etching-polishing a part of the plating layer to expose other surface of the insulating layer than that on which incised character patterns are formed.例文帳に追加

インプリント法により多数の陰刻パターンが形成された絶縁層上にメッキ層を形成する段階と、前記メッキ層の一部を、前記多数の陰刻パターン以外の絶縁層の表面が露出されるようにエッチング研磨する段階とを含む、インプリント法を用いたプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive membrane which is of an amorphous membrane and can be patterned comparatively easily by weak acid etching, and which has a low resistance and a high light transmittance, and furthermore, can be easily crystallized, and its manufacturing method.例文帳に追加

アモルファス膜で弱酸エッチングにより比較的容易にパターニングでき、さらに低抵抗で且つ透過率が高く、またさらに容易に結晶化できる透明導電膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive pattern during heating of an etching solution, whereby accurate time when the formation of the conductive pattern having an accurate pattern width is completed becomes available.例文帳に追加

エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an array substrate with which damage on a TFT(thin film transistor) caused by wet etching during contact hole formation in the array substrate is prevented and to provide a method used for manufacturing the same which are used for the flat display device etc.例文帳に追加

平面表示装置等に用いられるアレイ基板及びその製造方法において、コンタクトホール形成の際のウェットエッチングに起因するＴＦＴの損傷を防止することのできるアレイ基板を提供する。 - 特許庁

The optical semiconductor integrated circuit device 1 manufactured by this method is constituted so that the insulating layer formed on the top surface of the antireflection film of the photodiode 2 may be removed by dry etching after the multiple wiring layers are formed on the top surface of the substrate 4.例文帳に追加

本発明の光半導体集積回路装置１では、基板４上面に多層の配線層を形成した後に、フォトダイオード２の反射防止膜上面の絶縁層をドライエッチングにより、除去している。 - 特許庁

Then a first insulating film and second insulating film 28 on a terminal part 41, and the second insulating film 28 on the auxiliary capacitor upper electrode 18b are simultaneously etched by a plasma etching PE method to form a contact hole.例文帳に追加

次いで、端子部４１上の第１絶縁膜及び第２絶縁膜２８と補助容量上電極１８ｂ上の第２絶縁膜２８を同時にプラズマエッチングＰＥ法でエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flexible board comprises the steps of forming a metallic layer, forming a resist layer, exposing, developing, etching, removing the resist, and forming an insulating layer.例文帳に追加

本発明のフレキシブル基板の製造方法は、金属層形成工程と、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程と、レジスト除去工程と、絶縁層形成工程とから構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.例文帳に追加

エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing a radiation sensitive material resin which has an excellent transparency and high sensitivity to far ultraviolet rays, good adhesion with a board, and is excellent in an etching resistance and the processability to a fine pattern.例文帳に追加

遠紫外線に対して優れた透明性と高感度を有し、基板との密着性が良く、エッチング耐性を持ち、微細パターン加工可能な放射線感光材料用樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

In this method, the adhesive ability can be homogeneously improved, when no etching treatment is conducted, without degradation of the inner part of the plastic and without damaging the material characteristics of the plastic (heat resistance, electric insulation, electric characteristics, and the like).例文帳に追加

また、エッチング処理を行わない場合、プラスチック内部の変質を起こさず、プラスチックの本質的特性（耐熱性、絶縁性、電気的特性等）を劣化させることなく、接着性を均一に向上させることができる。 - 特許庁

To provide an insulating film material can be satisfactorily used for forming an insulating film having a low dielectric constant, excellent in damage resistances such as an etching resistance, a chemical resistance, or the like, and to provide a multilayer wiring and its efficient manufacturing method.例文帳に追加

低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a detergent solution and a cleaning method which can effectively remove a resist, a residue of etching, a residue of ashing and particles, while preventing dissolution and the deterioration of the surface of a metal film with low-resistance and a film with low dielectric constant.例文帳に追加

低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a defective junction detecting method, which can accurately detect a defective location in a p-n junction in a semiconductor device and can avoid etching of an impurity inlet region by the defective detection.例文帳に追加

