「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

A manufacturing method thereof comprises the steps of: forming a mesa type piezoelectric substrate on the piezoelectric substrate having a flat plate shape by using a photolithographic technique and an etching method; putting the piezoelectric substrate with an abrasive material into a cylindrical vessel; and rotating the cylindrical vessel at a predetermined rotational speed so as to manufacture a mesa-bevel type piezoelectric substrate.例文帳に追加

その製造方法は、平板状の圧電基板上にフォトリソ技術とエッチング手法とを用いてメサ形圧電基板を形成し、該圧電基板を研磨剤と共に円筒容器に入れ、所定の回転速度で回転してメサ−ベベル型圧電基板を製造する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively producing a seed crystal for growing a SiC single crystal, by which a high-quality single crystal ingot can be grown without requiring a special process such as polishing with diamond free abrasive grains or by an etching means, and to provide a seed crystal for growing a SiC single crystal obtained by the above method.例文帳に追加

ダイヤ遊離砥粒研磨やエッチング手段等の特別な処理を必要とすることなく、良質な単結晶インゴットを育成可能なSiC単結晶育成用種結晶を低コストで製造する方法及びこの方法で得られたSiC単結晶育成用種結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a mother plate together with its manufacturing method in which such conventional problems related to a multi-pattern method for a circuit board are settled, as a brazing material used for jointing a ceramics substrate to a metal plate remains even after etching, and as micro cracks occur around a split groove when the circuit board is divided.例文帳に追加

従来の回路基板の多数個取り法の問題、すなわちセラミックス基板と金属板を接合するのに用いたろう材がエッチング後にも残留してしまうこと、回路基板分割時の分割溝周辺の微細な割れを解消した母版とその製造方法が提供される。 - 特許庁

The method of casting the main agent into a blanking mold having wall parts and columnar members becoming the clearance parts, and removing the blanking mold, or the method of removing a fibrous member from the product obtained by kneading the fibrous member with the main material by etching or the like can be used instead of the formation of the clearance parts by the laser processing.例文帳に追加

レーザ加工などによって間隙部を形成する代わりに、間隙部となる壁部や柱状部材を有する抜き型に主剤を注入した後、抜き型を剥離する方法や、主剤に繊維状部材を混練して繊維状部材をエッチングなどで除去する方法を採ることもできる。 - 特許庁

To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.例文帳に追加

フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In this method for manufacturing an optical integrated device by the butt-joint method, a first mask 21 for etching and removing selectively a first semiconductor structure 11 that is formed early is used as a mask pattern of a smaller width L1 that the width L0 of the first layer structure 11.例文帳に追加

バットジョイント法による半導体光集積素子の製造において、先に形成した第１半導体層構造１１に対して選択的なエッチング除去を行うための第１マスク２１を、第１層構造１１の幅Ｌ０よりも狭い幅Ｌ１のマスクパターンとする。 - 特許庁

To provide a blank, a photomask, its manufacturing method, and a pattern transfer method for forming a shading layer as a pattern without trailing the skirt of the shading layer nor exerting adverse influence on a transparent substrate even when dry etching is carried out with a blank having no stopper layer provided between the transparent substrate and shading layer.例文帳に追加

ストッパー層を透明基板と遮光層の間に設けないブランクで、ドライエッチングでエッチングしても、遮光層が裾を引がず、透明基板に悪影響を与えず遮光層をパターンとして形成するブランク、フォトマスク、その製造方法、パターン転写方法を提供すること。 - 特許庁

Since this method for manufacturing the heat spreader for the semiconductor package is processed by forming at least one groove 1a by cutting by etching work or machining work, the method can provide a heat spreader 1 having a large heat dissipation area at an extremely low cost compared with that in a conventional powder metallurgical production.例文帳に追加

本発明の半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法は、１以上の溝１ａをエッチング加工又は機械加工による切削により形成するため、従来の粉末冶金法と比較してきわめて低コストで放熱面積の高いヒートスプレッダ１を提供できる。 - 特許庁

To provide a plate allowing a pattern-like separation layer and a pattern layer to be simply formed without using etching, having a beautiful transfer shape and capable of responding to a minute pattern because the separation layer and the pattern layer has an identical shape; to provide a manufacturing method of the plate; and to provide a board and a manufacturing method of the board.例文帳に追加

