「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(114ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing the solid preparation 61 comprises forming a polymer film 41 containing a medicament on a substrate 1, dividing the polymer film 41 by etching to many fine polymer films, and separating the many fine polymer films from the substrate to provide the solid preparation 61.例文帳に追加

基板１上に薬剤を含有する高分子膜４１を形成し、この高分子膜４１をエッチングして複数の微小高分子膜に分割した後、それらの複数の微小高分子膜を基板１から剥離して固形製剤６１を得る。 - 特許庁

In the removal process of the semiconductor layer 14, a dry etching method is used so that even an electrode film 19 hidden under a resist 20 can be prevented from being removed, and that any level in difference can be prevented from being generated between the electrode 15 and 16 and the semiconductor layer 14.例文帳に追加

半導体層１４の除去工程では、ドライエッチング法を用いているので、レジスト２０の下に隠れている電極膜１９まで除去されることがなく、電極１５，１６と半導体層１４との間で段差は生じない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transfer mask (stencil mask) that reduces a defect of a warpage caused in a transfer mask fabricated by using an SOI wafer due to a compressive stress of an etching stopper layer and has excellent transfer accuracy.例文帳に追加

ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of this surface heating element, the surface heating element 6 is obtained by removing only the metallic thin foil 1 of the prescribed width along the outer edge of the metallic thin foil 1 which becomes the surface heating element 6 by means of the etching treatment.例文帳に追加

面状発熱体６となる金属薄箔１の外縁に沿った所定巾の金属薄箔１のみを前記エッチング処理により前記基板部２上から除去することで前記面状発熱体６を得る面状発熱体の製造方法。 - 特許庁

To prevent the generation of a blur on the surface of a substrate caused by an adhesive agent regarding treatment equipment which contains back-side etching equipment wherein the back of the substrate is etched in constituent, and regarding an adhesive agent eliminating method.例文帳に追加

本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置及び接着剤除去方法に関し、接着剤に起因して基板表面に曇りが発生するのを防止することを課題とする。 - 特許庁

In a glass etching method, nickel layers 3 are formed in a certain pattern on the surface 2 of a glass substrate 1, and the obtained glass substrate with the nickel layers 3 is heated to induce spontaneous release of the nickel layers 3 as well as the surface parts of the glass substrate 1 on which the nickel layers 3 are deposited.例文帳に追加

ガラス基材１の表面２にニッケル層３をパターン形成したのち、得られたニッケル層３付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層３に付着したガラス基材１の表面部分とともにニッケル層３を自然剥離させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing a micro electromechanical device, a first sacrifice layer member 102 and a second sacrifice layer member 104 having an etching rate lower than that of the first sacrifice layer member 102 are prepared, and a space layer 102a is formed by removing all of the first sacrifice layer member 102.例文帳に追加

第１犠牲層部材１０２と、第１犠牲層部材１０２のエッチング・レートよりも遅いエッチング・レートを有する第２犠牲層部材１０４とからなり、第１犠牲層部材１０２がすべて除去されて空間層１０２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate washing method and a substrate washing apparatus which can prevent chemicals from remaining on the surface of a substrate by not mixing the chemicals and a washing liquid at the time of continuous spin etching using the chemicals of different kinds.例文帳に追加

本発明は、異種の薬液を用いて連続したスピンエッチングする際に、薬液と洗浄液とを混合させずに、基板の表面上の薬液残りを防止するための、基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form via holes, a wiring groove or the like by etching a layer insulation film or the like, while restraining enlargement of a pattern size of a hard mask and can properly remove the used hard mask.例文帳に追加

ハードマスクのパターン寸法の拡大を抑制しつつ層間絶縁膜等をエッチングしてビアホールや配線溝等を形成することができ、また、用いたハードマスクを十分に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid jetting head in which a reservoir can be formed good by surely removing an adhesion layer by wet etching, and a channel-forming substrate and a reservoir-forming substrate can be firmly joined to each other, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

密着層をウェットエッチングによって確実に除去してリザーバを良好に形成することができ、且つ流路形成基板とリザーバ形成基板とを強固に接合することができる液体噴射ヘッド及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide semiconductor light emission equipment that can be manufactured by simplifying a process without deterioration in the crystallizability of any etching stop layer in the semiconductor light emission equipment where pluralities of semiconductor light-emitting devices are mounted, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emission equipment.例文帳に追加

