「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plating pretreatment method where lead or the like dissolved in an etching liquid is not electrodeposited (restuck) to a lead-containing copper alloy as the object to be plated even without adding a chelating agent forming an insoluble inert coupled product.例文帳に追加

不溶性の不活性結合物を形成するキレート剤を添加しなくても、エッチング液に溶解した鉛などが被めっき物である鉛含有銅合金に電析（再付着）することがないめっきの前処理法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative type pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, does not swell while having such a chemical structure as to ensure high dry etching resistance and has superior resolution.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in which deterioration in characteristics of a ferroelectric capacitor due to oxidization of a plug can prevented, and etching damage of the ferroelectric capacitor can be prevented in machining an oxygen barrier film, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

プラグの酸化による強誘電体キャパシタの特性低下が防止され、しかも酸素バリア膜の加工時における強誘電体キャパシタのエッチングダメージも抑えられた、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In several aspects, this method further comprises: a step of depositing a place holder material on the surface channel; and a step of etching the place holder material such that a gate region is formed on the surface channel.例文帳に追加

いくつかの局面において、この方法は、表面チャネルの上にプレースホルダー材料を堆積する工程と、表面チャネルの上にゲート領域を形成するようにプレースホルダー材料をエッチングする工程とをさらに包含する。 - 特許庁

To obtain a good semiconductor film in a short time by accelerating the penetration of an etchant for peeling so as to improve the uniformity of an etching speed in a method of forming the semiconductor thin film on a substrate and thereafter peeling it.例文帳に追加

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることのできるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing membrane stress by a nitride film and protecting a semiconductor substrate from damage by preventing an etching stop film from disappearing, when forming source/drain contact holes by a self-alignment process.例文帳に追加

ソース/ドレインコンタクトホールを自己整列工程で形成する際に、窒化膜による膜ストレスを減らすことができ、エッチング停止膜の消失を防ぐことにより半導体基板を損傷から保護することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing damage to metal wiring caused by etching in forming a capacitor by eliminating a useless mask process by forming metal wiring after forming an MIM capacitor, and provide a method of forming the same.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを形成した後に金属配線を形成することにより無駄なマスク工程を省略し、キャパシタ形成時のエッチングでの金属配線の損傷を防止できる半導体素子及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which is provided with a silylated impurity diffused layer and a manufacturing method thereof, where a contact hole can be optimally controlled in the amount of etching to prevent the device from lowering in yield.例文帳に追加

不純物拡散層をシリサイド化している半導体装置において、コンタクトホールのエッチング量を最適に調整することができ、歩留まりの低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate processing method, a first nozzle supplies an etchant to the center of a rotating substrate, and a second nozzle supplies an etching disturbing fluid, diluting the concentration of the etchant, at a position apart from the center of the substrate.例文帳に追加

本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the needle-like body, by exposing a resist layer from a transparent substrate side, the need of high-grade positioning is eliminated and only the resist layer corresponding to the part of a groove provided by etching is selectively exposed.例文帳に追加

本発明の針状体の製造方法は、透明基板側からレジスト層を露光することで、高度な位置合わせの必要が無く、エッチングで設けられた溝の部分に対応するレジスト層のみに選択的に露光することが出来る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device capable of forming element separation grooves (streets) without etching a semiconductor film, capable of improving the controllability of crystal growth, and capable of ensuring high yield.例文帳に追加

半導体膜のエッチングを行うことなく素子分割溝（ストリート）を形成することができ、更に結晶成長の制御性を改善し、高歩留りを確保することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Optical waveguides 2a, 2b are formed on a sapphire substrate 1 by depositing C-axis-oriented LiNbO_3 thin film 11 by an ECR sputtering method on the sapphire substrate 1, then etching the LiNbO_3 thin film 11.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＥＣＲスパッタ法によりＣ軸配向のＬｉＮｂＯ_3薄膜１１を成膜し、その後このＬｉＮｂＯ_3薄膜１１をエッチングすることにより、サファイア基板１の上に光導波路２ａ，２ｂを形成する。 - 特許庁

In the surface treatment method for a lithium based magnesium alloy material, after degreasing, etching and surface control treatment, the surface of a lithium based magnesium alloy material is treated with a fluorine and aluminum-containing treatment solution.例文帳に追加

脱脂、エッチング及び表面調整処理を行った後に、リチウム系マグネシウム合金材の表面に、フッ素及びアルミニウム含有処理液で処理することを特徴とするリチウム系マグネシウム合金材の表面処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for recycling copper resources in a production process where an etching waste liquid after treatment is recharged to an electroplating stage, the waste liquid is reduced from the origin, and the most environment-friendly recycling system is obtained.例文帳に追加

