「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

After one part of the film 5 is subjected to etching treatment, an epitaxial film 6 is formed on the substrate 1, including the interiors of the trenches 2 by an epitaxial growth method to fill the interiors of the trenches 2 with the superposed epitaxial films 5 and 6.例文帳に追加

エピタキシャル膜５の一部をエッチング処理した後に、エピタキシャル成長法によりトレンチ２内を含めたシリコン基板１上にエピタキシャル膜６を形成して、重ねたエピタキシャル膜５，６にてトレンチ２内を埋め込む。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a film-forming apparatus, which can uniformly remove deposits that contain tantalum nitride or tantalum and have deposited on the wall of a treatment chamber of the film-forming apparatus, at a high etching rate without using plasma.例文帳に追加

プラズマを利用することなく成膜装置の処理チャンバの壁に付着した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を高いエッチングレートで均一に除去し得る成膜装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To prevent corrosive disconnection of an auxiliary capacitance line in a consecutive pixel etching step in a manufacturing method of an electrooptical element using a corrosive metal such as Al or an Al alloy as the auxiliary capacitance line.例文帳に追加

ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric element in which the risk of disconnection is reduced when etching a hollow part of a protective film owing to a decrease in overetching of an upper electrode, thus reducing cost by a thinned upper electrode.例文帳に追加

保護膜の中抜き部をエッチングする際に、上部電極のオーバーエッチングが減少して断線の危険性が少なくなり、上部電極の薄膜化によりコストの低減した圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a film can be embedded with favorable characteristics in a fine trench patterned by etching and thereby a finer embedding pattern can be attained.例文帳に追加

エッチングによってパターン形成された微細な溝パターン内に特性良好に埋め込み膜を埋め込むことが可能で、これによりさらなる埋め込みパターンの微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing compound in which reliable embedded pattern of a metal film can be formed efficiently by fully decreasing etching rate while maintaining high CMP speed, and to provide a polishing method therefor.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を十分に低下させることにより、信頼性の高い金属膜の埋込みパターンを効率よく形成することができる、ＣＭＰ用研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and the like for a microlens, whereby when recesses for forming microlenses are formed, improved discharge properties of foreign matter from etching holes is ensured while a satisfactory shape is held.例文帳に追加

マイクロレンズを形成するための凹部を形成する際に、良好な形状を維持しつつ、エッチング用穴からの異物の排出性の向上を図ることができるマイクロレンズの製造方法等を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for selectively forming a diamond film where a recessed part is easily formed without performing masking and etching on the surface of the diamond film and to provide a CMP pad conditioner using the diamond film for a cutting blade.例文帳に追加

ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a sidewall film by suppressing dispersion of depth from a groove opening on an upper surface of the sidewall film without receiving etching damage on a surface of the sidewall film when forming the sidewall film on a groove side face.例文帳に追加

溝側面に側壁膜を形成する際に、側壁膜表面にエッチングダメージを受けることなく、側壁膜上面の溝開口部からの深さのばらつきを抑制して形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an interferometric apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thing film using a flash lamp 35 providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ３５を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

To provide a production method of a porous glass in which treatment time can be shortened in selective etching step of a phase separated glass with an acid solution, and remaining and deposition of gel silica in the pores of an obtained porous glass are suppressed.例文帳に追加

分相ガラスの酸溶液による選択エッチングの工程で、処理時間が短縮でき、且つ多孔質の細孔中にゲル状シリカの残留、堆積が抑制された多孔質ガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring substrate without degrading etching work accuracy or degrading productivity even when a single substrate-responsive facility used from the past is used for a thin substrate having a substrate thickness ≤0.4 mm.例文帳に追加

基板厚が0.4mm以下と薄い基板に対して、従来から使用している枚葉基板対応の設備を使用しても、エッチング加工精度が低下せず、生産性も低下しない配線基板の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a hole such as a deep hole can be formed in a substrate in a good shape with a high etching speed and a high selection ratio using a photoresist film formed on the substrate as a mask.例文帳に追加

