「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.例文帳に追加

製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device, where the contact resistance of a metal film is reduced by removing a polymerized film produced by etching an insulating film with a simple process, in a method of manufacturing a semiconductor device in which the metal film is vapor- deposited, after the insulating film is etched.例文帳に追加

絶縁膜のエッチング処理後に金属膜を蒸着する半導体製造方法において、絶縁膜のエッチングにより生成された重合膜を簡単なプロセスで除去し金属膜のコンタクト抵抗の低減を図った半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient method for reducing the amount of an iron material to be used and also suppressing the generation of hydrogen as for a method by which metallic copper is recovered from an aqueous solution containing hydrochloric acid and copper chloride such as an etching waste solution, and by which an aqueous solution of ferrous chloride is obtained.例文帳に追加

エッチング廃液等の塩酸および塩化銅を含有する水溶液から、金属銅を回収しかつ塩化第一鉄水溶液を得る方法に関して、鉄材の使用量を減少させ、かつ水素の発生を抑制する効率的な方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a wiring board that inhibits the generation of undercuts in an electroless copper plating layer in seed etching, and enables extra-fine wiring having a size of line/space of 10/10 μm or smaller, when a wiring board is manufactured by using a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法を用いて配線基板を製作する際して、シードエッチングにおける電解銅めっき層のアンダーカットの生成を抑制し、ライン／スペースが１０／１０μｍ以下の極細配線が可能な配線基板の製造方法および配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a printed board capable of attaining an extremely high etching factor which can not be attained in a conventional method, capable of reproducing a metal pattern whose accuracy is the same as designed and having a high aspect ratio and a highly accurate cross-sectional shape; and to provide also a method for manufacturing the printed board.例文帳に追加

従来の方法では不可能であった飛躍的な高エッチングファクターを達成し、かつ精度についても設計通りの金属パターンを再現できる、高アスペクト比かつ高精細なエッチング断面形状のプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element capable of easily peeling a growth substrate by wet etching processing or application of an external force by introducing a cavity having a large opening area formed using an ELOG method into the inside of a semiconductor layer.例文帳に追加

ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a mask touching a first conductive layer, and a step of forming a second conductive layer by etching the first conductive layer using the above-mentioned mask, and the above-mentioned mask is formed by a drop discharge method, further, characterized in that it is not removed.例文帳に追加

第１の導電層に接するマスクを形成するステップ、前記マスクを用いて第１の導電層をエッチングして、第２の導電層を形成するステップを有し、前記マスクは液滴吐出法により形成し、さらに除去しないことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method and a semiconductor device manufacturing method, which are capable of making a semiconductor device undergo the desired processing by thickening the thin part of a mask film that is used for processing such as etching of the semiconductor device.例文帳に追加

エッチング等の半導体装置に対する処理時に使用するマスク膜における薄膜部の厚みを増大することにより、半導体装置に所望の処理を施すことが可能なマスクパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for patterning by dry etching capable of easily forming a mask with a taper-shaped side face on a member to be etched with a hollow and well performing the patterning, a mold used for it and a method for manufacturing an inkjet head.例文帳に追加

空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of the suspension for the hard disk head which can manufacture a 'wireless suspension' by an etching method with superior productivity and working environment which were difficult before, and excellent in a fast access at a low price.例文帳に追加

従来困難であった生産性および作業環境性に優れたエッチング法によって「ワイヤーレス・サスペンション」を製造することが可能となり、また高速アクセス性に優れ、かつ安価に供給することができるハードディスクヘッド用サスペンションの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film-forming method capable of forming a resist underlayer film that has a function as an antireflective film and that is excellent in pattern transfer performance and etching resistance, to provide an underlayer film that does not bend in micronized pattern transfer and a method of forming the underlayer; and also to provide a pattern forming method.例文帳に追加

反射防止膜としての機能を有すると共にパターン転写性能及びエッチング耐性が良好なレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法、微細化したパターン転写時においても曲がらない下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a printed circuit substrate using an imprint method comprises a step for disposing a plating layer on an insulating layer on which a number of incised character patterns are formed by an imprint method and a step for etching-polishing a part of the plating layer to expose other surface of the insulating layer than that on which incised character patterns are formed.例文帳に追加