複数個の半導体発光素子を搭載する半導体発光装置においていずれのエッチングストップ層の結晶性を悪化させることなく工程を簡略化して製造可能である半導体発光装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing dross generated by laser boring during processing of a via hole connecting upper and lower conductor wiring layers by etching which is excellent in dimensional stability and realizes connection reliability in a following process.例文帳に追加

上下の導体配線層を接続するビアホールをレーザー穴あけ加工により加工した際に発生するドロスを、寸法安定性に優れ、後のめっき工程において接続信頼性の得られるエッチングにより除去する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing plastic plated goods which does not require chemical etching, does not always require the addition of a large amount of inorganic fillers for forming a physically roughened surface effective for the adhesion property of plating and is capable of assuring high plating quality.例文帳に追加

化学エッチングが不要で、また、メッキ密着性に有効な物理的粗化表面を形成するための多量な無機充填材添加を必ずしも必須とせず、高いメッキ品質が確保できるプラスチックメッキ品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first mask 43 wherein the shape of a spiral contactor 20 is pattern-formed on the surface of a conducting member 40 is formed, and the conducting member 40 not covered with the first mask 43 is etched up to the middle part by the wet etching method.例文帳に追加

導電性部材４０の表面にスパイラル接触子２０の形状がパターン形成された第１マスク４３を形成し、前記第１マスク４３に覆われていない前記導電性部材４０を途中までウエットエッチング法にてエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a copper foil for a printed circuit board without exfoliation of copper powder, which can obtain satisfactory peel strength to an insulating resin base material and high etching factor Ef, without being influenced by a surface roughness of face to be adhered of a copper foil.例文帳に追加

銅箔の被接着面の表面粗さに影響されることなく、絶縁樹脂基材との十分な引き剥がし強さと高いエッチングファクターＥｆが得られ、銅粉落ちのない印刷回路基板用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical device and a manufacturing method thereof, which avoids pervasion into a reflective electrode due to permeation of an etching solution, expands the reflective electrode up to an edge of a transparent conductive layer, and improves the productivity, and also to provide electronic equipment.例文帳に追加

エッチング液の浸透による反射電極の侵食を回避でき、反射電極を透明導電層の縁まで拡大することができ、かつ生産性を向上することができる電気光学装置とその製造方法および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for inspecting degeneration amount of a magnetic material capable of quantitatively acquiring the amount of degenerated part of a magnetic material which is caused by work such as dry etching, contributing to efficient development of products that use magnetic material.例文帳に追加

ドライエッチング等の加工に起因する磁性材の変質部分の量を定量的に求めることができ、磁性材を用いた製品の効率的な開発等に寄与しうる磁性材の変質量検査方法及び変質量検査装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises bringing a biological sample slide into contact with a thermal platform, with or without heat, and with or without a fluid, to facilitate removal or etching of the embedding media from the biological sample.例文帳に追加

本方法は、熱を使用または使用しないで、また流体を使用または使用しないで生物学的試料スライドを加熱プラットフォームと接触させ、生物学的試料から包埋媒体の除去またはエッチィングを促進することを含んでなる。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加

多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the pattern manufacturing method for electric insulating film, which is capable of surely effecting pattern forming of an electric insulating film having a penetrating connection hole for arranging an electric connecting unit of electric wiring without employing etching treatment, and an electronic device.例文帳に追加

エッチング処理を用いずに、電気配線用の電気接続部を配置するための貫通接続孔を有する電気絶縁膜を確実にパターン形成することができる電気絶縁膜のパターン製造方法および電子デバイスを提供する。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 which has a selection ratio of an interlayer insulating film 6 higher than that of a resist film and which is more hardly polished in a chemical/mechanical polishing method than the interlayer insulating film 6 is formed on the interlayer insulating film 6 under predetermined etching conditions.例文帳に追加

所定のエッチング条件においてレジスト膜よりも層間絶縁膜６に対する選択比が高くかつ層間絶縁膜６よりも化学機械研磨法において研磨され難いシリコン窒化膜７を層間絶縁膜６の上に形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor device, a first insulating film is formed by discharging a composition, a second insulating film is formed selectively on the first insulating film, and openings are formed by etching the first insulating film by using the second insulating film as a mask.例文帳に追加

本発明は、組成物を吐出して第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に選択的に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチングして開口部を形成する。 - 特許庁

