| 例文 |
etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
To provide a method of manufacturing a gallium nitride compound semiconductor and a method of manufacturing a light-emitting device which can reduce crystal defects, without causing warpages, achieving high perpendicularity on a side (optical resonant surface) relative to a growth plane, and eliminate damages caused by posttreatment, such as etching in the gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体について、結晶欠陥を低減でき、反りが生じず、成長面に対する側面(光共振面)の垂直性が高く、さらにエッチング等の後加工によるダメージが無い、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a coating liquid for formation of a transparent conductive film which can form at low cost and with ease a transparent conductive film which has transparency, a high resistance value and a good etching property, for example, by way of a coating method, and provide a manufacturing method of a transparent conductive film using the above coating liquid and a transparent conductive film.例文帳に追加
塗布法によって、例えば、透明性と高抵抗値を有し、更にエッチング性が良好な透明導電膜を低コストかつ簡便に形成できるような透明導電膜形成用塗布液、およびこの塗布液を使用した透明導電膜の製造方法と透明導電膜を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for inspecting degeneration amount of a magnetic material capable of quantitatively acquiring the amount of degenerated part of a magnetic material which is caused by work such as dry etching, contributing to efficient development of products that use magnetic material.例文帳に追加
ドライエッチング等の加工に起因する磁性材の変質部分の量を定量的に求めることができ、磁性材を用いた製品の効率的な開発等に寄与しうる磁性材の変質量検査方法及び変質量検査装置を提供する。 - 特許庁
The method comprises bringing a biological sample slide into contact with a thermal platform, with or without heat, and with or without a fluid, to facilitate removal or etching of the embedding media from the biological sample.例文帳に追加
本方法は、熱を使用または使用しないで、また流体を使用または使用しないで生物学的試料スライドを加熱プラットフォームと接触させ、生物学的試料から包埋媒体の除去またはエッチィングを促進することを含んでなる。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加
多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor in which by allowing a phosphorous acid-containing acqueous solution to securely penetrate an etching opening, a defective portion is efficiently removed, and the reliability of the aluminum electrolytic capacitor can be improved.例文帳に追加
リン酸含有水溶液をエンチング孔の内部まで確実に浸透させることにより、欠陥部を効果的に除去し、アルミニウム電解コンデンサの信頼性を向上可能なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a direct mastering method which is capable of making a stamper with a small number of stages by directly etching substrates of metals, ceramics, etc., without subjecting the substrates to stages of electroforming etc., and is capable of improving quality and productivity and a device for the same.例文帳に追加
電鋳などの工程を経ず、直接、金属やセラミックなどの基板をエッチングすることにより、少ない工程数でスタンパーを作製することができ、品質及び生産性を向上させることができるダイレクトマスタリング方法とその装置を提供する。 - 特許庁
To provide the pattern manufacturing method for electric insulating film, which is capable of surely effecting pattern forming of an electric insulating film having a penetrating connection hole for arranging an electric connecting unit of electric wiring without employing etching treatment, and an electronic device.例文帳に追加
エッチング処理を用いずに、電気配線用の電気接続部を配置するための貫通接続孔を有する電気絶縁膜を確実にパターン形成することができる電気絶縁膜のパターン製造方法および電子デバイスを提供する。 - 特許庁
In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.例文帳に追加
(a)過酸化水素、(b)無機酸、有機酸、(c)アゾール類(d)ハロゲンイオン、および(e)銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、0.1μm〜30μmの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁
To provide a resist material which has extremely high resolution and etching resistance at a practical use level and is useful for precision microfabrication, to provide a method for forming a pattern with the resist material, and further to provide a polymer useful as a base resin for the resist material.例文帳に追加
極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。 - 特許庁
The etching method includes the steps of: placing the wafer having the APF layer in a processing chamber provided with a power supply operating at approximately 162 MHz; supplying a processing gas to the chamber; applying a source power with the use of the 162 MHz power supply; and applying a bias power to the wafer.例文帳に追加
APF層を有するウェハを約162MHzで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、162MHz電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。 - 特許庁
A method for removing a foreign substance depositing on a photomask is provided, wherein a foreign substance P is irradiated with an electron beam in such an etching gas atmosphere that allows the foreign substance P or the bottom of a recess 13 of the photomask to be etched by irradiation with the electron beam.例文帳に追加
フォトマスクに付着した異物の除去方法であって、電子ビームが照射されることにより異物P又はフォトマスクの凹部13の底面がエッチングされるようなエッチングガス雰囲気中において、異物Pに電子ビームを照射する。 - 特許庁