インプリント法により多数の陰刻パターンが形成された絶縁層上にメッキ層を形成する段階と、前記メッキ層の一部を、前記多数の陰刻パターン以外の絶縁層の表面が露出されるようにエッチング研磨する段階とを含む、インプリント法を用いたプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

And a process where the metal layer 2 is processed by a photoetching method, a process where a wiring part 8 is formed by a semi-additive method on the insulation layer 5 and a process where a resist image for processing the insulation layer 5 is formed and the insulation layer 5 is processed by wet etching according to the resist image are included in the method.例文帳に追加

そして、金属層５をフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層５上にセミアディティブ法により配線部８を形成する工程と、絶縁層５を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層５を加工する工程を含む。 - 特許庁

Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.例文帳に追加

レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrode foil for an electrolytic capacitor includes an etching step with an aluminum foil, an immersion step in which the aluminum foil is immerged in a processing liquid at least once, a thermal treatment step, and a chemical formation step.例文帳に追加

電解コンデンサ用電極箔を製造するにあたっては、アルミニウム箔に対するエッチング工程、アルミニウム箔を処理液に１回以上浸漬する浸漬工程と、熱処理工程、および化成工程を行う。 - 特許庁

To provide a reaction product peeling preventive structure capable of preventing or suppressing the peeling of reaction products undesirably sticking and deposited on a member in a chamber of a plasma etching device, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバ内で部材に不所望に付着・堆積する反応生成物の剥離を防止ないし抑制することができる反応生成物剥離防止構造及びその制作方法を提供する。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加

感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.例文帳に追加

高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The metal blade body 15 constituting the fixed blade 10 (or the movable blade 11) is constituted of a blade body 28 which is formed by the etching method, and a reinforcing plate 29 which is bonded and fixed to the non-sliding surface side of the blade body 28.例文帳に追加

固定刃１０（または可動刃１１）を構成する金属刃体１５を、エッチング法で形成される刃本体２８と、刃本体２８の非摺動面側に接合固定される補強板２９とで構成する。 - 特許庁

To obtain a CPP type thin-film magnetic head advantageous to formation of a narrower shield by reducing an element output noise and a resistance not contributing to the element output and also by evading an etching damage to a thin-film magnetic head element, and to obtain its manufacturing method.例文帳に追加

素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減し、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus having a reflection plate structure which does not receive a damage of etching in a process in which an electrode is formed in a reflection display region, a method of manufacturing the apparatus and electronic equipment.例文帳に追加

反射表示領域において、電極を形成する工程におけるエッチングにより損傷を受けない反射板構造を有する電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of realizing an etching high in aspect ratio and high in precision, wherein the masking film is very thin and the base film (etch-stop film) has a high selection ratio.例文帳に追加

マスク膜厚の薄い高アスペクト比のエッチングにおいて、下地膜（エッチングストッパ膜）の高選択比で高精度な高アスペクト比のエッチングを実現可能な処理条件とするプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A recessed and projected structure is introduced into a surface by a method wherein a metallic carbide, represented by titanium carbide (TiC) as the conductive powder, is employed and etching treatment is applied on the conductive powder before kneading with a binder.例文帳に追加

導電性粉末として炭化チタン（ＴｉＣ）を代表とする金属炭化物を用い、結合材との混練を行う前に、導電性粉末にエッチング処理を施すことにより、表面に凹凸構造を導入する。 - 特許庁

To prevent corrosion disconnection of auxiliary capacitance wiring in the succeeding pixel etching process in the manufacturing method of an electro-optical element in which a metal which tends to corrode, such as Al or Al alloy, is used as auxiliary capacitance wiring.例文帳に追加

ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁

The channel protective film 15a comprises a plurality of insulation layers whose etching rate increases going toward the lower layers, and is patterned by a photolithographic method to be formed into an inverted tapered shape, which is wider at the upper side and narrower at the lower side.例文帳に追加

チャネル保護膜１５ａは、例えば下側の層ほどエッチングレートが大きい複数の絶縁層により形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、上側が広く下側が狭い逆テーパ状に形成する。 - 特許庁

To provide a ceramic product in which a projected and recessed pattern having a smooth surface can be formed without partially removing a covered glass layer, and which can improve productivity, and to provide a method for etching the same.例文帳に追加

被覆ガラス層を部分的に除去することなく、表面平滑な凹凸パターンを形成することができ、生産性を向上させることができるセラミックス製品及びそのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.例文帳に追加