基板上に形成したフォトレジスト膜をマスクとして、高いエッチング速度及び高い選択比で形状良く基板に深穴等の穴を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic material is used for an interlayer insulating film 111 covering a switching element and each wiring, a mask of a metal film 112 is used, and a contact hole is formed by a dry etching method, thereby forming a wiring 114.例文帳に追加

スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high quality crystal oscillator with a reduced leak vibration and an appropriately regulated detuning degree, that can be realized by regulating the leak vibration and the detuning degree in a single etching process.例文帳に追加

漏れ調整と離調度調整をひとつのエッチング工程によって実現し、漏れ振動が抑制され、且つ、適正に離調度調整された高性能な水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which can bring an insolubilization layer with higher etching resistance than before as a mask material when polysilazane is coated on a resist pattern to form the insolubilization layer as a pattern.例文帳に追加

レジストパターンにポリシラザンを塗布し、不溶化層を形成してパターンを形成する場合に、従来に比して不溶化層にマスク材としてのエッチング耐性を持たせることができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of changing an etching region within an opening part by suppressing increase in flow rate of hydrogen to minimum for efficiently supplying hydrogen plasma to the opening part.例文帳に追加

水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist ink having excellent resist tendencies as well as printability to be used for obtaining optimum fine images desired for various electronic parts by etching, and to provide a method for forming a resist pattern using the ink.例文帳に追加

各種電子部品として所望される最適な微細画像を、エッチングで得るために用いる、レジスト適性はもとより、印刷適性に優れるレジストインキ、及び、該インキを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the element isolation film comprises the steps of forming a trench in the substrate by using a photosensitive film pattern as an etching mask, then forming a thermal oxide film on the overall surface of the substrate, and then forming a thin nitride film liner on the oxide film.例文帳に追加

および感光膜パターンを蝕刻マスクとして使用して半導体基板内にトレンチを形成し、次いで、半導体基板の全面に熱酸化膜を形成後、熱酸化膜上に薄い窒化膜ライナを形成する。 - 特許庁

To prevent corrosion disconnection of auxiliary capacitance wiring in the succeeding pixel etching process in the manufacturing method of an electro-optical element in which a metal which tends to corrode, such as Al or Al alloy, is used as auxiliary capacitance wiring.例文帳に追加

ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁

The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.例文帳に追加

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。 - 特許庁

A recessed and projected structure is introduced into a surface by a method wherein a metallic carbide, represented by titanium carbide (TiC) as the conductive powder, is employed and etching treatment is applied on the conductive powder before kneading with a binder.例文帳に追加

導電性粉末として炭化チタン（ＴｉＣ）を代表とする金属炭化物を用い、結合材との混練を行う前に、導電性粉末にエッチング処理を施すことにより、表面に凹凸構造を導入する。 - 特許庁

To provide an etching liquid and refilling liquid which can promptly etch at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy, and Pd, and a forming method of conductor pattern using it.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the occurrence of a via-defect such as high resistance in a plasma etching step for forming a hole conducting to floating lower-layer metal wiring.例文帳に追加

フローティングしている下層金属配線に通じるホール形成のためのプラズマエッチング工程において、高抵抗などのビア不良の発生を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for inexpensively performing lamination of an application insulating film and a film differing in the etching rate from the application insulating film in a short time, as compared with the conventional cases, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

塗布絶縁膜と、当該塗布型絶縁膜とエッチレートを異にする膜との積層を、従来よりも短時間かつ安価に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.例文帳に追加

枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁

To optimize the conditions of a method of performing an electrolytic etching on an aluminum alloy board, which is performed for imparting a superior work adhesion to a thermoplastic resin-coated aluminum alloy board formed, by coating the surface of the aluminum alloy board with thermoplastic resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂を被覆してなる熱可塑性樹脂被覆アルミニウム合金板により一層優れた加工密着性を付与するために行なわれるアルミニウム合金板の電解エッチング法の条件を最適化する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which etching residues can be removed without greatly overetching a film to be etched formed covering a step, and a ground oxide film can be made thin.例文帳に追加