半導体装置中のｐｎ接合不良個所を精確に検出し、かつ、検出によって不純物導入領域をエッチングしてしまわない、接合不良の検出方法を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a copper-clad laminate capable of forming a fine-pitch microcircuit by improving etching factor of a copper plating film, and to provide a method of forming the copper plating film for the film-formation to the copper-clad laminate.例文帳に追加

銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する - 特許庁

The cleaning sequence of the etching residue removing method conducts a first water cleaning process 11, a first drying process 12, a peeling solution process 13, a rinse process 14, a second water cleaning process 15, and a second drying process 16.例文帳に追加

エッチング残渣除去方法の洗浄シーケンスでは、第１の水洗処理１１、第１の乾燥処理１２、剥離液処理１３、リンス処理１４、第２の水洗処理１５、及び、第２の乾燥処理１６を行う。 - 特許庁

To provide a resist material which excels not only in transmittance to vacuum UV light but in an etching resistance and more particularly a chemically amplified resist material and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

一般式（１）に示される繰り返し単位ｋ及びｍを含む高分子化合物（ｉ）と、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換された繰り返し単位を含む高分子化合物（ｉｉ）とを含むするレジスト材料。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for treating the periphery of a substrate which is capable of precisely controlling an etching width and of providing a good treatment even to a substrate formed with an orientation flat, and which has no special need to protect a device formation region with a pure water or the like.例文帳に追加

エッチング幅を精密に制御可能で、かつ、オリフラが形成された基板であっても良好な処理を施すことができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

In the treatment method of an amorphous carbon film which is formed on a substrate and has been treated with wet washing after dry etching, the surface of the amorphous carbon film is treated with reforming processing before forming an upper layer thereon after the wet washing.例文帳に追加

基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 - 特許庁

To provide a piezoelectric driver which prevents phosphoric acid from penetrating into a PZT film during etching, prevents, the electrolytic corrosion during the driving, and obtains a more high displacement characteristics and its manufacturing method.例文帳に追加

エッチングの際のリン酸によるＰＺＴ層４への浸入を防止し、駆動時に起こる電蝕の発生を防止し、さらにより大きな変位特性を得られる圧電駆動体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a coppered laminated board 1 is shaped, washed, and dried, a dry film resist 2 to be an etching resist is laminated on the surface of a copper coil 3 in this method for manufacturing an inner layer circuit board.例文帳に追加

銅張り積層板１を整面した後、水洗し、次いで銅張り積層板１を乾燥した後、エッチングレジストとなるドライフィルムレジスト２を銅箔３の表面にラミネートする内層回路板の製造方法に関する。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric resonator includes a base side wafer measurement process S3, a load capacity value calculation process S4, a cover side wafer measurement process S5 and an etching process S7 in the previous process of a layout junction process S8.例文帳に追加

圧電共振子の製造方法は、配置接合プロセスＳ８の前工程に、基体側ウェハ測定プロセスＳ３と負荷容量値演算プロセスＳ４と蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same, having no restriction on pattern layout, on the kind of employed etching solution or the like, and is provided with a bipolar transistor capable of being manufactured by suppressing generation of mesa-shaped abnormalities.例文帳に追加

パターンレイアウトや使用するエッチング液の種類などに制約がなく、メサ形状異常の発生を抑制して製造することができるバイポーラトランジスタを有する半導体装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of forming an organic film pattern after an development process in the intended dimension and shape, even though the initial organic film pattern is damaged by an etching or exposed.例文帳に追加

当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element, by which an etching removal of unnecessary current inhibition layer formed on a ridge stripe can be easily and certainly carried out and the semiconductor laser element can be designed with a degree of freedom.例文帳に追加

リッジストライプ上に形成された不要な電流阻止層を容易且つ確実にエッチング除去できて、半導体レーザ素子の設計上の自由度がある半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress protuberant deteriorated matter which occurs after exposing a dielectric film to the plasma of gas for etching including chlorine and the irregularity of a base film or the difference in level of the base film.例文帳に追加

誘電体膜を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝した後に発生する突起状変質物、下地膜の凹凸及び下地膜の段差を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ink channel substrate without lowering the work efficiency in a process for making a through hole through the ink channel substrate by etching only the outer circumference of the through hole.例文帳に追加

本発明は、インク流路基板の貫通孔を貫通孔の外周のみをエッチングして形成するプロセスにおいて、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成する方法を提案することを課題とする。 - 特許庁