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive membrane which is of an amorphous membrane and can be patterned comparatively easily by weak acid etching, and which has a low resistance and a high light transmittance, and furthermore, can be easily crystallized, and its manufacturing method.例文帳に追加

アモルファス膜で弱酸エッチングにより比較的容易にパターニングでき、さらに低抵抗で且つ透過率が高く、またさらに容易に結晶化できる透明導電膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive pattern during heating of an etching solution, whereby accurate time when the formation of the conductive pattern having an accurate pattern width is completed becomes available.例文帳に追加

エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an array substrate with which damage on a TFT(thin film transistor) caused by wet etching during contact hole formation in the array substrate is prevented and to provide a method used for manufacturing the same which are used for the flat display device etc.例文帳に追加

平面表示装置等に用いられるアレイ基板及びその製造方法において、コンタクトホール形成の際のウェットエッチングに起因するＴＦＴの損傷を防止することのできるアレイ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

In this method, the adhesive ability can be homogeneously improved, when no etching treatment is conducted, without degradation of the inner part of the plastic and without damaging the material characteristics of the plastic (heat resistance, electric insulation, electric characteristics, and the like).例文帳に追加

また、エッチング処理を行わない場合、プラスチック内部の変質を起こさず、プラスチックの本質的特性（耐熱性、絶縁性、電気的特性等）を劣化させることなく、接着性を均一に向上させることができる。 - 特許庁

To provide an insulating film material can be satisfactorily used for forming an insulating film having a low dielectric constant, excellent in damage resistances such as an etching resistance, a chemical resistance, or the like, and to provide a multilayer wiring and its efficient manufacturing method.例文帳に追加

低誘電率で、耐エッチング性、耐薬液性等の耐ダメージ性に優れた絶縁膜の形成に好適に使用可能な絶縁膜材料、並びに多層配線及びその効率的な製造方法の提供。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

The optical semiconductor integrated circuit device 1 manufactured by this method is constituted so that the insulating layer formed on the top surface of the antireflection film of the photodiode 2 may be removed by dry etching after the multiple wiring layers are formed on the top surface of the substrate 4.例文帳に追加

本発明の光半導体集積回路装置１では、基板４上面に多層の配線層を形成した後に、フォトダイオード２の反射防止膜上面の絶縁層をドライエッチングにより、除去している。 - 特許庁

Then a first insulating film and second insulating film 28 on a terminal part 41, and the second insulating film 28 on the auxiliary capacitor upper electrode 18b are simultaneously etched by a plasma etching PE method to form a contact hole.例文帳に追加

次いで、端子部４１上の第１絶縁膜及び第２絶縁膜２８と補助容量上電極１８ｂ上の第２絶縁膜２８を同時にプラズマエッチングＰＥ法でエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the flexible board comprises the steps of forming a metallic layer, forming a resist layer, exposing, developing, etching, removing the resist, and forming an insulating layer.例文帳に追加

本発明のフレキシブル基板の製造方法は、金属層形成工程と、レジスト層形成工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程と、レジスト除去工程と、絶縁層形成工程とから構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory element which sufficiently compensates for an etching damage while preventing an occurrence of an abnormal oxidation in a metal layer, and enhances a reliability of the process and electric characteristics of the element.例文帳に追加

エッチングダメージを十分補償しながら金属層への異常酸化の発生を防止して工程の信頼性および素子の電気的特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a formation method of flash memory element which can suppress loss of a conductive film by forming a protective film on the surface of a conductive film for floating gate and then forming and etching an element isolation film.例文帳に追加

フローティングゲート用導電膜の表面に保護膜を形成し、素子分離膜の形成およびエッチング工程を行うことにより、導電膜の損失を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing a radiation sensitive material resin which has an excellent transparency and high sensitivity to far ultraviolet rays, good adhesion with a board, and is excellent in an etching resistance and the processability to a fine pattern.例文帳に追加

遠紫外線に対して優れた透明性と高感度を有し、基板との密着性が良く、エッチング耐性を持ち、微細パターン加工可能な放射線感光材料用樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MEMS device which can reduce the size of an etching area in the plane direction when releasing an MEMS structure, can be miniaturized and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ構造体をリリースするときのエッチング領域の平面方向の大きさを軽減することを可能とし、小型化が図れて製造効率が良好なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