With this structure, a new process and device development for forming a penetration electrode by dry-etching method after thinning the wafer becomes unnecessary and introduction of special design makes it possible to produce a penetration electrode which is largely decreased in each process difficulty.例文帳に追加
これにより、ウェハを薄型化した後にドライエッチングによって貫通電極を形成する新規のプロセス、装置開発が不要となり、さらに専用設計の導入によって各プロセス難易度を大幅に低減した貫通電極の形成が可能となる。 - 特許庁
To provide a transparent conductive article having high transparency, high conductivity (a low specific resistance value), excellent humidity resistant/heat resistant characteristics, high hardness, and high etching performance, and to provide a method for manufacturing the article and to provide a thin film forming device.例文帳に追加
優れた透明性を有し、高い導電率で(比抵抗値の低く)、耐湿・耐熱特性に優れ、硬度が高く且つエッチング処理性に優れた透明導電性を有する物品と、その物品の製造する方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁
In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加
本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁
To manufacture a direct mastering substrate in which a stamper can be formed by etching through a smaller number of processes than before, in a short time, at low cost and with a high yield, and also to provide an method for manufacturing the stamper using the substrate.例文帳に追加
スタンパーをエッチングにより、従来より少ない工程数で短時間にかつ低コスト、高歩留まりで作製することができるダイレクトマスタリングの基板とその製造方法及び上記基板を使用したスタンパーの製造方法を提供する。 - 特許庁
A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.例文帳に追加
所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜6に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜6よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜7を層間絶縁膜6の上に形成する。 - 特許庁
In the method of manufacturing semiconductor device, a first insulating film is formed by discharging a composition, a second insulating film is formed selectively on the first insulating film, and openings are formed by etching the first insulating film by using the second insulating film as a mask.例文帳に追加
本発明は、組成物を吐出して第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜上に選択的に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜をマスクとして、前記第1の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する。 - 特許庁
An oxide film that is formed on the thick-film electrode surface of the ceramics element is subjected to etching removal by a sputtering method in a rare gas atmosphere whose pressure has been reduced to 1×10^-3 to 3×10^-2 Torr, thus obtaining the ceramic element having superior solderability reliably.例文帳に追加
セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を1×10^^-3〜3×10^-2Torrに減圧された希ガス雰囲気中で、スパッタ法によりエッチング除去して、はんだ濡れ性の良いセラミックス素子を信頼性良く得る。 - 特許庁
To provide a method for producing high-purity cupric oxide also usable as a plating raw material from a waste copper etching solution, which is discharged at a step of manufacturing a printed wiring board and contains degraded hydrochloric acid and copper chloride as principal components, by a simple process.例文帳に追加
プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第2銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁
This peeling method comprises the steps of: corroding the metallic underlayer 2 on the resin 3 with an etching agent such as an aqueous solution of ferric chloride to peel the gold-plated layer 1 from the resin; removing the separated resin; and filtering the gold-containing solution to collect only gold and recycle the gold.例文帳に追加
塩化第二鉄水溶液などのエッチング剤で樹脂3の下地金属層2を腐食させる事で金メッキ層1を樹脂から剥離し、分離された樹脂を取り除き、金を含む溶液をろ過して金のみを回収、リサイクルする。 - 特許庁
To provide a production method of an electrode foil for an electrolytic capacitor, which removes and replaces chlorine ion adhering to the foil while minimizing dissolution of a foil surface layer after etching, and can produce a high powered foil by improving chemical conversion property.例文帳に追加
エッチング工程後、箔表層の溶解を最小限にしつつ、箔に付着している塩素イオンを除去・置換し、化成性向上による高倍率箔を製造することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加
エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてSiO_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてIBDP層とSiO_2層とSi/SiGe層を貫通させて、Si基板中にPのイオン注入を行う。 - 特許庁
In the method for reducing a hydrochloric acid odor of a hydrochloric acid-containing aluminum chloride solution, such as a concentrated liquid of an etching treatment process waste liquid of aluminum foil, the addition of polyaluminum chloride to the solution reduces the odor of the aluminum chloride solution.例文帳に追加
アルミニウム箔のエッチング処理工程廃液の濃縮液など、塩酸を含む塩化アルミニウム溶液の塩酸臭を低減する方法において、該溶液にポリ塩化アルミニウムを添加することにより、該塩化アルミニウム溶液の臭気を低減する。 - 特許庁
A light emitting element array 4 is mounted on an iron substrate 5 where a fine wiring pattern is formed by photoresist etching method and the iron substrate 5 is bonded through an adhesive to a heat sink 3 for dissipating heat generated from the light emitting element array 4.例文帳に追加
発光素子アレイ4は、フォトレジストエッチング方法により微細な配線パターンが形成された鉄基板5に実装され、鉄基板5は、発光素子アレイ4からの熱を放出するためのヒートシンク3に接着剤により固定されている。 - 特許庁