段差上に被覆された被エッチング膜を大幅にオーバーエッチングすることなく、エッチング残渣を除去することができるとともに、下地酸化膜を薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film metal conductive line capable of preventing the occurrence of voids or seams and preventing undercut phenomena at the time of etching, when the thin film metal conductive line is manufactured, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜金属導電線を製造するに際して、ボイドまたはシームの発生を防止し、エッチング時にアンダーカット現象を防止することができる薄膜金属導電線、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a micropattern forming method using a highly practical fluorine-containing polymer capable of improving dry etching resistance with respect to a fluorine-containing polymer having high transparency to exposure light of a short wavelength such as F_2 excimer laser light.例文帳に追加

Ｆ_2短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体において、ドライエッチング耐性を改善できる実用性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a facet-free good etching shape without forming a metallic oxide film in the surface of metallic wiring in a manufacturing method of a semiconductor device for forming a contact hole or a trench in the surface of metallic wiring.例文帳に追加

金属配線の表面にコンタクトホールまたはトレンチを形成する半導体装置の製造方法において、金属配線の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得る。 - 特許庁

To suppress a level difference caused by the amount reduction of a LOCOS oxide film, when oxidation and etching are processed for active regions in a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、例えば、半導体の製造方法に関し、アクティブ領域の酸化と食刻とを行った際に、Ｌｏｃｏｓ酸化膜の後退によって生じる段差による影響が生じないようにすることが課題である。 - 特許庁

To provide a method in which a semiconductor device, in which a working uniformity cannot be obtained in a plasma etching pattern determined by a basic structure can be etched by a plasma in the excellent working uniformity.例文帳に追加

基本構造で決まるプラズマエッチングパターンでは優れた加工均一性を得ることができない半導体デバイスを、優れた加工均一性でプラズマエッチングすることができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition excellent in resolution, line edge roughness and etching resistance, and excellent in sensitivity and a pattern profile; and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ感度及びパターン形状に優れる感活性光線性または感放射線性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるＳＴＩ膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのＭＯＮＯＳ型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁

This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

In this method, the semiconductor wafer 1 is heated for releasing the gas 8 out of the resist film 4 before the reaction products between the etching gas and the resist film 4 are deposited on the surface of the resist film 4.例文帳に追加

ここで、エッチングガスと、レジスト膜４との反応により生じる反応生成物がレジスト膜４の表面に堆積する前に、半導体ウエハ１を加熱し、レジスト膜４中に存在するガス８を膜外へ放出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MEMS device which can reduce the size of an etching area in the plane direction when releasing an MEMS structure, can be miniaturized and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ構造体をリリースするときのエッチング領域の平面方向の大きさを軽減することを可能とし、小型化が図れて製造効率が良好なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic head comprising subjecting a contact surface 14 of the magnetic head 1a or 1b to a short time of ion etching, then directly coating the surface with a thin DLC film 15 as the protective layer and the magnetic head are provided.例文帳に追加

磁気ヘッド１ａ又は１ｂの接触面１４に短時間のイオンエッチングを施した後に保護層としての薄いＤＬＣ膜１５を直接的にコーティングした磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.例文帳に追加

シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film which does not erode a supplemental electrode when patterning, disusing a complicated patterning process like photolithographic etching, and a manufacturing method of the same, and to provide an electroluminescent element using the same.例文帳に追加

フォトリソ・エッチングなどの複雑なパターニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

An etching method comprises a step of supplying a silylating agent onto a substrate having a silicon nitride film and a silicon oxide film exposed on the surface thereof, to form a protection film composed of a silylated film on the surface of the silicon oxide film.例文帳に追加

エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、シリル化剤を供給してシリコン酸化膜表面にシリル化膜からなる保護膜を形成する工程を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The method further comprises steps of perforating a contact hole CONT in the insulating film 8 with the silicon nitride film 7 as an etching stopper layer, then removing the exposed silicon nitride film 7, and then exposing an n-type semiconductor region D for forming a drain.例文帳に追加

次いで、窒化シリコン膜７をエッチングストッパ層として絶縁膜８にコンタクトホールＣＯＮＴを穿孔した後、露出した窒化シリコン膜７を除去して、ドレインを形成するｎ型半導体領域Ｄを露出する。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide selectively dissolving only one type of copper oxide when copper oxides with different oxidation degrees are present, and to provide an etching method for copper oxide by using the etchant.例文帳に追加

異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。 - 特許庁