パターン状の剥離層およびパターン層をエッチングによらずに簡単に形成でき、しかも、剥離層とパターン層が同一形状であるので、転写形状が綺麗で微細パターンに対応できる版、版の製造方法、基板および基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a metal wiring substrate and a method of manufacturing the same, which can form a pattern of a metal film with a simple process not requiring any etching process on a metal film, can precisely form a fine pattern, even on a metal such as copper (Cu) that is difficult to control etching, and is superior in material utilization efficiency, and a metal wiring substrate for reflection liquid crystal display.例文帳に追加

金属膜のエッチング工程を必要とせず簡単なプロセスによりパターン形成することができ、銅（Ｃｕ）等のエッチング制御が困難な金属であっても精細にパターニングでき、かつ材料の利用効率の優れた金属配線基板及び金属配線基板の製造方法並びに反射型液晶表示装置用金属配線基板を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing of a semiconductor device includes: a first step of carrying a silicon substrate into a processing chamber; a second step of supplying at least a first silane-based gas and a first etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate; and a third step of supplying at least a second silane-based gas and a second etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A method for preventing plasma damage includes a stage of depositing an etching stop layer 27 on a substrate in which a predetermined device is formed, a stage of depositing a PMD 29 and a polysilicon 28 on the etching stop layer, a stage of depositing an insulating film 30 on the substrate, and a stage of forming a metal wiring 31 on the insulating film.例文帳に追加

所定の素子が形成された基板の上に蝕刻止まり層２７を蒸着する段階と；前記蝕刻止まり層上にPMD２９及びポリシリコーン２８を蒸着する段階と；前記基板の上に絶縁膜３０を蒸着する段階と；及び前記絶縁膜の上に金属配線３１を形成する段階と；を含んで成り立つことを特徴とするプラズマのダメージを防止する方法。 - 特許庁

To provide a method for a surface treatment in which an equipment can be easily constituted and miniaturized, and a surface reforming such as a wettability improvement or a surface treatment such as an ashing or an etching can be performed relatively easily at a low cost, without requiring an additional stage for a rinse in a wet etching or a drying, and without an expensive and large facility for a vacuum or a decompressing.例文帳に追加

ウエット法のリンスや乾燥のための追加工程を必要とせず、また真空や減圧のための高価で大型の設備を必要とせず、装置を簡単に構成しかつ小型化でき、濡れ性改善などの表面改質やアッシング、エッチングなどの表面処理を、比較的容易にかつ低コストで行うことができる新規な表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light emitting element comprises the steps of dry etching a group III-V nitride-based semiconductor layer 10 of a laminated structure of an n type semiconductor layer 3, a luminous layer 4, and a p type semiconductor layer 5 at a relatively low first rate, and thereafter etching the group III-V nitride-based semiconductor layer 10 at a final rate faster than the first rate.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法では、ｎ型半導体層３と、発光層４と、ｐ型半導体層５の積層構造からなるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０を相対的に遅い第１速度でドライエッチングした後に、最終的に第１速度よりも速い第２速度でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体層１０をエッチングする。 - 特許庁

The coating method of silicon particles includes: a mixed particle coating step for coating an underlying substrate 1 with mixed particles of silicon particles 2 and silicon oxide particles 3; and a dry etching step for removing the silicon oxide particles 3 by performing dry etching to the mixed particles on the underlying substrate 1 coated therewith, with higher selection ratio of the silicon oxide particles 3 with respect to the silicon particles 2.例文帳に追加

シリコン粒子２と酸化シリコン粒子３との混合粒子を基材１上に塗布する混合粒子塗布工程と、前記基材１上に塗布された前記混合粒子に対して、前記シリコン粒子２に対する前記酸化シリコン粒子３の選択比が高いドライエッチングを行って前記酸化シリコン粒子３を除去するドライエッチング工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a compound semiconductor 1 comprises forming silicon nitride 3 on a GaAs substrate 1, forming silicon oxide 4 on the silicon nitride 3, forming a resist on the silicon oxide 4, etching the silicon oxide 4, removing the resist to form a silicon oxide sidewall 5 on the entire surface, and etching the entire surface, to form openings 6 reaching the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に窒化シリコン３を形成し、窒化シリコン３上に酸化シリコン４を形成し、酸化シリコン４上にレジストを形成して酸化シリコン４をエッチングし、レジストを除去して全面に酸化シリコンからなるサイドウォール５を形成し、全面をエッチングしてＧａＡｓ基板１の表面に達する開口部６を形成して化合物半導体１を製造する構成にした。 - 特許庁