In case a photo etching method is used, the electrode and the black-colored strip are formed on a photo mask, photosensitive black-colored silver paste is printed on a glass plate, and the bus electrode and the black-colored strip are molded at one time by development and exposure.例文帳に追加

フォトエッチング法を用いる場合、フォトマスク上に電極および黒色ストリップを形成し、ガラス板上に感光性黒色銀ペーストを印刷し、現像および露光によってバス電極および黒色ストリップを一度に成型することを実現する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method which can be used for synthesis of various carbon coatings, and for reforming and etching of the surface of a sample substrate, without sacrificing any of speed and cost for synthesizing diamond, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

ダイヤモンドの合成速度もしくは合成コストの何れをも犠牲にすることなく、各種炭素皮膜の合成及び試料基板表面の改質，エッチングに適用可能なプラズマ処理方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.例文帳に追加

（ａ）過酸化水素、（ｂ）無機酸、有機酸、（ｃ）アゾール類（ｄ）ハロゲンイオン、および（ｅ）銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁

To provide a resist material which has extremely high resolution and etching resistance at a practical use level and is useful for precision microfabrication, to provide a method for forming a pattern with the resist material, and further to provide a polymer useful as a base resin for the resist material.例文帳に追加

極めて高い解像性と実用レベルのエッチング耐性を有し、精密な微細加工に有用なレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法、更には該レジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。 - 特許庁

The etching method includes the steps of: placing the wafer having the APF layer in a processing chamber provided with a power supply operating at approximately 162 MHz; supplying a processing gas to the chamber; applying a source power with the use of the 162 MHz power supply; and applying a bias power to the wafer.例文帳に追加

ＡＰＦ層を有するウェハを約１６２ＭＨｚで作動する電源を備えた処理チャンバ内に設置し、処理ガスをチャンバに供給し、１６２ＭＨｚ電源を用いてソース電力を印加し、バイアス電力をウェハに印加することを含む。 - 特許庁

To provide a transparent conductive article having high transparency, high conductivity (a low specific resistance value), excellent humidity resistant/heat resistant characteristics, high hardness, and high etching performance, and to provide a method for manufacturing the article and to provide a thin film forming device.例文帳に追加

優れた透明性を有し、高い導電率で（比抵抗値の低く）、耐湿・耐熱特性に優れ、硬度が高く且つエッチング処理性に優れた透明導電性を有する物品と、その物品の製造する方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

To manufacture a direct mastering substrate in which a stamper can be formed by etching through a smaller number of processes than before, in a short time, at low cost and with a high yield, and also to provide an method for manufacturing the stamper using the substrate.例文帳に追加

スタンパーをエッチングにより、従来より少ない工程数で短時間にかつ低コスト、高歩留まりで作製することができるダイレクトマスタリングの基板とその製造方法及び上記基板を使用したスタンパーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor in which by allowing a phosphorous acid-containing acqueous solution to securely penetrate an etching opening, a defective portion is efficiently removed, and the reliability of the aluminum electrolytic capacitor can be improved.例文帳に追加

リン酸含有水溶液をエンチング孔の内部まで確実に浸透させることにより、欠陥部を効果的に除去し、アルミニウム電解コンデンサの信頼性を向上可能なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a direct mastering method which is capable of making a stamper with a small number of stages by directly etching substrates of metals, ceramics, etc., without subjecting the substrates to stages of electroforming etc., and is capable of improving quality and productivity and a device for the same.例文帳に追加

電鋳などの工程を経ず、直接、金属やセラミックなどの基板をエッチングすることにより、少ない工程数でスタンパーを作製することができ、品質及び生産性を向上させることができるダイレクトマスタリング方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adamantane derivative having excellent optical characteristics such as light resistance, mechanical properties such as heat resistance, adhesion properties, etching resistance and the like, to provide a method for producing the same, to provide a resin composition containing the derivative and to provide a cured product using the derivative.例文帳に追加

耐光性などの光学特性、耐熱性などの機械物性、接着性、エッチング耐性等に優れるアダマンタン誘導体、その製造方法、当該誘導体を含む樹脂組成物及び当該誘導体を使用する硬化物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and a pattern forming method that uses identical satisfying high sensitivity, high resolution, proper pattern shape, proper line edge roughness and dry etching resistance, at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状及び良好なラインエッジラフネス、さらには耐ドライエッチング性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性低分子化合物含有組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing 3,3,3-trifluoropropene capable of serving as a functional material such as a refrigerant, a foaming agent, a detergent, a solvent, an etching agent and an aerosol, an intermediate of a physiologically active substance or a functional material or a monomer composing a polymer compound.例文帳に追加