The manufacturing method includes steps of (A) forming a patterned organic film on a substrate; (B) forming a conductive layer on the patterned organic film by electroless plating; and (C) removing a part of the conductive layer by etching.例文帳に追加
上記製造方法は、(A)基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、(B)無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、(C)エッチング処理により前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁
To provide a method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of a substrate including a step of mounting the substrate upon a mechanical support part arranged within a positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor.例文帳に追加
基板をac又はdcプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。 - 特許庁
This producing method has a coating laminating process for a flattened layer 16 and the undercoat layer 13, a process for providing a microlens forming layer and the microlens 11, a process for applying and forming a transparent resin layer, and an etching process for selectively locating the transparent resin 12.例文帳に追加
平坦化層16とアンダ−コート層13の塗布積層工程と、マイクロレンズ形成層及びマイクロレンズ11とする工程と、透明樹脂層を塗布形成する工程と、選択的に透明樹脂12を配設するエッチング工程、を有すること。 - 特許庁
The method of producing a semiconductor substrate characterised in that a recess having a face orientation (001) is formed in the surface of a silicon substrate having a crystal orientation <111> by alkali etching, and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used.例文帳に追加
結晶方位<111>のシリコン基板表面に、アルカリエッチングにより、面方位(001)を有する窪みを形成した後、前記シリコン基板上に、SiGe層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which reduces the penetration of a wet etching solution between a BPSG film and a resist film, thus eliminating the float-up of the resist from even portions densely formed with contact holes.例文帳に追加
本発明は、BPSG膜とレジスト膜との間へのウェットエッチング液の染み込みを減少させることができ、接続孔が密集している部分においてもレジスト浮きが発生することない半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a washing method of a substrate and a substrate washing device which do not over-etch a thin insulating film, a lower film, inappropriately by effectively removing an etching residue and a metal polymer formed in a patterned metal surface on the substrate.例文帳に追加
基板上にパターン化された金属の表面に形成されたエッチング残留物や金属ポリマを効果的に除去し、下部膜である薄い絶縁膜を不適切にエッチングし過ぎない基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁
To much more enhance the reliability of electric connection of circuit components such as a piezoelectric diaphragm or an IC by adopting a cleaning method by dry etching to thereby eliminate a problem of a short-circuit of a miniaturized low profile piezoelectric vibration device to a ceramic multilayer board.例文帳に追加
ドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やICなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上する。 - 特許庁
The manufacturing method of the multilayer substrate composed by sticking a plurality of substrates including steps 1-3 as described hereinafter; provided that the plurality of substrates includes a combination of a first substrate and a second substrate different at least in etching characteristic.例文帳に追加
本発明は、複数の基板を貼り合わせて構成する多層基板の製造方法であり、その複数の基板は、少なくともエッチング特性の異なる第1の基板と第2の基板との組み合わせからなり、以下の第1〜第3工程からなる。 - 特許庁
To provide the method for forming pores finer than the sheet thickness by an etching means by which fine pores irrespective of the sheet thickness of a metallic sheet are formed of the metallic sheet, and to provide a translucent metallic thick plate.例文帳に追加
この発明は、外観的に金属板の板厚による制約を破るような微細孔を金属板に形成するようにしたエッチング手段によりその板厚より細かな微細孔を形成する方法及び半透明金属厚板を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device, in which an insulating film having a sufficiently low leak current, a high electrical stress resistance, and a high etching resistance is deposited on the surface of a semiconductor substrate, and the semiconductor device having the insulating film.例文帳に追加
十分に低いリーク電流、高い電気的ストレス耐性、及び高いエッチング耐性を有する絶縁膜を半導体基板の表面に堆積する、半導体装置の製造方法、並びに、その絶縁膜を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁
Further, the method includes a stage for etching the sacrifice layer 36, and forming a conductive structure having a fin that is a part where the conductive material remains while the sacrifice layer 36 is being separated by a microchannel that is the etched part.例文帳に追加
本方法はさらに、犠牲層(36)をエッチングして、該犠牲層(36)がエッチングされた部位であるマイクロチャネルによって分離された状態で伝導性材料が残存した部位であるフィンを有する伝導性構造を形成する段階を含む。 - 特許庁
To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of a hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加
過酸化水素水に代えてUVインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁
To provide a viahole forming method excellent in utility where etching liquid reaches surely the insides of recessed parts when viaholes having a small diameter are formed, so that the viaholes can be excellently formed and a precise circuit can be formed.例文帳に追加