By the method for producing the indium compound, the indium compound can be easily produced from a ferrous chloride solution containing indium (for example, a waste solution produced in an etching process for etching an ITO material or the like by ferric chloride) by using a chelate resin having a polyamine group or N-methylglucamine group.例文帳に追加

本発明者らは、インジウムを含有する塩化第一鉄液（例えばＩＴＯ材等の塩化第二鉄によるエッチング廃液より）からインジウムを回収する方法を鋭意検討した結果、インジウムを含有する塩化第一鉄液からポリアミン基またはN−メチルグルカミン基を有するキレート樹脂を用いることによりインジウム化合物を容易に製造することができることを見出して完成させた。 - 特許庁

In the method of manufacturing the magnetic head, the pole groove and first and second initial side shield grooves are formed in a nonmagnetic layer using an etching mask layer having first to third openings, and wall faces of first and second initial side shield grooves that are closer to the pole groove are etched by a dry etching to thereby complete the first and second side shield grooves 25b1, 25b2.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成し、ドライエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面をエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

The mask cleaning method includes the steps of: preparing a mask having a mask film on its surface with the foreign substance including silicon oxide deposited thereon; holding the mask at a temperature, at which an etching rate to the foreign substance is higher than an etching rate to the mask film, in a cleaning gas including dilute hydrofluoric acid vapor; and supplying the washing gas to the surface of the mask to etch the foreign substance.例文帳に追加

マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The dry etching method of a glass substrate masked by a silicon substrate comprises: a step of bonding a silicon substrate 11 to a surface of a glass substrate 12; a step of forming a silicon mask 11M comprising the silicon substrate 11 on the glass substrate 12; a step of etching the glass substrate 12 through the silicon mask 11M; and a step of removing the silicon mask 11M from the glass substrate 12.例文帳に追加

シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板１２の表面にシリコン基板１１を接合する工程と、ガラス基板１２上でシリコン基板１１からなるシリコンマスク１１Ｍを形成する工程と、シリコンマスク１１Ｍを介してガラス基板１２をエッチングする工程と、シリコンマスク１１Ｍをガラス基板１２から除去する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the passage substrate comprises at least a step of (A) etching a polyimide resin layer 11 by using an alkaline solution as a chemical etching solution, and performing the hydrophilization of the surface of the etched polyimide resin layer 11, and a step of (B) forming the passage by laminating other polyimide resin layers 12, 13.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ性溶液をケミカルエッチング液として用いることで、ポリイミド樹脂層１１をエッチングするとともに、該エッチングされた前記ポリイミド樹脂層１１の表面を親水性化する工程と、（Ｂ）前記エッチングされたポリイミド樹脂層１１に、他のポリイミド樹脂層１２，１３を積層することで流路を形成する工程と、を少なくとも行なうポリイミド樹脂製の流路基板の製造方法とすること。 - 特許庁

To provide a new polymeric compound having excellent transparency in exposition at ≤300 nm wavelength, especially ≤160 nm wavelength, e.g. exposition by using F_2 laser as a light source, also excellent in etching resistance in dry etching and useful as a base resin of a resist material excellent in developing characteristics, a resist material, and a method for forming a pattern by using the same.例文帳に追加

波長３００ｎｍ以下、特に波長１６０ｎｍ以下での露光、例えばＦ_２レーザーを光源とする露光において、優れた透明性を有し、かつドライエッチングに対するエッチング耐性に優れ、かつ現像特性に優れたレジスト材料のベース樹脂として有用な新規高分子化合物並びにレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The etching method for the semiconductor element includes a step of introducing a semiconductor substrate having a material film and a photoresist film formed thereon in increasing order, into a chamber, a step of injecting a precursor gas not containing fluorine into the chamber to form a hydrocarbon film on the photoresist film, and a step of injecting an etching gas into the chamber to etch a material to be etched.例文帳に追加