本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤、溶剤、エッチング剤、エアゾール等の機能材料又は生理活性物質、機能性材料の中間体、高分子化合物のモノマーとなりうる、３，３，３−トリフルオロプロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of (A) forming a patterned organic film on a substrate; (B) forming a conductive layer on the patterned organic film by electroless plating; and (C) removing a part of the conductive layer by etching.例文帳に追加

上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）エッチング処理により前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁

To provide a method of low-damage, anisotropic etching and cleaning of a substrate including a step of mounting the substrate upon a mechanical support part arranged within a positive column of a plasma discharge generated by either an ac or dc plasma reactor.例文帳に追加

基板をａｃ又はｄｃプラズマ反応装置のいずれかによって発生されたプラズマ放電の陽光柱内に配置された機械的支持部上への取り付けステップを含んだ基板の低損傷、異方性エッチング及びクリーニングの方法を提供する。 - 特許庁

This producing method has a coating laminating process for a flattened layer 16 and the undercoat layer 13, a process for providing a microlens forming layer and the microlens 11, a process for applying and forming a transparent resin layer, and an etching process for selectively locating the transparent resin 12.例文帳に追加

平坦化層１６とアンダ−コート層１３の塗布積層工程と、マイクロレンズ形成層及びマイクロレンズ１１とする工程と、透明樹脂層を塗布形成する工程と、選択的に透明樹脂１２を配設するエッチング工程、を有すること。 - 特許庁

The method of producing a semiconductor substrate characterised in that a recess having a face orientation (001) is formed in the surface of a silicon substrate having a crystal orientation <111> by alkali etching, and then an SiGe layer is grown epitaxially on the silicon substrate, is used.例文帳に追加

結晶方位＜１１１＞のシリコン基板表面に、アルカリエッチングにより、面方位（００１）を有する窪みを形成した後、前記シリコン基板上に、ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a production method of an electrode foil for an electrolytic capacitor, which removes and replaces chlorine ion adhering to the foil while minimizing dissolution of a foil surface layer after etching, and can produce a high powered foil by improving chemical conversion property.例文帳に追加

エッチング工程後、箔表層の溶解を最小限にしつつ、箔に付着している塩素イオンを除去・置換し、化成性向上による高倍率箔を製造することのできる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the emitter aperture window forming process, immediately after a SiO_2 layer is removed with the dry etching method using a resist mask, the phosphorus ion is implanted into an Si substrate through the IBDP layer, SiO_2 layer and Si/SiGe layer using the same resist mask.例文帳に追加

エミッタ開口窓の形成工程において、レジストマスクを用いてＳｉＯ_2層をドライエッチングした直後に、同じレジストマスクを用いてＩＢＤＰ層とＳｉＯ_2層とＳｉ／ＳｉＧｅ層を貫通させて、Ｓｉ基板中にＰのイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which reduces the penetration of a wet etching solution between a BPSG film and a resist film, thus eliminating the float-up of the resist from even portions densely formed with contact holes.例文帳に追加

本発明は、ＢＰＳＧ膜とレジスト膜との間へのウェットエッチング液の染み込みを減少させることができ、接続孔が密集している部分においてもレジスト浮きが発生することない半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a washing method of a substrate and a substrate washing device which do not over-etch a thin insulating film, a lower film, inappropriately by effectively removing an etching residue and a metal polymer formed in a patterned metal surface on the substrate.例文帳に追加

基板上にパターン化された金属の表面に形成されたエッチング残留物や金属ポリマを効果的に除去し、下部膜である薄い絶縁膜を不適切にエッチングし過ぎない基板の洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To much more enhance the reliability of electric connection of circuit components such as a piezoelectric diaphragm or an IC by adopting a cleaning method by dry etching to thereby eliminate a problem of a short-circuit of a miniaturized low profile piezoelectric vibration device to a ceramic multilayer board.例文帳に追加

ドライエッチングによる洗浄方法を採用し、小型化・低背化された圧電振動デバイスのセラミック多層基板に対するショートの問題をなくし、圧電振動板やＩＣなどの回路素子の電気的な接続の信頼性をより一層向上する。 - 特許庁

The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).例文帳に追加

さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