径小なビアホールを形成する際にもエッチング液が凹部内に確実に達して良好にビアホールを形成することができ、よって、精密な回路を形成することができる実用性に秀れたビアホール形成方法を提供するものである。 - 特許庁
The method for manufacturing the forming die 10 includes steps of: forming a pattern having a concave portion and a convex portion on a substrate 11; and etching the patterned substrate 11 to form a circular arc at the corner of the convex portion.例文帳に追加
この成形型10の製造方法としては、基材11に凹部と凸部とを有するパターンを形成する工程と、パターンが形成された基材11に対してエッチングを施し凸部の角に円弧を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).例文帳に追加
さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第2スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁
To provide a production method for a laminate having patterned metal films, capable of readily plasma etching a plating layer and of obtaining a laminate having excellent insulating properties between the patterned metal films.例文帳に追加
本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
As shown in the top view, the piezoelectric vibrator 1 is supported by a thick silicon peripheral part 3 arranged on an outer peripheral part including the right and left of the figure through two beams 2 formed by removing silicon by a known method such as etching.例文帳に追加
上面図に示すように圧電振動子1は、シリコンをエッチングなどの公知の方法で除去して形成した2本の梁2を介して、厚みのある図の左右を含む外周部に設けられているシリコン周辺部3に支持がされている。 - 特許庁
To provide a touch panel manufacturing method for reliably preventing wiring located outside a sealed part from being cut even in removing micro-crack or flaw generated at the end of a cut glass substrate by etching, and to provide a touch panel.例文帳に追加
切断したガラス基板の端部に発生するマイクロクラックや傷をエッチングにより除去する場合でも、シール部分の外側に位置する配線が断線することを確実に防止することのできるタッチパネルの製造方法およびタッチパネルを提供すること。 - 特許庁
To provide a composition for cleaning an electronic device that exhibits excellent cleaning performance for etching residue, resist residue and the like without causing any damage to a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper and to provide a method for cleaning an electronic device using the composition.例文帳に追加
アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To prevent stray light, such as lens-reflected light reaching an image surface from disturbing the inspection sensitivity in a dark field defect detection method by high elevation angle illumination for detecting groove bottom short-circuit defects or scratch, after the completion of etching.例文帳に追加
エッチング完了後の溝底ショート欠陥やスクラッチを検出するための高仰角照明による暗視野欠陥検出方法において、レンズ反射光などの迷光が像面に到達することによる検査感度を阻害することを防止する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a TAB tape in which the TAB tape whose conductor pattern has high precision is stably manufactured by eliminating deviation and variance of etching which tends to occur as the TAB tape is widened.例文帳に追加
TABテープの幅広化に伴って生じやすくなる傾向にあったエッチングの偏りやばらつきを解消して、導体パターンの寸法精度の高いTABテープを安定的に製造することを可能としたTABテープの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a ridge type semiconductor laser so constituted as to improve the reproducibility of diffraction grating formation during a production process, and to prevent the deterioration of the crystal quality of an etching stopper layer, and a method for manufacturing the ridge type semiconductor laser.例文帳に追加
製造中に回折格子形成の再現性を良くすること及びエッチングストッパ層の結晶品質の劣化を防ぐことができる構造のリッジ型半導体レーザ及びリッジ型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for producing 2-chloro-3,3,3-trifluoropropene which may become functional materials such as coolants, foaming agents, detergents, solvents, etching agents, and aerosol; or physiologically active substances, intermediates of functional materials; and a monomer for polymer compounds.例文帳に追加
本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤、溶剤、エッチング剤、エアゾール等の機能材料又は生理活性物質、機能性材料の中間体、高分子化合物のモノマーとなりうる、2−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a copper foil for a printed circuit board without exfoliation of copper powder, which can obtain satisfactory peel strength to an insulating resin base material and high etching factor Ef, without being influenced by a surface roughness of face to be adhered of a copper foil.例文帳に追加
銅箔の被接着面の表面粗さに影響されることなく、絶縁樹脂基材との十分な引き剥がし強さと高いエッチングファクターEfが得られ、銅粉落ちのない印刷回路基板用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a glass etching method, nickel layers 3 are formed in a certain pattern on the surface 2 of a glass substrate 1, and the obtained glass substrate with the nickel layers 3 is heated to induce spontaneous release of the nickel layers 3 as well as the surface parts of the glass substrate 1 on which the nickel layers 3 are deposited.例文帳に追加
ガラス基材1の表面2にニッケル層3をパターン形成したのち、得られたニッケル層3付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層3に付着したガラス基材1の表面部分とともにニッケル層3を自然剥離させる。 - 特許庁
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