物質膜上にフォトレジスト膜が形成された半導体基板をチャンバーに導入する段階と、前記チャンバーにフッ素を含有しない前駆ガスを注入することで、前記フォトレジスト膜上に炭化水素膜を形成する段階と、前記チャンバーにエッチングガスを注入することで、エッチング対象物質をエッチングする段階とを含んで半導体素子のエッチング方法を構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor device includes steps of conducting an etching process to a film formed on a semiconductor substrate and peeling the deposits on the film by supplying a chemical solution, after the etching process, to the semiconductor substrate in a state where the substrate is rotated in the number of rotations lower than the predetermined number of rotations and then rotating the semiconductor substrate in the number of rotations larger than the predetermined number of rotations.例文帳に追加

半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。 - 特許庁

The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.例文帳に追加

被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁

To satisfy magnetic characteristics, film thickness, adhesion, uniformity, smoothness, etc. required for a soft magnetic backing layer of a vertical magnetic recording medium to be a hard disk by forming a soft magnetic plating film by an electroless plating method after applying etching processing to a glass substrate by using an etching solution capable of uniformly applying suitable roughness to the surface of the glass substrate without generating defects.例文帳に追加

表面に適度な粗さを均一に欠陥なく付与することが可能なエッチング液を用いてガラス基板にエッチング処理を施した後に無電解めっき法により軟磁性めっき膜を形成することにより、ハードディスクとしての垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層に要求される磁気特性、膜厚、密着性、均一性、平滑性などを満足させる。 - 特許庁

In this etching treating method for cleaning a cleaning member, the cleaning member set in a cleaning tank is subjected to wet etching treatment using a chemical solution, the chemical solution after the completion of the treatment is moved to an another tank through at least one piping, and the cleaning member is not moved and is subjected to water washing treatment in the same cleaning tank.例文帳に追加

洗浄部材を洗浄するエッチング処理方法において、洗浄槽内に設置した該洗浄部材を、化学溶液を用いてウエットエッチング処理を行い、処理終了後の該化学溶液を、少なくとも一つの配管を通して別槽へ移動し、該洗浄部材は移動せず、同一洗浄槽内で水洗処理を行うことを特徴とするエッチング処理方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises the steps of depositing a silicon oxide film 450 on the surface of the semiconductor substrate 100 having the convex 300 on this surface according to high density plasma chemical vapor deposition and etching the silicon oxide film according to isotropic etching so that the deposited silicon oxide film has a height less than that of the summit of the convex portion.例文帳に追加

表面に凸状部３００を有する半導体基板１００の前記表面に高密度プラズマ−化学気相成長法によりシリコン酸化膜４５０を堆積させる堆積工程と、堆積させたシリコン酸化膜の表面が前記凸状部の頂上よりも低い高さになるように等方性エッチングにより前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist underlayer film of a multilayer resist film having at least three layers used in lithography, wherein the resist underlayer film reduces reflectance, has high etching resistance, high heat, and solvent resistances, and avoids wrinkling on a substrate particularly during the etching of the substrate, and also to provide a patterning process using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the suspension blanks with wiring for the hard disks by using a laminate of a three-layered structure laminated with a conductive layer across an electrical insulation layer on a metallic layer to develop spring characteristics comprises subjecting the surface of the insulation layer on the metallic layer surface side to preetching to decrease the differences in etching rates, thereby performing the polyimide etching with the high accuracy.例文帳に追加

バネ特性を発現させる金属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層された３層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブランクスを製造する方法であって、前記金属層面側の前記絶縁層の表面のプレエッチングを実施し、エッチングレートの差を軽減させることにより、高精度にてポリイミドエッチング加工を行う。 - 特許庁

In the method of forming the transparent conductor layer on the surface of the LTPS layer, the transparent conductor layer is laminated after the surface of the LTPS layer is etched with a diluted hydrofluoric acid at room temperature, and an etching amount of the LTPS layer (in terms of etching amount of a silicon oxide CVD film) is set to 30 to 70 Å.例文帳に追加