処理後のエッチング廃液を電気めっき工程に再投入し、廃液を元から減少して最も環境にやさしい循環再生方式を実現した、製造プロセスにおける銅資源の循環再生方法の提供。 - 特許庁

To provide a cast ingot prepared for manufacturing Fe-Ni system alloy sheet that can suppress abnormal wear of rolling rolls in cold rolling, keeping the etching characteristics and cost at worst at the same level as those of the conventional Fe-Ni alloy sheet and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

少なくとも従来のエッチング性とコストを維持しつつ冷間圧延時の圧延ロールの異常摩耗等を抑制したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板製造用鋳塊および該鋳塊の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for descaling hot rolled alloy steel band which improves an intermediate term material surface quality to upgrade an etching quality in the end products of Fe-Ni system alloy for both a shadow-mask and a lead frame.例文帳に追加

シャドウマスク用およびリードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ系合金の最終製品におけるエッチング品質を向上させるために、中間素材表面品質を改善する熱間圧延合金帯の脱スケール方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device by which a variance in shape of grating due to etching can be reduced without using a GaAs thermal deformation preventive layer and thermal deformation of the grating can be suppressed.例文帳に追加

ＧａＡｓ熱変形防止層を用いること無く、エッチングに起因する回折格子の形状ばらつきを低減できると共に、回折格子の熱変形を抑制できる、半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, a chemically amplified resist composition and a resist film which satisfy high sensitivity, high resolution, excellent roughness performance and excellent dry etching resistance, and further have excellent developing time dependency.例文帳に追加

高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CVD facility having a plasma etching device capable of removing a naturally deposited oxide film inevitably generated in transferring a semiconductor wafer substrate to a thin film deposition step, and a thin film deposition method utilizing the CVD facility.例文帳に追加

薄膜形成工程への半導体ウェーハ基板の移送時に不可避的に生成される自然酸化膜を除去できるプラズマエッチング装置を具備したＣＶＤ設備、および同ＣＶＤ設備を利用した薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display device whose array substrate wherein a thin film transistor including an etching preventing film is constituted can be fabricated by three mask processes and to obtain a method of fabricating the same.例文帳に追加

液晶表示装置用アレイ基板の製作において、エッチング防止膜を含む薄膜トランジスタが構成された液晶表示装置用アレイ基板を３マスク工程によって製作可能な液晶表示装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which can suppress contamination of a lens barrel, which has high etching durability, which can solve problems about edge roughness or the like and which has having high sensitivity, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

本発明は、鏡塔汚染を抑制可能でかつ高エッチング耐性を有し、エッジラフネス等の問題を解決でき高感度な、感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the tape carrier comprises the steps of etching the substrate copper foil 3 in a state, in which a part of the substrate copper foil 3 is plated with a noble metal film 2 or the film 1 is brought into contact with the foil 3, and making the copper wiring electrically independent.例文帳に追加

下地銅箔３の一部に貴金属膜１のめっきを施すか、又は下地銅箔３に貴金属膜１を接触させた状態で、下地銅箔をエッチング処理して銅配線を電気的に独立させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an etching structure of a fine dimension where an increase in the number of a manufacturing process and an increase in a manufacturing cost are restrained, and on the other hand, the control of manufacturing conditions is not difficult, and which allows exposure to exceed its limit.例文帳に追加

製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the area of a flat end of a conductive bump is somewhat increased and the opening area of the recess of the conductive bump is set so that the end point of etching processing can be detected.例文帳に追加

導電性バンプの平端部の面積をある程度大きくするとともに、導電性バンプの凹部の開口面積を、エッチング処理の終点検出が可能となるようにした半導体の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A method for manufacturing a glass substrate for a magnetic recording medium includes at least a step for performing a grinding process, a step for performing an etching process, and a step for performing a polishing process in this order with respect to inner and outer peripheral end surfaces of a disk-like glass substrate having a center hole.例文帳に追加

中心孔を有する円盤状のガラス基板の内外周端面に対して少なくとも、研削加工を施す工程と、エッチング加工を施す工程と、ポリッシュ加工を施す工程とを、この順で含む。 - 特許庁

To provide a composition for nano imprint excellent in pattern formability and mold releasability, can form a good pattern, and give a pattern after the etching that is small in line edge roughness, and to provide a pattern and a patterning method using this.例文帳に追加

パターン形成性およびモールド剥離性に優れ、良好なパターンが形成でき、かつエッチング後に得られたパターンのラインエッジラフネスが小さいナノインプリント用組成物、これを用いたパターンおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having the high transmittance of over 6% (9 to 15%), suppressing side etching in a halftone film portion, and having the smooth horizontal plane of a quartz surface, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a gate electrode can be formed by preventing a gate oxide film from being damaged by etching without causing any problem accompanying the excessive thinning of a silicon film region or the positional deviation of the gate electrode.例文帳に追加