本発明のＬＴＰＳ層の表面に透明導電体層を形成する方法は、室温において低温ポリシリコン層の表面を希フッ酸によりエッチングした後に透明導電体層を積層する方法において、前記低温ポリシリコン層のエッチング量（酸化珪素ＣＶＤ膜エッチング量換算）を３０Å以上７０Å以下としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cleaning method of easily removing residues generated at dry-etching carried out for etching an a-Si semiconductor layer or a polysilicon semiconductor layer and very efficiently cleaning a semiconductor substrate without corroding a silicon wafer, a board of glass, plastic or the like, and a-Si, polysilicon, and wiring materials used for a thin film circuit at all in a semiconductor substrate manufacturing process.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、半導体層であるａ−Ｓｉやポリシリコン等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス、シリコンウェハー、プラスチック等の基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a transfer mask, having openings formed into a thin film supported with a support frame, the openings are formed, using an etching mask layer as a mask, the etching mask layer is formed, using a resist pattern formed by the lithography using a photoresist as the mask, and the corner squareness of the opening pattern is set at 90°±0.3°.例文帳に追加

支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、前記開口は、エッチングマスク層をマスクとして形成されてなり、前記エッチングマスク層は、フォトレジストを用いたリソグラフィー法により形成されたレジストパターンをマスクとして形成され、開口パターンのコーナーの直角度が、９０°±０．３°であることを特徴とする転写マスクの製造方法。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of (a) forming a resist film 17 selectively on a surface of the nitride film 16; and (b) etching the resist film 17 while etching the nitride film 16 using the resist film 17 as a mask to leave the nitride film 16 covered with the resist film 17 which is made thin and has its end surface retracted.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）窒化膜１６の表面に選択的にレジスト膜１７を成膜する工程、（ｂ）レジスト膜１７をマスクとして窒化膜１６をエッチングすると同時にレジスト膜１７をもエッチングし、薄膜化され端面が退避されたレジスト膜１７に覆われた窒化膜１６を残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

The method for cleaning a reflective photomask blank, which has a conductive film essentially comprising Cr formed on one surface of a glass substrate, comprises etching the conductive film by using an aqueous solution of diammonium cerium nitrate in an etching amount of 10 nm to L-20 nm, wherein L (nm) represents the film thickness of the conductive film.例文帳に追加

ガラス基板の一方の面にＣｒを主成分とする導電膜が形成された反射型マスクブランクスの洗浄方法であって、前記導電膜の膜厚をＬ（ｎｍ）とするとき、エッチング量が１０ｎｍ以上、Ｌ−２０ｎｍ以下となるように、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を用いて該導電膜をエッチング処理することを特徴とする反射型マスクブランクスの洗浄方法。 - 特許庁

The substrate processing method comprises steps of forming a prescribed pattern by etching a film to be etched formed on a substrate; denaturing a substance remained after ending etching processing so as to be soluble in a prescribed liquid; subsequently silylating a surface of the film to be etched on which a pattern is formed; and thereafter dissolving and removing the substance denatured by supplying the prescribed liquid.例文帳に追加

基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、所定の液を供給して変性された物質を溶解除去する工程とを有する。 - 特許庁

In this method of producing the optical reflecting surface, wherein the optical reflecting surface consisting of 111 faces is formed on a monocrystal Si substrate with 100 faces, using anisotropic etching, the shape of the etching mask for forming the optical reflecting surface is formed into a circular or polygonal recessed shape comprising segments with angles larger than 1° and smaller than 44° to the direction of the faces 111 predicted from orientation flat.例文帳に追加

（１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。 - 特許庁

This method includes a process step of forming a plurality of apertures (402) inclusive of at least two apertures having areas varying from each other according to the lens-forming regions to be formed with one microlens and a process step subjecting the substrate to wet etching by using these, in which the external shapes of the microlenses are formed by this wet etching.例文帳に追加

基板（１０）上の該レジスト（４０１）に対して、一つのマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に応じ、相異なる面積を有する少なくとも二つの開口部を含む複数の開口部（４０２）を形成する工程と、これらを利用して前記基板に対するウェットエッチングを実施する工程とを含み、該ウェットエッチングによりマイクロレンズの外形形状を形成する。 - 特許庁