シリコン膜領域の過剰な薄膜化やゲート電極の位置ズレに伴う諸問題が生じることなく、且つエッチング処理によるゲート酸化膜へのダメージを防止して、ゲート電極を形成する製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor substrate manufacturing method is provided with a first process for thinning an element 1b which is the element forming area of a semiconductor substrate 1 by blast and/or etching, and a second process for further thinning the thinned element 1b by polishing.例文帳に追加

半導体基板１の素子形成領域である素子部１ｂを、ブラスト及び／又はエッチングにより薄化加工する第１の工程と、薄化された前記素子部１ｂを、さらにポリッシュにより薄化加工する第２の工程を備える。 - 特許庁

To provide a diffusion bonding article, in which it can be simply and exactly confirmed whether many sheet members, each having a pattern formed by etching, are laminated in a correct order, correct front and back sides, and a correct angle, and a manufacturing method, therefor.例文帳に追加

エッチングによりパターンが形成された多数枚のシート状部材が、正しい順序・表裏・角度で積層されているかを簡単かつ正確に確認できるよう工夫した拡散接合品及びその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a porous insulating film in which the etching damage can be improved while maintaining the low dielectric constant and the mechanical strength of the insulating film, as it is, without requiring any complicated control, or the like, in the process, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween.例文帳に追加

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing cover glass which improves an etching rate to improve cover glass productivity and forms the cover glass of a high shape accuracy even if its shape is complicated, and to provide the cover glass.例文帳に追加

エッチングレートを向上させることによりカバーガラスの生産効率を向上し、さらには、複雑な形状であっても、形状精度の高いカバーガラスを形成することができるカバーガラスの製造方法およびカバーガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a polymer compound used for resists whose performances such as heat resistance, sensitivity and resolution can be improved without accompanying reduction of resist films, decrease in the line widths of the resists and deterioration in the dry etching tolerance of the polymers.例文帳に追加

レジストの膜減り、レジストの線幅の減少、ポリマーのドライエッチング耐性の低下等を伴わずに、耐熱性、感度、解像度等のレジストの性能を向上させることを可能とするレジスト用高分子化合物の製造方法の提供。 - 特許庁

As shown in Fig. 4, dispersion in the size of the pattern due to the loading effect and the micro-loading effect produced in the etching process can be reduced and the linearity accuracy of an LS pattern can be improved as compared with the conventional method.例文帳に追加

これにより、図４に示すように、エッチング工程で発生するローディング効果及びマイクロローディング効果によるパターンのパターン寸法ばらつきを低減し、ＬＳパターンのリニアリティー精度を従来よりも向上させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for suppressing further deepening of a connection hole due to over etching even if the position of the connection hole on a conductor pattern deviates, and suppressing the generation of the opening failure of other connection holes.例文帳に追加

導電体パターン上の接続孔に位置ずれが生じても、この接続孔がオーバーエッチングにより深くなることを抑制し、かつ他の接続孔の開口不良が生じることを抑制できるの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a TFT substrate with contact holes that are accurately formed by enhancing the accuracy of processing a contact etching, and to provide a method of manufacturing the TFT substrate which can reduce manufacturing costs without causing complication in manufacturing process of the TFT substrate.例文帳に追加

コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a glass substrate for a flat panel display (FPD) in which a coating layer having high chemical resistance or adhesiveness is formed on the surface of a glass substrate before wet etching, and by which the glass substrate having a high accuracy pattern can be manufactured.例文帳に追加

ウェットエッチングを行う前に、耐薬品性や密着性の大きい被覆層をガラス基板表面に形成することにより高精度なパターニングが施されたフラットパネル（ＦＰＤ）用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a vertical channel transistor, which has reduced resistance of a word line and minimized nitride film loss in a process of etching an insulating film between active pillars, and to provide a semiconductor device having the transistor.例文帳に追加

ワードラインの抵抗が減少され、活性ピラー間の絶縁膜のエッチング過程における窒化膜損失が最小化される垂直チャネルトランジスタの形成方法及びそのトランジスタを備えた半導体素子を提供すること。 - 特許庁

In the plasma etching method, treatment gas containing fluorocarbon, etc., is introduced from a gas inlet port 11C into a treatment vessel 11, and an organic and low dielectric constant film on a silicon nitride film in a substrate W to be etched is plasma-etched.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理容器１１内に、フロロカーボン等を含有する処理ガスをガス導入口１１Ｃから導入し、被エッチング基板Ｗ中の、シリコン窒化膜上の有機低誘電体膜を、プラズマエッチングする。 - 特許庁